JP4409237B2 - 酸素同位体の濃縮方法 - Google Patents

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本発明は、酸素同位体の濃縮方法に関し、詳しくは、光による過酸化物の解離(分解)反応を利用して存在比が極めて小さな酸素の安定同位体である17Oや18Oを選択的に濃縮する方法酸素同位体の濃縮方法に関する。
化学や医学の分野で、トレーサーとして利用されている酸素同位体の17Oや18Oは、自然界における存在比が極めて小さいため、使用に際しては、これらを分離濃縮する必要がある。18Oの濃縮法として、飽和鎖式エーテルにレーザー光を照射して18Oを含むものを選択的に光分解させることにより、18Oを含む生成物を得る方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。この他にも、ホルムアルデヒドや一酸化炭素にレーザー光を照射して18Oを選択的に濃縮する方法がある。
特公平6−102134号公報
しかし、従来の方法では、濃縮率が低かったり、反応に寄与する光の利用効率が低かったり、レーザー光の発振エネルギー効率が低かったりするため、工業的に確立されたものではなかった。一方、蒸留操作によって酸素同位体を濃縮することも提案されているが、濃縮度を高めるためには、装置が大型化したり、その起動時間が極めて長時間となる問題がある。
そこで本発明は、酸素の安定同位体である17Oや18Oを水をはじめとする簡単な分子構造の物質中に濃縮することができ、しかも、簡便な装置構成で実施することが可能な酸素同位体の濃縮方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明の酸素同位体の濃縮方法は、過酸化物を含むガスに半導体レーザー光を照射し、分子中に特定の酸素同位体を含む過酸化物を選択的に解離し、解離反応生成物中に前記酸素同位体を濃縮することを特徴としている。
特に、本発明の酸素同位体の濃縮方法は、前記半導体レーザー光が、InGaAsP系半導体レーザー、AlGaInP系半導体レーザー、GaAsSb系半導体レーザー、CdZnTe系半導体レーザー、CdZnSe系半導体レーザー、AlGaN系半導体レーザー、InGaN系半導体レーザーのいずれか少なくとも一つであることを特徴としている。
また、前記過酸化物は、HOOH、(CHCOOH等のヒドロ過酸化物、CHOOCH、COOC、(CHOO(CH等の過酸化(ジ)アルキル、HCOOOH、CHOOOH等の過酸を含む過カルボン酸、CHOOOCOCH
Figure 0004409237
等の過酸化(ジ)アシル、CHOOOC(CH、(CHCHCOOOC(CH、(CHC−COOOC(CH等の過酸エステル、(CHCOOCOOCH(CH等の過炭酸エステル、
Figure 0004409237
等の過ジ炭酸エステル、i−PrO−COOOCOO−i−Pr(i−Pr:イソプロピル基)等のジ過炭酸エステル、過シュウ酸エステル、環状過酸化物、
Figure 0004409237
のようなオゾニド、エンド過酸化物のいずれか少なくとも一種の有機過酸化物、あるいは、亜硝酸メチル、亜硝酸エチル等の亜硝酸エステル、硝酸メチル、硝酸エチル等の硝酸エステルのいずれか少なくとも一種であることを特徴としている。
さらに、前記過酸化物が、四塩化炭素、アセトン、酢酸、ヘキサン、トルエン、フロン類のいずれか少なくとも一種の溶媒、あるいは、二重結合を有する有機物で希釈されていることを特徴とし、加えて、前記解離が前期解離であることを特徴としている。
また、より具体的な方法として、分子中のO−H結合、O−O結合、C−O結合あるいはC=O結合の酸素原子が17Oあるいは18Oである過酸化物を溶媒で希釈して精製する工程と、精製後の過酸化物含有物を減圧して蒸気化し、光反応セルに導入する工程と、該光反応セルに半導体レーザーからの光であって、レーザー波長が前記過酸化物を解離させるのに必要なエネルギーを有し、かつ、前記O−H結合、O−O結合、C−O結合あるいはC=O結合の内の一つの吸収スペクトルに一致させた波長のレーザー光を照射して前記過酸化物を選択的に解離する工程と、前記光反応セルから導出した蒸気を低温に冷却した金属表面に凝縮又は凝固させて回収する工程と、前記凝縮又は凝固して回収した物質を分離精製することによって前記17Oあるいは18Oを含む解離生成物を採取する工程とを含むことを特徴としている。
本発明の酸素同位体の濃縮方法によれば、酸素の安定同位体である17Oや18Oを効率よく簡便に濃縮することができる。
まず、本発明で原料として用いる過酸化物は、分子中に「O−O」結合を有する物質であって、表1に示す化学式で表される各種有機過酸化物、あるいは、ONOCH等の亜硝酸エステル、ONOCH等の硝酸エステルである。なお、表1において、R,R’は、それぞれ水素又はアルキル基を示しており、RとR’とは同一であっても、異なるものであってもよい。
Figure 0004409237
前記各種過酸化物の結合解離エネルギーとして、例えば、化学便覧(改訂2版、基礎編II、日本化学会、昭和50年6月20日発行、第978頁)には、表2に示すものが記載されている。なお、表2において、結合解離エネルギーの値は、ハイフン「−」部の結合における値である。
Figure 0004409237
表2の物質の結合解離エネルギーを、1J/mol=0.083593462cm−1の関係に基づいて光の波数、波長に換算すると表3に示す値となる。
Figure 0004409237
この表3から、可視光乃至近赤外光における吸収により、これらの過酸化物を前期解離できることがわかる。これにより、InGaAsP系、AlGaInP系、GaAsSb系、CdZnTe系、CdZnSe系、AlGaN系、InGaN系等の可視乃至近赤外の波長を照射する半導体レーザーを光源として利用できることがわかる。
また、−COO−O−結合に着目すると、この結合の解離に必要な波長が0.9〜1.0μmであることがわかる。特に、分子内に−COO−O−結合をもつ過酸(peracids)や過酸エステル(peresters)は、原料及び反応生成物等の毒性が低いなどの理由から、本発明で使用するものとして好適であり、特に過酢酸(acetic peracid CHCOOOH)が最適である。これらは、分子内に−COO−O−結合をもつため、光吸収スペクトルとして、C=O結合の振動モードがあり、C=17OあるいはC=18Oの振動モードにレーザー波長を一致させることによって分解することができる。また、過酢酸は、C=O結合の振動モードの他にO−H結合の振動モードもあり、17O−Hあるいは18O−Hの振動モードにレーザー波長を一致させることにより、これらを選択的に分解することができる。
過酸化物として、17O−Hを含むヒドロ過酸化物(ROOH)を用いた場合の光分解反応は、以下の反応式(1a)〜(1d)のようになる。なお、各反応式中「・(黒丸)」はラジカルを表している。また、以下の説明は、酸素同位体として17Oを例示しているが、18Oも同様である。
Figure 0004409237
このような反応において、反応式(1b)〜(1d)では、ラジカル「RO・」及び「ROO・」を多く生成するため、過酸化物を溶解可能な溶媒、例えば四塩化炭素、アセトン、酢酸、ヘキサン、トルエン、フロン類のいずれか少なくとも一種の溶媒で希釈し、反応を抑えることが好ましい。
また、17OR’を含む過酸化ジアルキルの場合の光分解反応は、以下の反応式(2)となる。
Figure 0004409237
さらに、17O−Hを含む過カルボン酸の場合の光分解反応は、以下の反応式(3a)、(3b)となる。
Figure 0004409237
反応式(3b)で示す反応は発熱反応であり、反応確率が高いと考えられる。また、過酸、過カルボン酸は、高濃度では熱により分解しやすく、場合によっては爆発的に自己分解するため、通常は、ラジカル反応を抑制するため、前述のような溶媒で希釈することが望ましい。
図1は本発明の酸素同位体の濃縮方法を実施する装置構成の一例を示す系統図である。この酸素同位体の濃縮装置は、過酸化物を溶媒で希釈した原料蒸気を精製して不純物を除去する精製器11と、精製後の原料蒸気に特定の波長のレーザー光を照射する光反応セル12と、該光反応セル12での光分解反応を終えた蒸気を低温に冷却した金属表面に凝縮又は凝固させて捕集するコールドトラップ13と、前記光反応セル12内を低圧状態、例えば13kPa以下の圧力に減圧するための真空ポンプ14と、前記コールドトラップ13に捕集した各種成分を分離するための蒸留器15とを備えている。
まず、原料となる過酸化物は、溶媒によって適度な濃度に希釈され、蒸気となった状態で経路21から精製器11に導入される。この精製器11で、不純物、例えば水分等が除去された原料蒸気は、経路22を通って光反応セル12に導入される。過酸化物は、この光反応セル12で特定の波長のレーザー光hνが照射されることにより、分子中の特定の結合、例えば、17O−Hを含むヒドロ過酸化物(ROOH)におけるRO−OHの結合が前記反応式(1a)のように解離し、これに伴って反応式(1b)〜(1d)の反応も進行する。この反応では、17Oは水の分子中に濃縮されることになる。
17Oを濃縮した水の分子を含む蒸気は、光反応セル12から経路23を通ってコールドトラップ13に導入される。このコールドトラップ13は、チラーユニット等によって金属面が前記水の分子を捕集可能な温度、例えば−20〜−5℃に冷却されており、この温度で凝縮又は凝固する前記蒸気中の各成分が金属面に捕集されることになり、凝縮又は凝固しない酸素等のガスは、このコールドトラップ13を通過し、経路24を通って真空ポンプ14から排気される。なお、この段階では、コールドトラップ13と蒸留器15との間の経路25は、弁等によって閉止されている。
適当量の原料蒸気を流通させた後、真空ポンプ14を停止するとともに、コールドトラップ前後の経路23,24を弁等で閉止し、経路25の弁等を開放した後、コールドトラップ13に、経路26から大気圧で常温の窒素ガス等を導入し、コールドトラップ13内を大気圧に戻すとともに常温に昇温し、金属面に捕集されている各成分を気化させて経路25から蒸留器15に導入する。蒸留器15では、導入された組成に応じた蒸留操作を行い、17Oを濃縮した水を他の成分から分離し、一方の経路27から製品となる水を取り出すとともに、他方の経路から不要成分を排出する。これにより、17Oを濃縮した水を製品として採取することができる。
水以外の分子に17Oや18Oが濃縮されている場合でも、コールドトラップ13の温度や蒸留器15の操作条件を適切に設定することにより、所望の物質を製品として容易に取り出すことができる。また、分離精製する方法は、組成に応じて適当な分離精製手段を採用することが可能であり、ガスクロマトグラフィのようなものも使用可能である。
より具体的に、17Oを含む過酸化物としてヒドロ過酸化物ROOHの一種である(CHCOOH(tertial-butyl hydroperoxide)を使用し、分子中の(CHCO−17OHの結合を解離して17Oを水の分子中に濃縮する場合、照射するレーザーの波長は、前述の表3から0.731μm以下となる。この波長域は、InGaAsP系半導体レーザーが使用可能な波長範囲であるから、17OHを解離できる波長に精確に一致させることにより、前述の反応式(1a)で示した光分解反応によって17OHを含む特定の(CHCOOHを解離させることができる。
また、過酸化ジアルキルROOR’の一種で、R,R’が共にエチル基であるCOOC(di-ethyl peroxide)の場合は、0.905μmより短い波長のレーザー光を、例えばInGaAsP系あるいはInGaAs系半導体レーザーを使用し、O−17O結合、あるいは、C−17O結合の振動モードに一致させた波長の光を照射することにより、酸素同位体17Oを含むCOOCを特定して反応式(2−1a)に示したように解離させることができる。ここで生成したラジカルは、以下の反応式(2−1b)〜(2−1d)に示す反応素過程を経てCOHとCHCHOとを生成し、17OはCOH中に濃縮する。反応式(2−1b)〜(2−1d)におけるCO・は、17Oを含むラジカルも含まれている。
Figure 0004409237
過酸化ジアルキルのR,R’が共にメチル基であるCHOOCH(di-methyl peroxide)の場合は、以下の反応式(2−2a)〜(2−2c)により、17OをCHOH中に濃縮させることができる。
Figure 0004409237
さらに、過酸化ジアルキルのR,R’が共にt−ブチル基である(CHCOOC(CH(dtBP:di-tertial butyl peroxide)の場合は、InGaAsP系半導体レーザーの波長範囲である0.772μmより短い波長において、O−17O結合あるいはC−17O結合の振動モードに精確に一致させた波長を用いることにより、反応式(2−3a)に示すように、酸素同位体17Oを含むdtBPを特定して解離させることができる。
Figure 0004409237
ここで、途中の反応を無視して全反応を記述すると、以下の反応式(2−3b−1)、(2−3b−2−1)、(2−3b−2−2)となり、17Oはアセトン中に濃縮する。ここで、生成物の割合は(2−3b−1)が約90%である。
Figure 0004409237
また、過酸化エチルt−アミルの気相光分解で生じるt−アミロキシラジカルは、次の反応式(2−4a)、(2−4b)のように2通りに解離する。ここで生成するメチルラジカルCH・、エチルラジカルC・は、ラジカル同士で結合して安定化する。したがって、17Oは、アセトンあるいはメチルエチルケトン中に濃縮する。
Figure 0004409237
次に、過カルボン酸(過酸を含む)RCOOOHで、Rがメチル基の過酢酸の場合は、AlGaInP系半導体レーザーが使用できる波長範囲である0.545〜0.660μmの可視光線域において、17O−H結合の振動モードに精確に一致させた波長を用いることにより、前記反応式(3a)に示した反応により、酸素同位体17Oを含む過酢酸を選択的に解離させることができる。
ここで、トルエンを溶媒として用いたときの反応について全反応を記述すると、次の反応式(3c)式となり、酸素同位体17Oは水の分子中に濃縮する。但し、H 17Oは、溶媒との素反応により生成するが、反応式(3c)では、溶媒に関連する生成物は無視している。
Figure 0004409237
上記反応式(3c)中、y、y、y、yは、それぞれ約0.5、約0.4、約0.1、約0.05であり、y5、は微小量である。また、前記トルエンの他にも、エチレン等の2重結合を持つ物質は、ラジカルの捕捉物質として用いることができる。
本発明方法で濃縮した酸素同位体の17Oや18Oは、化学や医学の分野でトレーサーとして利用できる。
本発明の酸素同位体の濃縮方法を実施する装置構成の一例を示す系統図である。
符号の説明
11…精製器、12…光反応セル、13…コールドトラップ、14…真空ポンプ、15…蒸留器

Claims (6)

  1. ヒドロ過酸化物、過酸化(ジ)アルキル、過酸を含む過カルボン酸、過酸化(ジ)アシル、過酸エステル、過炭酸エステル、過ジ炭酸エステル、ジ過炭酸エステル、過シュウ酸エステル、環状過酸化物、オゾニド、エンド過酸化物、亜硝酸エステル、硝酸エステルのいずれか少なくとも一種の過酸化物を含むガスに半導体レーザー光を照射し、分子中に特定の酸素同位体を含む過酸化物を選択的に解離し、解離反応生成物中に前記酸素同位体を濃縮することを特徴とする酸素同位体の濃縮方法。
  2. 前記半導体レーザー光は、InGaAsP系半導体レーザー、AlGaInP系半導体レーザー、GaAsSb系半導体レーザー、CdZnTe系半導体レーザー、CdZnSe系半導体レーザー、AlGaN系半導体レーザー、InGaN系半導体レーザーのいずれか少なくとも一つであることを特徴とする請求項1記載の酸素同位体の濃縮方法。
  3. 前記過酸化物は、四塩化炭素、アセトン、酢酸、ヘキサン、トルエン、フロン類のいずれか少なくとも一種の溶媒で希釈されていることを特徴とする請求項1記載の酸素同位体の濃縮方法。
  4. 前記過酸化物は、二重結合を有する有機物で希釈されていることを特徴とする請求項1記載の酸素同位体の濃縮方法。
  5. 前記解離は、前期解離であることを特徴とする請求項1記載の酸素同位体の濃縮方法。
  6. 分子中のO−H結合、O−O結合、C−O結合あるいはC=O結合の酸素原子が17Oあるいは18Oである過酸化物を溶媒で希釈して精製する工程と、精製後の過酸化物含有物を減圧して蒸気化し、光反応セルに導入する工程と、該光反応セルに半導体レーザーからの光であって、レーザー波長が前記過酸化物を解離させるのに必要なエネルギーを有し、かつ、前記O−H結合、O−O結合、C−O結合あるいはC=O結合の内の一つの吸収スペクトルに一致させた波長のレーザー光を照射して前記過酸化物を選択的に解離する工程と、前記光反応セルから導出した蒸気を低温に冷却した金属表面に凝縮又は凝固させて回収する工程と、前記凝縮又は凝固して回収した物質を分離精製することによって前記17Oあるいは18Oを含む解離生成物を採取する工程とを含むことを特徴とする請求項1記載の酸素同位体の濃縮方法。
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