JP4403827B2 - 周波数変換回路、icおよび受信機 - Google Patents
周波数変換回路、icおよび受信機 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4403827B2 JP4403827B2 JP2004049011A JP2004049011A JP4403827B2 JP 4403827 B2 JP4403827 B2 JP 4403827B2 JP 2004049011 A JP2004049011 A JP 2004049011A JP 2004049011 A JP2004049011 A JP 2004049011A JP 4403827 B2 JP4403827 B2 JP 4403827B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pair
- fets
- mos
- resistors
- operational amplifiers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
第1〜第4のMOS−FETがそれらのドレイン・ソース間によりブリッジ接続されて構成されたスイッチング回路と、
1対の平衡な受信信号を、上記スイッチング回路の入力端の一方となる上記第1および第2のMOS−FETの接続点と、上記入力端の他方となる上記第3および第4のMOS−FETの接続点とにそれぞれ供給する第1の1対の抵抗器と、
上記スイッチング回路の出力端の一方となる上記第1および第3のMOS−FETの接続点と、上記出力端の他方となる上記第2および第4のMOS−FETの接続点とにそれぞれ接続されてスパイク電流をバイパスする1対のコンデンサと、
1対のローパスフィルタと、
バイアス電源と
を有し、
上記1対のローパスフィルタは、
1対のオペアンプと、
この1対のオペアンプのそれぞれに直流負帰還をかける第2の1対の抵抗器と
を有して構成されるとともに、
上記1対のコンデンサを含むことによりアクティブフィルタに構成され、
上記第1および第3のMOS−FETの接続点と、上記第2および第4のMOS−FETの接続点とが、上記1対のオペアンプの入力端にそれぞれ接続され、
上記バイアス電源の出力電圧が、上記第1の1対の抵抗器を流れる上記1対の受信信号にそのバイアス電圧として供給されるとともに、
上記1対のオペアンプに基準電圧として供給され、
所定の周波数の1対の平衡な矩形波状の局部発振信号が、上記第1および第4のMOS−FETのゲートと、上記第2および第3のMOS−FETのゲートとにドライブ電圧として供給されて上記スイッチング回路において上記1対の平衡な受信信号がスイッチングされ、
このスイッチングにより上記1対のローパスフィルタから上記1対の平衡な受信信号の周波数変換出力が平衡に取り出される
ようにした周波数変換回路
とするものである。
FET :Field Effect Transistor
GB積 :Gain Bandwidth product
MOS−FET:Metal Oxide Semiconductor type FET
オペアンプ :Operational Amplifier
Claims (8)
- 第1〜第4のMOS−FETがそれらのドレイン・ソース間によりブリッジ接続されて構成されたスイッチング回路と、
1対の平衡な受信信号を、上記スイッチング回路の入力端の一方となる上記第1および第2のMOS−FETの接続点と、上記入力端の他方となる上記第3および第4のMOS−FETの接続点とにそれぞれ供給する第1の1対の抵抗器と、
上記スイッチング回路の出力端の一方となる上記第1および第3のMOS−FETの接続点と、上記出力端の他方となる上記第2および第4のMOS−FETの接続点とにそれぞれ接続されてスパイク電流をバイパスする1対のコンデンサと、
1対のローパスフィルタと、
バイアス電源と
を有し、
上記1対のローパスフィルタは、
1対のオペアンプと、
この1対のオペアンプのそれぞれに直流負帰還をかける第2の1対の抵抗器と
を有して構成されるとともに、
上記1対のコンデンサを含むことによりアクティブフィルタに構成され、
上記第1および第3のMOS−FETの接続点と、上記第2および第4のMOS−FETの接続点とが、上記1対のオペアンプの入力端にそれぞれ接続され、
上記バイアス電源の出力電圧が、上記第1の1対の抵抗器を流れる上記1対の受信信号にそのバイアス電圧として供給されるとともに、
上記1対のオペアンプに基準電圧として供給され、
所定の周波数の1対の平衡な矩形波状の局部発振信号が、上記第1および第4のMOS−FETのゲートと、上記第2および第3のMOS−FETのゲートとにドライブ電圧として供給されて上記スイッチング回路において上記1対の平衡な受信信号がスイッチングされ、
このスイッチングにより上記1対のローパスフィルタから上記1対の平衡な受信信号の周波数変換出力が平衡に取り出される
ようにした周波数変換回路。 - 第1〜第4のMOS−FETがそれらのドレイン・ソース間によりブリッジ接続されて構成されたブリッジ接続回路と、
1対の平衡な受信信号を、上記第1および第2のMOS−FETの接続点と、上記第3および第4のMOS−FETの接続点とにそれぞれ供給する第1の1対の抵抗器と、
上記第1および第3のMOS−FETの接続点と、上記第2および第4のMOS−FETの接続点とにそれぞれ接続されてスパイク電流をバイパスする第1の1対のコンデンサと、
1対のローパスフィルタと、
バイアス電源と
を有し、
上記1対のローパスフィルタは、
1対のオペアンプを有し、
上記第1および第3のMOS−FETの接続点と、上記第2および第4のMOS−FETの接続点とが、第2の1対の抵抗器を通じて上記1対のオペアンプの反転入力端にそれぞれ接続され、
上記1対のオペアンプの出力端が、第2の1対のコンデンサを通じて上記オペアンプの上記反転入力端に接続されるとともに、
