JP4418194B2 - ブラシレスdcモータの駆動装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ブラシレスDCモータの駆動装置に関するものである。
ブラシレスDCモータの駆動装置としては、複数のスイッチング素子から構成されるインバーター回路と、このインバーター回路の各スイッチング素子へPWM信号を出力してPWM制御を行うものが知られている(特許文献1)。
このようなブラシレスDCモータの駆動装置においては、インバーター回路のスイッチング素子の保護のために過電流保護回路と温度保護回路が設けられている。
図5は、従来の三相のブラシレスDCモータ(以下、モータという)100を駆動させるためのインバーター回路102と過電流保護と温度保護を兼ね備えた保護回路104とを示す回路図である。
図5に示すように、インバーター回路102は、6個のFET1〜FET6から構成され、モータ100の三相の固定子巻線106u、106v、106wに駆動電流を流すものである。
保護回路104は、インバーター回路102のFET2,4,6のソース端子108に接続されている正温度係数のサーミスター(以下、PTCという)の一端と、抵抗R2の一端が接続されている。抵抗R2の他端はアース端子に接続されている。PTCの他端には、抵抗R1の一端とコンデンサCの一端と出力端子110が接続されている。コンデンサCの他端はアース端子に接続されている。抵抗R1の他端には、直流電源+Vdが接続されている。
この保護回路104は、FET2,4,6のソース端子108に流れる負荷電流が過電流になると、PTCを通じて出力端子110に電流検出信号が出力される。この出力された電流検出信号は制御部(モータドライバIC)に入力される。制御部は、この電流検出信号が基準値を超えると、過電流であると判断して、インバーター回路102に出力するPWM信号を調整してモータ100の回転を停止させるか、回転速度を減少させて、過電流が流れないようにしている。
また、インバーター回路102の各FET1〜6の温度が上昇すると、それをPTCが検知してPTCの抵抗値が上がり、直流電源+Vdからの電流が抵抗R1を通じて出力端子110に流れ、この流れた電流が温度検出信号となり前記した制御部に出力される。制御部ではこの温度検出信号が入力するとモータ100の回転を停止させるか、または、その回転速度を落とすようにインバーター回路102にPWM信号を出力する。
特開2003−15888
上記従来の保護回路104においては、電流検出信号の電圧値がPTCの抵抗値により左右されるため、モータ100が高温で負荷電流が高い場合には、実使用領域に制限がでてくる。
すなわち、図3のグラフの点線に示すように、温度保護を行う程にFET1〜FET6の温度は上昇してはいないが、この温度上昇によってPTCの抵抗値が上昇して電流検出信号の電圧値も上昇して、制御部がトルクを落とすように制御を行うこととなる。そのため、保護回路104における温度保護を行う動作温度より低い温度であるにもかかわらず、モータ100の最大トルクが低下し始めるという問題点がある。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、ブラシレスDCモータの可動範囲が温度保護回路の動作温度まで低下することなく使用することができるブラシレスDCモータの駆動装置を提供するものである。
請求項1に係る発明は、複数のスイッチング素子から構成されるインバーター回路と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子へPWM信号を出力する制御手段と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子を温度上昇から保護する温度保護手段を有し、前記インバーター回路は駆動電流をブラシレスDCモータの固定子巻線に流して回転させるブラシレスDCモータの駆動装置において、前記温度保護手段は、前記スイッチング素子の温度を検出して、前記検出する温度によって抵抗値が変化するサーミスターと、前記検出温度が動作温度まで上昇してサーミスターの抵抗値が動作抵抗値に変化すると、オン状態、または、オフ状態となる感温用スイッチング素子と、前記感温用スイッチング素子がオン状態、または、オフ状態となると温度検出信号を前記制御手段に出力する出力手段と、前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を検出して、前記出力手段を介して電流検出信号として前記制御手段に出力する過電流保護手段と、を有し、前記温度保護手段の前記感温用スイッチング素子がpnp型のトランジスターであり、前記サーミスターは、検出温度の上昇と共に抵抗値が上昇する正温度係数を有するものであり、前記トランジスターのエミッタ端子に前記サーミスターの一端と、正の電圧を供給する直流電圧源が接続され、前記トランジスターのベース端子に前記サーミスターの他端とアース端子とが接続され、前記トランジスターのコレクター端子に出力端子が接続され、前記出力端子が前記制御手段に接続され、前記出力手段は、前記トランジスターがオン状態になると、前記直流電圧源から前記トランジスター、前記出力端子を経て前記温度検出信号を出力し、前記過電流保護手段は、前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を電圧に変換して前記電流検出信号として前記出力端子から出力するものであり、前記制御手段は、前記温度検出信号が入力する、あるいは前記電流検出信号が基準値を超えると、前記ブラシレスDCモータの回転を停止させるか、または、回転速度を低下させるように前記インバーター回路にPWM信号を出力することを特徴とするブラシレスDCモータの駆動装置である。
請求項2に係る発明は、複数のスイッチング素子から構成されるインバーター回路と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子へPWM信号を出力する制御手段と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子を温度上昇から保護する温度保護手段を有し、前記インバーター回路は駆動電流をブラシレスDCモータの固定子巻線に流して回転させるブラシレスDCモータの駆動装置において、前記温度保護手段は、前記スイッチング素子の温度を検出して、前記検出する温度によって抵抗値が変化するサーミスターと、前記検出温度が動作温度まで上昇してサーミスターの抵抗値が動作抵抗値に変化すると、オン状態、または、オフ状態となる感温用スイッチング素子と、前記感温用スイッチング素子がオン状態、または、オフ状態となると温度検出信号を前記制御手段に出力する出力手段と、前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を検出して、前記出力手段を介して電流検出信号として前記制御手段に出力する過電流保護手段と、を有し、前記温度保護手段の前記感温用スイッチング素子がpnp型のトランジスターであり、前記サーミスターは、検出温度の上昇と共に抵抗値が下降する負温度係数を有するものであり、前記トランジスターのエミッタ端子に抵抗素子の一端と、正の電圧を供給する直流電圧源が接続され、前記トランジスターのベース端子に前記抵抗素子の他端と前記サーミスターの一端が接続され、前記サーミスターの他端にアース端子が接続され、前記トランジスターのコレクター端子に出力端子が接続され、前記出力端子が前記制御手段に接続され、前記出力手段は、前記トランジスターがオン状態になると、前記直流電圧源から前記トランジスター、前記出力端子を経て前記温度検出信号を出力し、前記過電流保護手段は、前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を電圧に変換して前記電流検出信号として前記出力端子から出力するものであり、前記制御手段は、前記温度検出信号が入力する、あるいは前記電流検出信号が基準値を超えると、前記ブラシレスDCモータの回転を停止させるか、または、回転速度を低下させるように前記インバーター回路にPWM信号を出力することを特徴とするラシレスDCモータの駆動装置である。
請求項3に係る発明は、前記温度検出信号の電圧値が、前記制御手段の前記基準値以上に設定されていることを特徴とする請求項1又は2記載のブラシレスDCモータの駆動装置である。
請求項に係る発明は、前記インバーター回路の各スイッチング素子が、FET、または、IGBTであることを特徴とする請求項1乃至3記載のブラシレスDCモータの駆動装置である。
請求項に係る発明は、少なくとも前記インバーター回路と前記サーミスターとが同じ配線基板に配置され、前記配線基板と前記ブラシレスDCモータの固定子と共にモールド樹脂によって一体にモールドされていることを特徴とする請求項1乃至4記載のブラシレスDCモータの駆動装置である。
請求項1に係る発明のブラシレスDCモータの駆動装置においては、温度保護手段のサーミスターの抵抗値が、インバーター回路のスイッチング素子の温度上昇に伴い変化して、温度保護回路の動作温度になって動作抵抗値に到達すると感温用スイッチング素子がオン状態、または、オフ状態となって、出力手段から温度検出信号を制御手段に出力する。制御手段は、温度検出信号が入力すると、インバーター回路の各スイッチング素子が基準温度以上に温度上昇していると判断して、インバーター回路に対しブラシレスDCモータの回転を停止させるか、または、回転速度を低下させるようにPWM信号を出力する。
このブラシレスDCモータの駆動装置においては、サーミスターの動作温度に到達して感温用スイッチング素子が動作したときのみ温度検出信号が出力されるため、ブラシレスDCモータの可動範囲が広がる。
さらに、過電流保護手段がインバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を電流検出信号として出力手段から出力する。制御手段は、この電流検出信号が入力して、この信号が基準値以上であると、ブラシレスDCモータの回転を停止させるか、または、回転速度を低下させるようにインバーター回路にPWM信号を出力する。
これによって、インバーター回路のスイッチング素子に流れる負荷電流が過大になった場合には、ブラシレスDCモータを確実に停止または回転速度を減少させることができる。
さらに、温度保護手段は、インバーター回路のスイッチング素子が温度上昇すると、正温度係数を有するサーミスターの温度が上昇して動作温度に到達すると、pnp型のトランジスターである感温用スイッチング素子がオン状態となる。すると、出力手段は、直流電圧源からトランジスター、出力端子を経て温度検出信号が出力される。また、過電流保護手段は、前記の動作温度未満の温度範囲においては、トランジスターがオフ状態であるため、サーミスターの温度特性の変化による抵抗値の影響を受けずに電流検出信号を出力することができる。
請求項に係る発明のブラシレスDCモータの駆動装置においては、温度保護手段は、インバーター回路のスイッチング素子が温度上昇すると、負温度係数を有するサーミスターの温度が上昇して動作温度に到達すると、pnp型のトランジスターである感温用スイッチング素子がオン状態となる。すると、出力手段は、直流電圧源からトランジスター、出力端子を経て温度検出信号が出力される。また、過電流保護手段は、前記の動作温度未満の温度範囲においては、トランジスターがオフ状態であるため、サーミスターの温度特性の変化による抵抗値の影響を受けずに電流検出信号を出力することができる。
請求項3に係る発明のブラシレスDCモータの駆動装置においては、温度検出信号の電圧値が制御手段の基準値以上に設定されているので、制御手段は、温度検出信号が入力しても、電流検出信号が入力しても、これら信号の電圧値が基準値を超えているかいないかで、ブラシレスDCモータの異常状態を簡単に判別できる。
請求項に係る発明のブラシレスDCモータの駆動装置においては、インバーター回路の各スイッチング素子が、FET(電解効果トランジスター)、または、IGBT(Insulated
Gate Bipolar Transistor)によって構成することにより、駆動電流をブラシレスDCモータの固定子巻線に確実に流すことができる。
請求項に係る発明のブラシレスDCモータの駆動装置においては、少なくとも前記インバーター回路と前記サーミスターとが同じ配線基板に配置され、前記配線基板と前記ブラシレスDCモータの固定子と共にモールド樹脂によって一体にモールドされているので、サーミスターがインバーター回路の各スイッチング素子の温度を確実に検出することができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態のブラシレスDCモータ(以下、単にモータという)10の駆動装置12について説明する。
(1)モータ10の構成
モータ10は、三相のブラシレスDCモータであって、モールドモータである。すなわち、固定子と配線基板がモールド樹脂によって一体にモールド成形されて、モータ10のフレームを形成している。
(2)駆動装置12の全体の構成
駆動装置12の全体の構成について、図2のブロック図に基づいて説明する。
駆動装置12は、インバーター回路14、保護回路16と、PWM回路20と、論理回路22と、速度検出回路24と、主制御部26とより構成されている。
また、モータ10の回転子の位置を検出するための3個のホールIC28、28、28が設けられており、この3個のホールIC28、28、28の位置検出信号が速度検出回路24に入力される。
(3)インバーター回路14の構成
インバーター回路14の構成について図1に基づいて説明する。
インバーター回路14は、6個のFET1〜6より構成され、上段にはFET1,3,5が配され、下段にはFET2,4,6が配されている。
具体的には、FET1のソース端子にFET2のドレイン端子が接続され、FET3のソース端子にFET4のドレイン端子が接続され、FET5のソース端子にFET6のドレイン端子が接続されている。
FET1,3,5のドレイン端子は一つに接続され、モータ電源+Vmに接続されている。
FET2,4,6のソース端子は一つに接続され、保護回路16の入力端子30に接続されている。
FET1〜6のゲート端子は、PWM回路20に接続され、PWM回路20はゲート信号としてPWM信号を出力する。
FET1とFET2との間には、モータ10のu相の固定子巻線32uが接続され、FET3とFET4との間にはv相の固定子巻線32vが接続され、FET5とFET6との間にはw相の固定子巻線32wが接続されている。なお、三相の固定子巻線32u,32v,32wはY結線となっている。
(4)保護回路16の構成
次に、保護回路16の構成について図1に基づいて説明する。
保護回路16は、大きく分けて温度保護回路16aと過電流保護回路16bとに別れている。
温度保護回路16aは、正温度係数を有するサーミスター(Positive Temperature
Coefficient 以下、「PTC」という)と、抵抗R0と、pnp型のスイッチングトランジスターTrとより構成されている。
PTCの一端には直流電源+Vdが接続されると共に、トランジスターTrのコレクター端子が接続されている。一方、PTCの他端にはトランジスターTrのベース端子と抵抗R0の一端が接続されている。抵抗R0の他端はアース端子に接続されている。トランジスターTrのエミッタ端子には抵抗R1の一端が接続されている。抵抗R1の他端は、出力端子38に接続されている。
過電流保護回路16bは、抵抗R2と抵抗R3とより構成されている。
インバーター回路14に接続されている入力端子30には、抵抗R2の一端と抵抗R3の一端が接続され、抵抗R3の他端はアース端子に接続されている。抵抗R2の他端は出力端子38に接続されている。
なお、PTCは、6個のFET1〜6を配線した配線基板の裏側に取り付けられており、各FET1〜6の温度上昇を検知することができる。
また、このPTCとインバーター回路14が配線された配線基板は、前記したようにモータ10の固定子と共にモールド樹脂によって一体にモールド成型されている。
(5)駆動装置12の全体の動作状態
まず、駆動装置12の全体の動作状態について説明する。
制御部18の主制御部26に外部から速度指令信号Sが入力すると、主制御部26は、論理回路22を介してPWM回路20で、その速度指令信号Sに応じた回転速度のPWM信号をインバーター回路14の各FET1〜6のゲート端子に出力する。インバーター回路14では、モータ10の三相の固定子巻線32u,32v,32wに三相の駆動電流を出力してモータ10を回転させる。
3個のホールIC28、28、28は、その回転するモータ10の回転子の位置を検出して速度検出回路24に位置検出信号Kを出力する。
速度検出回路24では、3個のホールIC28からの位置検出信号に基づいてモータ10の回転速度と、回転子の位置とを演算し主制御部26に出力する。
主制御部26では、速度検出回路24からの現在の回転速度を、外部から入力する速度指令信号Sと比較し、この回転速度が速度指令信号Sに応じた回転速度になるように論理回路22をフィードバック制御する。これによって、外部から入力する速度指令信号Sに対応してータ10が回転する。
また、主制御部26は、保護回路16から入力する信号(すなわち、温度検出信号と電流検出信号)の電圧値が、予め定めた基準値以上になると、モータ10の回転を停止させるか、または回転速度を減少させてインバーター回路14がそれ以上温度上昇しないように保護する。
(6)保護回路16の動作状態
次に、保護回路16の動作状態について説明する。
(6−1)保護回路16の温度保護回路16aが動作する場合について説明する。
PTCは正温度係数を有するため、FET1〜6の温度が上昇するとその抵抗値が上昇して、図1におけるPTCの両端の電圧V1の値が上昇する。
ところが、FET1〜6の温度が低い場合には、PTCの抵抗値が低く、直流電源+VdはPTCとR0を介してアース端子に流れている。そのため、トランジスターTrがオフ状態となり出力端子38から信号は出力されない。
そして、FET1〜6の温度が上昇してPTCの動作温度になると、PTCの抵抗値が動作抵抗値に到達してトランジスターTrがオン状態となる。すると、直流電源+Vdからの電流はトランジスターTrに流れ、抵抗R1に電流が流れ、出力端子38から温度検出信号として主制御部26に出力する。このトランジスターTrがオン状態となるPTCの温度が、温度保護回路16aにおける「動作温度」である。また、この温度検出信号の電圧値は、主制御部26における基準値以上に設定しておく。
そして、主制御部26では、入力する温度検出信号は前記したように基準値以上であるため、モータ10の回転を停止させるか、または回転速度を減少させてインバーター回路14がそれ以上温度上昇しないように保護する。
(6−2)保護回路16の過電流保護回路16bが動作する場合について説明する。
インバーター回路14のFET2,4,6のソース端子に流れている負荷電流が常に入力端子30に入力されている。この入力端子30に入力した負荷電流は抵抗R3によって電圧に変換され出力端子38から電流検出信号として出力されている。
電流検出信号は、主制御部26に入力され、主制御部26ではこの電流検出信号が基準値以上になると負荷電流が過電流であると判断して、モータ10の回転を停止させるか、または、回転速度を落として負荷電流が過電流にならないように保護している。
(7)保護回路16の効果
以上説明したように、インバーター回路のFET1〜6が、温度保護回路16aの動作温度まで上昇をしていない限りトランジスターTrがオフ状態となっているため、PTCの抵抗値の変化の影響を全く受けず、過電流保護回路は、正確にインバーター回路14の負荷電流を検出信号として出力することができる。
すなわち、この温度保護回路16aではトランジスターTrがオンしたときのみ動作し、オフ状態では過電流保護回路16bはPTCの抵抗値の影響を受けない。従って、図3のPTCの温度とモータ10の最大トルクとを表したグラフの実線に示すように、温度保護回路16aの動作温度まで最大トルクが低下せず、モータ10の可動範囲が制限されない。
これにより、モータ10の最大電流を従来技術に比べ下げることができるので、スイッチング素子のランクを下げるなどのコスト削減が可能になる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態と第1の実施形態の異なる点は保護回路16におけるサーミスターを設ける位置にある。
第1の実施形態では、トランジスターTrのコレクター端子とベース端子との間にPTCを設けたが、第2の実施形態では図4に示すように、コレクター端子とベース端子の間には抵抗R0を接続し、ベース端子とアース端子との間にサーミスターを接続している。但し、この場合のサーミスターは負温度係数を有するサーミスター(Negative
Temperature Coefficient.以下、「NTC」という)が接続されている。
このNTCを接続した場合には、インバーター回路14の各FET1〜6の温度上昇が検知されるとNTCの抵抗値が下がり、第1の実施形態と同様にトランジスターTrがオン状態となる。
この第2の実施形態であっても、第1の実施形態と同様に正確にFET1〜6の温度上昇を検知することができる。
(変更例)
本発明は上記実施形態に限らず、その主旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。以下、その変更例を説明する。
(1)変更例1
上記各実施形態では、インバーター回路14のスイッチング素子としてFET(電解効果トランジスター)を用いたが、これに代えてIGBT(Insulated
Gate Bipolar Transistor)を用いてもよい。
(2)変更例2
上記各実施形態では。インバーター回路14とPTCを内蔵した配線基板をモールド樹脂で固定子と一体にモールド成型したが、この配線基板及び固定子はモールドされていなくてもよい。
本発明のブラシレスDCモータの駆動装置は、例えば、空調機、洗濯機などの駆動源として用いるのが好適である。
第1の実施形態のインバーター回路と保護回路の回路図である。 第1の実施形態の駆動装置のブロック図である。 最大トルクとPTCの温度との関係を示すグラフである。 第2の実施形態のインバーター回路と保護回路の回路図である。 従来の技術におけるインバーター回路と保護回路の回路図である。
10 モータ
12 駆動装置
14 インバーター回路
16 保護回路
16a 温度保護回路
16b 過電流保護回路
18 制御部
20 PWM回路
22 論理回路
24 速度検出回路
26 主制御部
28 ホールIC
30 入力端子
38 出力端子

Claims (5)

  1. 複数のスイッチング素子から構成されるインバーター回路と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子へPWM信号を出力する制御手段と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子を温度上昇から保護する温度保護手段を有し、
    前記インバーター回路は駆動電流をブラシレスDCモータの固定子巻線に流して回転させるブラシレスDCモータの駆動装置において、
    前記温度保護手段は、
    前記スイッチング素子の温度を検出して、前記検出する温度によって抵抗値が変化するサーミスターと、
    前記検出温度が動作温度まで上昇してサーミスターの抵抗値が動作抵抗値に変化すると、オン状態、または、オフ状態となる感温用スイッチング素子と、
    前記感温用スイッチング素子がオン状態、または、オフ状態となると温度検出信号を前記制御手段に出力する出力手段と、
    前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を検出して、前記出力手段を介して電流検出信号として前記制御手段に出力する過電流保護手段と、
    を有し、
    前記温度保護手段の前記感温用スイッチング素子がpnp型のトランジスターであり、
    前記サーミスターは、検出温度の上昇と共に抵抗値が上昇する正温度係数を有するものであり、
    前記トランジスターのエミッタ端子に前記サーミスターの一端と、正の電圧を供給する直流電圧源が接続され、
    前記トランジスターのベース端子に前記サーミスターの他端とアース端子とが接続され、
    前記トランジスターのコレクター端子に出力端子が接続され、
    前記出力端子が前記制御手段に接続され、
    前記出力手段は、前記トランジスターがオン状態になると、前記直流電圧源から前記トランジスター、前記出力端子を経て前記温度検出信号を出力し、
    前記過電流保護手段は、
    前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を電圧に変換して前記電流検出信号として前記出力端子から出力するものであり、
    前記制御手段は、前記温度検出信号が入力する、あるいは前記電流検出信号が基準値を超えると、前記ブラシレスDCモータの回転を停止させるか、または、回転速度を低下させるように前記インバーター回路にPWM信号を出力する
    ことを特徴とするブラシレスDCモータの駆動装置。
  2. 複数のスイッチング素子から構成されるインバーター回路と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子へPWM信号を出力する制御手段と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子を温度上昇から保護する温度保護手段を有し、
    前記インバーター回路は駆動電流をブラシレスDCモータの固定子巻線に流して回転させるブラシレスDCモータの駆動装置において、
    前記温度保護手段は、
    前記スイッチング素子の温度を検出して、前記検出する温度によって抵抗値が変化するサーミスターと、
    前記検出温度が動作温度まで上昇してサーミスターの抵抗値が動作抵抗値に変化すると、オン状態、または、オフ状態となる感温用スイッチング素子と、
    前記感温用スイッチング素子がオン状態、または、オフ状態となると温度検出信号を前記制御手段に出力する出力手段と、
    前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を検出して、前記出力手段を介して電流検出信号として前記制御手段に出力する過電流保護手段と、
    を有し、
    前記温度保護手段の前記感温用スイッチング素子がpnp型のトランジスターであり、
    前記サーミスターは、検出温度の上昇と共に抵抗値が下降する負温度係数を有するものであり、
    前記トランジスターのエミッタ端子に抵抗素子の一端と、正の電圧を供給する直流電圧源が接続され、
    前記トランジスターのベース端子に前記抵抗素子の他端と前記サーミスターの一端が接続され、
    前記サーミスターの他端にアース端子が接続され、
    前記トランジスターのコレクター端子に出力端子が接続され、
    前記出力端子が前記制御手段に接続され、
    前記出力手段は、前記トランジスターがオン状態になると、前記直流電圧源から前記トランジスター、前記出力端子を経て前記温度検出信号を出力し、
    前記過電流保護手段は、
    前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を電圧に変換して前記電流検出信号として前記出力端子から出力するものであり、
    前記制御手段は、前記温度検出信号が入力する、あるいは前記電流検出信号が基準値を超えると、前記ブラシレスDCモータの回転を停止させるか、または、回転速度を低下させるように前記インバーター回路にPWM信号を出力する
    ことを特徴とするラシレスDCモータの駆動装置。
  3. 前記温度検出信号の電圧値が、前記制御手段の前記基準値以上に設定されている
    ことを特徴とする請求項1又は2記載のブラシレスDCモータの駆動装置。
  4. 前記インバーター回路の各スイッチング素子が、FET、または、IGBTである
    ことを特徴とする請求項1乃至3記載のブラシレスDCモータの駆動装置。
  5. 少なくとも前記インバーター回路と前記サーミスターとが同じ配線基板に配置され、
    前記配線基板と前記ブラシレスDCモータの固定子と共にモールド樹脂によって一体にモールドされている
    ことを特徴とする請求項1乃至4記載のブラシレスDCモータの駆動装置。
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