JP4418194B2 - ブラシレスdcモータの駆動装置 - Google Patents
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Description
Gate Bipolar Transistor)によって構成することにより、駆動電流をブラシレスDCモータの固定子巻線に確実に流すことができる。
以下、本発明の第1の実施形態のブラシレスDCモータ(以下、単にモータという)10の駆動装置12について説明する。
モータ10は、三相のブラシレスDCモータであって、モールドモータである。すなわち、固定子と配線基板がモールド樹脂によって一体にモールド成形されて、モータ10のフレームを形成している。
駆動装置12の全体の構成について、図2のブロック図に基づいて説明する。
インバーター回路14の構成について図1に基づいて説明する。
次に、保護回路16の構成について図1に基づいて説明する。
Coefficient 以下、「PTC」という)と、抵抗R0と、pnp型のスイッチングトランジスターTrとより構成されている。
まず、駆動装置12の全体の動作状態について説明する。
次に、保護回路16の動作状態について説明する。
以上説明したように、インバーター回路のFET1〜6が、温度保護回路16aの動作温度まで上昇をしていない限りトランジスターTrがオフ状態となっているため、PTCの抵抗値の変化の影響を全く受けず、過電流保護回路は、正確にインバーター回路14の負荷電流を検出信号として出力することができる。
第2の実施形態と第1の実施形態の異なる点は保護回路16におけるサーミスターを設ける位置にある。
Temperature Coefficient.以下、「NTC」という)が接続されている。
本発明は上記実施形態に限らず、その主旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。以下、その変更例を説明する。
上記各実施形態では、インバーター回路14のスイッチング素子としてFET(電解効果トランジスター)を用いたが、これに代えてIGBT(Insulated
Gate Bipolar Transistor)を用いてもよい。
上記各実施形態では。インバーター回路14とPTCを内蔵した配線基板をモールド樹脂で固定子と一体にモールド成型したが、この配線基板及び固定子はモールドされていなくてもよい。
12 駆動装置
14 インバーター回路
16 保護回路
16a 温度保護回路
16b 過電流保護回路
18 制御部
20 PWM回路
22 論理回路
24 速度検出回路
26 主制御部
28 ホールIC
30 入力端子
38 出力端子
Claims (5)
- 複数のスイッチング素子から構成されるインバーター回路と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子へPWM信号を出力する制御手段と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子を温度上昇から保護する温度保護手段を有し、
前記インバーター回路は駆動電流をブラシレスDCモータの固定子巻線に流して回転させるブラシレスDCモータの駆動装置において、
前記温度保護手段は、
前記スイッチング素子の温度を検出して、前記検出する温度によって抵抗値が変化するサーミスターと、
前記検出温度が動作温度まで上昇してサーミスターの抵抗値が動作抵抗値に変化すると、オン状態、または、オフ状態となる感温用スイッチング素子と、
前記感温用スイッチング素子がオン状態、または、オフ状態となると温度検出信号を前記制御手段に出力する出力手段と、
前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を検出して、前記出力手段を介して電流検出信号として前記制御手段に出力する過電流保護手段と、
を有し、
前記温度保護手段の前記感温用スイッチング素子がpnp型のトランジスターであり、
前記サーミスターは、検出温度の上昇と共に抵抗値が上昇する正温度係数を有するものであり、
前記トランジスターのエミッタ端子に前記サーミスターの一端と、正の電圧を供給する直流電圧源が接続され、
前記トランジスターのベース端子に前記サーミスターの他端とアース端子とが接続され、
前記トランジスターのコレクター端子に出力端子が接続され、
前記出力端子が前記制御手段に接続され、
前記出力手段は、前記トランジスターがオン状態になると、前記直流電圧源から前記トランジスター、前記出力端子を経て前記温度検出信号を出力し、
前記過電流保護手段は、
前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を電圧に変換して前記電流検出信号として前記出力端子から出力するものであり、
前記制御手段は、前記温度検出信号が入力する、あるいは前記電流検出信号が基準値を超えると、前記ブラシレスDCモータの回転を停止させるか、または、回転速度を低下させるように前記インバーター回路にPWM信号を出力する
ことを特徴とするブラシレスDCモータの駆動装置。 - 複数のスイッチング素子から構成されるインバーター回路と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子へPWM信号を出力する制御手段と、前記インバーター回路の前記各スイッチング素子を温度上昇から保護する温度保護手段を有し、
前記インバーター回路は駆動電流をブラシレスDCモータの固定子巻線に流して回転させるブラシレスDCモータの駆動装置において、
前記温度保護手段は、
前記スイッチング素子の温度を検出して、前記検出する温度によって抵抗値が変化するサーミスターと、
前記検出温度が動作温度まで上昇してサーミスターの抵抗値が動作抵抗値に変化すると、オン状態、または、オフ状態となる感温用スイッチング素子と、
前記感温用スイッチング素子がオン状態、または、オフ状態となると温度検出信号を前記制御手段に出力する出力手段と、
前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を検出して、前記出力手段を介して電流検出信号として前記制御手段に出力する過電流保護手段と、
を有し、
前記温度保護手段の前記感温用スイッチング素子がpnp型のトランジスターであり、
前記サーミスターは、検出温度の上昇と共に抵抗値が下降する負温度係数を有するものであり、
前記トランジスターのエミッタ端子に抵抗素子の一端と、正の電圧を供給する直流電圧源が接続され、
前記トランジスターのベース端子に前記抵抗素子の他端と前記サーミスターの一端が接続され、
前記サーミスターの他端にアース端子が接続され、
前記トランジスターのコレクター端子に出力端子が接続され、
前記出力端子が前記制御手段に接続され、
前記出力手段は、前記トランジスターがオン状態になると、前記直流電圧源から前記トランジスター、前記出力端子を経て前記温度検出信号を出力し、
前記過電流保護手段は、
前記インバーター回路のスイッチング素子に流れる電流を電圧に変換して前記電流検出信号として前記出力端子から出力するものであり、
前記制御手段は、前記温度検出信号が入力する、あるいは前記電流検出信号が基準値を超えると、前記ブラシレスDCモータの回転を停止させるか、または、回転速度を低下させるように前記インバーター回路にPWM信号を出力する
ことを特徴とするブラシレスDCモータの駆動装置。 - 前記温度検出信号の電圧値が、前記制御手段の前記基準値以上に設定されている
ことを特徴とする請求項1又は2記載のブラシレスDCモータの駆動装置。 - 前記インバーター回路の各スイッチング素子が、FET、または、IGBTである
ことを特徴とする請求項1乃至3記載のブラシレスDCモータの駆動装置。 - 少なくとも前記インバーター回路と前記サーミスターとが同じ配線基板に配置され、
前記配線基板と前記ブラシレスDCモータの固定子と共にモールド樹脂によって一体にモールドされている
ことを特徴とする請求項1乃至4記載のブラシレスDCモータの駆動装置。
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