JP4420478B2 - 不揮発性半導体メモリデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する分野】
本発明は、不揮発性半導体メモリデバイスおよびその製造方法に関し、特に、非対称に配置されたソースとドレインを有する電気的にプログラム可能な金属酸化物半導体(Metal-Oxide-Semiconductor:MOS)型の不揮発性半導体メモリデバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
フラッシュメモリは、不揮発性記憶集積回路における発展する分野である。フラッシュメモリはチップにおけるメモリセルを電気的に消去したり、プログラムしたり、また読み取ったりする能力を有する。フラッシュメモリセルは、データがフローティングゲートをチャージ或いはディスチャージすることによってセルに記憶される、所謂フローティングゲートトランジスタを用いて形成される。フローティングゲートは、導電性材料、代表的にはポリシリコンであり、それは酸化物、或いは他の絶縁材料の薄い層によってトランジスタのチャネルから絶縁され、また絶縁材料の第2の層によって、トランジスタの制御ゲート或いはワードラインから絶縁される。
【0003】
データがフローティングゲートをチャージ或いはディスチャージすることによってメモリセルに記憶される。フローティングゲートは、ゲート及びソース又はドレイン間に大きな正の電圧を確立することによってFowler-Nordheim(FN) トンネリングメカニズム(tunneling mechanism) によってチャージされる。これによって、電子は薄い絶縁体をとおしてフローティングゲートへ注入されるようになる。代わりに、アバランシェ注入メカニズムがセルのチャネルにおいて高エネルギー電子を誘起する電位を与えることによって用いられることもできる。この電子は絶縁体を横切ってフローティングゲートに注入される。フローティングゲートがチャージされると、メモリセルのチャネルを導通するようにするスレッショルドが読み取り動作中にワードラインに与えられた電圧以上に増大される。従って、チャージされたセルが読み取り動作中にアドレスされると、セルは導通しない。セルの非導通状態はセンス回路の極性に依存して、バイナリー1または0として判断される。
【0004】
フローティングゲートは、反対のメモリ状態を確立するためにディスチャージされる。この機能は、トランジスタのフローティングゲートとソースまたはドレイン間、またはフローティングゲートと基板間のFNトンネリングによって一般に行われる。例えば、フローティングゲートは、ドレインがフローティング電位を外れている間、ソースからドレインへ大きな正の電圧を確立することによって、ソースをとおしてディスチャージされる。
フラッシュメモリのための一般のアーキテクチャは仮想接地のビットライン構造である。仮想接地アーキテクチャにおいて、隣接メモリセル列のトランジスタは行の1つのトランジスタのソースと隣接する行の他のトランジスタのドレイン間でビットラインを共有する。行当たりの専用化されたビットライン対の必要性が除去される。アレイにおけるあらゆるメモリセルはそれに接続されたワードラインとビットラインへ適切な電圧を印加することによって、プログラムされ或いは読み取られることができる。特に、アドレスされたメモリセルの状態はそれに接続されたビットラインによって、そのソースとドレインを通して流れる電流を検知することによって決定される。ソースとドレインのビットラインによって必要とされる面積を更に減少するために、それらは、埋め込まれた拡散ビットラインとして注入されることができる。
【0005】
フラッシュメモリにおける埋め込まれたビットラインの仮想接地アーキテクチャの欠点は、プログラムされたり、読み取られたりするセルでビットラインとワードラインを共有することによる隣接セルの望ましくない妨害/プログラムの問題である。セルのプログラミング中に、隣接セルはFNトンネリングや熱い電子の注入に影響を受けやすい。これは、受入れ難いメモリ損失を生じる。セルの読み取り中に、隣接セルは、セルの読み出し特性を低下する漏洩電流を受ける。妨害問題に対する従来のアプローチ(手法)は、各々のトランジスタのソースとドレインを非対称にドープすることである。この非対称ドーピングは妨害問題を解決するが、ビットライン抵抗を増大するという欠点を有している。代わりに、ビットライン抵抗の増大は、ビットラインの導電性、電力消費およびメモリアレイのスピードに影響を与える。
