JP4414945B2 - 光ディスク装置のディフェクト検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、光ディスク上のディフェクト検出が可能な光ディスクの記録再生装置に関する。

光ディスクにごみが付いたり、傷が付いたりした場合には、一般的に、光ディスクに照射された光の反射率が低下する。そこで、この反射率の低下を利用して光ディスクのディフェクトを検出する方法が考えられている。例えば、光ディスク装置のディフェクト検出方法としては、図１８に示すように、光ディスクからの反射光の全加算信号（複数の受光素子の受光信号を全加算した信号）のローパスフィルタ通過信号から検出レベル（基準電圧値）を引いた信号と全加算信号とを比較する方法がある。この場合には、全加算信号がその平均値から検出レベル以下に低下した場合に、光ディスク上のディフェクトとして検出される。
特開平１１−９６６５５

しかしながら、光ディスクに情報を記録する場合と、光ディスクから情報を再生する場合とでは、一般的に、光ディスクへ入射されるレーザー光の強度が異なる。そして光ディスクに情報を記録する場合と、光ディスクから情報を再生する場合とでは、一般的に、光ディスクからのレーザー光の反射光の強度が異なる。そのため、光ディスクへ情報を記録する場合には、例えば、光ディスク装置において、回路のゲイン設定の切り替えを行って反射光の全加算信号の電圧レベルが再生時とおおよそ同じになるようにしている。しかしながら、まったく同じ電圧レベルにすることはできない。例えば、記録時の全加算信号の電圧レベルが再生時の電圧レベルより低くなる場合は、記録時に全加算信号が少し低下しただけでディフェクトを検出することになる。さらに記録時と再生時において電圧レベル差が大きい場合は、記録開始時点でディフェクトと検出されてしまう場合も考えられる。逆に記録時の全加算信号の電圧レベルが再生時の電圧レベルより高くなる場合は、記録時はディフェクトを検出しにくくなる。また、記録終了時点にディフェクトを検出する場合も考えられる。

また、光ディスクに情報が記録されている領域と記録されていない領域が混在するディスクの場合、一般的に、情報が記録されている領域の方が、光ディスクの反射率が低下する。したがって、全加算信号の電圧レベルは未記録領域に比べて記録領域の電圧レベルは低下することになる。記録領域では全加算信号が少し低下しただけでディフェクトを検出することになる。さらに未記録領域と記録領域の反射率の差が大きい場合は、未記録領域から記録領域に突入した時にディフェクトを検出する可能性がある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものである。

第一の発明は、再生又は記録のためにレーザー光を記録媒体に照射するためのレーザー出力部と、レーザー出力部から出力されたレーザー光の記録媒体からの反射光を反射光検出電圧値として検出出力する反射光検出電圧値出力部と、反射光に基づいて記録媒体上の欠陥を検出するために基準となる基準電圧値を保持する基準電圧値保持部と、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値を変更するための基準電圧値変更部と、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値と、反射光検出電圧値出力部にて検出出力される反射光検出電圧値と、を利用して電圧値比較処理を行い欠陥の有無判断を行う欠陥有無判断部と、を有する光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

第二の発明は、レーザー出力部が、レーザー光の出力強度に関する情報である出力強度情報を出力する出力強度情報出力手段を有し、前記基準電圧値変更部は、出力強度情報出力手段から出力される出力強度情報に基づいて前記基準電圧値を変更するための出力強度情報依存基準電圧値変更手段を有する第一の発明に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

第三の発明は、前記出力強度情報出力手段が、出力強度情報として、記録のためのレーザー出力強度であるか、再生のためのレーザー出力強度であるかを示す記録再生モード情報を出力するための記録再生モード情報出力器を有する第二の発明に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

第四の発明は、反射光検出電圧値出力部が、反射光を反射している記録媒体の領域が記録済み領域か、未記録領域かを判定する領域判定手段を有し、前記基準電圧値変更部は、領域判定手段の判定結果に基づいて基準電圧値を変更する領域判定結果依存基準電圧変更手段を有する第一の発明から第三の発明３のいずれか一に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

第五の発明は、再生又は記録のためにレーザー光を記録媒体に照射するためのレーザー出力部と、レーザー出力部から出力されたレーザー光の記録媒体からの反射光を反射光検出電圧値として検出出力する反射光検出電圧値出力部と、反射光に基づいて記録媒体上の欠陥を検出するために基準となる基準電圧値を保持する基準電圧値保持部と、反射光検出電圧値出力部を制御して反射光検出電圧にバイアス電圧を与え、反射光検出電圧値出力部から出力される反射光検出電圧値を変更する反射光検出電圧値変更部と、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値と、反射光検出電圧値出力部にて検出される反射光検出電圧値と、を利用して電圧値比較処理を行い欠陥の有無判断を行う欠陥有無判断部と、を有する光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

第六の発明は、レーザー出力部が、レーザー光の出力強度に関する情報である出力強度情報を出力する第二出力強度情報出力手段を有し、前記反射光検出電圧値変更部は、第二出力強度情報出力手段から出力される出力強度情報に基づいて前記バイアス電圧値を変更するための出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段を有する第五の発明に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

第七の発明は、前記第二出力強度情報出力手段が、出力強度情報として、記録のためのレーザー出力強度であるか、再生のためのレーザー出力強度であるかを示す記録再生モード情報を出力するための第二記録再生モード情報出力器を有する第六の発明に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

第八の発明は、反射光検出電圧値出力部が、反射光を反射している記録媒体の領域が記録済み領域か、未記録領域かを判定する第二領域判定手段を有し、前記反射光検出電圧値変更部は、領域判定手段の判定結果に基づいて前記バイアス電圧値を変更する領域判定結果依存バイアス電圧値変更手段を有する第五の発明から第七の発明のいずれか一に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

第九の発明は、反射光検出電圧値出力部が、反射光検出電圧をフィルタするためのローパスフィルタ手段を有し、前記反射光検出電圧値変更部は、前記ローパスフィルタ手段を構成する抵抗値、キャパシタ値、インダクタンス値のいずれか一又は二以上の値を変更するフィルタ変更手段を有する第五の発明から第八の発明のいずれか一に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置に関する。

本発明によれば、光ディスクに再生のみならず記録する場合にも、誤検出しないように安定してディフェクトを検出することができる。
また、本発明によれば記録済み領域と未記録領域が混在する光ディスクにおいても、誤検出しないように安定して、ディフェクトを検出することができる。

以下に本件発明の実施形態を説明する。実施形態と、請求項との関係はおおむね次のようなものである。
実施形態１は、主に、請求項１、請求項２などについて説明している。
実施形態２は、主に、請求項３、請求項４などについて説明している。
以下に、図を用いて本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明はこれら実施の形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施しうる。

