JP4409863B2 - 研磨用組成物の製造方法 - Google Patents
研磨用組成物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4409863B2 JP4409863B2 JP2003173442A JP2003173442A JP4409863B2 JP 4409863 B2 JP4409863 B2 JP 4409863B2 JP 2003173442 A JP2003173442 A JP 2003173442A JP 2003173442 A JP2003173442 A JP 2003173442A JP 4409863 B2 JP4409863 B2 JP 4409863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- dispersion
- fumed silica
- temperature
- cooling medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程のうちの研磨工程に用いられる研磨用組成物の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造の分野では、半導体素子の微細化および多層化による高集積化に伴い、半導体層や金属層の平坦化技術が重要な要素技術となっている。ウエハに集積回路を形成する際、電極配線などによる凹凸を平坦化せずに層を重ねると、段差が大きくなり、平坦性が極端に悪くなる。また段差が大きくなった場合、フォトリソグラフィにおいて凹部と凸部の両方に焦点を合わせることが困難になり微細化を実現することができなくなる。したがって、積層中の然るべき段階でウエハ表面の凹凸を除去するための平坦化処理を行う必要がある。平坦化処理には、エッチングにより凹凸部を除去するエッチバック法、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)などにより平坦な膜を形成する成膜法、熱処理によって平坦化する流動化法、選択CVDなどにより凹部の埋め込みを行う選択成長法などがある。
【0003】
以上の方法は、絶縁膜、金属膜など膜の種類によって適否があることや平坦化できる領域がきわめて狭いという問題がある。このような問題を克服することができる平坦化処理技術としてCMPによる平坦化がある。
【0004】
CMPによる平坦化処理では、微細な粒子(砥粒)を懸濁したスラリを研磨パッド表面に供給しながら、圧接した研磨パッドとシリコンウエハとを相対移動させて表面を研磨することにより、広範囲にわたるウエハ表面を高精度に平坦化することができる。
【0005】
CMPによる平坦化を行うCMP装置は、主に回転定盤部、キャリア部、スラリ供給部およびドレッシング部から構成される。回転定盤部は、その上面に粘着テープなどで研磨パッドが貼り付けられ、下面側は、回転駆動機構と、回転軸を介して接続される。キャリア部は、その下面にバッキング材およびリテーナリングによって被研磨物であるシリコンウエハを保持し、シリコンウエハの加工面を研磨パッドに圧接させる。上面側は、回転駆動機構と、回転軸を介して接続される。
【0006】
スラリ供給部は、シリカ、セリアおよびアルミナなどの粒子を媒体に懸濁させたスラリを研磨パッドの表面に供給する。ドレッシング部は、産業用ダイヤモンド粒子を電着したプレートを備え、研磨屑などが付着した部分を削り取ることで、研磨特性が低下した研磨パッドの表面を再生する。
【0007】
CMP装置は、回転駆動機構によって回転定盤部およびキャリア部を回転させるとともに、研磨パッドの略中央部にスラリを供給し、シリコンウエハと研磨パッドとを相対移動させることでシリコンウエハ加工面の研磨を行う。
【0008】
近年、IC(Integrated Circuit)チップのデザインルールが微細化するに伴い、スラリに起因してシリコンウエハの被研磨面に生じるマイクロスクラッチが問題となっている。マイクロスクラッチの因子としては、媒体に懸濁させた砥粒の凝集物または分散不良物として存在する粗大粒子が考えられる。
【0009】
シリカスラリの原料には、ヒュームドシリカまたはコロイダルシリカが用いられる。ヒュームドシリカは、コロイダルシリカに比べて純度が高いため不純物の少ないシリカスラリを生成することができるが、凝集性が高く媒体中への高分散化を実現するのが困難である。
【0010】
ヒュームドシリカの分散安定性を向上させることを目的とした従来のシリカスラリの製造方法には特許文献1〜3に記載された方法がある。いずれの方法についても、剪断条件およびシリカ濃度などを規定することで、安定した分散性を実現しようとしている。
【0011】
【特許文献1】
特許第2935125号公報
【特許文献2】
特許第2949633号公報
【特許文献3】
特開2001−26771号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ヒュームドシリカを媒体中に分散させるときに、分散効果を高めるためには、剪断力を加える必要がある。しかしながら、剪断力を加えることで、媒体の温度が上昇し、凝集性が高くなってしまう。これは、温度の上昇により、ヒュームドシリカ粒子のブラウン運動が活発になり、粒子間の衝突頻度が増大するからである。したがって、剪断力は、凝集が生じない程度しか与えることができず、そのような弱い剪断力では、結果的に剪断力の不足によってやはり凝集が生じてしまうという問題がある。