第3の1対の抵抗器を通じて上記第2の1対の抵抗器の入力側に接続され、
上記1対のオペアンプ、上記第1の1対のコンデンサ、上記第2の1対のコンデンサ、上記第2の1対の抵抗器、および上記第3の1対の抵抗器により、上記1対のローパスフィルタはアクティブタイプの2次のローパスフィルタに構成され、
上記バイアス電源の出力電圧が、上記第1の1対の抵抗器を流れる上記1対の受信信号にそのバイアス電圧として供給されるとともに、
上記1対のオペアンプの非反転入力端に基準電圧として供給され、
所定の周波数の1対の平衡な矩形波状の局部発振信号が、上記第1および第4のMOS−FETのゲートと、上記第2および第3のMOS−FETのゲートとにドライブ電圧として供給されて上記ブリッジ接続回路において上記1対の平衡な受信信号がスイッチングされ、
このスイッチングにより上記1対のローパスフィルタから上記1対の平衡な受信信号の周波数変換出力が平衡に取り出される
ようにした周波数変換回路。 - 請求項1あるいは請求項2に記載の周波数変換回路において、
上記第1の1対の抵抗器の値を上記第1〜第4のMOS−FETのオン抵抗の2倍以上とする
ようにした周波数変換回路。 - 請求項1、請求項2あるいは請求項3に記載の周波数変換回路において、
上記第1〜第4のMOS−FETがNチャンネルであり、
上記第1〜第4のMOS−FETのゲートに供給される1対の平衡な局部発振信号が、電源電圧を基準として変化するとともに、
上記電源電圧と、上記第1〜第4のMOS−FETのゲートカットオフ電圧よりも低い値との間で変化する矩形波電圧である
ようにした周波数変換回路。 - 請求項1、請求項2あるいは請求項3に記載の周波数変換回路において、
上記第1〜第4のMOS−FETがPチャンネルであり、
上記第1〜第4のMOS−FETのゲートに供給される1対の平衡な局部発振信号が、接地電圧を基準として変化するとともに、
電源電圧と、上記第1〜第4のMOS−FETのゲートカットオフ電圧よりも高い値との間で変化する矩形波電圧である
ようにした周波数変換回路。 - 請求項1、請求項2、請求項3、請求項4あるいは請求項5に記載の周波数変換回路において、
上記第1〜第4のMOS−FETの基板ゲートを、その出力側の電極に接続する
ようにした周波数変換回路。 - 4つのMOS−FETのドレイン・ソース間がブリッジ接続されて構成されたブリッジ接続回路と、
1対の平衡な受信信号を、上記ブリッジ接続の一方の対向する1対の接続点に供給する第1の1対の抵抗器と、
上記ブリッジ接続の他方の対向する1対の接続点と接地との間に接続されてスパイク電流をバイパスする第1の1対のコンデンサと、
1対のローパスフィルタと、
バイアス電源と
が同一の半導体チップに形成されるとともに、
上記1対のローパスフィルタは、
1対のオペアンプと、
上記第1および第3のMOS−FETの接続点と、上記第2および第4のMOS−FETの接続点と、上記1対のオペアンプの反転入力端との間に接続された第2の1対の抵抗器と、
上記1対のオペアンプの出力端と、その反転入力端との間に接続されたに第2の1対のコンデンサと、
上記1対のオペアンプの出力端と、上記第2の1対の抵抗器の入力側との間に接続された第3の1対の抵抗器と
が上記同一の半導体チップに形成されるとともに、
上記1対のオペアンプ、上記第1の1対のコンデンサ、上記第2の1対のコンデンサ、上記第2の1対の抵抗器、および上記第3の1対の抵抗器により、上記1対のローパスフィルタはアクティブタイプの2次のローパスフィルタに構成され、
上記バイアス電源の出力電圧が、上記第1の1対の抵抗器を通じる上記1対の受信信号にそのバイアス電圧として供給されるとともに、
上記1対のオペアンプの非反転入力端に基準電圧として供給され、
所定の周波数の1対の平衡な矩形波状の局部発振信号が、上記第1および第4のMOS−FETのゲートと、上記第2および第3のMOS−FETのゲートとにドライブ電圧として供給されて上記ブリッジ接続回路において上記1対の平衡な受信信号がスイッチングされ、
このスイッチングにより上記1対のローパスフィルタから上記1対の平衡な受信信号の周波数変換出力が平衡に取り出される
ようにした周波数変換回路を有するIC。 - 少なくとも周波数変換回路が1チップICにIC化されたスーパーヘテロダイン方式の受信機であって、
上記1チップICは、
4つのMOS−FETのドレイン・ソース間がブリッジ接続されて構成されたブリッジ接続回路と、
1対の平衡な受信信号を、上記ブリッジ接続の一方の対向する1対の接続点に供給する第1の1対の抵抗器と、
上記ブリッジ接続の他方の対向する1対の接続点と接地との間に接続されてスパイク電流をバイパスする第1の1対のコンデンサと、
1対のローパスフィルタと、
バイアス電源と
が同一の半導体チップに形成されるとともに、
上記1対のローパスフィルタは、
1対のオペアンプと、
上記第1および第3のMOS−FETの接続点と、上記第2および第4のMOS−FETの接続点と、上記1対のオペアンプの反転入力端との間に接続された第2の1対の抵抗器と、
上記1対のオペアンプの出力端と、その反転入力端との間に接続されたに第2の1対のコンデンサと、
上記1対のオペアンプの出力端と、上記第2の1対の抵抗器の入力側との間に接続された第3の1対の抵抗器と
が上記同一の半導体チップに形成されるとともに、
上記1対のオペアンプ、上記第1の1対のコンデンサ、上記第2の1対のコンデンサ、上記第2の1対の抵抗器、および上記第3の1対の抵抗器により、上記1対のローパスフィルタはアクティブタイプの2次のローパスフィルタに構成され、
上記バイアス電源の出力電圧が、上記第1の1対の抵抗器を通じる上記1対の受信信号にそのバイアス電圧として供給されるとともに、
上記1対のオペアンプの非反転入力端に基準電圧として供給され、
所定の周波数の1対の平衡な矩形波状の局部発振信号が、上記第1および第4のMOS−FETのゲートと、上記第2および第3のMOS−FETのゲートとにドライブ電圧として供給されて上記ブリッジ接続回路において上記1対の平衡な受信信号がスイッチングされ、
このスイッチングにより上記1対のローパスフィルタから上記1対の平衡な受信信号の周波数変換出力が平衡に取り出される
ようにした受信機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004049011A JP4403827B2 (ja) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | 周波数変換回路、icおよび受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004049011A JP4403827B2 (ja) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | 周波数変換回路、icおよび受信機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005244397A JP2005244397A (ja) | 2005-09-08 |
JP4403827B2 true JP4403827B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=35025694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004049011A Expired - Fee Related JP4403827B2 (ja) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | 周波数変換回路、icおよび受信機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4403827B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7826816B2 (en) * | 2006-07-11 | 2010-11-02 | Qualcomm Incorporated | Systems, methods, and apparatus for frequency conversion |
JP2008236135A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Toshiba Corp | 周波数コンバータ |
US8929840B2 (en) | 2007-09-14 | 2015-01-06 | Qualcomm Incorporated | Local oscillator buffer and mixer having adjustable size |
US8599938B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-12-03 | Qualcomm Incorporated | Linear and polar dual mode transmitter circuit |
US7865164B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and methods for downconverting radio frequency signals |
US7899426B2 (en) * | 2007-10-30 | 2011-03-01 | Qualcomm Incorporated | Degenerated passive mixer in saw-less receiver |
US8072255B2 (en) * | 2008-01-07 | 2011-12-06 | Qualcomm Incorporated | Quadrature radio frequency mixer with low noise and low conversion loss |
US8639205B2 (en) | 2008-03-20 | 2014-01-28 | Qualcomm Incorporated | Reduced power-consumption receivers |
US8331897B2 (en) * | 2008-04-07 | 2012-12-11 | Qualcomm Incorporated | Highly linear embedded filtering passive mixer |
US8351978B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-01-08 | Aleksandar Tasic | Systems and methods for adjusting the gain of a receiver through a gain tuning network |
US8929848B2 (en) * | 2008-12-31 | 2015-01-06 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | Interference-robust receiver for a wireless communication system |
JP5053312B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2012-10-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ミキサ回路 |
US8112059B2 (en) * | 2009-09-16 | 2012-02-07 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | Mixer circuit, integrated circuit device and radio frequency communication unit |
JP5720106B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-05-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | ミキサ回路及びミキサ回路のコモン電圧調整方法 |
US8831551B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Mediatek Inc. | Receiver |
WO2015001924A1 (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | シャープ株式会社 | 周波数変換器 |
-
2004
- 2004-02-25 JP JP2004049011A patent/JP4403827B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005244397A (ja) | 2005-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4403827B2 (ja) | 周波数変換回路、icおよび受信機 | |
US7420423B2 (en) | Active balun device | |
US7602227B2 (en) | Differential amplifier circuit and mixer circuit having improved linearity | |
JP3318725B2 (ja) | アナログフィルタ回路 | |
US6882226B2 (en) | Broadband variable gain amplifier with high linearity and variable gain characteristic | |
US8410854B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US7659754B2 (en) | CMOS power switching circuit usable in DC-DC converter | |
JP5239451B2 (ja) | 差動単相変換回路 | |
US6778014B2 (en) | CMOS differential amplifier | |
US20050151588A1 (en) | Rejection circuitry for variable-gain amplifiers and continuous-time filters | |
EP1435693A1 (en) | Amplification circuit | |
US20040196087A1 (en) | Variable time constant circuit and filter circuit using the same | |
KR20090102890A (ko) | 전력효율이 향상된 e급 전력 증폭기 | |
US6087900A (en) | Parallel push-pull amplifier using complementary device | |
US6639457B1 (en) | CMOS transconductor circuit with high linearity | |
US6529074B1 (en) | Circuits and methods for output impedance matching in switched mode circuits | |
US10784828B2 (en) | Methods and apparatus for an operational amplifier with a variable gain-bandwidth product | |
JP3965034B2 (ja) | 水晶発振器 | |
JP2002076784A (ja) | 歪補償回路 | |
JP3171247B2 (ja) | 多機能演算回路 | |
JP2004180268A (ja) | 増幅回路及びこれを用いた液晶ディスプレイ装置 | |
JP5204902B2 (ja) | トランスファーゲート回路ならびにそれを用いた電力合成回路,電力増幅回路,送信装置および通信装置 | |
US20230047042A1 (en) | Power amplifying circuits | |
SU1676065A1 (ru) | Операционный усилитель на КМОП транзисторах | |
JP3043546B2 (ja) | 差動増幅半導体集積回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090624 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090724 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090824 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091013 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091026 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131113 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |