JP4426690B2 - 3D circuit board manufacturing method and 3D circuit board - Google Patents

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JP4426690B2 JP2000050381A JP2000050381A JP4426690B2 JP 4426690 B2 JP4426690 B2 JP 4426690B2 JP 2000050381 A JP2000050381 A JP 2000050381A JP 2000050381 A JP2000050381 A JP 2000050381A JP 4426690 B2 JP4426690 B2 JP 4426690B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば携帯電話の移動通信装置やGPS(Global Positioning System)装置に使用される誘電体アンテナ等のような立体回路基板の製造方法及びこの製造方法により製造された立体回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から誘電体アンテナなどのような立体回路基板の製造方法として、誘電体材料から所定形状の誘電体基体を成形し、この所定形状に成形された誘電体基体の表面のうち、この所定パターンの導電層が形成されるべき表面部分を露出させて、この部分以外の表面部分を覆うように、この誘電体基体に樹脂マスクを一体的に成形し、無電解メッキを施す表面に金属微粒子を付着させるための触媒を付与した後、樹脂マスクの表面及びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体の全表面上に無電解めっきにより導体層を形成し、このめっきされた誘電体基板とこの樹脂マスクとの一体品から樹脂マスクを除去して、この誘電体基体の表面上に所定パターンの導体層を形成するものである(例えば、特開平11-17442号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、誘電体基体と樹脂マスクとの接着界面内にエッチング液や触媒液が浸透することを防止するに十分な接着強度を得るために、この誘電体基体と樹脂マスクの材料として相互に相溶性のあるものが選択適用されていた。さらに、無電解めっきにより導体層を形成した後、即ち、樹脂マスクの表面とこの樹脂マスクから露出している誘電体基体の全表面に導体層を形成した後で樹脂マスクを除去するものであるため、この樹脂マスクを除去するとき、一連に連続している樹脂マスク表面の導電層と誘電体基体の導体層とは、強制的な剥離作業により、この誘電体基体の導体層の周辺が凹凸形状、つまりジグザグの状態になったり、誘電体基体に使用上支障になる残査が残ったり、疵がついたりする。そのため、誘電体アンテナの面積が設計通りでなくなり、アンテナとしての機能が落ちる。
【0004】
そこで、本発明の目的は導電体基体の導体層の周辺の輪郭が明確であり、誘電体基体から樹脂マスクを容易かつ敏速に除去することのできる立体回路基板の製造方法及びこの製法により製造される立体回路基板を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載した本発明の特徴は、合成樹脂材料により前記所定形状の誘電体基体を形成する第一の工程と、この誘電体基体の表面のうち、前記所定パターンの導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マスクを形成する第2の工程と、この樹脂マスク及びこの樹脂マスクから露出している上記誘電体基体の全表面を粗面化処理する第3の工程と、この粗面化された前記全表面に無電解めっきに対する触媒を付与する第4の工程と、上記誘電体基体から上記樹脂マスクを除去する第5の工程と、上記誘電体基体の表面に所定パターンの導電層を無電解めっきにより形成する第5の工程とを含むものであって、上記誘電体基体と上記樹脂マスクの材料は相互に弱相溶性のものであるところにある。
【0006】
したがって、この発明の特徴は、第1の工程において形成する導電体基体と第2の工程において形成する樹脂マスクの材料は、適正な接着強度を得るために、相互に弱相溶性のものであるところにある。この弱相溶性とは、相溶性と非相溶性との中間のもので、具体的には誘電体基体と樹脂マスクの界面を機械的に剥離する場合、この誘電体基体の表面に使用上支障になる残査、疵が残らず、かつ湿式工程でのエッチング液や触媒液、メッキ液が界面へ浸透することを防止できる範囲の温度で溶着している状態を言う。
【0007】
さらに、他の特徴は第5の工程の樹脂マスクを除去した後で、第6の導電層を形成するところにある。
【0008】
誘電体基体の材料の合成樹脂は耐熱性と強度において優れ、例えば金型を閉じた状態でキャビティ内にめっきグレードの熱可塑性の液晶ポリマーを射出して成形するものである。この熱可塑性の液晶ポリマーは熱可塑性芳香族系ポリエステル樹脂(LCP)であって、これは「ベクトラ」(ポリプラスチック株式会社製の商品名)のめっきグレードC810を用いる。
【0009】