【0013】
本発明の目的は、分散安定性に優れ、凝集粒子の少ない研磨用組成物の製造方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、剪断力を加えることにより酸性のヒュームドシリカ分散液を調製する第1工程と、
前記ヒュームドシリカ分散液との混合終了後に得られる研磨用組成物が、所定のpHおよびシリカ濃度となるように調製した塩基性物質水溶液に対して、前記ヒュームドシリカ分散液を添加して混合する第2工程とを有し、
前記第1工程では、5℃以上20℃以下の冷却媒体を用いてヒュームドシリカ分散液を冷却することを特徴とする研磨用組成物の製造方法である。
【0015】
本発明に従えば、まず第1工程で、剪断力を加えることで、酸性のヒュームドシリカ分散液を調製する。このとき、5℃以上20℃以下、好ましくは5℃以上10℃以下の冷却媒体を用いてヒュームドシリカ分散液を冷却する。なお、用いるヒュームドシリカの比表面積は、50〜200m2/gが好ましい。
【0016】
次に第2工程で、塩基性物質水溶液を調製する。塩基性物質水溶液の濃度および体積は、第1工程で調整されたヒュームドシリカ分散液との混合によって、目的とする研磨用組成物のpHが8〜12、シリカ濃度が10〜30重量%となるように調製する。なお、塩基性物質水溶液は、少なくとも水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウムまたは水酸化マグネシウムのいずれかを含む。
【0017】
ヒュームドシリカ分散液に剪断力を加えると温度が上昇し、凝集が発生しやすくなる。本発明では、剪断力を加えるような工程において、分散液の冷却を行うので、分散安定性に優れ、凝集粒子の少ない研磨用組成物が得られる。
【0018】
また本発明は、前記第1工程は、
pHを1.0〜2.7に調製した水中に、初期シリカ濃度が46〜54重量%になるようにヒュームドシリカを投入し、高剪断力を与えてヒュームドシリカ分散液を調製する工程と、
シリカ濃度が45〜53重量%になるように、前記ヒュームドシリカ分散液に水を添加する工程と、
シリカ濃度が33〜44重量%になるように、前記ヒュームドシリカ分散液にさらに水を添加する工程とを有し、
これらの工程のうち、少なくとも1つの工程でヒュームドシリカ分散液を冷却することを特徴とする。
【0019】
本発明に従えば、まずpHを1.0〜2.7に調製した水中に、初期シリカ濃度が46〜54重量%になるようにヒュームドシリカを投入し、高剪断力を与えてヒュームドシリカ分散液を調製する。pHを1.0〜2.7に調製することで、高剪断力を効率良く与え、分散性を向上させることができる。
【0020】
次にシリカ濃度が45〜53重量%になるように、ヒュームドシリカ分散液に水を添加する。少量の水を添加することで研磨用組成物の粘度を低下させることができる。
【0021】
最後にシリカ濃度が33〜44重量%になるように、さらに水を添加する。シリカ濃度を33〜44重量%とすることで、凝集物の発生を抑制することができる。
【0022】
これらの工程は、剪断力を加えることでヒュームドシリカを分散させているので、これらのうち、少なくとも1つの工程でヒュームドシリカ分散液を冷却することで、凝集粒子の少ない研磨用組成物が得られる。特に、シリカ濃度が高い最初の工程を冷却するとよい。
【0023】
また本発明は、前記第2工程で得られた研磨用組成物に対して、濾過精度が1〜4μmのフィルタを用いて濾過処理を行う第3工程をさらに有することを特徴とする。
【0024】
本発明に従えば、第3工程において、第2工程で得られた研磨用組成物に対して、濾過精度が1〜4μmのフィルタを用いて濾過処理を行う。
【0025】
上記のように、第2工程で得られた研磨用組成物は凝集物の発生が少ないため、濾過精度が1〜4μmのフィルタを用いることで、効率良く凝集物を除去することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
シリカスラリの製造方法は、大きく分けて2つの工程を有する。第1の工程は、酸性のシリカ分散液を作製する工程であり、第2の工程は、シリカ分散液と塩基性物質の水溶液とを混合する工程である。
【0027】
第1の工程では、塩酸などの酸を超純水に添加して酸性、たとえばpH2とし、これに剪断力を与えながらヒュームドシリカを投入して分散液を作製する。
【0028】
第2の工程では、シリカ分散液を撹拌しながら、水酸化カリウムなどのアルカリ性水溶液を滴下して混合する。
【0029】
第2の工程では、シリカ分散液のpHが酸性からアルカリ性に変化するときのpHショックによって、シリカ凝集物が発生する。特に、シリカ分散液の状態ではシリカが高濃度であるため、より凝集が発生しやすくなっている。
【0030】
シリカ分散液の作製条件およびシリカ分散液とアルカリ水溶液との混合条件を改良することで、分散安定性に優れたシリカスラリを製造することができる。
【0031】
図1は、本発明の実施の一形態であるフローチャートである。
まず、第1の工程について詳細に説明する。第1の工程はさらに小さなステップからなる。
【0032】
ステップ1−1では、超純水のpHを1.0〜2.7に調製し、高剪断分散装置で剪断力を与えながら、50〜200m2/gの比表面積を有するヒュームドシリカパウダーを、初期シリカ濃度が46〜54重量%になるまで投入し、高剪断分散装置で1〜5時間剪断力を与える。
【0033】
ステップ1−2では、シリカ濃度が45〜53重量%になるように、シリカ分散液に少量の超純水を添加し、10〜40分間剪断力を与える。
【0034】
ステップ1−3では、シリカ濃度が33〜44重量%になるように、シリカ分散液に超純水を加え、0.5〜4時間剪断力を与える。
【0035】
以上のように、第1の工程では、高剪断力を与えるとともに、ステップ1−2の超純水添加によって、シリカ分散液の粘度を十分低くすることができる。
【0036】
ステップ1−1からステップ1−3までの工程においては、シリカ粒子を分散させるために剪断機などを用いて、分散液に剪断力を加えている。この際に剪断力を加えることで分散液の温度が上昇し、凝集が生じやすくなるため、分散液を冷却する。冷却することで、温度上昇を抑制し、凝集による粗大粒子の発生を防ぐことができる。また、冷却することで、より大きな剪断力を加えることも可能である。
【0037】
冷却する方法は、たとえば、剪断機の分散液を貯溜するタンクの外壁に冷却媒体の流路を設け、冷却媒体を循環かつ冷却することでタンク内の分散液と冷却媒体との間で熱交換させる。冷却媒体としては、水、または水にエチレングリコールなどを加えた不凍液などを用いる。冷却媒体の温度は、5℃以上20℃以下とし、特に5℃以上10℃以下が望ましい。冷却媒体の温度が5℃〜20℃のとき、分散液の温度は、約10℃〜25℃と、冷却媒体の温度+5℃程度となる。
【0038】
次に、第2の工程について説明する。
ステップ2−1では、混合後のpHが8〜12となり、シリカ濃度が10〜30重量%となるように調製した塩基性物質水溶液に対して、シリカ分散液を投入する。従来の混合とは異なり、塩基性物質水溶液にシリカ分散液を投入することで混合時の凝集物発生を抑制することができる。これは以下の理由による。
【0039】
シリカ分散液の投入初期は、塩基性物質水溶液が過剰であるため、混合液のpHは12〜14と強いアルカリ性であり、pHショックが生じる。しかし、シリカ濃度が非常に低いため、凝集の発生は抑制される。投入が進むと、混合液のシリカ濃度は上昇するが、シリカ分散液の投入によって混合液のpHが8〜12と弱いアルカリ性となるため、pHショックが弱く、凝集の発生が抑制される。
【0040】
さらに、5時間以内に全てのシリカ分散液を投入することが望ましい。塩基性物質水溶液のpHは12〜14であり、ヒュームドシリカの表面が溶出するpH領域である。よって、シリカ分散液を素早く投入することで、シリカ粒子の分散安定領域であるpH8〜12にすばやくシフトできる。
【0041】
以上のように、第2の工程では、塩基性物質水溶液に、シリカ分散液を投入することで、混合時の凝集物発生を抑制することができる。
【0042】
第1および第2の工程を経て得られたシリカスラリは、凝集物が少なく、粘度が低いので、フィルタによって効果的に凝集物を除去することができる。
【0043】
ステップ3−1では、濾過精度が1〜4μmのフィルタを用いて濾過を行う。これにより、流速2〜10l/minで処理することが可能で、十分な処理流量を保持しつつ、粗大粒子を除去することができる。
【0044】
以下では、冷却条件についての検討結果について詳細に説明する。
なお、ステップ1−1からステップ1−3までの工程において冷却を行った。
【0045】
図2は、冷却媒体の温度を変化させたときの、分散液温度の経時変化を示すグラフである。縦軸は分散液温度を示し、横軸は時間を示す。曲線11は冷却媒体の温度が5℃の場合を示し、曲線12は冷却媒体の温度が10℃の場合を示し、曲線13は冷却媒体の温度が20℃の場合を示し、曲線14は冷却しない場合を示している。
【0046】
冷却媒体の温度が5℃の場合、分散液の温度は時間の経過に応じて下降し、約10℃となった。冷却媒体の温度が10℃の場合、分散液の温度は時間の経過に応じて下降し、約15℃となった。冷却媒体の温度が20℃の場合、分散液の温度は時間の経過に応じて下降し、約25℃となった。冷却しない場合、分散液の温度は、約50℃となった。このように、冷却することによって大幅に分散液の温度を下げることができる。
【0047】
図3は、シリカスラリの粒度分布に対する冷却媒体の温度の影響を示すグラフである。縦軸は頻度を示し、横軸は粒子径を示す。曲線21は冷却媒体の温度が5℃の場合を示し、曲線22は冷却媒体の温度が10℃の場合を示し、曲線23は冷却媒体の温度が20℃の場合を示し、曲線24は冷却しない場合を示している。
【0048】
分散液を冷却しない場合は、粒度分布が右側、すなわち粒子径の大きい側へシフトしており、シリカスラリ内に存在するシリカ粒子の粒子径が大きいことを示している。
【0049】
図4は、シリカスラリの粗大粒子数に対する冷却媒体の温度の影響を示すグラフである。縦軸は粒子数を示し、横軸は粒子径を示す。曲線31は冷却媒体の温度が5℃の場合を示し、曲線32は冷却媒体の温度が10℃の場合を示し、曲線33は冷却媒体の温度が20℃の場合を示し、曲線34は冷却しない場合を示している。
【0050】
粒子径が0.5μm以上または1μm以上の粗大粒子数は、分散液を冷却することによって、冷却しない場合に比べて、大幅に減少している。
【0051】
また、図5には、分散時に冷却したシリカスラリ、冷却していないシリカスラリおよび標準的なシリカスラリについて物性の比較を示す。固形分濃度およびpHはいずれのシリカスラリもほぼ同じとなっている。粘度は、標準的なシリカスラリが6.6cPであるのに対して、3.76cP〜3.93cPと大幅に低下している。メジアン粒子径は、標準的なシリカスラリが125nmであるのに対し、113nm〜116nmと小さくなっている。
【0052】
粒子径>0.5μmの粗大粒子数は、標準的なシリカスラリに比べて大幅に減少した。粒子径>1μmの粗大粒子数は、冷却しない場合、標準的なシリカスラリより増加し、冷却媒体(水)の温度が20℃の場合、標準的なシリカスラリとほぼ同様、冷却水の温度が10℃および5℃の場合、標準的なシリカスラリより大幅に減少した。
【0053】
以上より、冷却媒体の温度は5℃以上20℃以下、特に5℃以上10℃以下が望ましいことがわかった。
【0054】
上記の実施形態では、シリカ粒子を分散させるために剪断力を加える工程(1−1〜1−3)全てにおいて冷却を行う方法について説明したが、いずれか1つの工程でのみ冷却を行うようにしても凝集抑制の効果を得ることができる。特に、シリカ濃度が高く、凝集を生じやすいステップ1−1の工程で冷却を行うと最も効果が高い。また、複数の工程で冷却を行う場合、冷却媒体温度は各工程で同じでもよいし、異なるようにしてもよい。凝集の生じやすさは、シリカ濃度に依存するので、シリカ濃度に応じて冷却濃度を変化させてもよい。シリカ濃度が高い工程では、低温(たとえば5℃)の冷却媒体を使用し、シリカ濃度がある程度低い工程では高温(たとえば20℃)の冷却媒体を使用する。
【0055】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、剪断力を加えるような工程において、分散液の冷却を行うので、分散安定性に優れ、凝集粒子の少ない研磨用組成物が得られる。
【0056】
また本発明によれば、第2工程で得られた研磨用組成物は凝集物の発生が少ないため、濾過処理によって効率良く凝集物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態であるフローチャートである。
【図2】冷却媒体の温度を変化させたときの、分散液温度の経時変化を示すグラフである。
【図3】シリカスラリの粒度分布に対する冷却媒体の温度の影響を示すグラフである。
【図4】シリカスラリの粗大粒子数に対する冷却媒体の温度の影響を示すグラフである。
【図5】分散時に冷却したシリカスラリ、冷却していないシリカスラリおよび標準的なシリカスラリについて物性の比較を示す。
【符号の説明】
11,12,13,14,21,22,23,24,31,32,33,34
曲線
Claims (3)
- 剪断力を加えることにより酸性のヒュームドシリカ分散液を調製する第1工程と、
前記ヒュームドシリカ分散液との混合終了後に得られる研磨用組成物が、所定のpHおよびシリカ濃度となるように調製した塩基性物質水溶液に対して、前記ヒュームドシリカ分散液を添加して混合する第2工程とを有し、
前記第1工程では、5℃以上20℃以下の冷却媒体を用いてヒュームドシリカ分散液を冷却することを特徴とする研磨用組成物の製造方法。 - 前記第1工程は、
pHを1.0〜2.7に調製した水中に、初期シリカ濃度が46〜54重量%になるようにヒュームドシリカを投入し、高剪断力を与えてヒュームドシリカ分散液を調製する工程と、
シリカ濃度が45〜53重量%になるように、前記ヒュームドシリカ分散液に水を添加する工程と、
シリカ濃度が33〜44重量%になるように、前記ヒュームドシリカ分散液にさらに水を添加する工程とを有し、
これらの工程のうち、少なくとも1つの工程でヒュームドシリカ分散液を冷却することを特徴とする請求項1記載の研磨用組成物の製造方法。 - 前記第2工程で得られた研磨用組成物に対して、濾過精度が1〜4μmのフィルタを用いて濾過処理を行う第3工程をさらに有することを特徴とする請求項1または2記載の研磨用組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003173442A JP4409863B2 (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 研磨用組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003173442A JP4409863B2 (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 研磨用組成物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005011942A JP2005011942A (ja) | 2005-01-13 |
