JP4425493B2

JP4425493B2 - ハニカム成形用口金の作製方法、及びハニカム成形用口金の作製装置

Info

Publication number: JP4425493B2
Application number: JP2001147750A
Authority: JP
Inventors: 幸則中村; 好正近藤
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2001-05-17
Filing date: 2001-05-17
Publication date: 2010-03-03
Anticipated expiration: 2021-05-17
Also published as: JP2002339068A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハニカム成形用口金、ハニカム成形用口金の作製方法、及びハニカム成形用口金の作製装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
製品の微細化及び高度化に対応して、それを製造する口金も複雑化かつ微細化している。特に、自動車などのハニカムは極めて複雑な構造を呈するために、それを成形するための口金などに対しては極めて高い精度が要求される。
【０００３】
図１は、ハニカム成形用口金の一部を切り取って示す斜視図であり、図２は、図１に示すハニカム成形用口金部分の裏面図である。
【０００４】
図１及び２に示すように、ハニカム成形用口金１は裏面側に円形導入部２を具えるとともに、正面側において角形射出部４を具えている。そして、円形導入部２と角形射出部４との間において、絞り部３を具えている。坏土は円形導入部２からハニカム成形用口金１中に導入され、絞り部３で絞り込まれた後、角形射出部４から射出されて、所定のハニカムが形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
坏土はハニカム成形用口金１内の円形導入部２に導入された後、所定の圧力を受けながら絞り部３及び角形射出部４内を通過して外部に射出される。したがって、坏土は円形導入部２、絞り部３、及び角形射出部４に対して相当程度の摩擦力を及ぼしながら通過することになるので、ハニカム成形用口金１を長時間に亘って使用する場合は、これら円形導入部２、絞り部３、及び角形射出部４の摩耗が問題となる。
【０００６】
特に、絞り部４は円形導入部２から角形射出部３に坏土を絞り込んで送り出す部分であるため、坏土から特に大きな摩擦力を受け、摩耗が激しくなる。したがって、従来においてはハニカム成形用口金１内に耐摩耗性を向上させるべく、硼化鉄や、炭化クロム、酸化アルミニウム、炭化チタン、窒化チタン、又は炭窒化チタンなどからなる硬質膜をＣＶＤ法などでコーティングすることが試みられていた。
【０００７】
しかしながら、上述した硼化鉄などはある程度の硬さを有するものの、上記ハニカム成形用口金１を長時間使用した場合においては摩耗が著しくなり、十分な耐摩耗性を付与することができないでいた。
【０００８】
本発明は、長時間の使用に耐え得る高い耐摩耗性を有するハニカム成形用口金を提供するとともに、その作製方法、及び作製装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、本発明のハニカム成形用口金の作製方法は、円形導入部、角形射出部、及び前記円形導入部及び前記角形射出部との間に設けられた、前記円形導入部から導入された坏土を前記角形射出部に絞り出すための絞り部の少なくとも一部に、プラズマＣＶＤによりダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を作製する方法であって、前記ハニカム成形用口金を所定のプラズマＣＶＤ装置内に配置するとともに、前記ハニカム成形用口金の長手方向前後において圧力差を生じさせ、プラズマ反応ガスを前記圧力差に応じて前記ハニカム成形用口金内に流入するようにすると共に、前記ハニカム成形用口金の前記長手方向において所定の磁場を生じさせ、前記プラズマ反応ガスを前記所定の磁場によって捕捉しながら前記ハニカム成形用口金内に流入し、前記ハニカム成形用口金の前記円形導入部、前記角形射出部、及び前記絞り部の前記少なくとも一部において、前記プラズマ反応ガスを化学的に合成させて前記ダイヤモンド膜又は前記ダイヤモンド状炭素膜を作製するようにしたことを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明のハニカム成形用口金の作製装置は、ハニカム成形用口金の円形導入部、角形射出部、並びに前記円形導入部及び前記角形射出部との間に設けられた、前記円形導入部から導入された坏土を前記角形射出部に絞り出すための絞り部の少なくとも一部に、プラズマＣＶＤによりダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を作製するための装置であって、