なお、以下に記載する各機能ブロックは、ハードウェア、又はメモリ上に展開しハードウェアを制御することでその作用が得られるソフトウェア、又はハードウェア及びソフトウェアの両方として実現され得る。具体的には、コンピュータを利用するものであれば、ＣＰＵやメモリ、ハードディスクドライブ、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどの読取ドライブ、各種通信用の送受信ポート、インターフェース、その他の周辺装置などのハードウェア構成部や、それらハードウェアを制御するためのドライバプログラムやその他アプリケーションプログラムなどが挙げられる。

また、この発明は装置またはシステムとして実現できるのみでなく、方法としても実現可能である。また、このような発明の一部をソフトウェアとして構成することができることもできる。さらに、そのようなソフトウェアをコンピュータに実行させるために用いるソフトウェア製品、及び同製品を記録媒体に固定した記録媒体も、当然にこの発明の技術的な範囲に含まれる。（本明細書の全体を通じて同様である。）

<<実施形態１>>
以下に、実施形態１について説明する。

<実施形態１の概念>
以下に本実施形態の概念について説明する。本実施形態の光ディスク装置のディフェクト検出装置は、汚れや傷などのディフェクトを検出する基準となる基準電圧値を変更することができることに特徴がある。

<構成要件の明示>
以下に、本実施形態の構成要件を明示する。

（構成１：主に請求項１に対応）
以下に、本実施形態の構成１の構成要件を明示する。
図１は、本実施形態の構成１の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成１の光ディスク装置のディフェクト検出装置０１００は、レーザー出力部０１０１と、反射光検出電圧値出力部０１０２と、基準電圧値保持部０１０３と、基準電圧値変更部０１０４と、欠陥有無判断部０１０５と、からなる。

（構成２：主に請求項２に対応）
以下に、本実施形態の構成２の構成要件を明示する。
図２は、本実施形態の構成２の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成２の光ディスク装置のディフェクト検出装置０２００は、レーザー出力部０２０１と、反射光検出電圧値出力部０２０２と、基準電圧値保持部０２０３と、基準電圧値変更部０２０４と、欠陥有無判断部０２０５と、からなる（上記構成は、構成１と同じ）。構成２においては、レーザー出力部は、出力強度情報出力手段０２０６を有し、基準電圧値変更部は、出力強度情報依存基準電圧値変更手段０２０７を有する。

（構成３：主に請求項３に対応）
以下に、本実施形態の構成３の構成要件を明示する。
図３は、本実施形態の構成３の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成３の光ディスク装置のディフェクト検出装置０３００は、レーザー出力部０３０１と、反射光検出電圧値出力部０３０２と、基準電圧値保持部０３０３と、基準電圧値変更部０３０４と、欠陥有無判断部０３０５と、からなる。また、レーザー出力部は、出力強度情報出力手段０３０６を有し、基準電圧値変更部は、出力強度情報依存基準電圧値変更手段０３０７を有する。構成３においては、出力強度情報出力手段は、記録再生モード情報出力器０３０８を有する。

（構成４：主に請求項４に対応）
図４は、本実施形態の構成４の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成４の光ディスク装置のディフェクト検出装置０４００は、レーザー出力部０４０１と、反射光検出電圧値出力部０４０２と、基準電圧値保持部０４０３と、基準電圧値変更部０４０４と、欠陥有無判断部０４０５と、からなる（上記構成は、構成１と同じ）。また、レーザー出力部は、出力強度情報出力手段を有し、基準電圧値変更部は、出力強度情報依存基準電圧値変更手段を有していてもよい（上記構成は、構成２と同じ）。また、出力強度情報出力手段は、記録再生モード情報出力器を有する構成であってもよい（上記構成は、構成３と同じ）。構成４においては、上記の構成１、構成２、構成３のいずれか一の構成に加えて、反射光検出電圧値出力部は、領域判定手段０４０６を有し、基準電圧値変更部は、領域判定結果依存基準電圧変更手段０４０７を有する。

<構成要件の説明>
以下に、本実施形態の構成要件について説明をする。
構成要件の説明に先立って、光ディスクへの情報の記録と再生の原理について、簡単に説明する。
光ディスクへの情報の記録：選択した記録層（未記録領域）へ強い光を照射すると、発熱で照射部の反射率が変化する。一般的には反射率が低下する変化が起こる。これが記録マークとなり、反射率が変化した状態は固定される。
光ディスクからの情報の再生：選択した層に弱い光を照射すると、反射率の変化した記録マークと元の反射率の未記録部で反射光量に差が生じるため、記録情報を読み出すことができる。

（構成１）
以下に、本実施形態の構成１の構成要件について説明する。
（レーザー出力部）
「レーザー出力部」は、再生又は記録のためにレーザー光を記録媒体に照射するように構成されている。ここで「レーザー光」の光源には、一例として、発振波長７８０ｎｍ帯レーザー、６５０ｎｍ帯レーザー、４０５ｎｍの青紫色半導体レーザーなどが挙げられる。「記録媒体」には、一例として、ＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ）、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ、ＡＯＤ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｐｔｉｋａｌ Ｄｉｓｋ）、ＨＤ ＤＶＤ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ ＤＶＤ）などが挙げられる。レーザー出力部より出力されたレーザー光は、記録媒体に照射され、記録媒体から反射されたレーザー光の反射光は、反射光検出電圧値出力部に出力されるなどして利用される。

（反射光検出電圧値出力部）
「反射光検出電圧値出力部」は、レーザー出力部から出力されたレーザー光の記録媒体からの反射光を反射光検出電圧値として検出出力するように構成されている。反射光検出電圧値は、欠陥有無判断部に出力されるなどして利用される。

（基準電圧値保持部）
「基準電圧値保持部」は、基準電圧値を保持するように構成されている。ここで「基準電圧値」とは、反射光に基づいて記録媒体上の欠陥を検出するために基準となる電圧値のことをいう。基準電圧値は、設計依存事項であり、特定の電圧に限定されるものではないが、一例として、０〜２．０Ｖの範囲の電圧値が好ましい。基準電圧値は、欠陥有無判断部に出力されるなどして利用される。

（基準電圧値変更部）
「基準電圧値変更部」は、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値を変更するように構成されている。基準電圧値の変更は、一例として、出力強度情報、領域判定手段の判定結果、反射光検出電圧値などに基づいて行われる。

（欠陥有無判断部）
「欠陥有無判断部」は、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値と、反射光検出電圧値出力部にて検出出力される反射光検出電圧値と、を利用して電圧値比較処理を行い欠陥の有無判断を行うように構成されている。例えば、基準電圧値が「１．０Ｖ」、反射光検出電圧値が「０．８Ｖ」の場合には、基準電圧値の方が反射光検出電圧値よりも大きいので欠陥があると判定する場合などが考えられる。また基準電圧値が「１．０Ｖ」、反射光検出電圧値が「１．２Ｖ」の場合には、基準電圧値の方が反射光検出電圧値よりも小さいので欠陥がないと判定する。

図１９は、構成１の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置１９００において、レーザー出力部１９０１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値出力部１９０２は、光ディスクからの反射光を検出し、反射光検出電圧値Ａとして欠陥有無判断部１９０５に出力する。また、基準電圧値変更部１９０４は、基準電圧値保持部１９０３に保持されている基準電圧値ＢをＣに変更する。次に、欠陥有無判断部１９０５は、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値Ｃと、反射光検出電圧値出力部にて検出出力される反射光検出電圧値Ａと、を利用して電圧値比較処理を行う。図１９の場合には、反射光検出電圧値Ａの方が基準電圧値Ｃよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成１においては、出力強度情報、反射光検出電圧値などの値が変動した場合においても、それらの変動量に基づいて基準電圧値を変更することができることに意義がある。

（構成２）
以下に、本実施形態の構成２の構成要件について説明する。
構成２においては、レーザー出力部は、出力強度情報出力手段を有し、基準電圧値変更部は、出力強度情報依存基準電圧値変更手段を有することが特徴である。それ以外の点は、構成１と同様であるので説明を省略する。

（出力強度情報出力手段）
「出力強度情報出力手段」は、出力強度情報を出力するように構成されている。ここで「出力強度情報」とは、レーザー光の出力強度に関する情報のことをいう。出力強度情報には、一例として、「光出力３５ｍＷ」、「光出力６５０ｎｍ帯１４０ｍＷ」、「光出力６５０ｎｍ帯２２０ｍＷ」、「光出力７８０ｎｍ帯２１５ｍＷ」、「光出力６５０ｎｍ帯１００ｍＷ」、「光出力４０５ｎｍ帯１００ｍＷ」などの情報が挙げられる。出力強度情報は、出力強度情報依存基準電圧値変更手段に出力されるなどして利用される。なお、出力強度情報は、一例として、レーザー出力部の内部又は外部からの制御命令によって生成される。

（出力強度情報依存基準電圧値変更手段）
「出力強度情報依存基準電圧値変更手段」は、出力強度情報出力手段から出力される出力強度情報に基づいて前記基準電圧値を変更するように構成されている。一例として、出力強度情報が高くなれば、基準電圧値を高くし、出力強度情報が低くなれば、基準電圧値を低くするように変更する。例えば、出力強度情報が「光出力５０Ｗから１００Ｗ」と高くなれば、基準電圧値を「０．５Ｖから１．０Ｖ」に変更し、「光出力２００Ｗから１００Ｗ」と低くなれば、基準電圧値を「２．０Ｖから１．０Ｖ」に変更するような場合が考えられる。なお、前記基準電圧値の変更は、一例として、出力強度情報と基準電圧値の対応関係が記録されたメモリなどに保持されているテーブルなどを参照して行われる。

図２０は、構成２の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置２０００において、レーザー出力部２００１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値出力部２００２は、光ディスクからの反射光を検出し、反射光検出電圧値Ａとして欠陥有無判断部２００５に出力する。また、基準電圧値変更部２００４の出力強度情報依存基準電圧値変更手段２００７は、出力強度情報出力手段２００６から出力された出力強度情報Ｘに基づいて基準電圧値保持部２００３に保持されている基準電圧値ＢをＣに変更する。次に、欠陥有無判断部２００５は、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値Ｃと、反射光検出電圧値出力部にて検出出力される反射光検出電圧値Ａと、を利用して電圧値比較処理を行う。図２０の場合には、反射光検出電圧値Ａの方が基準電圧値Ｃよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成２においては、出力強度情報が変動した場合においても、それらの変動量に基づいて基準電圧値を変更することができることに意義がある。なぜならば、出力強度情報は、例えば、光源の波長や気温、レーザーの安定性などによって変動し、その変動に伴って反射光検出電圧値が誤検出される可能性があるからである。

（構成３）
以下に、本実施形態の構成３の構成要件について説明する。
構成３においては、出力強度情報出力手段は、記録再生モード情報出力器を有することが特徴である。それ以外の点は、構成２と同様であるので説明を省略する。

（記録再生モード情報出力器）
「記録再生モード情報出力器」は、記録再生モード情報を出力するように構成されている。ここで「記録再生モード情報」とは、出力強度情報として、記録のためのレーザー出力強度であるか、再生のためのレーザー出力強度であるかを示す情報のことをいう。記録再生モード情報には、一例として、「記録モード」、「記録モード（記録波長６３５ｎｍ）」、「再生モード」、「再生モード（再生波長６５０ｎｍ）」、「再生モード（１層タイプ）」、「再生モード（２層タイプ）」などの情報が挙げられる。記録再生モード情報は、基準電圧値変更部に出力されるなどして利用される。また記録再生モード情報は、一例として、大小関係を表す符号としても出力される。例えば、記録モードの方が再生モードの出力強度よりも大きいので、「１」を記録モードとして出力し、「０」を再生モードとして出力するような場合が挙げられる。例えば、基準電圧値変更部は「１」を取得した場合には、基準電圧値を高くし、「０」を取得した場合には、基準電圧値を低くする。なお、前記基準電圧値の変更は、一例として、記録再生モード情報と基準電圧値の対応関係が記録されたメモリなどに保持されているテーブルなどを参照して行われる。

図２１は、構成３の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置２１００において、レーザー出力部２１０１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値出力部２１０２は、光ディスクからの反射光を検出し、反射光検出電圧値Ａとして欠陥有無判断部２１０５に出力する。また、基準電圧値変更部２１０４の出力強度情報依存基準電圧値変更手段２１０７は、出力強度情報出力手段２１０６の記録再生モード情報出力器２１０８から出力された記録再生モード情報Ｍに基づいて基準電圧値保持部２１０３に保持されている基準電圧値ＢをＣに変更する。次に、欠陥有無判断部２１０５は、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値Ｃと、反射光検出電圧値出力部にて検出出力される反射光検出電圧値Ａと、を利用して電圧値比較処理を行う。図２１の場合には、反射光検出電圧値Ａの方が基準電圧値Ｃよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成３においては、記録再生モード情報が変動した場合においても、記録モードか再生モードかに基づいて基準電圧値を変更することができることに意義がある。なぜならば、記録再生モード情報は、記録モードか再生モードかによって出力強度が変動し、その変動に伴って反射光検出電圧値が誤検出される可能性があるからである。

（構成４）
以下に、本実施形態の構成４の構成要件について説明する。構成４においては、上記の構成１、構成２、構成３に加えて、反射光検出電圧値出力部は、領域判定手段を有し、基準電圧値変更部は、領域判定結果依存基準電圧変更手段を有することが特徴である。それ以外の点は、構成１、構成２、構成３のいずれか一の構成と同様であるので説明を省略する。

（領域判定手段）
「領域判定手段」は、反射光を反射している記録媒体の領域が記録済み領域か、未記録領域かを判定するように構成されている。上述したように、領域判定手段は、記録媒体からの反射光量によって記録媒体の領域が記録済み領域か、未記録領域かを判定することができる。領域判定手段の判定結果は、領域判定結果依存基準電圧変更手段に出力されるなどして利用される。

（領域判定結果依存基準電圧変更手段）
「領域判定結果依存基準電圧変更手段」は、領域判定手段の判定結果に基づいて基準電圧値を変更するように構成されている。例えば、領域判定手段の判定結果が「未記録領域」である場合には、基準電圧値を「１．５Ｖ」と高い方に変更し、「記憶済み領域」であれば、基準電圧値を「１．０Ｖ」と低い方に変更するような場合が考えられる。なお、前記基準電圧値の変更は、一例として、領域判定手段の判定結果と基準電圧値の対応関係が記録されたメモリなどに保持されているテーブルなどを参照して行われる。

図２２は、構成４の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置２２００において、レーザー出力部２２０１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値出力部２２０２は、光ディスクからの反射光を検出し、反射光検出電圧値Ａとして欠陥有無判断部２２０５に出力する。また、基準電圧値変更部２２０４の領域判定結果依存基準電圧変更手段２２０７は、反射光検出電圧値出力部２２０２の領域判定手段２２０６から出力された領域判定結果Ｒに基づいて基準電圧値保持部２２０３に保持されている基準電圧値ＢをＣに変更する。次に、欠陥有無判断部２２０５は、基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値Ｃと、反射光検出電圧値出力部にて検出出力される反射光検出電圧値Ａと、を利用して電圧値比較処理を行う。図２２の場合には、反射光検出電圧値Ａの方が基準電圧値Ｃよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成４においては、領域判定結果が変動した場合においても、「未記録領域」であるか「記憶済み領域」であるかに基づいて基準電圧値を変更することができることに意義がある。なぜならば、領域判定結果は、「未記録領域」であるか「記憶済み領域」であるかによって出力強度が変動し、その変動に伴って反射光検出電圧値が誤検出される可能性があるからである。

<処理の流れ>
以下に、本実施形態の処理の流れについて説明する。なお、以下に示す処理の流れは、方法、計算機に実行させるためのプログラム、またはそのプログラムが記録された読み取り可能な記録媒体として実施されうる（これは、本明細書のその他の処理の流れについても同様である）。
図５は、本実施形態の処理の流れの一例である。
まず、光ディスク装置のディフェクト検出装置において、レーザー出力ステップは、再生又は記録のためにレーザー光を記録媒体に照射する（ステップＳ０５０１）。
次に、反射光検出電圧値出力ステップは、レーザー出力ステップにおいて出力されたレーザー光の記録媒体からの反射光を反射光検出電圧値として検出出力する（ステップＳ０５０２）。
次に、基準電圧値変更ステップは、保持されている基準電圧値を変更する（ステップＳ０５０３）。
次に、欠陥有無判断ステップは、基準電圧値変更ステップにおいて変更された基準電圧値と、反射光検出電圧値出力ステップにて検出出力される反射光検出電圧値と、を利用して電圧値比較処理を行い欠陥の有無判断を行う（ステップＳ０５０４）。

<実施形態１の効果の簡単な説明>
本実施形態によれば、出力強度情報に基づいて、基準電圧値を変更することができる。また、記録再生モード情報に基づいて、基準電圧値を変更することができる。さらに、記録媒体の領域が記録済み領域か、未記録領域かの判定結果に基づいて、基準電圧値を変更することができる。

<<実施形態２>>
以下に、実施形態２について説明する。

<実施形態２の概念>
以下に本実施形態の概念について説明する。本実施形態の光ディスク装置のディフェクト検出装置は、汚れや傷などのディフェクトを検出するに際し、光ディスクなどの記録媒体からの反射光検出電圧値を変更することができることに特徴がある。

<構成要件の明示>
以下に、本実施形態の構成要件を明示する。

（構成５：主に請求項５に対応）
以下に、本実施形態の構成５の構成要件を明示する。
図６は、本実施形態の構成５の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成５の光ディスク装置のディフェクト検出装置０６００は、レーザー出力部０６０１と、反射光検出電圧値出力部０６０２と、基準電圧値保持部０６０３と、反射光検出電圧値変更部０６０４と、欠陥有無判断部０６０５と、からなる。

（構成６：主に請求項６に対応）
以下に、本実施形態の構成６の構成要件を明示する。
図７は、本実施形態の構成６の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成６の光ディスク装置のディフェクト検出装置０７００は、レーザー出力部０７０１と、反射光検出電圧値出力部０７０２と、基準電圧値保持部０７０３と、反射光検出電圧値変更部０７０４と、欠陥有無判断部０７０５と、からなる（上記構成は、構成５と同じ）。構成６においては、レーザー出力部は、第二出力強度情報出力手段０７０６を有し、反射光検出電圧値変更部は、出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段０７０７を有している。

（構成７：主に請求項７に対応）
以下に、本実施形態の構成７の構成要件を明示する。
図８は、本実施形態の構成７の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成７の光ディスク装置のディフェクト検出装置０８００は、レーザー出力部０８０１と、反射光検出電圧値出力部０８０２と、基準電圧値保持部０８０３と、反射光検出電圧値変更部０８０４と、欠陥有無判断部０８０５と、からなる。また、レーザー出力部は、第二出力強度情報出力手段０８０６を有し、反射光検出電圧値変更部は、出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段０８０７を有する。構成７においては、第二出力強度情報出力手段は、第二記録再生モード情報出力器０８０８を有する。

（構成８：主に請求項８に対応）
以下に、本実施形態の構成８の構成要件を明示する。
図９は、本実施形態の構成８の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成８の光ディスク装置のディフェクト検出装置０９００は、レーザー出力部０９０１と、反射光検出電圧値出力部０９０２と、基準電圧値保持部０９０３と、反射光検出電圧値変更部０９０４と、欠陥有無判断部０９０５と、からなる（上記構成は、構成５と同じ）。また、レーザー出力部は、第二出力強度情報出力手段を有し、反射光検出電圧値変更部は、出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段を有していてもよい（上記構成は、構成６と同じ）。また、第二出力強度情報出力手段は、第二記録再生モード情報出力器を有する構成であってもよい（上記構成は、構成７と同じ）。構成８においては、上記の構成５、構成６、構成７のいずれか一の構成に加えて、反射光検出電圧値出力部は、第二領域判定手段０９０６を有し、反射光検出電圧値変更部は、領域判定結果依存バイアス電圧変更手段０９０７を有する。

（構成９：主に請求項９に対応）
以下に、本実施形態の構成９の構成要件を明示する。
図１０は、本実施形態の構成９の機能ブロックの一例を示す図である。本実施形態の構成９の光ディスク装置のディフェクト検出装置１０００は、レーザー出力部１００１と、反射光検出電圧値出力部１００２と、基準電圧値保持部１００３と、反射光検出電圧値変更部１００４と、欠陥有無判断部１００５と、からなる（上記構成は、構成５と同じ）。また、レーザー出力部は、第二出力強度情報出力手段を有し、反射光検出電圧値変更部は、出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段を有していてもよい（上記構成は、構成６と同じ）。また、第二出力強度情報出力手段は、第二記録再生モード情報出力器を有する構成であってもよい（上記構成は、構成７と同じ）。また、反射光検出電圧値出力部は、第二領域判定手段を有し、反射光検出電圧値変更部は、領域判定結果依存バイアス電圧変更手段を有する構成であってもよい（上記構成は、構成８と同じ）。構成９においては、上記の構成５、構成６、構成７、構成８のいずれか一の構成に加えて、反射光検出電圧値出力部は、ローパスフィルタ手段１００６を有し、反射光検出電圧値変更部は、フィルタ変更手段１００７を有する。

<構成要件の説明>
以下に、本実施形態の構成要件について説明をする。

（構成５）
以下に、本実施形態の構成５の構成要件について説明する。
（レーザー出力部）、（反射光検出電圧値出力部）、（基準電圧値保持部）、（欠陥有無判断部）
「レーザー出力部」、「反射光検出電圧値出力部」、「基準電圧値保持部」、「欠陥有無判断部」については、実施形態１と同様であるので、説明を省略する。

（反射光検出電圧値変更部）
「反射光検出電圧値変更部」は、反射光検出電圧値出力部を制御して反射光検出電圧にバイアス電圧を与え、反射光検出電圧値出力部から出力される反射光検出電圧値を変更するように構成されている。反射光検出電圧値の変更は、一例として、反射光検出電圧値、第二出力強度情報、第二記録再生モード情報に基づいて行われる。一例として、反射光検出電圧値が高くなれば、反射光検出電圧値を低くくし、反射光検出電圧値が低くなれば、反射光検出電圧値を高くするように変更する。なお、前記反射光検出電圧値の変更は、一例として、反射光検出電圧値と基準電圧値の対応関係が記録されたメモリなどに保持されているテーブルなどを参照して行われる。

図２３は、構成５の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置２３００において、レーザー出力部２３０１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値変更部２３０４は、光ディスクからの反射光検出電圧値Ａに基づいて反射光検出電圧値出力部２３０２に保持されている反射光検出電圧値ＡをＣに変更する。また、反射光検出電圧値出力部２３０２は、変更された反射光検出電圧値Ｃを欠陥有無判断部２３０５に出力する。次に、欠陥有無判断部２３０５は、基準電圧値保持部２３０３に保持されている基準電圧値Ｂと、反射光検出電圧値出力部にて出力される反射光検出電圧値Ｃと、を利用して電圧値比較処理を行う。図２３の場合には、反射光検出電圧値Ｃの方が基準電圧値Ｂよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成５においては、反射光検出電圧値（例えばその平均値）が変動した場合において、反射光検出電圧値（例えばその平均値）を変更することができることに意義がある。なぜならば、反射光検出電圧値（例えばその平均値）は、その変動に伴って誤検出される可能性があるからである。

（構成６）
以下に、本実施形態の構成６の構成要件について説明する。構成６においては、レーザー出力部は、第二出力強度情報出力手段を有し、反射光検出電圧値変更部は、出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段を有していることが特徴である。それ以外の点は、構成５と同様であるので説明を省略する。

（第二出力強度情報出力手段）
「第二出力強度情報出力手段」は、実施形態１の（出力強度情報出力手段）と同様であるので、説明を省略する。

（出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段）
「出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段」は、第二出力強度情報出力手段から出力される出力強度情報に基づいて前記バイアス電圧値を変更するように構成されている。例えば、第二出力強度情報が「光出力１００Ｗ」であれば、バイアス電圧値を「０．１Ｖ」に変更し、「光出力２００Ｗ」であれば、バイアス電圧値を「０．２Ｖ」に変更するような場合が考えられる。一例として、第二出力強度情報が高くなれば、バイアス電圧値を高くし、第二出力強度情報が低くなれば、バイアス電圧値を低くするように変更する。例えば、第二出力強度情報が「光出力５０Ｗから１００Ｗ」と高くなれば、バイアス電圧値を「０．１Ｖから０．２Ｖ」に変更し、「光出力２００Ｗから１００Ｗ」と低くなれば、バイアス電圧値を「０．４Ｖから０．２Ｖ」に変更するような場合が考えられる。なお、前記バイアス電圧値の変更は、一例として、第二出力強度情報とバイアス電圧値の対応関係が記録されたメモリなどに保持されているテーブルなどを参照して行われる。

図２４は、構成６の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置２４００において、レーザー出力部２４０１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値変更部２４０４の第二出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段２４０７は、第二出力強度情報出力手段２４０６が出力する第二出力強度情報Ｘに基づいて反射光検出電圧値出力部２４０２に保持されている反射光検出電圧値ＡをＣに変更する。また、反射光検出電圧値出力部２４０２は、変更された反射光検出電圧値Ｃを欠陥有無判断部２４０５に出力する。次に、欠陥有無判断部２４０５は、基準電圧値保持部２４０３に保持されている基準電圧値Ｂと、反射光検出電圧値出力部にて出力される反射光検出電圧値Ｃと、を利用して電圧値比較処理を行う。図２４の場合には、反射光検出電圧値Ｃの方が基準電圧値Ｂよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成６においては、第二出力強度情報が変動した場合においても、それらの変動量に基づいてバイアス電圧値を変更することができることに意義がある。なぜならば、第二出力強度情報は、例えば、光源の波長や気温、レーザーの安定性などによって変動し、その変動に伴って反射光検出電圧値が誤検出される可能性があるからである。

（構成７）
以下に、本実施形態の構成７の構成要件について説明する。構成７においては、第二出力強度情報出力手段は、第二記録再生モード情報出力器を有することが特徴である。それ以外の点は、構成６と同様であるので説明を省略する。

（第二記録再生モード情報出力器）
「第二記録再生モード情報出力器」は、実施形態１の（記録再生モード情報出力器）と同様であるので、説明を省略する。

図２５は、構成７の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置２５００において、レーザー出力部２５０１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値変更部２５０４の第二出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段２５０７は、第二出力強度情報出力手段２５０６の第二記録再生モード情報出力器２５０８が出力する第二記録再生モード情報Ｍに基づいて反射光検出電圧値出力部２５０２に保持されている反射光検出電圧値ＡをＣに変更する。また、反射光検出電圧値出力部２５０２は、変更された反射光検出電圧値Ｃを欠陥有無判断部２５０５に出力する。次に、欠陥有無判断部２５０５は、基準電圧値保持部２５０３に保持されている基準電圧値Ｂと、反射光検出電圧値出力部にて出力される反射光検出電圧値Ｃと、を利用して電圧値比較処理を行う。図２５の場合には、反射光検出電圧値Ｃの方が基準電圧値Ｂよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成７においては、第二記録再生モード情報が変動した場合においても、記録モードか再生モードかに基づいて基準電圧値を変更することができることに意義がある。なぜならば、第二記録再生モード情報は、記録モードか再生モードかによって出力強度が変動し、その変動に伴って反射光検出電圧値が誤検出される可能性があるからである。

（構成８）
以下に、本実施形態の構成８の構成要件について説明する。構成８においては、上記の構成５、構成６、構成７のいずれか一の構成に加えて、反射光検出電圧値出力部は、第二領域判定手段を有し、反射光検出電圧値変更部は、領域判定結果依存バイアス電圧変更手段を有することが特徴である。それ以外の点は、構成５、構成６、構成７のいずれか一の構成と同様であるので説明を省略する。

（第二領域判定手段）
「第二領域判定手段」は、実施形態１の（領域判定手段）と同様であるので、説明を省略する。

（領域判定結果依存バイアス電圧値変更手段）
「領域判定結果依存バイアス電圧値変更手段」は、第二領域判定手段の判定結果に基づいて前記バイアス電圧値を変更するように構成されている。例えば、領域判定手段の判定結果が「未記録領域」である場合には、バイアス電圧値を「０．４Ｖ」に変更し、「記憶済み領域」であれば、バイアス電圧値を「０．２Ｖ」に変更するような場合が考えられる。例えば、領域判定手段の判定結果が「未記録領域」である場合には、バイアス電圧値を「０．４Ｖ」と高い方に変更し、「記憶済み領域」であれば、バイアス電圧値を「０．２Ｖ」と低い方に変更するような場合が考えられる。なお、前記バイアス電圧値の変更は、一例として、領域判定手段の判定結果とバイアス電圧値の対応関係が記録されたメモリなどに保持されているテーブルなどを参照して行われる。

図２６は、構成８の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置２６００において、レーザー出力部２６０１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値変更部２６０４の領域判定結果依存バイアス電圧値変更手段２６０７は、反射光検出電圧値出力部２６０２の第二領域判定手段２６０６の判定結果に基づいて反射光検出電圧値出力部２６０２に保持されている反射光検出電圧値ＡをＣに変更する。また、反射光検出電圧値出力部２６０２は、変更された反射光検出電圧値Ｃを欠陥有無判断部２６０５に出力する。次に、欠陥有無判断部２６０５は、基準電圧値保持部２６０３に保持されている基準電圧値Ｂと、反射光検出電圧値出力部にて出力される反射光検出電圧値Ｃと、を利用して電圧値比較処理を行う。図２６の場合には、反射光検出電圧値Ｃの方が基準電圧値Ｂよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成８においては、領域判定結果が変動した場合においても、「未記録領域」であるか「記憶済み領域」であるかに基づいてバイアス電圧値を変更することができることに意義がある。なぜならば、領域判定結果は、「未記録領域」であるか「記憶済み領域」であるかによって出力強度が変動し、その変動に伴って反射光検出電圧値が誤検出される可能性があるからである。

（構成９）
以下に、本実施形態の構成９の構成要件について説明する。構成９においては、上記の構成５、構成６、構成７、構成８のいずれか一の構成に加えて、反射光検出電圧値出力部は、ローパスフィルタ手段を有し、反射光検出電圧値変更部は、フィルタ変更手段を有することが特徴である。それ以外の点は、構成５、構成６、構成７、構成８のいずれか一の構成と同様であるので説明を省略する。

（ローパスフィルタ手段）
「ローパスフィルタ手段」は、反射光検出電圧をフィルタするように構成されている。ここでローパスフィルタ手段は、一例として、抵抗（Ｒ）、キャパシタ（Ｃ）、インダクタンス（Ｌ）の組み合わせで構成することができる。例えばＲＣローパスフィルタ、ＬＣローパスフィルタ、ＲＬＣローパスフィルタなどが挙げられる。また、一例として、光ディスクの回転数をカットオフ周波数とするローパスフィルタを構成することにより、高調波ノイズを除去することが可能となる。

（フィルタ変更手段）
「フィルタ変更手段」は、ローパスフィルタ手段を構成する抵抗値、キャパシタ値、インダクタンス値のいずれか一又は二以上の値を変更するように構成されている。具体例については、後述する実施例において説明する。

図２７は、構成９の具体的機能ブロックの一例を示す図である。まず光ディスク装置のディフェクト検出装置２７００において、レーザー出力部２７０１が光ディスクにレーザー光を出力する。次に、反射光検出電圧値変更部２７０４のフィルタ変更手段２７０７は、反射光検出電圧値に基づいてローパスフィルタ手段２７０６の時定数を変更することにより、反射光検出電圧値出力部２７０２に保持されている反射光検出電圧値ＡをＣに変更する。また、反射光検出電圧値出力部２７０２は、変更された反射光検出電圧値Ｃを欠陥有無判断部２７０５に出力する。次に、欠陥有無判断部２７０５は、基準電圧値保持部２７０３に保持されている基準電圧値Ｂと、反射光検出電圧値出力部にて出力される反射光検出電圧値Ｃと、を利用して電圧値比較処理を行う。図２７の場合には、反射光検出電圧値Ｃの方が基準電圧値Ｂよりも電圧値のレベルが低いので、「欠陥有り」の判断を行う。

なお、構成９においては、反射光検出電圧値が変動した場合においても、それらの変動量に基づいてローパスフィルタ手段の時定数を変更することができることに意義がある。なぜならば、反射光検出電圧値は、例えば、光源の波長や気温、レーザーの安定性などによって変動し、その変動に伴って反射光検出電圧値が誤検出される可能性があるからである。

<処理の流れ>
以下に、本実施形態の処理の流れについて説明する。
図１１は、本実施形態の処理の流れの一例である。
まず、光ディスク装置のディフェクト検出装置において、レーザー出力ステップは、再生又は記録のためにレーザー光を記録媒体に照射する（ステップＳ１１０１）。
次に、反射光検出電圧値出力ステップは、レーザー出力ステップにおいて出力されたレーザー光の記録媒体からの反射光を反射光検出電圧値として検出出力する（ステップＳ１１０２）。
次に、反射光検出電圧値変更ステップは、反射光検出電圧値出力ステップにおいて、制御して反射光検出電圧にバイアス電圧を与え、反射光検出電圧値出力ステップにおいて出力される反射光検出電圧値を変更する（ステップＳ１１０３）。
次に、欠陥有無判断ステップは、保持されている基準電圧値と、反射光検出電圧値変更ステップにて変更された反射光検出電圧値と、を利用して電圧値比較処理を行い欠陥の有無判断を行う（ステップＳ１１０４）。

（実施例１）
以下に、本実施形態の実施例１について説明する。
図１２は、本実施例の具体的機能ブロックの一例を示す図である。本実施例の光ディスク装置のディフェクト検出装置は、全加算信号出力器１２０１（レーザー出力部に相当）と、ローパスフィルタ１２０２（ＬＰＣ、ローパスフィルタ手段、フィルタ変更手段に相当）と、検出レベル保持器１２０３（基準電圧値保持部に相当）と、比較器１２０４（欠陥有無判断部に相当）と、ライトゲート変化点検出器１２０５（第二記録再生モード情報出力器に相当）と、減算器１２０６（反射光検出電圧値出力部に相当）と、からなる。

以下、本実施例の光ディスク装置のディフェクト検出装置の動作について説明する。
本実施例は、記録動作を行う場合、記録中を表すいわゆるライトゲート信号で記録中か記録中でないかを区別することができることを利用している。そこで、ライトゲート信号の状態変化点で一定時間のパルス信号を生成し、そのパルス出力期間だけローパスフィルタの帯域を切り替えるようにして全加算信号の記録動作中と再生動作中の電圧レベルに差が生じても応答することができるようにする。

まず、全加算信号出力器は、光ディスクからの反射光を分割した光電変換素子で受光し、各素子出力の全加算信号を出力する。出力された全加算信号は、ローパスフィルタに入力される。減算器は、検出レベル保持器に保持されている検出レベルから、ローパスフィルタを通過したローパスフィルタ通過信号を減算し、その絶対値を比較器に出力する。比較器は、減算器からの出力信号の絶対値と、全加算信号出力器からの全加算信号の絶対値（全加算信号の平均値を基準電圧とし、その基準電圧値からの変化分の絶対値）を比較する。このとき、減算器からの出力信号の絶対値の方が、全加算信号出力器からの全加算信号の絶対値よりも大きければディフェクト無しと判定し、等しいかそれより大きい場合にはディフェクト有りと判定する。

図１３は、上記ディフェクトを検出する場合の一例を示す波形である。上から一段目が全加算信号であり、途中でディフェクトが発生している（埃や傷などによって全加算信号のレベルが下がっている）。二段目が検出レベルであり、一定値を示している。三段目がローパスフィルタ通過信号を示している。なお、図１３においては、ディフェクト検出期間（埃や傷などによって全加算信号のレベルが下がっている期間）においてもローパスフィルタ通過信号はほとんど変化していないことに注意する必要がある。これは、ローパスフィルタの時定数が、ディフェクト検出期間に比べて十分に大きいためである。三段目が、ローパスフィルタ通過信号である。四段目が、減算器からの出力信号（絶対値はａ）である。五段目がディフェクト検出信号であり、途中でディフェクトを検出したことを示している。つまりディフェクト検出時の全加算信号の絶対値Ａが、減算器からの出力信号の絶対値はａよりも大きいためディフェクトありと判定する。なお、図１３においては、全加算信号の電圧レベルとローパスフィルタ通過信号の電圧レベルは等しいものとしているが、本発明はそれに限定されるものではない。

次に、ライトゲート変化点検出器は、記録状態か再生状態かを示すライトゲート信号により、再生状態から記録状態への変化点、記録状態から再生状態への変化点を検出する。検出された変化点は、ローパスフィルタに出力される。ローパスフィルタは、ライトゲート変化点検出器から変化点を検出すると、ローパスフィルタの帯域を切り替えて高速応答するようにして、状態が切り替わった後の全加算信号の平均電圧レベルに応答するようにする。なお、ローパスフィルタの時定数は、小さな埃や傷など通常検出されるディフェクト検出期間よりは十分大きくしてあるため、通常のディフェクトによっては、ローパスフィルタ通過信号はほとんど変化しないことに注意する必要がある。

図１４は、記録時の全加算信号の電圧レベル（平均値）が再生時の電圧レベルより低くなる場合の一例を示す波形である。上から一段目が全加算信号であり、途中でライトゲート信号が発生し、再生モードから記録モードに移行している。二段目が検出レベルであり、一定値を示している。三段目がローパスフィルタ通過信号を示している。なお、図１４においては、記録モード中においては、全加算信号の電圧レベルにともなってローパスフィルタ通過信号も変化していることに注意する必要がある。これは、ローパスフィルタの時定数が、記録モードの期間に比べて十分に小さいためである。四段目が、減算器からの出力信号である。記録モード時においては、減算器からの出力信号がＤ１から（Ｄ１＋Ｄ２）に変化している。このため、記録時の全加算信号の電圧レベルが再生時の電圧レベルよりＤ２だけ低くなったとしてもなお、減算器からの出力信号（Ｄ１＋Ｄ２）>全加算信号の絶対値Ｄ２なので、ディフェクトとして誤検出されない。五段目が、ライトゲート信号であり、途中で再生モードから記録モードに移行している。なお、図１４の場合には、ディフェクトは生じていないものとしている。また、図１４においては、全加算信号の電圧レベルとローパスフィルタ通過信号の電圧レベルは等しいものとしているが、本発明はそれに限定されるものではない。

図１５は、ローパスフィルタの帯域切り替えの一例を示す回路図である。ライトゲート信号の変化点を検出し一定時間幅のパルスを生成し、そのパルス出力期間中は図１５のＳＷをオンしてローパスフィルタの応答周波数を上げるように構成されている。

（実施例２）
以下に、本実施形態の実施例２について説明する。
図１６は、本実施例の具体的機能ブロックの一例を示す図である。本実施例の光ディスク装置のディフェクト検出装置は、全加算信号出力器１６０１（レーザー出力部に相当）と、ローパスフィルタ１６０２（ＬＰＣ、ローパスフィルタ手段、フィルタ変更手段に相当）と、検出レベル保持器１６０３（基準電圧値保持部に相当）と、比較器１６０４（欠陥有無判断部に相当）と、記録有無検出器１６０５（第二領域判定手段に相当）と、減算器１６０６（反射光検出電圧値出力部に相当）と、からなる。

以下、本実施例の光ディスク装置のディフェクト検出装置の動作について説明する。
本実施例は、記録情報を表すＲＦ信号をもとに記録済か未記録かを判定する判定手段（記録有無検出器）を設けて、判定結果の記録済み領域から未記録領域への変化点及び未記録領域から記録済み領域への変化点で一定期間、ローパスフィルタの帯域を切り替えて高速応答するようにして、状態が切り替わった後の全加算信号の平均電圧レベルに応答するようにする。

まず、全加算信号出力器は、光ディスクからの反射光を分割した光電変換素子で受光し、各素子出力の全加算信号を出力する。出力された全加算信号は、ローパスフィルタに入力される。減算器は、ローパスフィルタを通過したローパスフィルタ通過信号から、検出レベル保持器に保持されている検出レベルを減算する。比較器は、減算器からの出力信号の絶対値と、全加算信号出力器からの全加算信号の絶対値（全加算信号の平均値を基準電圧とし、その基準電圧値からの変化分の絶対値）を比較する。このとき、減算器からの出力信号の絶対値の方が、全加算信号出力器からの全加算信号の絶対値よりも大きければディフェクト無しと判定し、等しいかそれより大きい場合にはディフェクト有りと判定する。

次に、記録有無検出器は、記録済み領域と未記録領域かを示すＲＦ信号により、記録済み領域から未記録領域への変化点、未記録領域から記録済み領域への変化点を検出する。検出された変化点は、ローパスフィルタに出力される。ローパスフィルタは、記録有無検出器から変化点を検出すると、ローパスフィルタの帯域を切り替えて高速応答するようにして、状態が切り替わった後の全加算信号の平均電圧レベルに応答するようにする。なお、ローパスフィルタの時定数は、小さな埃や傷など通常検出されるディフェクト検出期間よりは十分大きくしてあるため、通常のディフェクトによっては、ローパスフィルタ通過信号はほとんど変化しないことに注意する必要がある。

図１７は、記録済み領域の全加算信号の電圧レベル（平均値）が未記録領域の電圧レベルより低くなる場合の一例を示す波形である。上から一段目が全加算信号であり、途中でＲＦ信号が発生し、未記録領域から記録済み領域に移行している。二段目が検出レベルであり、一定値を示している。三段目がローパスフィルタ通過信号を示している。なお、図１７においては、記録済み領域においては、全加算信号の電圧レベルにともなってローパスフィルタ通過信号も変化していることに注意する必要がある。これは、ローパスフィルタの時定数が、記録済み領域への移行期間に比べて十分に小さいためである。四段目が、減算器からの出力信号である。記録済み領域においては、減算器からの出力信号がｄ１から（ｄ１＋ｄ２）に変化している。このため、記録済み領域の全加算信号の電圧レベルが未記録領域の電圧レベルよりｄ２だけ低くなったとしてもなお、減算器からの出力信号（ｄ１＋ｄ２）>全加算信号の絶対値ｄ２なので、ディフェクトとして誤検出されない。五段目が、ＲＦ信号であり、途中で未記録領域から記録済み領域に移行している。なお、図１７の場合には、ディフェクトは生じていないものとしている。また、図１７においては、全加算信号の電圧レベルとローパスフィルタ通過信号の電圧レベルは等しいものとしているが、本発明はそれに限定されるものではない。

<実施形態２の効果の簡単な説明>
本実施形態によれば、出力強度情報に基づいて、反射光検出電圧値を変更することができる。また、第二記録再生モード情報に基づいて、反射光検出電圧値を変更することができる。さらに、記録媒体の領域が記録済み領域か、未記録領域かの判定結果に基づいて、反射光検出電圧値を変更することができる。

本発明は、光ディスク上のディフェクト検出が可能な光ディスクの記録再生装置に利用可能である。

実施形態１の構成１の機能ブロック図 実施形態１の構成２の機能ブロック図 実施形態１の構成３の機能ブロック図 実施形態１の構成４の機能ブロック図 実施形態１の構成１の処理の流れ図 実施形態２の構成５の機能ブロック図 実施形態２の構成６の機能ブロック図 実施形態２の構成７の機能ブロック図 実施形態２の構成８の機能ブロック図 実施形態２の構成９の機能ブロック図 実施形態２の構成５の処理の流れ図 実施形態２の実施例１の具体的機能ブロック図 実施形態２の実施例１の波形その１を示す図 実施形態２の実施例１の波形その２を示す図 実施形態２の実施例１のローパスフィルタを示す回路図 実施形態２の実施例２の具体的機能ブロック図 実施形態２の実施例２の波形を示す図 従来例の機能ブロック図 実施形態１の構成１の具体的機能ブロック図 実施形態１の構成２の具体的機能ブロック図 実施形態１の構成３の具体的機能ブロック図 実施形態１の構成４の具体的機能ブロック図 実施形態２の構成５の具体的機能ブロック図 実施形態２の構成６の具体的機能ブロック図 実施形態２の構成７の具体的機能ブロック図 実施形態２の構成８の具体的機能ブロック図 実施形態２の構成９の具体的機能ブロック図

符号の説明

０１００ 光ディスク装置のディフェクト検出装置
０１０１ レーザー出力部
０１０２ 反射光検出電圧値出力部
０１０３ 基準電圧値保持部
０１０４ 基準電圧値変更部
０１０５ 欠陥有無判断部

Claims (4)

1. 再生又は記録のためにレーザー光を記録媒体に照射するためのレーザー出力部と、
   レーザー出力部から出力されたレーザー光の記録媒体からの反射光を反射光検出電圧値として検出出力する反射光検出電圧値出力部と、
   反射光に基づいて記録媒体上の欠陥を検出するために基準となる基準電圧値を保持する基準電圧値保持部と、
   基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値を変更するための基準電圧値変更部と、
   基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値と、反射光検出電圧値出力部にて検出出力される反射光検出電圧値と、を利用して電圧値比較処理を行い欠陥の有無判断を行う欠陥有無判断部と、を有する光ディスク装置のディフェクト検出装置において、
   レーザー出力部は、レーザー光の出力強度に関する情報である出力強度情報を出力する出力強度情報出力手段を有し、
   基準電圧値変更部は、出力強度情報出力手段から出力される出力強度情報に基づいて前記基準電圧値を変更するための出力強度情報依存基準電圧値変更手段を有し、
   出力強度情報出力手段は、出力強度情報として、記録のためのレーザー出力強度であるか、再生のためのレーザー出力強度であるかを示す記録再生モード情報を出力するための記録再生モード情報出力器を有するディフェクト検出装置。
2. 反射光検出電圧値出力部は、反射光を反射している記録媒体の領域が記録済み領域か、未記録領域かを判定する領域判定手段を有し、
   前記基準電圧値変更部は、領域判定手段の判定結果に基づいて基準電圧値を変更する領域判定結果依存基準電圧変更手段を有する請求項１に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置。
3. 再生又は記録のためにレーザー光を記録媒体に照射するためのレーザー出力部と、
   レーザー出力部から出力されたレーザー光の記録媒体からの反射光を反射光検出電圧値として検出出力する反射光検出電圧値出力部と、
   反射光に基づいて記録媒体上の欠陥を検出するために基準となる基準電圧値を保持する基準電圧値保持部と、
   反射光検出電圧値出力部を制御して反射光検出電圧にバイアス電圧を与え、反射光検出電圧値出力部から出力される反射光検出電圧値を変更する反射光検出電圧値変更部と、
   基準電圧値保持部に保持されている基準電圧値と、反射光検出電圧値出力部にて検出される反射光検出電圧値と、を利用して電圧値比較処理を行い欠陥の有無判断を行う欠陥有無判断部と、を有する光ディスク装置のディフェクト検出装置において、
   レーザー出力部は、レーザー光の出力強度に関する情報である出力強度情報を出力する第二出力強度情報出力手段を有し、
   前記反射光検出電圧値変更部は、第二出力強度情報出力手段から出力される出力強度情報に基づいて前記バイアス電圧値を変更するための出力強度情報依存バイアス電圧値変更手段を有し、
   第二出力強度情報出力手段は、出力強度情報として、記録のためのレーザー出力強度であるか、再生のためのレーザー出力強度であるかを示す記録再生モード情報を出力するための第二記録再生モード情報出力器を有するディフェクト検出装置。
4. 反射光検出電圧値出力部は、反射光を反射している記録媒体の領域が記録済み領域か、未記録領域かを判定する第二領域判定手段を有し、
   前記反射光検出電圧値変更部は、領域判定手段の判定結果に基づいて前記バイアス電圧値を変更する領域判定結果依存バイアス電圧値変更手段を有する請求項３に記載の光ディスク装置のディフェクト検出装置。

Images