【0006】
フラッシュメモリの設計の主な挑戦は、妨害抵抗を維持しているが、プログラムスピードを増進することである。アレイサイズの更なる減少を実現するために、ビットライン抵抗を増大することを含まない妨害問題への新しい解決を見つける必要がある。
【0007】
【発明の概要】
本発明は、不揮発性半導体メモリデバイス及びその製造方法を提供する。半導体基板上のフローティングゲートコアと共に半導体基板に非対称に配置されたソースとドレインが整列されるメモリセルが開示される。セルのソース側で、ソース拡散は熱酸化物のエンクローチメントを越えて広がらず、従って、エンクローチメントの厚い酸化物によってフローティングゲートコアから分離される。この厚い酸化物は、ソース側で電子のトンネリングを最小にする。ドレイン側で、ドレイン拡散は熱酸化物のエンクローチメントを越えて拡散し、従って薄いトンネリング誘電体によってフローティングゲートコアから分離される。フローティングゲートへのドレイン拡散からの電子トンネリングは減じない。ソースとドレインの拡散の非対称配置の結果として、ソースとドレインの拡散の平均ドーパント密度は従来の非対称にドープされたセルによけるよりも大きい。メモリは、プログラムされ、消去され、又は読み取られるものに隣接するセルの妨害を減少する一方で、メモリセルのプログラミング、消去および読み取り動作に影響を与えることができる。
【0008】
上述のことを達成するために、メモリが半導体基板上に設けられる。誘電体が半導体基板上に設けられる。第1と第2の側を有するフローティングゲートコアが誘電体上に設けられる。熱酸化物領域がフローティングゲートコアの第1と第2の側に隣接する半導体基板上に設けられる。熱酸化物領域はフローティングゲートコアの第1と第2の側の誘電体に対称なエンクローチメントを有する。第1の拡散領域は、フローティングゲートコアの第1の側と共に整列され、フローティングゲートコアの第2の側に向かって、対称のエンローチメントを越えて延びる。第1の拡散領域は、第1の誘電体によってフローティングゲートコアから分離される。第2の拡散領域は、フローティングゲートコアの第2の側と共に整列され、対称のエンクローチメントによってフローティングゲートコアから分離される。
【0009】
本発明のより一般的な実施形態において、複数の仮想接地ビットラインは、メモリセルの行と列としてレイアウトされた、メモリアレイにおけるメモリセルの隣接する列をリンクする。各々のメモリセルは単一のフローティングゲートトランジスタを有する。第1の誘電体が半導体基板上に設けられる。列と行に配列されたフローティングゲートコアのアレイが誘電体上に設けられる。複数の熱酸化物がフローティングゲートコアの対応する第1と第2の列間で半導体基板上に形成される。熱酸化物は、第1と第2の列の下の誘電体に対称なエンクローチメントを形成する。複数の第1の拡散領域は、第1と第2の列間で第1の側に整列され、第2の列の下の対称なエンクローチメントの下で第2の側へ延びている。複数の第1の拡散領域は、誘電体によって、第2の列のフローティングゲートコアのアレイから分離される。
【0010】
複数の第2の拡散領域が第1と第2の間の第1の側に整列され、第1の列の下の対称なエンクローチメントの下で第2の側に延びる。複数の第2の拡散領域は第1の列の下の対称なエンクローチメントによって、第1の列のフローティングゲートコアのアレイから分離される。分離層がフローティングゲートコアのアレイ上に設けられる。複数のワードライン導体がフローティングゲートコアのアレイの各行上に設けられる。このワードライン導体は、分離層によってフローティングゲートコアのアレイから分離される。このワードライン及びコアはフローティングゲートトランジスタの複数の行を形成する。複数の選択回路がワードライン導体と拡散に接触する。選択回路は、プログラムするためにワードライン導体および選択された対の第1と第2の拡散領域への電流をスイッチする。隣接セルに仮想接地ビットラインへの非対称なソースとドレインの接続を与えることによって、隣接セルとセルの列間の妨害条件が実質的に減少されるセルとアレイが開示される。
【0011】
更に、非対称なメモリセルを有する不揮発性の仮想接地メモリセルのための製造方法は以下のステップを有する。誘電体が第1の導電型の半導体基板上に形成される。次に、フローティングゲートコアの第1と第2列が誘電体上に形成される。その後第1のドーパントが第1のドーパントストリップに沿って注入される。この第1のドーパントストリップは、第2の列の隣に配列され、第1の列から偏位される。第1のドーパントは第1の導電型と反対の第2の導電型を有する。次に、フローティングゲートの側壁がフローティングゲートコアに隣接して形成される。その後、第2のドーパントが第2のドーパントストリップに注入される。第2のドーパントは、第2の導電型を有する。続いて、熱酸化物がフローティングゲートコアの第1と第2の列間に形成される。熱酸化物の形成の結果として、対称の酸化物エンクローチメントが第1と第2の列のフローティングゲートコアの下に形成される。第1のドーパントは、誘電体によって、フローティングゲートコアの第2の列から分離され、第2のドーパントは、対称な酸化物エンクローチメントによって、フローティングゲートコアの第1の列から分離される。最後に、制御ゲートの誘電体と制御ゲートがメモリデバイスを完成するために形成される。
【0012】
本発明の製造方法は、薄いトンネリング領域による第1の側上で、およびトンネリングに抵抗性のある厚い酸化物領域による他の側上で仮想接地ビットラインから分離されるメモリセルを生じる。この配列は、ワードラインとビットらいんを共有するセルのプログラミングから生じる妨害条件に耐えるセルを作成する。前述の方法も自己整合するドーパント注入に対して提供する。
本発明の他の特徴および利点は、図面、詳細な説明及び請求項を検討することによって理解されるであろう。
【0013】
【実施の形態】
本発明の好適な実施の形態の詳細な説明が図面を参照してなされる。単一トランジスタのフローティングゲートメモリセルを有するメモリアレイの使用に適したトランジスタが開示されている。このトランジスタは、ソースまたはドレイン側の一方がトランジスタをプログラムしたり、消去したりするための電気的に好適な側になる非対称なソースおよびドレイン構造を有する。この特徴は、図2に関して説明されるように、メモリアレイにおいて優れている。ソースおよびドレイン側の異なるドーパント密度に頼る従来の非対称なトランジスタと違って、本発明の特徴は、ドーパント密度よりむしろ、非対称が拡散位置から大きく生じるトランジスタを提供する。
【0014】
トランジスタのフローティングゲートの下での非対称なソースとドレインの配置はプログラミングおよび消去がフローティングゲートの下で最も遠くへ延びるソースまたはドレイン拡散の一方を横切って得られるようにし(オーバラップ拡散)、一方フローティングゲートの下に最小限に延びるソースまたはドレイン拡散の他方において電子のトンネリングを最小にする(アンダーラップ拡散)。本来的に、この非対称は、ソース側がプログラムと消去動作に対してドレインより可能性のある通路を与えるという結果を伴って、反転されることができる。
プログラミングと消去動作のための好適な側に関して、トランジスタのバイアスはフローティングゲートの反対側に形成された対称のバーズビークエンクローチメント(bird's beak encroachment)によって更に増進される。オーバラップ拡散はバーズビークエンクローチメントを越えて薄いトンネリング酸化物まで延びる。従って、オーバラップ拡散からフローティングゲートまでの電子トンネリングは弱められない。逆に、アンダーラップ拡散は、フローティングゲートからアンダーラップ拡散を完全に分離するエンクローチメントの厚い酸化物によって最小化される。
【0015】
ソースとドレイン拡散の非対称は配置の結果として、非対称なソース/ドレインのドーパントレベルに対する必要性が減少される。その結果、一般的に平均的な高ドーパント密度がソースとドレインに用いられることができる。従って、本発明のトランジスタがソースとドレインによって単一のビットラインに結合されると、平均的なドーパント密度、従ってビットラインの導電性は、従来の非対称にドープされたトランジスタの場合より高い。
トランジスタは、FNトンネリングおよび熱い電子注入を含むが、それに限定されない、あらゆる多くの方法によってプログラムされ、消去される。ドーピングプロフィールにおける極端な非対称を有するソースとドレイン領域から生じるビットラインの抵抗の有害な増加は必要とされない。本発明の非対称なトランジスタは、フローティングゲートメモリアレイの密度とプログラミングスピードを増加し、一方妨害条件の可能性を減少する。
【0016】
オーバラップとアンダーラップ拡散を有するセル
図1は、オーバラップ/アンダーラップのソース/ドレイン拡散を有する本発明のトランジスタの実施形態の詳細な断面図を示す。フローティングゲートコア100がトンネリング誘電体102によってp型基板104から分離される。フローティングゲートコアは、ドレイン側壁106aとソース側壁106b間に配置される。これらの側壁とコアは、結合キャップ108によって覆われている。この結合キャップは、インターポリ誘電体(inter-poly dielectric) 110によって制御ゲート/ワードライン112から分離される。フィールド酸化物114aは、段階に分けられたドレイン拡散からフローティングゲートの結合キャップと側壁106aを分離する。フィールド酸化物114bは、ソース拡散からフローティングゲートの結合キャップと側壁106bを分離する。フィールド酸化物114a−bは、熱成長され、ドレインとソース側上にそれぞれフローティングゲートコアの下に、対称なバーズビークエンクローチメント116a−bを与える。チャネル領域122は、ソースとドレイン拡散間に画定される。
ドレイン拡散は、n+ 拡散118aとn - 拡散118bから形成される。このドレイ拡散118a−bは、双方バーズビークエンクローチメント116aをオーバラップし、薄いトンネル領域124aへ延びる。ソース拡散は、n型ドーパント120である。このソース拡散は、バーズビークエンクローチメント116bをオーバラップする124b。エンクローチメントの厚い酸化物は、フローティングゲートコアからソース拡散の全体を分離し、それにより、セルのソース側上でフローティングゲートへ、およびフローティングゲートから電子のトンネリングを最小にする。
【0017】
アレイアーキテクチャ
図2は、仮想接地アーキテクチャにおける、本発明のオーバラップ/アンダーラップのソース/ドレイントランジスタを利用するメモリアレイの概略図である。仮想接地アーキテクチャにおいて、メモリセルの隣接列は単一のビットライン上でソースおよびドレインを共有する。メモリセルの二次元アレイは、フローティングゲートトランジスタ200,202,204,206を配列することによって行と列に形成される。図2に示されるように、右の列はトランジスタ200と206を有し、左の列はトランジスタ202と204を有する。アレイの第1行はトランジスタ202と200を有する。アレイの第2行はトランジスタ204と206を有する。トランジスタ200と206のソースは、仮想接地の埋設された拡散ビットライン216に接続される。トランジスタ200と206のドレイン、およびトランジスタ202と204のソースは、埋設された仮想接地のビットライン212に接続される。トランジスタ200と202のゲートは、ワードライン208に接続される。トランジスタ204と206のゲートはワードライン210に接続される。
X−Yアドレッシングシステムは、ワードライン208と210およびワードラインがX軸上で選択するメモリセルの行によって、またビットライン212─216およびビットラインがY軸上で選択するメモリセルの列によって影響される。例えば202のメモリセルがアドレスされると、ビットライン212と214のそれぞれによって、適切な電圧がそのドレインとソースへ、またワードライン208を介してその制御ゲートへ与えられる。このようにして、アレイにおけるすべてのセルはプログラミング、消去および読み取り動作のために個別にアドレスされる。
図1に示されるように、各々のトランジスタは、プログラミングがドレイン側でのみ行われるように構成され、それにより、プログラムされまたは消去されるものに隣接されるセル上で妨害条件を阻止する。このセル構造は、図2に示された埋設された仮想接地配列のようなコンパクトなメモリアーキテクチャに最も有利に用いられる。
【0018】
プログラム妨害
仮想接地アーキテクチャにおいて、図2に示されるもののように、生じる妨害問題はプログラム妨害と呼ばれる。用語“プログラム妨害(program disturb) ”は、フローティングゲートの電荷の減少、従って、プログラムされたセルとワードラインおよびビットラインを共有するセルのプログラミングから生じるメモリに記憶されたビットの可能な変造を意味する。例えば、トランジスタ200がプログラムされるべきときに、負の電圧がワードライン208上に与えられる。正の電圧がトランジスタ200のドレインに結合されるビットライン214に与えられ、ビットライン212と216はフローティングである。これらの状態の下で、電子はトランジスタ200のフローティングゲートから反発され、ビットライン214に引きつけられる。これは、セルの蓄積された電荷に相当して、論理状態を変化する。トランジスタ202とトランジスタ200の制御ゲートは、双方ワードライン208に接続されている。従って、トランジスタ200のプログラム中に、トランジスタ202の制御ゲートも負の電圧状態に置かれる。更に、トランジスタ202のソースはビットライン214に接続され、従って、正の電圧状態に置かれる。もし、トランジスタ202のソースがトランジスタ200のドレインより少ない有利なプログラミングパスを備えないなら、電子は、トランジスタ200のプログラミング中にトランジスタ202のゲートから除かれるであろう。もし、充分な電荷がフローティングゲートトランジスタ202から除かれて、トランジスタ202上に蓄えられた電荷の量に相当する論理状態を変えるなら、ゲート妨害が生じる。しかし、電子のトンネリングを最大にするオーバラッピングのドレイン接合と電子のトンネリングを最小にするアンダーラッピングのソース接合とにより、本発明のセル構造はプログラム妨害問題を少なくする。
【0019】
従来の仮想接地ビットライン
図3(A),図3(B)は、従来の2つの埋設されたビットラインアーキテクチャを示す部分的断面図である。図3(A)は、対称なソースとドレインのn+ 型ドーパント拡散を有するセル構造を示す。図3(B)は、セルのソースとドレイン側に非対称のドーパント拡散を有するセル構造を示す。
図3(A)は、フローティングゲートセルの部分的断面図である。フローティングゲートセル300は、トンネル酸化物302によってp型基板304から絶縁分離されている。チャネル領域308は、埋設されたn+ ソース拡散310と埋設されたn+ ドレイン拡散306間の基板に画定されている。熱成長フィールド酸化物312a−bは、ドレインとソース拡散をそれぞれ覆っている。このセル構造は、ソースとドレイン側が電子のトンネリングに対して、等しい好適な径路を与えるので、仮想接地アレイに用いられるとき、妨害条件を受ける。
図3(B)は、非対称のソースとドレインのドーパント拡散を有するトランジスタの部分的な断面図である。フローティングゲートコア300は、トンネリング誘電体302によってp型基板304から絶縁分離されている。ドレイン拡散314は高ドープされたn+ 型拡散領域を有する。ソース拡散316は軽くドープされたn- 型拡散領域を有する。チャネル領域308はソースとドレイン拡散間に画定される。熱成長フィールド酸化物312a−bは、ドレインとソース拡散領域をそれぞれ覆っている。
図3(B)に示された非対称な拡散は、仮想接地ビットラインメモリアレイに使用するのに適したセル構造を備える。妨害問題は、ドレイン側と比較して、セルのソース側でドーパント密度を非常に低下することによって最小化される。ドーパント密度を低下することによって、電子の通過に対する抵抗が増大され、妨害問題は減少される。この妨害問題を最小にする従来のアプローチに対する欠点は、ビットライン抵抗とアレイのプログラミング時間は、セルのソース側での最小のドーパント密度のために、減少される。
【0020】
オーバラップ/アンダーラップトランジスタのための製造ステップ
図4−図8は、非対称に配置されたソースとドレインを有するトランジスタの製造ステップのための好適な実施形態の図2の[A-A] 線に沿った断面図である。製造技術は、オーバラップしている埋設された拡散によって、セルのソースまたはドレイン側の一方に形成されたトンネル領域を有するセルを生成する。このセルは、CMOS金属、二重ウエル(アレイにおける1つのウエル、周辺回路に対する第2のウエル)および二重ポリ技術を用いて、製造される。図4は、初期の形成ステップを示す。Vt 調節後、トンネリング酸化物402がp型基板400上に成長される。次に、ポリシリコン層がトンネリング酸化物上に堆積される。その後、シリコン窒化物の層が堆積される。その構造は、フローティングゲートのストリップ404a−cとそれぞれのシリコン窒化物のキャップ406a−cをそれぞれ画定するためにマスクされまたパターン化される。
図5において、ホトレジストマスク500a−bがフローティングゲートストリップ404a−bのソース側上にそれぞれ配置されている。次に、フローティングゲートストリップ404b−cの各々に対してドレインを形成するために、n型ドーパント注入が用いらる。拡散はヒ素および選択的にリンイオンを有し、上部のn+ 型拡散502a−bと下部のn- 型拡散504a−bをそれぞれ形成する。拡散するリンイオンが速ければ速いほど、基板をより深く貫通し、それにより、上部のn+ 型拡散502a−bの下に下部のn- 型拡散504a−bを形成する。n+ 注入のための注入ドーズ量は約4−9×1015イオン/cm2 である。n- 注入のための注入ドーズ量は約2−4×1014イオン/cm2 である。フローティングゲートストリップ404bに対するドレイン拡散は、拡散502aと504aから形成される。フローティングゲートストリップ404cに対するドレイン拡散は、拡散502bと504bから形成される。
【0021】
図6に示されるように、側壁600b,602a−bおよび604aがフローティングゲートストリップの側に形成されている。側壁600bはフローティングゲートストリップ404aのソース側に形成されている。側壁602a−bはフローティングゲートストリップ404bのドレインとソース側にそれぞれ形成されている。側壁604aはフローティングゲートストリップ404cのドレイン側に形成されている。これらの側壁は、フローティングゲートストリップに接触する誘電体材料を有する。側壁の形成プロセスは、側壁の所望の幅に相当する厚さを有する酸化物層の化学気相堆積法の堆積(CVD堆積)を含む。このCVD堆積の後に、側壁を除く酸化物層の全ての部分が除去される異方性エッチングが続く。好適な実施の形態において、側壁は幅が0.05μm から0.10μm である。次に、n型ドーパントが側壁間の領域に注入される。n型注入のための注入ドーズ量は約2−3×1015イオン/cm2 である。n型拡散606aは側壁602bと602a間に形成される。これらのソースとドレイン拡散のフローティングゲートコアからのソースとドレイン拡散の分離は、後に説明される熱酸化物形成と打ち込みステップにおいて、これらの拡散がフローティングゲートストリップをオーパラップおよびアンダーラップする相対的な程度を決定する。
【0022】
図7において、側壁間のトンネリング酸化物402の露出された部分の熱酸化が行われる。その結果、熱酸化物領域700a−bは、埋設されたソースとドレイン拡散上に形成されている。熱酸化物領域700aは、ソース拡散606aおよびドレイン拡散502aと504a上に形成される。熱酸化物領域700bは、ソース拡散606bおよびドレイン拡散502bと504b上に形成される。これらの熱酸化物の形成プロセスは2つの効果を有する。第1に、対称なバーズビークエンクローチメントがフローティングゲートストリップのソースとドレイン側に形成される。言及されたように、バーズビークエンクローチメント704aは、フローティングゲートストリップ404bと404aのドレイン側に形成される。対称なバーズビークエンクローチメント704bは、フローティングゲートストリップ404bのソース側に形成される。第2に、酸化物領域の形成中に、ソースとドレイン拡散は、垂直と水平の双方に基板に打ち込まれる。打ち込みの程度は、側壁の幅、熱酸化温度および熱酸化時間の関数である。
【0023】
熱酸化物の形成プロセスは、バーズビークエンクローチメント704aをオーバラップ702aするドレイン拡散502aと504aを生じる。n型ソースとn+ ドレイン拡散の接合の深さは、熱打ち込み後、全て0.2−0.3μmである。任意のn- ドレイン拡散は熱打ち込み後、約0.3−0.4μmである。ソース側で、ソース拡散606bは、702b,バーズビークエンクローチメント704bにオーバラップする。ドレイン側でのオーバラップは、フローティングゲートストリップ404bへ、およびフローティングゲートストリップ404から電子の通路に対して薄いトンネリング誘電体402を通して通路を与える。逆に、アンダーラップしたソース拡散は、対称なバーズビークエンクローチメント704bの比較的厚い酸化物によって、フローティングゲートストリップから分離される。この厚い酸化物は、セルのソース側でトンネリングの量を減少する。チャネル領域706は、セルのソースとドレイン領域間に画定される。
【0024】
図8に示されるように、トランジスタ200が参照されるメモリセルの形成は完成される。ポリシリコンを含むフローティングゲートの結合キャップ800a−cがフローティングゲートストリップ404a−c上にそれぞれ堆積される。各々の結合キャップはトランジスタのゲート結合割合を増大する。インターポリ誘電体802、例えば酸化物−窒化物−酸化物(ONO)は、フローティングゲートの結合キャップとフィールド酸化物領域700a−bを覆い、制御ゲート/ワードラインが形成されるポリシリコン層からこれらを絶縁する。メモリセルの形成は、ワードラインを形成するためにポリシリコン層の、および個々の単一のトランジスタメモリセルを形成するために、フローティングゲートストリップ404a−cのパターニングおよびエッチングで完成される。言及したように、トランジスタ200は、ワードライン/制御ゲート208のフローティングゲートストリップ404b、フローティングゲートの結合キャップ800b、フローティングゲートの側壁602a−b、およびドレイン領域606bと502a,504aをそれぞれ有する。仮想接地埋設ビットライン214はソース拡散606aと埋設されたドレイン拡散502aと504aを有する。埋設されたビットライン216は、埋設されたソース拡散606bおよび埋設されたドレイン拡散502bと504bを有する。
【0025】
図9は、図8に示された側壁、拡散およびバーズビークエンクローチメントの大きさを示す。フローティングゲートコア404b−cは、それぞれの隣接する側壁602bと604aによって示されている。側壁の間隔はLssとして参照される。側壁の幅はLswとして参照される。各フローティングゲートコアのエッジから測られた、フローティングゲートコアの下にあるバーズビークエンクローチメントはLeとして参照される。各フローティングゲートコアのソース側から測られた、フローティングゲートコアの下にあるn型ソース拡散の長さは、Fdnとして参照される。各フローティングゲートコアのドレイン側から測られた、フローティングゲートコアの下にあるn+ ドレイン拡散の長さは、Fdn+ として参照される。各フローティングゲートコアのドレイン側から測られた、フローティングゲートコアの下にあるn- ドレイン拡散の長さは、Fdn- として参照される。
【0026】
ソースとドレインに対する横の拡散打ち込みの長さは同等である。ドレイン側で、横の拡散打ち込み長さは、図9に示されるように、フローティングゲートコア404cのエッジから測られる。ソース側では、横の拡散長さは、側壁602bのエッジから測られる。図6に関連して上述されたように、n型ソース拡散は側壁の形成後に注入される。従って、ソース側拡散の注入長さLdnは、側壁幅Lswとフローティングゲートコアの下にあるソース拡散の長さFdnの合計である。打ち込み拡散長さは熱酸化時間と温度によって制御される。長い熱時間と低い温度は、長いバーズビークエンクロートメントLeおよび短いソースとドレインの打ち込み長さLdnとLdn- に相当する。短い熱時間と高い温度は、短いバーズビークエンクロートメントLeおよび長いソースとドレインの打ち込み長さLdnとLdn+ に相当する。
【0027】
フローティングゲートの結合キャップ800b−cおよび任意のn- ドレイン拡散504bを有する、図9に示されたセル構造の代表的な寸法は以下のとおりである。フローティングゲートコアの幅は0.35μmである。フローティングゲートコア404b−c間の中央から中央までの間隔は0.85μmである。側壁分離Lssは0.22μmである。側壁の幅Lswは0.09μmである。バーズビークエンクローチメントの長さLeは0.06μmである。n型ソース拡散の長さFdnは0.03μmである。ソース側の拡散打ち込み長さLdnは0.12μmである。n+ ドレイン拡散の長さLdn+ は0.12μmである。n- ドレイン拡散の長さLdn- は0.13μmである。もし、任意のn- 注入504bおよび/またはフローティングゲートコアの結合キャップ800b−cが省略されるなら、デバイスの寸法を、更に減少することができる。
【0028】
上述のように、オーバラップとアンダーラップの拡散領域を有するトランジスタは、高密度、高プログラミングスピードを有し、およびプログラミング妨害のないメモリセルを形成するために利用され得る。トランジスタは、スループットにおける関係した減少を伴う大きな角度傾斜のイオン注入を必要とするよりむしろ標準の拡散技術を用いて製造される。