【００１２】
所定のプラズマＣＶＤ装置に対して、前記ハニカム成形用口金の長手方向前後において圧力差を生じさせ、プラズマ反応ガスを前記圧力差に応じて前記ハニカム成形用口金内に流入するようにした圧力差生成手段を設けると共に、前記所定のプラズマＣＶＤ装置に対して、前記ハニカム成形用口金の前記長手方向において所定の磁場を生じさせ、前記プラズマ反応ガスを前記所定の磁場によって捕捉しながら前記ハニカム成形用口金内に流入させるようにした磁場生成手段を更に設けたことを特徴とする。
【００１３】
本発明者らは、高い耐摩耗性を有するハニカム成形用口金を得るべく鋭意検討を実施した。そして、上述した硼化鉄などよりも硬く高い耐摩耗性を有するダイヤモンド又はダイヤモンド状炭素からなる薄膜を、ハニカム成形用口金の絞り部などに形成することを試みた。高い高度を有する良質のダイヤモンド膜などを作製するに際しては、プラズマＣＶＤ法などの手段を用いる必要がある。
【００１４】
このプラズマＣＶＤ法は、所定の原料ガスをマイクロ波、あるいは高周波などによって励起してプラズマ化し、このプラズマ化した反応ガス（以下、「プラズマ反応ガス」という）を所定の基材上に導入し、そこで化学的な合成を行わせることによって目的とする薄膜を作製するものである。したがって、プラズマＣＶＤ法を用いてハニカム成形用口金の絞り部などに上記ダイヤモンド薄膜を作製するに際しては、プラズマ反応ガスを前記絞り部内に導入する必要がある。
【００１５】
しかしながら、ハニカム成形用口金の円形導入部などは１ｍｍ程度の大きさしか有さないため、従来のプラズマＣＶＤ法では、十分な量のプラズマ反応ガスをハニカム成形用口金内の奥深くまで流入させることが極めて困難であった。このため、ハニカム成形用口金内の絞り部など所望の箇所に良質なダイヤモンド膜を十分な厚さに形成することができず、目的とする耐摩耗性を付与することができないでいた。
【００１６】
そこで、本発明者らは、良質かつ十分な厚さを有するダイヤモンド膜などを形成すべく、ハニカム成形用口金内の奥深くまでプラズマ反応ガスを導入する方法を見出すべく、鋭意検討を行った。その結果、本発明のハニカム成形用口金の作製方法及びハニカム成形用口金の作製装置に従って、従来のプラズマＣＶＤ装置に圧力差生成手段を設け、ハニカム成形用口金を前記プラズマＣＶＤ装置内に設置した後、前記圧力差生成手段によって前記ハニカム成形用口金の長手方向前後において圧力差を生じさせる。
【００１７】
すると、前記プラズマＣＶＤ装置内で生成されたプラズマ反応ガスは、前記圧力差に従って前記ハニカム成形用口金に導入されるために、比較的多量かつ内部の奥深くまで簡易に流入するようになる。その結果、前記ハニカム成形用口金の絞り部など所望の箇所に、比較的厚く、硬質のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を簡易に形成することができる。
【００１８】
本発明のハニカム成形用口金の作製方法及びハニカム成形用口金の作製装置の好ましい態様においては、上述した圧力差生成手段を具える作製装置において磁場生成手段を設け、前記ハニカム成形用口金の長手方向において所定の磁場を生じさせ、前記プラズマ反応ガスを前記所定の磁場によって捕捉しながら前記ハニカム用成形用口金内に流入させることが好ましい。これによって、プラズマ反応ガスのハニカム成形用口金内への流入割合が増大するため、前記ハニカム成形用口金内に前記プラズマ反応ガスをより効率よく導入することができる。
【００１９】
さらに、本発明のハニカム成形用口金の作製方法及びハニカム成形用口金の作製装置の他の好ましい態様においては、上述した圧力差生成手段及び／又は磁場生成手段を具える作製装置において電場生成手段を設け、前記ハニカム成形用口金の長手方向において所定の電場を生じさせ、前記プラズマ反応ガスを前記所定の電場に従って前記ハニカム成形用口金内に導入することが好ましい。この場合においても、前記プラズマ反応ガスの前記ハニカム成形用口金内への流入割合が増大するため、前記ハニカム成形用口金内に前記プラズマ反応ガスをより効率良く導入することができる。
【００２０】
なお、上記電場生成手段によって前記原料ガスの励起を実施し、プラズマ反応ガスを生成することもできる。この場合においては、プラズマ反応ガスを生成するために追加の励起手段を設ける必要がないため、装置全体の構成が簡易化されるとともに、薄膜作製工程を簡易化することができる。
【００２１】
さらに、本発明においては、上記ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜をＴｉを含む下地膜上に形成することが好ましい。この下地膜は接着性に優れるため、上記ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の、ハニカム成形用口金に対する密着性が向上する。このため、上記ダイヤモンド膜などを長時間使用した場合においても、剥離することなく前記ハニカム成形用口金に対して長期間安定して耐摩耗性を付与することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面と関連させながら、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
図３は、本発明のハニカム成形用口金作製装置の一例を示す図である。図３に示すハニカム成形用口金作製装置は、成膜室１１と、この成膜室１１に接続して設けられた圧力差生成手段としての圧力調整槽１２−１及びポンプ１２−２と、磁場生成手段としてのコイル１３と、電場生成手段としての陽極１４−１及び陰極１４−２とを具えている。陽極１４−１は接地され、陰極１４−２にはＤＣ電源１５及び高圧パルス電源１６が接続されている。
【００２４】
また、成膜室１１には所定の原料ガスを導入するためのガス導入孔１７及び成膜室１１内を所定の真空度に保持するべく、排気手段としてのポンプ１８が設けられている。さらに、圧力計１９及び窓２０が設けられ、成膜室１１内の真空度及びプラズマ反応ガスの状態を常時モニターできるように構成されている。ハニカム成形用口金３０は、図１及び２に示すような形態を有しており、陰極１４−２の上方において固定され、設置されている。
【００２５】
ハニカム成形用口金３０内、すなわち、円形導入部、角形射出部、及び絞り部に対するダイヤモンド膜などの作製は以下のようにして実施する。
【００２６】
最初に、成膜室１１内をポンプ１８によって所定の真空度まで排気した後、ガス導入孔１７よりＣＨ_４ガスなど所定の原料ガスを成膜室１１内に供給する。そして、ポンプ１８による排気と相伴って、成膜室１１内を所定の真空度に保持する。なお、真空度は成膜室１１に設けられた圧力計１９によってモニターする。
【００２７】
次いで、ＤＣ電源１５によって所定のＤＣバイアスを印加しながら、高圧パルス電源１６より所定のパルス電圧を印加することによって、前記原料ガスを励起してプラズマ反応ガスを生成する。
【００２８】
次いで、ポンプ１２−２より圧力調整層１２−１を介してハニカム成形用口金３０が設置された陰極１４−２周囲を排気し、ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘの前後において圧力差を生じさせる。ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘ前後における圧力差は、ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘの後方部における圧力が、長手方向Ｘの前方部における圧力の１０分の１以下、さらには１００分の１以下となるように設定することが好ましい。これによって、前記プラズマ反応ガスをより効率的にハニカム成形用口金３０内に導入することができる。
【００２９】
具体的には、成膜室１１内の圧力は約１０^−２Ｔｏｒｒ前後であり、ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘの前方部Ａの圧力も約１０^−２Ｔｏｒｒ前後となるので、ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘの後方部Ｂの圧力は、約１０^−３〜１０^−４Ｔｏｒｒになるように圧力調整槽１２−１及びポンプ１２−２によって制御する。
【００３０】
次いで、コイル１３に対して電流を流すことにより、ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘにおいて所定の磁場を生成させる。この磁場は、ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘと垂直なＹ方向において、ハニカム成形用口金３０の外径又はそれより若干小さくなるように収束させることが好ましい。これによって、前記プラズマ反応ガスのハニカム成形用口金３０内への流入割合をより増大させることができ、ハニカム成形用口金３０内への薄膜形成をより簡易かつ効率的に実施することができる。
【００３１】
また、前記所定の磁場の大きさは、ハニカム成形用口金３０における円形導入部、角形射出部、及び前記絞り部の、坏土と接触する部分の最小径をｒとした場合において、２．０×１０^−７／ｒＴ以上であることが好ましい。具体的には、前記最小径ｒが１．０ｍｍである場合においては、１．０×１０^−４〜３．０×１０^−４Ｔであることが好ましく、さらには２．０×１０^−４〜３．０×１０^−４Ｔであることが好ましい。これによって、前記プラズマ反応ガスの捕捉をより効果的に実施することができ、ハニカム成形用口金３０内への前記プラズマ反応ガスの流入割合が増大するため、前述したように、ハニカム成形用口金３０内への薄膜形成をより簡易かつ効率的に実施することができる。
【００３２】
さらに、陰極１４−２から陽極１４−１に向かっては、前記原料ガスを励起してプラズマ反応ガスを生成するためのＤＣバイアス及びパルス電圧に起因して所定の電場が生成されている。したがって、前記プラズマ反応ガスは、前記所定の電場にしたがってハニカム成形用口金３０内に流入するようになる。この結果、前記プラズマ反応ガスのハニカム成形用口金３０内への流入割合が増大し、ハニカム成形用口金３０内への薄膜形成をより効率的に行うことができる。
【００３３】
前記所定の電場の大きさは、２０〜２００ｋＶ／ｍであることが好ましく、さらには２０〜１００ｋＶ／ｍであることが好ましい。
図３に示すハニカム成形用口金作製装置においては、原料ガスからプラズマ反応ガスを生成すべく、ＤＣ電源１５及び高圧パルス電源１６から陰極１４−２に印加される電圧値はほぼある範囲内に定められるが、この範囲内において前記電圧値を適宜に調節し、前記所定に電場の大きさが上記範囲内の値となるように設定する。
【００３４】
以上説明したように、図３に示すハニカム成形用口金作製装置によれば、ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘの前後において圧力差を設けるのみでなく、長手方向Ｘに沿って前記所定の磁場及び前記所定の電場を発生させるようにしているので、前記プラズマ反応ガスを極めて効率良くハニカム成形用口金３０内に流入させることができる。したがって、ハニカム成形用口金３０内、すなわち絞り部などにおいて、耐摩耗性に優れた厚く、硬いダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状炭素膜を形成することができる。
【００３５】
なお、上述したダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形成する以前に、Ｔｉ又はＳｉを含む下地膜をハニカム成形用口金３０内に形成することが好ましい。このようなＴｉ又はＳｉ含有下地膜は高い接着性を示すために、上記ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を高密着性の下にハニカム成形用口金３０内に形成することができる。
【００３６】
Ｔｉ含有下地膜としては、ＴｉＣＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＮ膜、及びＴｉ膜を例示することができ、特にＴｉＣＮ膜を用いることが好ましい。また、Ｓｉ含有下地膜としては、Ｓｉ膜、ＳｉＣ膜、及びＳｉ_３Ｎ_４膜を例示することができ、特にＳｉ膜を用いることが好ましい。
【００３７】
これらの下地膜は図３に示すハニカム成形用口金作製装置を用い、上記ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜と連続して作製することができる。下地膜の作製は、上述したダイヤモンド膜などの作製手順に従って実施することができる。
【００３８】
ＴｉＣＮ下地膜を作製するに際しては、Ｔｉ源としてＴｉＣｌ４を用い、炭素源・窒素源としてＣＨ_３ＣＮを用いる。
【００３９】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（実施例）
本実施例においては、図３に示す作製装置を用いてハニカム成形用口金内にダイヤモンド状炭素膜を作製した。なお、ハニカム成形用口金としては、内部に形成されたダイヤモンド状炭素膜の評価を容易にすべく、図４に示すような複数の円形導入部３２を有する２つの部材を、互いの円形導入部３２が一致するようにして重ね合わせた口金３１を用いた。形成されたダイヤモンド状炭素膜の評価は、口金３１を上下方向に開放することによって簡易に行うことができる。
【００４０】
図５は、重ね合わせた口金３１を側面側から見た場合の図である。図５から明らかなように、口金３１においては上下２つの部材が重ね合わさることにより生じた間隙３４から角形射出部が構成される。なお、口金３１における絞り部は、円形導入部３２の底面部分３２Ａが重ね合わさることによって形成される。
【００４１】
最初に、口金３１を陰極１４−２の上方に固定して設置した後、成膜室１１内をポンプ１８によって１０^−５Ｔｏｒｒの真空度まで排気した。そして、ガス導入孔１７よりＣＨ_４ガスを２０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量で導入し、ポンプ１８で排気しながら成膜室１１内の圧力を３．７５×１０^−２Ｔｏｒｒに設定した。次いで、ＤＣ電源１５及び高圧パルス電源１６より陽極１４−１及び陰極１４−２間に１．５ｋＶの電圧を印加し、ＣＨ_４ガスプラズマを生成させた。なお、このとき陽極１４−１及び陰極１４−２間には３０ｋＶ／ｍの電場が生成された。
【００４２】
次いで、圧力調整槽１２−１及びポンプ１２−２を用いて口金３１の長手方向Ｘの後方部の圧力が４．５×１０^−４Ｔｏｒｒとなるようにした。さらに、コイル１３に電流を流し、口金３１の長手方向Ｘにおいて、０．０１Ｔの磁場を発生させた。
【００４３】
上述のような状態を１５分間保持し、前記ＣＨ_４ガスプラズマを口金３１内に導入し、化学的な合成を行って口金３１の円形導入部３２、絞り部３３、及び角形射出部３４にダイヤモンド状炭素膜を生成した。次いで、口金３１を上下方向の開放し、絞り部３３に形成されたダイヤモンド状炭素膜を評価した。
【００４４】
図６は、絞り部３３上に形成されたダイヤモンド状炭素膜の、ラマン分光法によって測定したラマンスペクトルを示すグラフである。図６から明らかなように、約１３６０ｃｍ^−１近傍及び約１５８０ｃｍ^−１近傍にダイヤモンド状炭素に起因した吸収ピークが観察され、本実施例において、口金１１の絞り部１３には良質のダイヤモンド状炭素膜が形成されていることが分かる。
【００４５】
したがって、本発明のハニカム成形用口金の作製方法及びハニカム成形用口金の作製装置によれば、実質上口金１１が複数組み合わされて構成されているハニカム成形用口金に対しても、その内部の絞り部などに目的とする良質のダイヤモンド状炭素膜を形成でき、本発明の耐摩耗性に優れるハニカム成形用口金を得ることができる。
【００４６】
以上、具体例を挙げながら、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記発明の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲であらゆる変更や変形が可能である。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のハニカム成形用口金作製方法及びハニカム成形用口金作製装置によれば、ハニカム成形用口金の長手方向前後に圧力差を形成し、この圧力差を利用してプラズマ反応ガスを前記ハニカム成形用口金内に導入するようにしている。したがって、前記ハニカム成形用口金の極めて小さい円形導入部などにプラズマ反応ガスを比較的多量に導入し、化学的に合成させることができる。このため、前記ハニカム成形用口金内の絞り部など所望の箇所において、高い耐摩耗性を有するダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ハニカム成形用口金の一部を切り取って示す斜視図である。
【図２】図１に示すハニカム成形用口金部分の裏面図である。