その他、この誘電体基体1の材料の合成樹脂としてポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリフェニンエーテル(PPE)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、シンジオタチックポリスチレン(SPS)などの熱可塑性樹脂が選択適用できる。このような合成樹脂を射出成形することにより所定形状の立方体の一次基体である誘電体基体を形成する。
【0010】
次に、二次成形品の樹脂マスクの材料の合成樹脂は、容易に曲げることのできるエラストマーで、このエラストマーとしては、熱可塑性ポリエステル系エラストマーである「ハイトレル#SB704 東レ・デュポン社製の商品名」を使用した。これは常温で弾性を有するものである。
【0011】
その他、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−ブタジェン−スチレンコポリマー、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマーなどのスチレン系エラストマーがある。
【0012】
これらのエラストマーは一種又は二種以上を混合してもよい。エラストマーの有する弾力性を損なわない限度で熱可塑性樹脂を混合して用いてもよい。
【0013】
樹脂マスク2用の樹脂材料には、寸法精度や硬度を調整するためタルク、ベントナイト、マイカ、ワラストナイト、ガラスフィラーなどの無機フィラーなどを複合させるように添加してもよい。さらに、スチレン系エラストマーのような相溶性エラストマーに非相溶性エラストマーを適宜混入して弱相溶性に改良してもよい。
【0014】
請求項2に記載した本発明の特徴は、合成樹脂材料により前記所定形状の誘電体基体を形成する第1の工程と、この誘電体基体の表面のうち、前記所定パターンの導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マスクを形成する第2の工程と、上記樹脂マスク及びこの樹脂マスクから露出している上記誘電体基体の全表面を粗面化処理する第3の工程と、この粗面化された前記全表面に無電解めっきに対する触媒を付与する第4の工程と、上記誘電体基体の粗面化処理された面と上記樹脂マスクの全表面に導電層を無電解めっきにより形成する第5の工程と、上記誘電体基体から上記樹脂マスクを除去する第6の工程とを含み、さらに、上記誘電体基体と上記樹脂マスクとの材料は相互に弱相溶性のものであるところにある。そして、誘電体基体と樹脂マスクの材料は、請求項1に記載した発明の材料が選択適用される。
【0015】
この発明の特徴は誘電体基体と樹脂マスクの材料が相互に弱相溶性であるところにあり、この弱相溶性とは、前記したように相溶性と非相溶性との中間のもので、誘電体基体から樹脂マスクの界面を機械的に剥離する場合、この誘電体基体の表面に使用上支障になる残査、疵が残らず、かつ湿式工程でのエッチング液、触媒液及び化学めっき液が界面へ浸透することを防止できる範囲の温度で溶着している状態を言う。
【0016】
【発明の実施の形態】
図面を参照して本発明に係る立体回路基板の製造方法の実施の形態を説明すると、まず第1の形態は図1(A)〜(E)に示すものである。第1の工程は図1(A)に示すように、一次成形物である誘電体基板1を成形するもので、この誘電体基体の材料の合成樹脂は耐熱性と強度において優れ、例えば金型を閉じた状態でキャビティ内にめっきグレードの熱可塑性の液晶ポリマーを射出して成形するものである。この熱可塑性の液晶ポリマーは熱可塑性芳香族系ポリエステル樹脂であって、これは「ベクトラ」(ポリプラスチック株式会社製の商品名)のめっきグレードC810を用い、これは熱可塑性でありながら半田実装耐熱性があり成形回路部品としての性能を有している。そこで、合成樹脂材料を射出成形することにより所定形状の立方体の一次基体である誘電体基体1を形成する。
【0017】
次に、第2の工程は図1(B)に示すように、第1の工程の後、誘電体基体1の表面のうち、所定パターンの導体層4(図1(F)参照)が形成されるべき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マスク2を形成するものである。樹脂マスク2の材料としては、容易に曲げることのできるエラストマーで、このエラストマーとしては、常温で弾性を有するもので、熱可塑性ポリエステル系エラストマーである「ハイトレル#SB704 東レ・デュポン社製の商品名」を使用した。
【0018】
このように、誘電体基体1の材料を前記した「ベクトラ」を使用し、この樹脂マスク2の材料として「ハイトレル#SB704」を使用するので、この誘電体基体1と樹脂マスク2とは弱相溶性の範囲の接着強度を有するようになり、そのため、後で説明する第5の工程である樹脂マスク2の除去作業が簡単になる。樹脂マスク2の成形条件としては、成形機(東洋機械金属(株)の型式:TI30G2)において、シリンダ温度:230℃、射出圧力:717kg/cm、成形サイクル:25秒、金型温度:40℃に設定したものである。
【0019】
次に、第3の工程の化学エッチング工程を図1(C)を参照して説明すると、このエッチング処理面3は、樹脂マスク2及びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体1の全表面を粗面化処理するものである。このエッチング処理の例として、苛性ソーダ又は苛性カリを所定濃度、例えば、45wt%に溶解したアルカリ性水溶液を所定温度、例えば50〜90℃に加熱し、一次成形品の誘電体基体1、二次成形品の樹脂マスク2を所定時間、例えば30分浸漬して行う。このエッチング処理により全表面が粗面化する。この工程において、誘電体基体1と樹脂マスク2の接触した界面は弱相溶性の接着強度により、この界面にエッチング液が浸透することは十分に防止される。
【0020】
そこで、図1(D)により第4の工程を説明すると、この工程では粗面化した処理面3にパラジウム、金などによる触媒を付与(賦与)して触媒賦与面31とするもので、例えば、錫、パラジウム系の混合触媒液に図1(C)に示す成形品を浸漬した後、塩酸、硫酸などの酸で活性化し、表面にパラジウムを析出させる。または、塩化第1錫などの比較的強い還元剤を表面に吸着させ、金などの貴金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、表面に金を析出させる。液の温度は15〜23℃で5分間浸漬すればよい。このようにして粗面化した処理面3は触媒が付与された面31になる。この工程においても、誘電体基体1と樹脂マスク2の接触した界面は弱相溶性の接着強度により、この界面に触媒液が浸透することはない。
【0021】
次に、図1(E)により第5の工程を説明すると、これはエッチングされ触媒が付与された誘電体基板1や樹脂マスク2を乾燥させた後、この誘電体基体1から樹脂マスク2を除去する工程であって、これは手作業で行うことができるが、この除去作業を容易にするため、樹脂マスク2除去用の機器を使用してもよい。なお、樹脂マスク2の材料と誘電体基体1の材料を弱相溶性の合成樹脂から選択されているため、相溶性の樹脂相互間の接着強度よりも弱い。そのため、この樹脂マスク2の除去作業が簡単になることは前述した通りである。
【0022】
最後に、図1(F)により第6の工程を説明すると、誘電体基体1の表面に所定パターンのエッチング処理面3の上に導電層4を無電解めっきにより形成するものである。以上の工程により、立体回路基板が完成する。
【0023】
次に、本発明の他の実施の形態を、図2(A)〜(E)を参照して説明すると、第1の工程は図2(A)に示すように、一次成形物である誘電体基板1を成形するもので、この誘電体基体の材料の合成樹脂は、第1の実施例と同じめっきグレードの熱可塑性の液晶ポリマーを射出して成形するもので、この熱可塑性の液晶ポリマーは熱可塑性芳香族系ポリエステル樹脂である「ベクトラ」(ポリプラスチック株式会社製の商品名)のめっきグレードC810を用いる。この液晶ポリマーは熱可塑性でありながら半田実装耐熱性があることは前述した。そこで、合成樹脂材料を射出成形することにより所定形状の立方体の誘電体基体1を形成する。
【0024】
次に、第2の工程は図2(B)に示すように、第1の工程の後、誘電体基体1の表面のうち、所定パターンの導体層4(図2(E)参照)が形成されるべき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マスク2を形成するものである。この樹脂マスク2の材料としては、容易に曲げることのできるエラストマーで、このエラストマーとしては、常温で弾性を有するもので、ポリエステル系エラストマーである「ハイトレル#SB704 東レ・デュポン社製の商品名」を使用する。
【0025】
樹脂マスク2は熱可塑性エラストマーで、誘電体基体1に対して弱相溶性であることが必要である。そのため、図2(B)の状態において誘電体基体1と樹脂マスク2との間の界面には、この後に行われる化学エッチング液、無電解(化学)めっき液が浸透することがなく、樹脂マスク2の除去、つまり機械的剥離もきわめて容易かつ敏速に行うことができる。
【0026】
次に、第3の工程の化学エッチング工程を図2(C)を参照して説明すると、このエッチング処理面3は、樹脂マスク2及びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体1の全表面を粗面化処理するものである。このエッチング処理の例として、前記した実施の態様と同様に、苛性ソーダ又は苛性カリを所定濃度、例えば、45wt%に溶解したアルカリ性水溶液を所定温度、例えば50〜90℃に加熱し、一次成形品の誘電体基体1、二次成形品の樹脂マスク2を所定時間、例えば30分浸漬して行う。このエッチング処理により全表面が粗面化する。この工程において、誘電体基体1と樹脂マスク2の接触した界面は弱相溶性の接着強度により、この界面にエッチング液が浸透することはない。
【0027】
そこで、図2(D)により第4の工程を説明すると、この工程では粗面化した処理面3にパラジウム、金などによる触媒を付与(賦与)するもので、これは前記した実施の態様と同じである。即ち、錫、パラジウム系の混合触媒液に図2(C)に示す成形品を浸漬した後、塩酸、硫酸などの酸で活性化し、表面にパラジウムを析出させる。または、塩化第1錫などの比較的強い還元剤を表面に吸着させ、金などの貴金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、表面に金を析出させる。液の温度は15〜23℃で5分間浸漬すればよい。このようにして粗面化した処理面3は触媒が付与された面31になる。この工程においても、誘電体基体1と樹脂マスク2の接触した界面は弱相溶性の接着強度により、この界面に触媒液が浸透することはない。
【0028】
このように、この実施の形態における第1の工程から第4の工程までは、前記した実施の形態における第1の工程から第4の工程と実質的に同じで、同一図面に同一符号を付している。しかし、前記した実施例では、第3、第4の工程の樹脂マスク2及びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体1の全表面を粗面化処理し、さらに触媒を付与した後、樹脂マスクの除去を行うが、この実施の態様では、第5の工程として、図2(E)に示すように、誘電体基体1のエッチングされた面3と樹脂マスク2の全表面に導電層4を無電解めっきで形成し、その後で樹脂マスクを除去するものである。
【0029】
即ち、最後に、第5の工程は、図2(F)に示すよう誘電体基体1から樹脂マスク2をこのマスク表面の導電層4と共に除去するが、この除去作業において、前記したように、誘電体基体1と樹脂マスク2との材料は相互に弱相溶性のものであるため、この樹脂マスクを除去するためにこの樹脂マスクの界面を剥離させる場合、この剥離作業が容易かつ敏速に行うことができ、さらに、誘電体基体1の表面に使用上支障となる残査や疵が残らない。
【0030】
【発明の効果】
本発明によると、無電解めっきによる導体層が設計通りの正確な輪郭を有するため、例えば、誘電体アンテナを製造した場合、アンテナとしての機能を十分に発揮するものであり、誘電体基体と樹脂マスクとの間に化学エッチング液や無電解めっき液が浸透することがなく、この樹脂マスクの界面を剥離させる場合、この剥離作業が容易かつ敏速に行うことができ、さらに、誘電体基体1の表面に使用上支障となる残査や疵が残らない。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)、(B)、(C)、(D)及び(E)は、それぞれ本発明の第1の実施の形態による製造の各工程を段階的に示す概略図である。
【図2】(A)、(B)、(C)、(D)及び(E)は、それぞれ本発明の第2の実施の形態による製造の各工程を段階的に示す概略図である。
【符号の説明】
1 誘電体基体
2 樹脂マスク
3 エッチング処理面
31 触媒が付与された面
4 導電層
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a three-dimensional circuit board such as a dielectric antenna used in a mobile communication device or a GPS (Global Positioning System) device of a mobile phone, and a three-dimensional circuit substrate manufactured by the manufacturing method.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a method of manufacturing a three-dimensional circuit board such as a dielectric antenna, a predetermined shape of a dielectric substrate is formed from a dielectric material, and the predetermined pattern of the surface of the dielectric substrate formed into the predetermined shape is formed. A resin mask is integrally formed on this dielectric substrate so that the surface portion where the conductive layer is to be formed is exposed and the surface portion other than this portion is covered, and metal particles are attached to the surface to be electrolessly plated. A conductive layer is formed by electroless plating on the surface of the resin mask and on the entire surface of the dielectric substrate exposed from the resin mask, and the plated dielectric substrate and the resin The resin mask is removed from the integral product with the mask, and a conductor layer having a predetermined pattern is formed on the surface of the dielectric substrate (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-17442).