本発明の好適な実施形態の上述の記載は、説明のためになされたものである。本発明を開示された正確な形状に限定すべきでない。明らかに、多くの変更や均等な配列がこの分野の当業者にとって明らかであろう。従って、この分野の通常の知識を有するものは、全ての均等な構造は請求項おびそれらの均等のものの範囲に含まれるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】非対称なフローティングゲートメモリセルの第1の実施形態の断面図である。
【図2】仮想接地セルのレイアウトを用いるメモリアレイの回路図である。
【図3】(A)、(B)は従来のビットラインの形成技術を概略示す部分的断面図である。
【図4】図2のA−A線に沿った断面図で、非対称の、オーバラップ/アンダーラップのソースとドレインを有するメモリセルの製造ステップを示す。
【図5】図2のA−A線に沿った断面図で、非対称の、オーバラップ/アンダーラップのソースとドレインを有するメモリセルの製造ステップを示す。
【図6】図2のA−A線に沿った断面図で、非対称の、オーバラップ/アンダーラップのソースとドレインを有するメモリセルの製造ステップを示す。
【図7】図2のA−A線に沿った断面図で、非対称の、オーバラップ/アンダーラップのソースとドレインを有するメモリセルの製造ステップを示す。
【図8】図2のA−A線に沿った断面図で、非対称の、オーバラップ/アンダーラップのソースとドレインを有するメモリセルの製造ステップを示す。
【図9】図8に示す側壁、拡散、およびバーズビークエンクローチメントに対する寸法を示す。
Claims (5)
- 不揮発性の非対称メモリセルを有する仮想接地セルアレイを製造する方法であって、
第1の導電型によって特徴づけられる半導体基板を覆う誘電体を形成するステップと、
前記誘電体上にフローティングゲートコアの第1と第2の列を形成するステップと、
第1と第2の列の各フローティングゲートコアをシリコン窒化物で覆うステップと、
前記第1の列に隣接する誘電体上で、前記シリコン窒化物上にマスクをパターン化し、且つ前記第2の列に隣接する前記誘電体を露出するステップと、
前記露出した誘電体の下の前記半導体基板に前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有する第1のドーパントを拡散するステップと、
前記拡散後にパターン化されたマスクを除去するステップと、
誘電体材料を用いてフローティングゲートコアの側壁を形成するステップと、
前記フローティングゲートコア及び側壁をマスクとして前記半導体基板に第2の導電型を有する第2のドーパントを注入するステップと、
酸化物のエンクローチメントが第1と第2の列の各フローティングゲートコアの下に形成され、第1のドーパントは、前記誘電体によって各フローティングゲートコアの第2の列から分離され、且つ前記第2のドーパントは、前記酸化物のエンクローチメントによって各フローティングゲートコアの第1の列から分離されるように、フローティングゲートコアの第1と第2の列間に熱酸化物を形成するステップと、
制御ゲートの誘電体と制御ゲートの形成を完成するステップ、
を有することを特徴とする方法。 - 前記露出した前記誘電体の下の前記半導体基板に第1のドーパントを拡散するステップは、更に前記第1のドーパントと第1のドーパントより大きな拡散速度によって特徴づけられる第3のドーパントを拡散するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1のドーパントは、ヒ素を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2のドーパントは、n型材料であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1のドーパントは、ヒ素を含み、前記第2のドーパントは、n型材料であり、前記第3のドーパントは、リンを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
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