JP4409863B2 true JP4409863B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=34097258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003173442A Expired - Lifetime JP4409863B2 (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 研磨用組成物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4409863B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112341939A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-09 | 云南光电辅料有限公司 | 一种提高抛光粉切削力的方法 |
-
2003
- 2003-06-18 JP JP2003173442A patent/JP4409863B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005011942A (ja) | 2005-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2365042B1 (en) | Polishing composition and polishing method using the same | |
US20060030243A1 (en) | Polishing composition | |
WO2012005142A1 (ja) | 研磨剤および研磨方法 | |
JP5493956B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2001026771A (ja) | 研磨用組成物の製造方法 | |
KR20110102218A (ko) | 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법 | |
JP5516594B2 (ja) | Cmp研磨液、並びに、これを用いた研磨方法及び半導体基板の製造方法 | |
JP4927342B2 (ja) | 半導体薄膜研磨用酸化セリウムスラリー | |
JP2002246341A (ja) | シリカ膜の化学機械研磨用の研磨スラリー | |
WO2016067923A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
JP5598607B2 (ja) | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 | |
JP4409863B2 (ja) | 研磨用組成物の製造方法 | |
TWI785235B (zh) | 合成石英玻璃基板用之研磨劑及其製造方法,以及合成石英玻璃基板之研磨方法 | |
JP2001200243A (ja) | 研摩材及びその製造方法、ならびにそれを使用した研摩方法 | |
JP5842250B2 (ja) | 研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4426192B2 (ja) | 研磨用組成物の製造方法 | |
JP4455833B2 (ja) | ウエーハの研磨方法 | |
JP2004200268A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP5803601B2 (ja) | 研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置 | |
CN113478404B (zh) | 一种大尺寸绿色柔性抛光垫及其制备方法与应用 | |
JP7074644B2 (ja) | 合成石英ガラス基板の研磨用研磨粒子の製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 | |
KR100679460B1 (ko) | 세리아-판상마이카 복합연마재 및 그 제조방법 | |
JP2003017447A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
KR20150067784A (ko) | Cmp용 금속산화물 슬러리 및 이의 제조방법 | |
JP2003257903A (ja) | 研磨剤の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081202 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20090430 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20090525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091020 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4409863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131120 Year of fee payment: 4 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |