JP4412059B2 - Organic EL devices, electronic devices - Google Patents

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Description

本発明は、有機EL装置、電子機器に関するものである。   The present invention relates to an organic EL device and an electronic device.

近年、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段として有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと称す)素子を画素毎に複数備える有機EL装置が提案されている。一般的に、有機EL素子は、対向する一対の電極の間に有機EL層(発光層)を含む有機機能層が配置された構成を有している。   2. Description of the Related Art In recent years, an organic EL device including a plurality of organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) elements for each pixel as a means for displaying information has been proposed in electronic devices such as notebook computers, mobile phones, and electronic notebooks. In general, an organic EL element has a configuration in which an organic functional layer including an organic EL layer (light emitting layer) is disposed between a pair of opposed electrodes.

このような有機EL装置として、例えば各画素の発光色について、その発光スペクトルの半値幅を縮小すべく光共振器を備えた構成のものが例えば特許文献1に開示されている。
特開平8−213174号公報
As such an organic EL device, for example, Patent Document 1 discloses a configuration in which an optical resonator is provided to reduce the half-value width of the emission spectrum of each pixel.
JP-A-8-213174

上記特許文献1に開示された有機EL装置では、発光層としての有機EL層を挟む半透明反射層と反射層とによって光共振器構造が構成されており、当該発光層から発せられる光のスペクトルの半値幅の縮小、又は発光効率の向上、可干渉光の発生などを実現できるものとされている。ここで、各色の画素に対して、それぞれ同一構造の光共振器を作り込む場合、全ての色について最適化を図ることが困難な場合が多い。これは、最適化する発光波長に対して光共振器の構造を最適化する場合、各色の画素毎に有機EL層の膜厚を大きく異ならせる必要があるからである。特に赤色(R)の画素の有機EL層では、極端に厚くせざるを得なく、駆動電圧の上昇、効率の低下を招くこととなる。また、有機EL装置では一般的に表色範囲が狭いが、光共振構造の導入によりその表色範囲を広げることができる一方、該光共振構造の導入に伴って発光効率が低下する場合がある。   In the organic EL device disclosed in Patent Document 1, an optical resonator structure is configured by a translucent reflective layer and a reflective layer sandwiching an organic EL layer as a light emitting layer, and a spectrum of light emitted from the light emitting layer. It is possible to realize a reduction in the half-value width, improvement in luminous efficiency, generation of coherent light, and the like. Here, in the case where an optical resonator having the same structure is formed for each color pixel, it is often difficult to optimize all colors. This is because when the structure of the optical resonator is optimized with respect to the emission wavelength to be optimized, it is necessary to greatly vary the film thickness of the organic EL layer for each color pixel. In particular, in the organic EL layer of a red (R) pixel, it must be made extremely thick, leading to an increase in driving voltage and a decrease in efficiency. In addition, although the color display range is generally narrow in an organic EL device, the color display range can be widened by introducing an optical resonant structure, while the light emission efficiency may decrease with the introduction of the optical resonant structure. .

本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、光共振器構造の導入により色純度を高めつつ、発光効率の低下を抑制可能な有機EL装置を提供することにある。また、本発明の異なる目的は、信頼性に優れた電子機器を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an organic EL device capable of suppressing a decrease in light emission efficiency while improving color purity by introducing an optical resonator structure. Another object of the present invention is to provide an electronic device with excellent reliability.

上記課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る有機EL装置は、光反射性電極と、有機EL層と、光透過性電極と、前記有機EL層の発光光の一部を透過し一部を反射することで、前記光反射電極との間で光共振器を構成する半透過反射層と、がこの順で積層された画素を複数具備してなる有機EL装置であって、複数の前記画素のうち、第1画素に配置された第1の前記有機EL層と第2画素に配置された第2の前記有機EL層とは互いに異なる色を発光し、かつ第1の前記有機EL層の発光光は第2の前記有機EL層の発光光よりも色純度が高く、前記第1画素に配置された第1の前記半透過反射層の面積は、前記第1画素の発光領域の面積よりも小さく、前記第2画素に配置された第2の前記半透過反射層の面積は、前記第2画素の発光領域の面積よりも小さく、前記第1画素の発光領域の面積に対する第1の前記半透過反射層の面積比は、前記第2画素の発光領域の面積に対する第2の前記半透過反射層の面積比よりも小さいことを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機EL装置は、第1の前記有機EL層と第2の前記有機EL層とを区画するバンク部をさらに有することを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機EL装置は、前記有機EL層が高分子有機EL材料にて構成されることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る電子機器は、上記の有機EL装置を備えることを特徴とする。
また本発明の参考例による有機EL装置は、光反射性電極と光透過性電極との間に形成された有機EL層を具備してなる有機EL装置であって、前記有機EL層は、複数色を発光可能に構成されるとともに、画素単位毎に一の発光色を発光可能に構成されてなり、前記有機EL層からの光を透過ないし反射する半透過反射層が、当該半透過反射層と前記光反射性電極とにより前記有機EL層を挟む形にて形成されてなる一方、前記画素内における前記半透過反射層の反射率が、前記発光色の異なる画素間で相違してなることを特徴とする。

In order to solve the above-described problems, an organic EL device according to an embodiment of the present invention transmits a light-reflective electrode, an organic EL layer, a light-transmissive electrode, and part of the emitted light from the organic EL layer. An organic EL device comprising a plurality of pixels laminated in this order with a semi-transmissive reflective layer that constitutes an optical resonator with the light reflecting electrode by reflecting a part thereof, Among the plurality of pixels, the first organic EL layer arranged in the first pixel and the second organic EL layer arranged in the second pixel emit light different from each other, and the first The light emitted from the organic EL layer is higher in color purity than the light emitted from the second organic EL layer, and the area of the first transflective layer disposed in the first pixel is the light emitted from the first pixel. The area of the second transflective layer that is smaller than the area of the region and is disposed in the second pixel is the second area. The area of the first transflective layer with respect to the area of the light emitting region of the first pixel is smaller than the area of the light emitting region of the first pixel, and the area ratio of the first transflective layer to the area of the light emitting region of the second pixel is It is characterized by being smaller than the layer area ratio.
The organic EL device according to an embodiment of the present invention further includes a bank section that partitions the first organic EL layer and the second organic EL layer.
The organic EL device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the organic EL layer is composed of a polymer organic EL material.
An electronic apparatus according to an embodiment of the present invention includes the above-described organic EL device.
An organic EL device according to a reference example of the present invention is an organic EL device including an organic EL layer formed between a light reflective electrode and a light transmissive electrode, and the organic EL layer includes a plurality of organic EL layers. A transflective layer that is configured to be capable of emitting colors and capable of emitting one emission color per pixel unit and that transmits or reflects light from the organic EL layer is the transflective layer The organic EL layer is sandwiched between the light-reflecting electrode and the transflective layer within the pixel has a different reflectance between the pixels having different emission colors. It is characterized by.

このような有機EL装置によると、半透過反射層は光反射性電極との間で光共振器を構成することとなり、つまり有機EL層から光反射性電極側に発せられた光は、該光反射性電極に反射され、その結果、光反射性電極と半透過反射層との間で共振される。そして、共振の結果、該半透過反射層を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過するものとされている。一方、有機EL層から半透過反射層側に発せられた光は、その一部が該半透過反射層を透過し、他部が半透過反射層にて反射され、その結果、光反射性電極と半透過反射層との間で共振される。そして、共振の結果、該半透過反射層を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過するものとされている。以上のように半透過反射層を透過した光は、当該有機EL装置から出射されて表示等に供されることとなるが、本発明では、反射光が共振の後に半透過反射層を透過するものとされているため、当該有機EL装置から出射される光の色純度が向上することとなる。   According to such an organic EL device, the transflective layer forms an optical resonator with the light reflective electrode, that is, the light emitted from the organic EL layer to the light reflective electrode side is Reflected by the reflective electrode, and as a result, resonated between the light reflective electrode and the transflective layer. And, as a result of resonance, the reflected light is transmitted through a wavelength that can be transmitted through the transflective layer. On the other hand, a part of the light emitted from the organic EL layer to the transflective layer side is transmitted through the transflective layer and the other part is reflected by the transflective layer. As a result, the light reflective electrode And the transflective layer. And, as a result of resonance, the reflected light is transmitted through a wavelength that can be transmitted through the transflective layer. As described above, the light transmitted through the transflective layer is emitted from the organic EL device and used for display. In the present invention, the reflected light is transmitted through the transflective layer after resonance. Therefore, the color purity of the light emitted from the organic EL device is improved.

さらに、本発明では、半透過反射層の反射率を異なる色の画素間で相違するように構成しているため、例えば用いられる有機EL層のうち、相対的に色純度の低い有機EL層を含む画素においては、半透過反射層の反射率を相対的に高く構成することができる。一方、相対的に色純度の高い有機EL層を含む画素においては、半透過反射層の反射率を相対的に低く構成することができる。このような構成を採用することで、半透過反射層の導入によって生じ得る発光効率の低減を、該半透過反射層の導入による色純度の向上効果を保ちつつ最小限に抑えることが可能となる。   Further, in the present invention, since the reflectance of the transflective layer is configured to be different between pixels of different colors, for example, among organic EL layers used, an organic EL layer having a relatively low color purity is used. In the included pixel, the reflectance of the transflective layer can be made relatively high. On the other hand, in a pixel including an organic EL layer with relatively high color purity, the reflectance of the semi-transmissive reflective layer can be configured to be relatively low. By adopting such a configuration, it is possible to minimize the reduction in light emission efficiency that may be caused by the introduction of the semi-transmissive reflective layer while maintaining the effect of improving the color purity by introducing the semi-transmissive reflective layer. .

本発明の有機EL装置において、前記有機EL層を高分子有機EL材料にて構成し、且つ赤、緑、青の各色を発光可能に構成する一方、前記画素内における半透過反射層の反射率が、(赤の画素での反射率)<(緑の画素での反射率)<(青の画素での反射率)の関係を有してなるように構成することができる。   In the organic EL device of the present invention, the organic EL layer is composed of a polymer organic EL material, and is configured to emit red, green, and blue colors, while the reflectance of the transflective layer in the pixel Can be configured to have a relationship of (reflectance at a red pixel) <(reflectance at a green pixel) <(reflectance at a blue pixel).

有機EL層として高分子有機EL材料を用いた場合、一般的に赤の色純度は相対的に高くできる一方、緑と青(特に青)の色純度は相対的に低いものとなる。そこで、上記のように赤の画素での反射率を相対的に低くする一方、緑の画素、さらには青の画素での反射率を相対的に大きくすることで、各色の画素での色純度を一律に高くすることが可能となる。そして、このように一律に色純度を高めつつも、もともと色純度の高い赤の画素では反射率を低くすることで、好適に発光効率の低減を抑えることが可能となる。   When a polymer organic EL material is used as the organic EL layer, generally, the color purity of red can be relatively high, while the color purity of green and blue (particularly blue) is relatively low. Therefore, as described above, the reflectance at the red pixel is relatively lowered, while the reflectance at the green pixel and further the blue pixel is relatively increased, so that the color purity of each color pixel is increased. Can be raised uniformly. Further, while uniformly increasing the color purity in this way, it is possible to suitably suppress the reduction of the light emission efficiency by reducing the reflectance in the red pixel originally having a high color purity.

なお、半透過反射層の反射率を画素毎に異ならしめる方法としては、例えば画素内における半透過反射層の平面内占有面積を、発光色の異なる画素毎に相違させるものとすることができる。この場合、有機EL層を高分子有機EL材料にて構成し、且つ赤、緑、青の各色を発光可能に構成したときには、画素内における半透過反射層の平面内占有面積は、(赤の画素での占有面積)<(緑の画素での占有面積)<(青の画素での占有面積)の関係を有することとなる。   As a method for making the reflectance of the semi-transmissive reflective layer different for each pixel, for example, the in-plane occupation area of the semi-transmissive reflective layer in the pixel can be made different for each pixel having a different emission color. In this case, when the organic EL layer is composed of a polymer organic EL material and configured to emit red, green, and blue colors, the area occupied by the transflective layer in the plane within the pixel is (red Occupied area of pixels) <(occupied area of green pixels) <(occupied area of blue pixels).

上述した通り、本発明の有機EL装置では、半透過反射層の反射率(例えば平面内占有面積)を赤、緑、青の順で高い構成とすることに特徴があるが、例えば赤の画素には半透過反射層を形成しないものとしても良い。つまり、本発明の有機EL装置において、前記半透過反射層が、緑と青の画素に対して選択的に形成されてなるものとすることができる。   As described above, the organic EL device according to the present invention is characterized in that the reflectance of the transflective layer (for example, the occupied area in the plane) is increased in the order of red, green, and blue. It is good also as what does not form a semi-transmissive reflective layer. That is, in the organic EL device of the present invention, the transflective layer can be formed selectively with respect to green and blue pixels.

また、前記緑と青の画素に対して、赤を吸収する赤吸収フィルターを半透過反射層よりも光出射側に選択的に形成することができる。この場合、当該有機EL装置の光出射側(表示面側)に偏光板等を配設しなくても、半透過反射層において反射した外光が当該有機EL装置から出射される不具合を解消することができるようになる。したがって、高コントラストで、色純度が高く、IVL(電流−電圧−輝度)特性に優れた有機EL装置を提供可能となる。なお、前記光透過性電極が所定の透光性基板内面に形成されてなるとともに、前記赤吸収フィルターが該透光性基板内面に形成されてなるものとすることができる。この場合、赤吸収フィルターの導入により、当該有機EL装置の外面に凹凸等が生じる不具合を解消できるとともに、透光性基板により赤吸収フィルターを保護すること可能となる。   Further, for the green and blue pixels, a red absorption filter that absorbs red can be selectively formed on the light emitting side with respect to the transflective layer. In this case, even if a polarizing plate or the like is not provided on the light emission side (display surface side) of the organic EL device, the problem that external light reflected by the transflective layer is emitted from the organic EL device is solved. Will be able to. Therefore, it is possible to provide an organic EL device having high contrast, high color purity, and excellent IVL (current-voltage-luminance) characteristics. The light transmissive electrode may be formed on the inner surface of a predetermined light transmissive substrate, and the red absorption filter may be formed on the inner surface of the light transmissive substrate. In this case, by introducing the red absorption filter, it is possible to solve the problem that unevenness or the like is generated on the outer surface of the organic EL device, and it is possible to protect the red absorption filter by the translucent substrate.

次に、本発明の電子機器は、本発明の有機EL装置を例えば表示部として備えることを特徴とする。このような電子機器によれば、色純度が高く、高コントラストの表示を実現することが可能となる。   Next, an electronic apparatus according to the present invention includes the organic EL device according to the present invention as a display unit, for example. According to such an electronic apparatus, it is possible to realize display with high color purity and high contrast.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing to be referred to, the scale may be different for each layer or each member in order to make the size recognizable on the drawing.

(第1実施形態)
図1は、本発明の有機EL装置の一実施形態について、特にアクティブマトリクス型の有機EL装置1の要部を模式的に示す説明図である。なお、有機EL装置1は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
(First embodiment)
FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a main part of an active matrix type organic EL device 1 in particular, regarding an embodiment of the organic EL device of the present invention. The organic EL device 1 employs an active driving method using thin film transistors.

有機EL装置1は、基板2の上に、回路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部14、画素電極(陽極)111、有機EL層(有機EL素子)を含む機能層110、陰極12、及び封止部3等を順次積層した構造からなる。   The organic EL device 1 includes a circuit element unit 14 including a thin film transistor as a circuit element, a pixel electrode (anode) 111, a functional layer 110 including an organic EL layer (organic EL element), a cathode 12, and a seal on a substrate 2. It has a structure in which stop portions 3 and the like are sequentially stacked.

基板2としては、本例ではガラス基板が用いられている。ガラス基板の他にも、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。基板2内には、発光領域としての複数の画素領域Aがマトリクス状に配列されており、カラー表示を行う場合、例えば赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する画素領域Aが所定の配列で構成される。各画素領域Aには、画素電極111が配置され、その近傍には信号線132、電源線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。   As the substrate 2, a glass substrate is used in this example. In addition to the glass substrate, various known substrates used for electro-optical devices and circuit substrates such as a silicon substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, a plastic substrate, and a plastic film substrate are applied. In the substrate 2, a plurality of pixel areas A as light emitting areas are arranged in a matrix, and when performing color display, for example, corresponding to each color of red (R), green (G), and blue (B). The pixel area A is configured in a predetermined array. In each pixel region A, a pixel electrode 111 is arranged, and in the vicinity thereof, a signal line 132, a power supply line 133, a scanning line 131, scanning lines for other pixel electrodes (not shown), and the like are arranged.

また、封止部3は、水や酸素の侵入を防いで陰極12あるいは機能層110の酸化を防止するものであり、基板2に塗布される封止樹脂、及び基板2に貼り合わされる封止基板3b(封止缶)等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板2の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布される。封止基板3bは、ガラスや金属等からなり、基板2と封止基板3bとは封止樹脂を介して張り合わされる。   The sealing portion 3 prevents water and oxygen from entering and prevents the cathode 12 or the functional layer 110 from being oxidized. The sealing portion 3 is applied to the substrate 2 and the sealing is bonded to the substrate 2. Substrate 3b (sealing can) is included. As the material of the sealing resin, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is used, and in particular, an epoxy resin that is one kind of thermosetting resin is preferably used. The sealing resin is annularly applied to the periphery of the substrate 2 and is applied by, for example, a microdispenser. The sealing substrate 3b is made of glass, metal, or the like, and the substrate 2 and the sealing substrate 3b are bonded to each other via a sealing resin.

図2は、上記有機EL装置1の回路構造を示している。
図2において、基板2上には、複数の走査線131と、走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、信号線132に並列に延びる複数の電源線133とが配線されている。また、走査線131及び信号線132の各交点毎に上記画素領域Aが形成されている。
信号線132には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路103が接続されている。また、走査線131には、シフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路104が接続されている。
FIG. 2 shows a circuit structure of the organic EL device 1.
In FIG. 2, a plurality of scanning lines 131, a plurality of signal lines 132 extending in a direction intersecting the scanning lines 131, and a plurality of power supply lines 133 extending in parallel to the signal lines 132 are wired on the substrate 2. Has been. Further, the pixel region A is formed at each intersection of the scanning line 131 and the signal line 132.
For example, the data line driving circuit 103 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 132. The scanning line 131 is connected to a scanning side driving circuit 104 including a shift register and a level shifter.

画素領域Aには、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第1の薄膜トランジスタ123と、この薄膜トランジスタ123を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量135と、保持容量135によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第2の薄膜トランジスタ124と、この薄膜トランジスタ124を介して電源線133に電気的に接続したときに電源線133から駆動電流が流れ込む画素電極111(陽極)と、画素電極111と対向電極12(陰極)との間に挟み込まれる機能層110とが設けられている。機能層110は、有機EL素子としての有機EL層を含む。   In the pixel region A, a first thin film transistor 123 for switching in which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 131 and a holding for holding an image signal supplied from the signal line 132 via the thin film transistor 123. A capacitor 135, a second driving thin film transistor 124 to which an image signal held by the holding capacitor 135 is supplied to the gate electrode, and the power line 133 when electrically connected to the power line 133 through the thin film transistor 124 Are provided with a pixel electrode 111 (anode) through which a drive current flows, and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the counter electrode 12 (cathode). The functional layer 110 includes an organic EL layer as an organic EL element.

画素領域Aでは、走査線131が駆動されて第1の薄膜トランジスタ123がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量135に保持され、この保持容量135の状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ124の導通状態が決まる。また、第2の薄膜トランジスタ124のチャネルを介して電源線133から画素電極111に電流が流れ、さらに機能層110を通じて対向電極12(陰極)に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、機能層110が発光する。   In the pixel region A, when the scanning line 131 is driven and the first thin film transistor 123 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor 135, and the second potential is changed depending on the state of the holding capacitor 135. The conductive state of the thin film transistor 124 is determined. In addition, a current flows from the power supply line 133 to the pixel electrode 111 through the channel of the second thin film transistor 124, and further a current flows to the counter electrode 12 (cathode) through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current at this time.

図3は、上記有機EL装置1における表示領域の断面構造を拡大した図である。この図3には赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する3つの画素領域の断面構造が示されている。前述したように、有機EL装置1は、基板2上に、TFTなどの回路等が形成された回路素子部14、画素電極(陽極)111、機能層110が形成された発光素子部11、及び陰極12が順次積層して構成されている。
この有機EL装置1では、機能層110から基板2側に発した光が、回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されるとともに、機能層110から基板2の反対側に発した光が陰極12により反射されて、回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されるようになっている。
FIG. 3 is an enlarged view of the cross-sectional structure of the display region in the organic EL device 1. FIG. 3 shows a cross-sectional structure of three pixel regions corresponding to red (R), green (G), and blue (B) colors. As described above, the organic EL device 1 includes the circuit element unit 14 in which a circuit such as a TFT is formed on the substrate 2, the pixel electrode (anode) 111, the light emitting element unit 11 in which the functional layer 110 is formed, and The cathode 12 is formed by sequentially laminating.
In the organic EL device 1, light emitted from the functional layer 110 to the substrate 2 side passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2 and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2, and the functional layer 110. The light emitted from the opposite side of the substrate 2 is reflected by the cathode 12, passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2, and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2.

回路素子部14においては、基板2上に遮光性材料からなる遮光層BMが島状に形成され、さらにこれを覆う形にてシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成されている。この下地保護膜2c上には、遮光層BMと平面的に重畳する位置に対し、多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141には、ソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みにより形成されている。なお、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。   In the circuit element portion 14, a light shielding layer BM made of a light shielding material is formed in an island shape on the substrate 2, and further, a base protective film 2c made of a silicon oxide film is formed so as to cover the island. On the base protective film 2c, an island-shaped semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed at a position overlapping the light shielding layer BM in a planar manner. Note that a source region 141a and a drain region 141b are formed in the semiconductor film 141 by high concentration P ion implantation. A portion where P is not introduced is a channel region 141c.

さらに回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成されており、該ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極(走査線)143が形成されている。また、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。各層間絶縁膜としては、例えばSiO或いはSiNからなるもの透光性絶縁膜を適当な膜厚(例えば200nm程度)としたものを採用することができる。
ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、第1、第2層間絶縁膜144a、144bを貫通して、半導体膜141のソース、ドレイン領域141a、141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145,146が形成されている。
Further, a transparent gate insulating film 142 that covers the base protective film 2c and the semiconductor film 141 is formed in the circuit element portion 14, and the gate insulating film 142 is made of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like. A gate electrode (scanning line) 143 is formed. A transparent first interlayer insulating film 144a and a second interlayer insulating film 144b are formed on the gate electrode 143 and the gate insulating film 142. As each interlayer insulating film, for example, a transparent insulating film made of SiO 2 or SiN with an appropriate film thickness (for example, about 200 nm) can be adopted.
The gate electrode 143 is provided at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141. In addition, contact holes 145 and 146 are formed through the first and second interlayer insulating films 144a and 144b and connected to the source and drain regions 141a and 141b of the semiconductor film 141, respectively.

そして、第2層間絶縁膜144b上には、Al等の光反射性材料からなる半透過反射層126が所定パターンの島状に形成され、さらにこれを覆う形にて、ITO等からなる透明な画素電極111が島状に形成されている。
画素電極111は、上述したコンタクトホール145を介してTFT123に接続されている。なお、他方のコンタクトホール146は電源線133に接続されている。このようにして、回路素子部14には、画素電極111に接続された半導体膜141を含む駆動用の薄膜トランジスタ123が形成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量135及びスイッチング用の薄膜トランジスタ124も形成されているが、図3ではこれらの図示を省略している。
On the second interlayer insulating film 144b, a semi-transmissive reflective layer 126 made of a light reflective material such as Al is formed in an island shape with a predetermined pattern, and further, a transparent transparent layer made of ITO or the like is formed so as to cover it. The pixel electrode 111 is formed in an island shape.
The pixel electrode 111 is connected to the TFT 123 through the contact hole 145 described above. The other contact hole 146 is connected to the power supply line 133. In this way, the driving thin film transistor 123 including the semiconductor film 141 connected to the pixel electrode 111 is formed in the circuit element portion 14. The circuit element unit 14 is also formed with the storage capacitor 135 and the switching thin film transistor 124 described above, but these are not shown in FIG.

このように第2層間絶縁膜144b上には半透過反射層126及び画素電極111が形成されているが、半透過反射層126は、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各画素で異なる反射率を有している。具体的には、不等号関係が(赤色の画素の反射率)<(緑色の画素の反射率)<(青色の画素の反射率)となるように各画素の半透過反射層126が形成されており、ここでは反射率を異ならせるために、半透過反射層126の各画素内での面内占有面積比を、(赤色の画素における占有面積):(緑色の画素における占有面積):(青色の画素における占有面積)=0:50:50としている。これにより、本実施形態での半透過反射層126の反射率比が、(赤色の画素の半透過反射層の反射率):(緑色の画素の半透過層の反射率):(青色の画素の半透過層の反射率)=0:50:50とされている。   As described above, the transflective layer 126 and the pixel electrode 111 are formed on the second interlayer insulating film 144b. The transflective layer 126 has red (R), green (G), and blue (B). Each pixel has a different reflectance. Specifically, the transflective layer 126 of each pixel is formed so that the inequality relationship is (reflectance of red pixel) <(reflectance of green pixel) <(reflectance of blue pixel). Here, in order to vary the reflectance, the ratio of the in-plane occupation area in each pixel of the transflective layer 126 is (occupied area in red pixels): (occupied area in green pixels): (blue Occupying area in the pixel) = 0: 50: 50. Thereby, the reflectance ratio of the transflective layer 126 in this embodiment is (reflectance of the transflective layer of the red pixel): (reflectance of the transflective layer of the green pixel): (blue pixel) Of the semi-transmissive layer) = 0: 50: 50.

半透過反射層126は、機能層110中の有機EL層(発光層)110bで発光した光の一部を反射し、一部を透過する機能を有し、画素開口と重なるように若しくは画素開口よりも若干大きな平面形状にて形成されている。なお、半透過反射層126はアルミニウム等からなる反射性金属膜を10nm程度の薄膜に形成したものである。   The transflective layer 126 has a function of reflecting part of the light emitted from the organic EL layer (light emitting layer) 110b in the functional layer 110 and transmitting part of the light, and overlaps the pixel opening or the pixel opening. It is formed in a slightly larger planar shape. The transflective layer 126 is formed by forming a reflective metal film made of aluminum or the like into a thin film of about 10 nm.

画素電極111は、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極111の厚さは、50nm〜200nm(例えば70nm)の範囲が好ましい。   The pixel electrode 111 is formed by patterning into a substantially rectangular shape in plan view. The thickness of the pixel electrode 111 is preferably in the range of 50 nm to 200 nm (for example, 70 nm).

そして、上記のような半透過反射層126及び画素電極111の上に発光素子部11が形成されている。発光素子部11は、画素電極111上に積層された機能層110と、機能層110同士の間に配されて各機能層110を区画するバンク部112とを主体として構成されている。機能層110上には、アルミニウム等の反射性金属膜からなる陰極12が配置されている。なお、半透過反射膜126と陰極12との間の光学的距離は、当該画素の発光波長と同じか、或いはその整数倍となるように設計されており、その結果、半透過反射層126と陰極12とが、当該画素から取り出したい光に対して光共振器を構成することとなる。   The light emitting element portion 11 is formed on the transflective layer 126 and the pixel electrode 111 as described above. The light emitting element portion 11 is mainly configured by a functional layer 110 stacked on the pixel electrode 111 and a bank portion 112 that is disposed between the functional layers 110 and partitions each functional layer 110. A cathode 12 made of a reflective metal film such as aluminum is disposed on the functional layer 110. The optical distance between the transflective film 126 and the cathode 12 is designed to be the same as or an integral multiple of the emission wavelength of the pixel. The cathode 12 constitutes an optical resonator for light that is desired to be extracted from the pixel.

バンク部112は、図3に示すように、基板2側に位置する無機物バンク層(第1バンク層)112aと、基板2から離れて位置する有機物バンク層(第2バンク層)112bとの積層にて構成されている。無機物バンク層112aは、例えばSiO、TiO等の無機材料からなる。また、有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。 As shown in FIG. 3, the bank unit 112 is a laminate of an inorganic bank layer (first bank layer) 112 a located on the substrate 2 side and an organic bank layer (second bank layer) 112 b located away from the substrate 2. It is composed of. The inorganic bank layer 112a is made of an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2 , for example. The organic bank layer 112b is formed of a resist having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin.

また、機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された有機EL層(発光層)110bとから構成されている。
正孔注入/輸送層110aは、正孔を有機EL層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110aを画素電極111と有機EL層110bの間に設けることにより、有機EL層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、有機EL層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、陰極12から注入される電子が有機EL層で再結合し、発光が得られる。
The functional layer 110 includes a hole injection / transport layer 110a stacked on the pixel electrode 111 and an organic EL layer (light emitting layer) 110b formed adjacent to the hole injection / transport layer 110a. Has been.
The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the organic EL layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. By providing such a hole injection / transport layer 110a between the pixel electrode 111 and the organic EL layer 110b, device characteristics such as light emission efficiency and lifetime of the organic EL layer 110b are improved. Further, in the organic EL layer 110b, holes injected from the hole injection / transport layer 110a and electrons injected from the cathode 12 are recombined in the organic EL layer, and light emission is obtained.

なお、正孔注入/輸送層110aは、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)との混合物(PEDOT/PSS)をインクジェット法にて成膜したもので、各画素共通で50nmの厚さに調整されている。   Note that the hole injection / transport layer 110a is formed by forming a mixture (PEDOT / PSS) of a polythiophene derivative such as polyethylene dioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) by an inkjet method. The thickness is commonly adjusted to 50 nm.

有機EL層110bは、赤色(R)の画素では、赤色(R)に発光する高分子材料からなる赤色有機EL層110bにて構成され、同様に緑色(G)の画素では、緑色(G)に発光する高分子材料からなる緑色有機EL層110bにて構成され、さらに青色(B)の画素では、青色(B)に発光する高分子材料からなる青色有機EL層110bにて構成されている。そして、各色画素は所定の配列(例えばストライプ状)で配置されている。なお、各有機EL層110b,110b,110bは、各発光材料(高分子材料)をインクジェット法にて成膜したもので、厚さは赤色の画素で80nm、緑色の画素で80nm、青色の画素で70nm程度とした。 The organic EL layer 110b, in the pixel of red (R), are composed of red organic EL layer 110b 1 made of a polymer material that emits red (R), the pixel of Like green (G), green (G ) to be configured by the green organic EL layer 110b 2 made of a polymer material that emits light, a further pixel of blue (B), composed of blue organic EL layer 110b 3 made of a polymer material that emits blue light (B) Has been. Each color pixel is arranged in a predetermined arrangement (for example, a stripe shape). Each of the organic EL layers 110b 1 , 110b 2 , and 110b 3 is formed by forming each light emitting material (polymer material) by an ink jet method, and has a thickness of 80 nm for a red pixel, 80 nm for a green pixel, The blue pixel is about 70 nm.

赤色有機EL層110bを形成する発光材料としては、例えばローダミン色素を添加したPPVやMEH−PPVあるいはポリフルオレン系などの有機EL材料からなるものを用いることができ、緑色有機EL層110bを形成する発光材料としては、例えばPPV誘導体やF8BT+ポリジオクチルフルオレンなどのフルオレン誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。青色有機EL層110bを形成する発光材料としては、例えばポリジオクチルフルオレン誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。 As the light emitting material for forming the red organic EL layer 110b 1, for example, there can be used those made of organic EL material such as PPV and MEH-PPV, or polyfluorene addition of rhodamine dye, a green organic EL layer 110b 2 As a light emitting material to be formed, a material made of an organic EL material such as a fluorene derivative such as a PPV derivative or F8BT + polydioctylfluorene can be used. As the light emitting material for forming a blue organic EL layer 110b 3, you can be used, for example made of an organic EL material such as polydioctylfluorene derivatives.

一方、バンク部112は、画素電極111をパターニング形成した後、まずSiO等の無機材料からなる無機物バンク層112aを、画素開口を備える形にて厚さ50nm程度に形成し、その後、ポリイミド等の有機材料からなる有機物バンク層112bを、同じく画素開口を備える形にて厚さ2μm程度に形成することで得られるものである。 On the other hand, after patterning the pixel electrode 111, the bank 112 first forms an inorganic bank layer 112a made of an inorganic material such as SiO 2 to a thickness of about 50 nm with a pixel opening, and then polyimide or the like. The organic bank layer 112b made of the above organic material is obtained by forming a pixel opening having a thickness of about 2 μm.

次に、陰極(対向電極)12は、発光素子部11の全面に形成されており、画素電極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。この陰極12は、上記金属有機化合物150のリチウム(Li)イオンを還元できるものとして、本例ではカルシウム層12aとアルミニウム層12bとが積層されて構成されている。アルミニウム層12bは、有機EL層110bから発せられた光を基板2側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜等を採用することもできる。また、その厚さは、例えば100nm〜1000nmの範囲とすることができる。   Next, the cathode (counter electrode) 12 is formed on the entire surface of the light emitting element portion 11 and plays a role of flowing a current through the functional layer 110 in a pair with the pixel electrode 111. In the present example, the cathode 12 is configured by laminating a calcium layer 12a and an aluminum layer 12b as being capable of reducing lithium (Li) ions of the metal organic compound 150. The aluminum layer 12b reflects light emitted from the organic EL layer 110b to the substrate 2 side, and an Ag film, a laminated film of Al and Ag, or the like can be employed in addition to the Al film. Moreover, the thickness can be made into the range of 100 nm-1000 nm, for example.

このように構成された有機EL装置1においては、半透過反射層126は陰極12との間で光共振器を構成することとなり、つまり有機EL層110から陰極12側に発せられた光は、該陰極12に反射され、その結果、陰極12と半透過反射層126との間で共振される。そして、共振の結果、半透過反射層126を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過することとなる。
一方、有機EL層110から半透過反射層126側に発せられた光は、その一部が該半透過反射層126を透過し、他部が半透過反射層126にて反射され、その結果、陰極12と半透過反射層126との間で共振される。そして、共振の結果、該半透過反射層126を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過することとなる。
In the organic EL device 1 configured as described above, the transflective layer 126 forms an optical resonator with the cathode 12, that is, the light emitted from the organic EL layer 110 to the cathode 12 side is Reflected by the cathode 12, and as a result, resonated between the cathode 12 and the transflective layer 126. As a result of the resonance, the reflected light is transmitted through the semi-transmissive reflective layer 126 when the wavelength is transmitted.
On the other hand, part of the light emitted from the organic EL layer 110 to the transflective layer 126 side is transmitted through the transflective layer 126 and the other part is reflected by the transflective layer 126. As a result, Resonance occurs between the cathode 12 and the transflective layer 126. Then, as a result of resonance, when the wavelength reaches the transflective layer 126, the reflected light is transmitted therethrough.

以上のように半透過反射層126を透過した光は、当該有機EL装置1から出射されて表示等に供されることとなるが、本実施形態では、反射光が共振の後に半透過反射層126を透過するものとされているため、当該有機EL装置1を出射する光の色純度が向上し、これを表示装置として用いた場合に、高輝度、高コントラストの表示を得ることが可能とされている。本実施形態では、青色で色度(x,y=0.14,0.16)、緑色で色度(x,y=0.40,0.59)、赤色で色度(x,y=0.66,0.33)を得ることができた。なお、光共振器構造(つまり半透過反射層126)を備えない有機EL装置では、青色で色度(x,y=0.15,0.2)、緑色で色度(x,y=0.42,0.55)であった。   As described above, the light transmitted through the transflective layer 126 is emitted from the organic EL device 1 and used for display or the like. In the present embodiment, the reflected light is transmitted after the transflective layer after the resonance. 126, the color purity of the light emitted from the organic EL device 1 is improved, and when this is used as a display device, a display with high luminance and high contrast can be obtained. Has been. In the present embodiment, blue chromaticity (x, y = 0.14, 0.16), green chromaticity (x, y = 0.40, 0.59), and red chromaticity (x, y = 0.66, 0.33) could be obtained. In an organic EL device that does not include an optical resonator structure (that is, the transflective layer 126), blue chromaticity (x, y = 0.15, 0.2) and green chromaticity (x, y = 0). .42, 0.55).

さらに、本実施形態では、有機EL層110として高分子材料を用いて構成しているが、青色と緑色は、赤色に比して色純度が相対的に低く、特に青色の色純度が低いものとなる。そこで、本実施形態のように、相対的に色純度の低い緑色(G)及び青色(B)の画素に対して半透過反射層126の反射率を大きくし、相対的に色純度の高い赤色(R)の画素に対して半透過反射層126の反射率(面内占有面積)を小さくすることで、各色の画素毎に色純度をバランス良く高めることが可能となる。   Further, in the present embodiment, the organic EL layer 110 is made of a polymer material, but blue and green have relatively low color purity compared to red, and in particular, have low blue color purity. It becomes. Therefore, as in the present embodiment, the reflectance of the transflective layer 126 is increased for the green (G) and blue (B) pixels with relatively low color purity, and red with relatively high color purity. By reducing the reflectance (in-plane occupation area) of the transflective layer 126 with respect to the pixel (R), it is possible to improve the color purity in a balanced manner for each color pixel.

また、一般的に光共振構造を採用すると、色純度が向上するものの発光効率が低減する傾向にある。ところが、本実施形態では、半透過反射層126の反射率(面内占有面積)を異なる色の画素毎に相違するように構成しているため、該半透過反射層126の導入によって生じ得る発光効率の低減を最小限に抑えることが可能となる。具体的には、本実施形態の有機EL装置1では、全画素駆動による白表示の際に輝度250Cd/m、発光時で光量3lm/Wを得ることができ、一方、光共振器構造(つまり半透過反射層126)を備えない有機EL装置では、同250Cd/m、3.51lm/Wで、発光効率の大きな低減は生じなかった。 In general, when an optical resonance structure is employed, although the color purity is improved, the light emission efficiency tends to be reduced. However, in this embodiment, since the reflectance (occupied area in the plane) of the transflective layer 126 is configured to be different for each pixel of a different color, light emission that can be generated by the introduction of the transflective layer 126. The reduction in efficiency can be minimized. Specifically, in the organic EL device 1 of the present embodiment, it is possible to obtain a luminance of 250 Cd / m 2 during white display by all pixel driving and a light amount of 3 lm / W during light emission, while an optical resonator structure ( That is, in the organic EL device that does not include the transflective layer 126), the emission efficiency was not significantly reduced at 250 Cd / m 2 and 3.51 lm / W.

なお、本実施形態では、赤色(R)の画素に対して相対的に反射率(面内占有面積)の小さい半透過反射層126を形成したが、赤色(R)の画素に対して該半透過反射層126を形成しないものとしても良い。つまり、緑色(G)と青色(B)の画素にのみ選択的に半透過反射層126を形成するものとしても良い。   In the present embodiment, the transflective layer 126 having a relatively low reflectance (occupied area in the plane) is formed with respect to the red (R) pixel. The transmission / reflection layer 126 may not be formed. That is, the semi-transmissive reflective layer 126 may be selectively formed only on green (G) and blue (B) pixels.

さらに、画素毎に半透過反射層126の反射率を異ならせるために、該半透過反射層126の厚さを画素毎に異なる構成としても良い。具体的には、半透過反射層126の層厚関係が、(赤色の画素の層厚)<(緑色の画素の層厚)<(青色の画素の層厚)となるように構成することが好ましい。   Furthermore, in order to make the reflectance of the transflective layer 126 different for each pixel, the thickness of the transflective layer 126 may be different for each pixel. Specifically, the layer thickness relationship of the transflective layer 126 may be configured so that (layer thickness of red pixel) <(layer thickness of green pixel) <(layer thickness of blue pixel). preferable.

以下、第1実施形態の有機EL装置1の製造方法について説明する。
まず、基板2上に厚さ300nm程度の遮光層BMを公知のフォトリソグラフィ技術により形成した後、下地保護膜2c及びTFT123を形成するとともに、層間絶縁膜144a,144bを形成してEL装置の基体を作成する。
そして、第2層間絶縁膜144b上に、半透過反射層126としてAlを厚さ10nm程度に形成し、これを各画素における面内占有面積を上述した範囲に設計すべくパターニングを行う。
Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL device 1 of the first embodiment will be described.
First, a light shielding layer BM having a thickness of about 300 nm is formed on the substrate 2 by a known photolithography technique, and then a base protective film 2c and a TFT 123 are formed, and interlayer insulating films 144a and 144b are formed to form a base of the EL device. Create
Then, Al is formed on the second interlayer insulating film 144b as the semi-transmissive reflective layer 126 to a thickness of about 10 nm, and patterning is performed so that the in-plane occupation area in each pixel is designed in the above-described range.

続いて、全画素に透明陽極としてのITOを厚さ70nm程度にパターン形成し、さらに画素開口膜たる無機物バンク層112aとしてSiOを厚さ50nm程度に、さらに有機物バンク層112bとしてポリイミドを厚さ2μm程度にパターン形成する。
そして、形成したバンク内にインクジェット法にて正孔注入/輸送層を形成する材料としてPEDOT/PSS材料を含む液状組成物を塗布し、各色の画素共通に厚さ50nmとした。
さらに高分子型発光材料を各色の画素にインクジェット法にて形成する。このときの膜厚は、赤色の画素で80nm、緑色の画素で80nm、青色の画素で70nmとした。続いて、陰極12を形成するとともに封止工程を行って、第1実施形態の有機EL装置1を得るものとしている。
Subsequently, ITO as a transparent anode is patterned to a thickness of about 70 nm on all the pixels, and SiO 2 is formed to a thickness of about 50 nm as the inorganic bank layer 112a serving as the pixel opening film, and polyimide is further formed as the organic bank layer 112b. A pattern is formed to about 2 μm.
Then, a liquid composition containing a PEDOT / PSS material was applied as a material for forming a hole injection / transport layer by an inkjet method in the formed bank, and a thickness of 50 nm was common to pixels of each color.
Further, a polymer light emitting material is formed on each color pixel by an ink jet method. The film thicknesses at this time were 80 nm for red pixels, 80 nm for green pixels, and 70 nm for blue pixels. Subsequently, the cathode 12 is formed and a sealing process is performed to obtain the organic EL device 1 of the first embodiment.

(第2実施形態)
次に、有機EL装置の第2実施形態について図4を用いて説明する。本第2実施形態の有機EL装置100においては、第1実施形態の構成に加えて、緑色(G)と青色(B)の画素において半透過反射層126の光出射側に赤色を吸収する機能を備えた赤色吸収フィルター125が形成されている。なお、該赤色吸収フィルター125が形成されている点以外は、第1実施形態と同様のため、説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the organic EL device will be described with reference to FIG. In the organic EL device 100 of the second embodiment, in addition to the configuration of the first embodiment, a function of absorbing red on the light emitting side of the transflective layer 126 in the green (G) and blue (B) pixels. The red absorption filter 125 provided with is formed. In addition, since it is the same as that of 1st Embodiment except the point which this red absorption filter 125 is formed, description is abbreviate | omitted.

このような赤色吸収フィルター125を導入することで、色純度の向上とともに外光反射を低減でき、その結果、当該有機EL装置100を一層視認性に優れた表示装置として構成することが可能となる。なお、このような外光反射を防止するためには、基板2の光出射側に公知の円偏光板を配設するものとしても良い。また、本第2実施形態では、半透過反射層126の各画素内での面内占有面積比を、(赤色の画素における占有面積):(緑色の画素における占有面積):(青色の画素における占有面積)=10:40:50としている。これにより、本実施形態での半透過反射層126の反射率比が、(赤色の画素の半透過反射層の反射率):(緑色の画素の半透過層の反射率):(青色の画素の半透過層の反射率)=10:40:50とされている。   By introducing such a red absorption filter 125, it is possible to improve color purity and reduce external light reflection, and as a result, it is possible to configure the organic EL device 100 as a display device with further excellent visibility. . In order to prevent such external light reflection, a known circularly polarizing plate may be provided on the light emitting side of the substrate 2. Further, in the second embodiment, the in-plane occupation area ratio in each pixel of the transflective layer 126 is (occupied area in red pixels) :( occupied area in green pixels) :( in blue pixels) Occupied area) = 10: 40: 50. Thereby, the reflectance ratio of the transflective layer 126 in this embodiment is (reflectance of the transflective layer of the red pixel): (reflectance of the transflective layer of the green pixel): (blue pixel) Of the semi-transmissive layer) = 10: 40: 50.

ここで、赤色吸収フィルター125は、例えばSnフタロシアニン化合物等からなる樹脂層にて構成することができる。また、赤色吸収フィルター125を緑色(G)と青色(B)の画素に対して選択的に配設する方法としては、例えばインクジェット法或いはフォトリソグラフィ法等を採用することができる。具体的には、インクジェット法によるときは、まず第2層間絶縁膜144b上全面にCFプラズマを掛け、緑色(G)と青色(B)の画素上に紫外線を照射して表面改質しておけば、該フィルター125を均一に成膜できることとなる。 Here, the red absorption filter 125 can be formed of a resin layer made of, for example, a Sn phthalocyanine compound. In addition, as a method of selectively disposing the red absorption filter 125 with respect to the green (G) and blue (B) pixels, for example, an inkjet method or a photolithography method can be employed. Specifically, when the ink jet method is used, first, CF 4 plasma is applied to the entire surface of the second interlayer insulating film 144b, and the green (G) and blue (B) pixels are irradiated with ultraviolet rays to modify the surface. In this case, the filter 125 can be uniformly formed.

(第3実施形態)
図5は、本発明の電子機器の実施の形態例を示している。
本例の電子機器は、上述した有機EL装置を表示手段として備えている。図5は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は前記の有機EL装置を用いた表示部を示している。このように本発明の電気光学装置に係る有機EL装置を表示手段として備える電子機器は、良好な発光特性を得ることができるとともに、電子機器の低価格化を図ることができる。
(Third embodiment)
FIG. 5 shows an embodiment of the electronic apparatus of the present invention.
The electronic apparatus of this example includes the above-described organic EL device as display means. FIG. 5 is a perspective view showing an example of a mobile phone. Reference numeral 1000 indicates a mobile phone body, and reference numeral 1001 indicates a display unit using the organic EL device. As described above, an electronic apparatus including the organic EL device according to the electro-optical device of the present invention as a display unit can obtain good light emission characteristics and can reduce the price of the electronic apparatus.

第1実施形態の有機EL装置の構成を模式的に示す説明図。Explanatory drawing which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment typically. アクティブマトリクス型有機EL装置の回路構成を示す回路図。The circuit diagram which shows the circuit structure of an active matrix type organic electroluminescent apparatus. 第1実施形態の有機EL装置について表示領域の断面構造を示す拡大図。The enlarged view which shows the cross-section of a display area | region about the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第2実施形態の有機EL装置について表示領域の断面構造を示す拡大図。The enlarged view which shows the cross-section of a display area | region about the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 本発明の電子機器の実施形態を示す斜視図。FIG. 14 is a perspective view showing an embodiment of an electronic apparatus according to the invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,100…有機EL装置、12…陰極(光反射性電極)、110b…有機EL層(発光層)、111…画素電極(陽極、光透過性電極)、126…半透過反射層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 ... Organic EL apparatus, 12 ... Cathode (light reflective electrode), 110b ... Organic EL layer (light emitting layer), 111 ... Pixel electrode (anode, light transmissive electrode), 126 ... Semi-transmissive reflective layer

Claims (4)

光反射性電極と、有機EL層と、光透過性電極と、前記有機EL層の発光光の一部を透過し一部を反射することで、前記光反射電極との間で光共振器を構成する半透過反射層と、がこの順で積層された画素を複数具備してなる有機EL装置であって、
複数の前記画素のうち、第1画素に配置された第1の前記有機EL層と第2画素に配置された第2の前記有機EL層とは互いに異なる色を発光し、かつ第1の前記有機EL層の発光光は第2の前記有機EL層の発光光よりも色純度が高く、
前記第1画素に配置された第1の前記半透過反射層の面積は、前記第1画素の発光領域の面積よりも小さく、
前記第2画素に配置された第2の前記半透過反射層の面積は、前記第2画素の発光領域の面積よりも小さく、
前記第1画素の発光領域の面積に対する第1の前記半透過反射層の面積比は、前記第2画素の発光領域の面積に対する第2の前記半透過反射層の面積比よりも小さいことを特徴とする有機EL装置。
An optical resonator is formed between the light reflective electrode, the organic EL layer, the light transmissive electrode, and the light reflecting electrode by transmitting a part of the light emitted from the organic EL layer and reflecting a part thereof. An organic EL device comprising a plurality of pixels laminated in this order with a transflective layer to be configured,
Among the plurality of pixels, the first organic EL layer arranged in the first pixel and the second organic EL layer arranged in the second pixel emit light different from each other, and the first The emitted light of the organic EL layer has higher color purity than the emitted light of the second organic EL layer,
The area of the first of said transflective layer disposed on the first pixel, rather smaller than the area of the light emitting region of the first pixel,
The area of the second transflective layer disposed in the second pixel is smaller than the area of the light emitting region of the second pixel,
The area ratio of the first transflective layer to the area of the light emitting region of the first pixel is smaller than the area ratio of the second transflective layer to the area of the light emitting region of the second pixel. An organic EL device.
第1の前記有機EL層と第2の前記有機EL層とを区画するバンク部をさらに有することを特徴とする請求項に記載の有機EL装置。 The organic EL device according to claim 1 , further comprising a bank section that partitions the first organic EL layer and the second organic EL layer. 前記有機EL層が高分子有機EL材料にて構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。 The organic EL device according to claim 1 or 2, wherein the organic EL layer is characterized in that it is composed of high molecular organic EL materials. 請求項1からのいずれか一項に記載の有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the organic EL device according to any one of claims 1 to 3 .
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