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in order to obtain an adhesive strength sufficient to prevent the etching solution or catalyst solution from penetrating into the adhesive interface between the dielectric substrate and the resin mask, the dielectric substrate and the resin mask are compatible with each other. Some of them were selected and applied. Further, after the conductive layer is formed by electroless plating, that is, after the conductive layer is formed on the surface of the resin mask and the entire surface of the dielectric substrate exposed from the resin mask, the resin mask is removed. Therefore, when removing this resin mask, the conductive layer on the surface of the resin mask and the conductor layer of the dielectric substrate that are continuously connected to each other are forcedly peeled so that the periphery of the conductor layer of the dielectric substrate is uneven. The shape, that is, a zigzag state, a residue that may hinder the use of the dielectric substrate, or a wrinkle. For this reason, the area of the dielectric antenna is not as designed, and the function as an antenna is reduced.
[0004]
Accordingly, an object of the present invention is a manufacturing method of a three-dimensional circuit board capable of easily and promptly removing a resin mask from a dielectric substrate, and a manufacturing method thereof, with a clear outline around the conductor layer of the conductor substrate. It is to provide a three-dimensional circuit board.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, there is provided a first step of forming the dielectric substrate having the predetermined shape from a synthetic resin material, and a conductor layer having the predetermined pattern is formed on the surface of the dielectric substrate. A second step of exposing a surface portion to be exposed and forming a resin mask on the dielectric substrate so as to cover other surface portions; and the dielectric substrate exposed from the resin mask and the resin mask A third step of roughening the entire surface, a fourth step of applying a catalyst for electroless plating to the roughened whole surface, and removing the resin mask from the dielectric substrate. A fifth step and a fifth step of forming a conductive layer of a predetermined pattern on the surface of the dielectric substrate by electroless plating, wherein the dielectric substrate and the resin mask material are mutually Weakly compatible It is in place.
[0006]
Therefore, the present invention is characterized in that the conductor base material formed in the first step and the resin mask material formed in the second step are weakly compatible with each other in order to obtain an appropriate adhesive strength. By the way. This weak compatibility is an intermediate between compatibility and incompatibility. Specifically, when the interface between the dielectric substrate and the resin mask is mechanically peeled off, the surface of the dielectric substrate is hindered in use. In this state, no residue remains, soot remains, and the etching solution, catalyst solution, or plating solution in the wet process is welded at a temperature within a range that can be prevented from penetrating into the interface.
[0007]
Furthermore, another feature is that the sixth conductive layer is formed after removing the resin mask in the fifth step.
[0008]
Synthetic resin as a material for the dielectric substrate is excellent in heat resistance and strength. For example, it is molded by injecting a plating grade thermoplastic liquid crystal polymer into a cavity with the mold closed. This thermoplastic liquid crystal polymer is a thermoplastic aromatic polyester resin (LCP), which uses a plating grade C810 of “Vectra” (trade name, manufactured by Polyplastics Co., Ltd.).
[0009]
In addition, as a synthetic resin for the material of the dielectric substrate 1, heat such as polyphenylene sulfide (PPS), polyphenine ether (PPE), polyetherimide (PEI), polybutylene terephthalate (PBT), syndiotactic polystyrene (SPS), etc. A plastic resin can be selectively applied. A dielectric substrate which is a cubic primary substrate of a predetermined shape is formed by injection molding such a synthetic resin.
[0010]
Next, the synthetic resin of the resin mask material of the secondary molded product is an elastomer that can be easily bent. As this elastomer, “Hytrel # SB704, a product name made by Toray DuPont, a thermoplastic polyester elastomer” is used. "It was used. This is elastic at room temperature.
[0011]
In addition, there are styrenic elastomers such as styrene-isoprene-styrene block copolymer, styrene-butadiene-styrene copolymer, and styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer.
[0012]
These elastomers may be used alone or in combination of two or more. You may mix and use a thermoplastic resin as long as the elasticity which an elastomer has is not impaired.
[0013]
In order to adjust dimensional accuracy and hardness, an inorganic filler such as talc, bentonite, mica, wollastonite, glass filler, or the like may be added to the resin material for the resin mask 2 in a composite manner. Furthermore, an incompatible elastomer may be appropriately mixed in a compatible elastomer such as a styrene-based elastomer to improve weak compatibility.
[0014]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a first step of forming the dielectric substrate having the predetermined shape from a synthetic resin material, and a conductor layer having the predetermined pattern is formed on the surface of the dielectric substrate. A second step of exposing a surface portion to be exposed and forming a resin mask on the dielectric substrate so as to cover other surface portions; the resin mask and the dielectric substrate exposed from the resin mask; A third step of roughening the entire surface of the substrate, a fourth step of applying a catalyst for electroless plating to the roughened entire surface, and a roughening treatment of the dielectric substrate. A fifth step of forming a conductive layer on the entire surface of the surface and the resin mask by electroless plating, and a sixth step of removing the resin mask from the dielectric substrate, and further comprising: The material for the resin mask is There is to be of Yowasho soluble in. The material of the invention described in claim 1 is selectively applied to the dielectric substrate and the resin mask.
[0015]
The feature of the present invention is that the material of the dielectric substrate and the resin mask are weakly compatible with each other. This weak compatibility is intermediate between compatible and incompatible as described above. When mechanically peeling the interface of the resin mask from the body substrate, there is no residue, wrinkles, and no etching solution, catalyst solution and chemical plating solution in the wet process on the surface of the dielectric substrate. A state where welding is performed at a temperature within a range where penetration into the interface can be prevented.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of a method of manufacturing a three-dimensional circuit board according to the present invention will be described with reference to the drawings. First, the first embodiment is shown in FIGS. As shown in FIG. 1A, the first step is to form a dielectric substrate 1 that is a primary molded product. The synthetic resin of the dielectric substrate material is excellent in heat resistance and strength. In the closed state, a plating grade thermoplastic liquid crystal polymer is injected into the cavity and molded. This thermoplastic liquid crystal polymer is a thermoplastic aromatic polyester resin, which uses "Vectra" (trade name, manufactured by Polyplastics Co., Ltd.), plating grade C810, which is thermoplastic while being solder-resistant. And has performance as a molded circuit component. Therefore, the dielectric substrate 1 which is a primary substrate of a cube having a predetermined shape is formed by injection molding a synthetic resin material.
[0017]
Next, in the second step, as shown in FIG. 1B, after the first step, a conductor layer 4 (see FIG. 1F) having a predetermined pattern is formed on the surface of the dielectric substrate 1. The resin mask 2 is formed on the dielectric substrate so that the surface portion to be exposed is exposed and the other surface portion is covered. The material of the resin mask 2 is an elastomer that can be easily bent. This elastomer has elasticity at room temperature, and is a thermoplastic polyester elastomer, “Hytrel # SB704, a product name manufactured by Toray DuPont”. It was used.
[0018]
As described above, since “Vectra” is used as the material of the dielectric substrate 1 and “Hytrel # SB704” is used as the material of the resin mask 2, the dielectric substrate 1 and the resin mask 2 are weakly phased. The adhesive strength in the range of solubility is obtained, so that the removal operation of the resin mask 2 which is a fifth process described later is simplified. The molding conditions of the resin mask 2 were as follows: in a molding machine (Model: TI30G2 manufactured by Toyo Machine Metal Co., Ltd.), cylinder temperature: 230 ° C., injection pressure: 717 kg / cm 2 , molding cycle: 25 seconds, mold temperature: 40 It is set to ° C.
[0019]
Next, the chemical etching step of the third step will be described with reference to FIG. 1C. This etching-treated surface 3 is the entire surface of the dielectric substrate 1 exposed from the resin mask 2 and the resin mask. Is roughened. As an example of this etching treatment, an alkaline aqueous solution in which caustic soda or caustic potash is dissolved at a predetermined concentration, for example, 45 wt% is heated to a predetermined temperature, for example, 50 to 90 ° C., and the dielectric substrate 1 of the primary molded product, The resin mask 2 is immersed for a predetermined time, for example, 30 minutes. This etching process roughens the entire surface. In this step, the interface where the dielectric substrate 1 and the resin mask 2 are in contact with each other is sufficiently prevented from penetrating into the interface due to weakly compatible adhesive strength.
[0020]
Therefore, the fourth step will be described with reference to FIG. 1D. In this step, a catalyst-giving surface 31 is formed by imparting (giving) a catalyst such as palladium or gold to the roughened processing surface 3. 1C is immersed in a mixed catalyst solution of tin, palladium, and activated with an acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid to deposit palladium on the surface. Alternatively, a relatively strong reducing agent such as stannous chloride is adsorbed on the surface and immersed in a catalyst solution containing a noble metal ion such as gold to deposit gold on the surface. What is necessary is just to immerse the temperature of a liquid at 15-23 degreeC for 5 minute (s). The roughened treatment surface 3 becomes a surface 31 provided with a catalyst. Also in this step, the interface where the dielectric substrate 1 and the resin mask 2 are in contact with each other does not permeate the catalyst solution due to weakly compatible adhesive strength.
[0021]
Next, the fifth step will be described with reference to FIG. 1 (E). In this step, the dielectric substrate 1 and the resin mask 2 to which the catalyst has been applied by etching are dried, and then the resin mask 2 is removed from the dielectric substrate 1. This is a step of removing, which can be performed manually, but an apparatus for removing the resin mask 2 may be used in order to facilitate this removal operation. In addition, since the material of the resin mask 2 and the material of the dielectric substrate 1 are selected from weakly compatible synthetic resins, the adhesive strength between compatible resins is weaker. Therefore, the removal operation of the resin mask 2 is simplified as described above.
[0022]
Finally, the sixth step will be described with reference to FIG. 1 (F). The conductive layer 4 is formed on the surface of the dielectric substrate 1 on the etching treatment surface 3 having a predetermined pattern by electroless plating. The three-dimensional circuit board is completed through the above steps.
[0023]
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2E. As shown in FIG. 2A, the first step is a dielectric that is a primary molded product. The body substrate 1 is molded, and the synthetic resin of the dielectric base material is formed by injecting and molding the same plating grade thermoplastic liquid crystal polymer as in the first embodiment. The thermoplastic liquid crystal polymer Uses a plating grade C810 of “Vectra” (trade name, manufactured by Polyplastics Co., Ltd.), which is a thermoplastic aromatic polyester resin. As described above, the liquid crystal polymer is thermoplastic but has solder mounting heat resistance. Accordingly, a cubic dielectric substrate 1 having a predetermined shape is formed by injection molding a synthetic resin material.
[0024]
Next, in the second step, as shown in FIG. 2B, after the first step, a conductor layer 4 (see FIG. 2E) having a predetermined pattern is formed on the surface of the dielectric substrate 1. The resin mask 2 is formed on the dielectric substrate so that the surface portion to be exposed is exposed and the other surface portion is covered. The material of the resin mask 2 is an elastomer that can be easily bent. The elastomer has elasticity at room temperature, and is a polyester-based elastomer, “trade name made by Hytrel # SB704 Toray DuPont”. use.
[0025]
The resin mask 2 is a thermoplastic elastomer and needs to be weakly compatible with the dielectric substrate 1. Therefore, in the state of FIG. 2B, the chemical etching solution and electroless (chemical) plating solution to be performed thereafter do not penetrate into the interface between the dielectric substrate 1 and the resin mask 2, and the resin mask. The removal of 2, i.e. mechanical peeling, can also be carried out very easily and quickly.
[0026]
Next, the chemical etching step of the third step will be described with reference to FIG. 2C. This etching processing surface 3 is the resin mask 2 and the entire surface of the dielectric substrate 1 exposed from the resin mask. Is roughened. As an example of this etching treatment, as in the above-described embodiment, an alkaline aqueous solution in which caustic soda or caustic potash is dissolved at a predetermined concentration, for example, 45 wt%, is heated to a predetermined temperature, for example, 50 to 90 ° C. The body base 1 and the resin mask 2 of the secondary molded product are immersed for a predetermined time, for example, 30 minutes. This etching process roughens the entire surface. In this process, the interface where the dielectric substrate 1 and the resin mask 2 are in contact with each other does not penetrate into the interface due to weakly compatible adhesive strength.
[0027]
Accordingly, the fourth step will be described with reference to FIG. 2D. In this step, a catalyst made of palladium, gold, or the like is imparted (given) to the roughened treated surface 3, which is the same as the embodiment described above. The same. That is, after the molded product shown in FIG. 2C is immersed in a mixed catalyst solution of tin and palladium, it is activated with an acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid to deposit palladium on the surface. Alternatively, a relatively strong reducing agent such as stannous chloride is adsorbed on the surface and immersed in a catalyst solution containing a noble metal ion such as gold to deposit gold on the surface. What is necessary is just to immerse the temperature of a liquid at 15-23 degreeC for 5 minute (s). The roughened treatment surface 3 becomes a surface 31 provided with a catalyst. Also in this step, the interface where the dielectric substrate 1 and the resin mask 2 are in contact with each other does not permeate the catalyst solution due to weakly compatible adhesive strength.
[0028]
As described above, the first process to the fourth process in this embodiment are substantially the same as the first process to the fourth process in the above-described embodiment, and the same reference numerals are assigned to the same drawings. is doing. However, in the above-described embodiment, the resin mask 2 in the third and fourth steps and the entire surface of the dielectric substrate 1 exposed from the resin mask are roughened, and further provided with a catalyst. Although the mask is removed, in this embodiment, as a fifth step, the conductive layer 4 is formed on the etched surface 3 of the dielectric substrate 1 and the entire surface of the resin mask 2 as shown in FIG. Is formed by electroless plating, and then the resin mask is removed.
[0029]
That is, finally, in the fifth step, the resin mask 2 is removed from the dielectric substrate 1 together with the conductive layer 4 on the surface of the mask as shown in FIG. 2 (F). Since the materials of the dielectric substrate 1 and the resin mask 2 are weakly compatible with each other, when the interface of the resin mask is peeled off in order to remove the resin mask, the peeling operation is performed easily and promptly. Furthermore, no residue or wrinkles that hinder the use are left on the surface of the dielectric substrate 1.
[0030]
【The invention's effect】
According to the present invention, since the conductor layer formed by electroless plating has an accurate contour as designed, for example, when a dielectric antenna is manufactured, the function as an antenna is sufficiently exhibited. When the interface of the resin mask is peeled off without the chemical etching solution or electroless plating solution penetrating between the mask and the mask, the peeling work can be easily and promptly performed. There is no residue or flaws left on the surface that would hinder use.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A, 1B, 1C, 1D and 1E are schematic views showing step by step the respective production steps according to the first embodiment of the present invention.
FIGS. 2 (A), (B), (C), (D) and (E) are schematic views showing steps of manufacturing according to the second embodiment of the present invention in stages.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dielectric base | substrate 2 Resin mask 3 Etching surface 31 The surface to which the catalyst was provided 4 Conductive layer

Claims (2)

合成樹脂材料からなる所定形状の誘電体基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターンの導体層が形成されている立体回路基板の製造方法において、
合成樹脂材料により前記所定形状の誘電体基体を形成する工程、
この誘電体基体の表面のうち、前記所定パターンの導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マスクを形成する工程、
上記樹脂マスク及びこの樹脂マスクから露出している上記誘電体基体の全表面を粗面化処理する工程、
この粗面化処理された前記全表面に無電解めっきに対する触媒を付与する工程、
上記誘電体基体の粗面化処理された面と上記樹脂マスクの全表面に導電層を無電解めっきにより形成する工程、
並びに上記誘電体基体から上記樹脂マスクを除去する工程を含み、さらに、
上記誘電体基体と上記樹脂マスクとの材料は相互に弱相溶性のものであって、
上記誘電体基体は熱可塑性の液晶ポリマーであり、上記樹脂マスクは常温で弾性を有する熱可塑性ポリエステル系エラストマーである
ことを特徴とする立体回路基板の製造方法。
In a method for manufacturing a three-dimensional circuit board, in which a conductor layer having a predetermined pattern made of a conductive material is formed on the surface of a dielectric substrate having a predetermined shape made of a synthetic resin material,
Forming the dielectric substrate of the predetermined shape with a synthetic resin material;
A step of exposing a surface portion of the surface of the dielectric substrate on which the conductor layer of the predetermined pattern is to be formed and forming a resin mask on the dielectric substrate so as to cover the other surface portion;
A step of roughening the resin mask and the entire surface of the dielectric substrate exposed from the resin mask;
Providing a catalyst for electroless plating on the entire surface subjected to the roughening treatment,
Forming a conductive layer by electroless plating on the roughened surface of the dielectric substrate and the entire surface of the resin mask;
And removing the resin mask from the dielectric substrate,
The material of the dielectric substrate and the resin mask der those mutually Yowasho soluble,
The method of manufacturing a three-dimensional circuit board, wherein the dielectric substrate is a thermoplastic liquid crystal polymer, and the resin mask is a thermoplastic polyester elastomer having elasticity at room temperature .
請求項の製造方法により製造された立体回路基板。A three-dimensional circuit board manufactured by the manufacturing method according to claim 1 .
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