【図３】本発明のハニカム成形用口金作製装置の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施例において用いた口金を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施例において用いた口金の側面図である。
【図６】図４及び図５に示す口金の絞り部において、本発明のハニカム成形用口金の作製方法及びハニカム成形用口金の作製装置を用いて作製したダイヤモンド状炭素膜のラマンスペクトルを示すグラフである。
【符号の説明】
１ハニカム成形用口金、２円形導入部、３絞り部、４角形射出部、１１成膜室、１２−１圧力調整槽、１２−２ポンプ、１３コイル、１４−１陽極、１４−２陰極、１５ＤＣ電源、１６高圧パルス電源、１７ガス導入孔、１８ポンプ、１９圧力計、２０窓、３０ハニカム成形用口金

Claims

ハニカム成形用口金の円形導入部、角形射出部、及び前記円形導入部及び前記角形射出部との間に設けられた、前記円形導入部から導入された坏土を前記角形射出部に絞り出すための絞り部の少なくとも一部に、プラズマＣＶＤによりダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を作製する方法であって、
前記ハニカム成形用口金を所定のプラズマＣＶＤ装置内に配置するとともに、前記ハニカム成形用口金の長手方向前後において圧力差を生じさせ、プラズマ反応ガスを前記圧力差に応じて前記ハニカム成形用口金内に流入するようにすると共に、前記ハニカム成形用口金の前記長手方向において所定の磁場を生じさせ、前記プラズマ反応ガスを前記所定の磁場によって捕捉しながら前記ハニカム成形用口金内に流入し、前記ハニカム成形用口金の前記円形導入部、前記角形射出部、及び前記絞り部の前記少なくとも一部において、前記プラズマ反応ガスを化学的に合成させて前記ダイヤモンド膜又は前記ダイヤモンド状炭素膜を作製するようにしたことを特徴とする、ハニカム成形用口金の作製方法。
前記ハニカム成形用口金の前記長手方向前後における圧力差は、前記長手方向後方部の圧力を前記長手方向前方部の圧力に対して１０分の１以下に設定することによって生じさせることを特徴とする、請求項１に記載のハニカム成形用口金の作製方法。
前記ハニカム成形用口金の前記長手方向において所定の電場を生じさせ、前記プラズマ反応ガスを前記所定の電場に従って前記ハニカム成形用口金内に流入させるようにしたことを特徴とする、請求項１または２に記載のハニカム成形用口金の作製方法。
前記所定の電場の大きさが、２０〜２００ｋＶ／ｍであることを特徴とする、請求項３に記載のハニカム成形用口金の作製方法。
前記ダイヤモンド膜又は前記ダイヤモンド状炭素膜は、Ｔｉを含む下地膜を介して形成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載のハニカム成形用口金の作製方法。
前記下地膜は、ＴｉＣＮからなることを特徴とする、請求項５に記載のハニカム成形用口金の作製方法。
ハニカム成形用口金の円形導入部、角形射出部、並びに前記円形導入部及び前記角形射出部との間に設けられた、前記円形導入部から導入された坏土を前記角形射出部に絞り出すための絞り部の少なくとも一部に、プラズマＣＶＤによりダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を作製するための装置であって、
所定のプラズマＣＶＤ装置に対して、前記ハニカム成形用口金の長手方向前後において圧力差を生じさせ、プラズマ反応ガスを前記圧力差に応じて前記ハニカム成形用口金内に流入するようにした圧力差生成手段を設けると共に、前記所定のプラズマＣＶＤ装置に対して、前記ハニカム成形用口金の前記長手方向において所定の磁場を生じさせ、前記プラズマ反応ガスを前記所定の磁場によって捕捉しながら前記ハニカム成形用口金内に流入させるようにした磁場生成手段を更に設けたことを特徴とする、ハニカム成形用口金の作製装置。
前記圧力差生成手段は、前記ハニカム成形用口金の前記長手方向後方部の圧力を前記長手方向前方部の圧力に対して１０分の１以下に設定することを特徴とする、請求項７に記載のハニカム成形用口金の作製装置。
前記所定のプラズマＣＶＤ装置に対して、前記ハニカム成形用口金の前記長手方向において所定の電場を生じさせ、前記プラズマ反応ガスを前記所定の電場に従って前記ハニカム成形用口金内に流入させるようにした電場生成手段を設けたことを特徴とする、請求項７または８に記載のハニカム成形用口金の作製装置。