JP4399424B2 - リソグラフィ装置における偏光を使用したパラメータ制御 - Google Patents
リソグラフィ装置における偏光を使用したパラメータ制御 Download PDFInfo
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Description
CD=k1(λ/NA) (1)
及び
DOF=k2(λ/NA2) (2)
上式で、λは照明放射の波長であり、k1及びk2は、特定のリソグラフィ・プロセスの定数である。NAは投影システムの開口数である。
で与えられる。上式で、Wは波面収差であり、γ入力及びγは、入口及び出口ひとみにおける方向余弦である。複屈折を有するレンズは、式(5)によって画定されるひとみ行列を有することになる。このレンズは、事実上、典型的なジョーンズ行列を備えた偏光フィルタとして挙動する(局部ひとみ座標内で)ことになるが、このレンズが収差を有し、且つ、偏光挙動しない場合、単純なスカラひとみ関数Hを使用するだけで十分である。
− 放射(たとえばUV放射)のビームPBを条件付けるようになされた照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターン化装置(たとえばマスク)MAを保持するようになされた、アイテムPLに対して該パターン化装置を正確に位置決めするようになされた第1の位置決め装置PMに接続されたサポート構造(たとえばマスク・テーブル)MTと、
− 基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するようになされた、アイテムPLに対して該基板を正確に位置決めするようになされた第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WTと、
− パターン化装置MAによってビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイが含まれている)に画像化するようになされた投影システム(たとえば屈折投影レンズ)PLと
を備えている。
1.ステップ・モード:サポート構造MT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向に移動され、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モード:投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、サポート構造MT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:プログラム可能パターン化装置を保持するべくサポート構造MTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動又は走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化装置が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化装置を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
上式で、δ=δy−δxは位相遅延である。したがってパラメータε及びΨは、露光放射の偏光状態を表す極めて良好なインディケータである。絶対位相はこれらの項には出現せず、効果をもたらしているのは相対位相差であることに留意されたい。
PP=‖E目標・E実際‖2×100 (8)
で数学的に定義することができる。上式で、E目標及びE実際は、単位長さ当たりの電界ベクトルである。この測定基準の一例として、パターン化装置の露光にY偏光放射のみが望ましく、且つ、得られる出力照明が45°回転している場合について考察すると、次の式を使用してPPを計算することができる。
BA 4分の1波長板の複屈折結晶軸
BD ビーム引渡しシステム
C 基板Wの目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
MA パターン化装置
MT サポート構造
M1、M2 パターン化装置アライメント・マーク
PB 放射のビーム(投影ビーム)
PL 投影システム
PM 第1の位置決め装置
PW 第2の位置決め装置
P1、P2 基板アライメント・マーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (27)
- 第1のリソグラフィ装置における画像のパラメータを調整するための方法であって、
放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階と、
パターン化装置を使用して前記放射ビームをパターン化する段階と、
画像を形成するために、パターン化された放射を基板上の放射線感応材料の層の目標部分に投射する段階であって、前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御することによって前記画像のパラメータが調整される段階と
を含み、
前記制御段階が、
前記第1のリソグラフィ装置とは異なる第2のリソグラフィ装置の偏光性能レベルを決定する段階と、
前記第1のリソグラフィ装置において前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御して、前記第2のリソグラフィ装置の放射の好ましい偏光状態の強度に対応させる段階であって、前記第1のリソグラフィ装置において前記放射ビームの好ましい偏光状態における強度の制御可能な損失を促す段階と
を含む、方法。 - 前記好ましい偏光状態の強度が、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度の関数である、請求項1に記載の方法。
- 前記好ましい偏光状態の強度を制御する段階が、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度のうちの少なくともいずれか1つを制御する段階を含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記好ましい偏光状態の強度(IPS)が、前記放射ビームの偏光純度(PP)及び前記放射ビームの偏光度(DOP)の一次関数である、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- IPS=0.5+DOP(PP−0.5)である、請求項4に記載の方法。
- 前記画像のパラメータが、画像コントラスト、臨界寸法、臨界寸法ピッチ及び孤立−稠密バイアス特性のうちの少なくとも1つを含む、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- 前記制御段階が、前記第1のリソグラフィ装置の光学エレメントを制御する段階を含む、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記光学エレメントが4分の1波長板であり、前記光学エレメントを制御する段階が前記4分の1波長板を回転させる段階を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記制御段階が、前記パターン化装置まで伝搬する、前記第1のリソグラフィ装置の直線偏光放射を楕円偏光放射に偏光する段階を含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記制御段階が、前記第1のリソグラフィ装置において前記放射ビームを提供する放射源の出力の偏光を制御する段階を含む、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 第1のリソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、
パターン化装置を放射ビームで照射する段階と、
前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階と、
前記パターン化装置を使用して前記放射ビームをパターン化する段階と、
放射線感応材料の層の上にパターン化された画像を形成するために、パターン化された放射を基板上の前記放射線感応材料の層の目標部分に投射する段階と
を含み、
前記制御段階が、
前記第1のリソグラフィ装置とは異なる第2のリソグラフィ装置の偏光性能レベルを決定する段階と、
前記第1のリソグラフィ装置において前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御して、前記第2のリソグラフィ装置の放射の好ましい偏光状態の強度に対応させる段階であって、前記第1のリソグラフィ装置において前記放射ビームの好ましい偏光状態における強度の制御可能な損失を促す段階と
を含む、方法。 - 前記好ましい偏光状態の強度が、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度の関数である、請求項11に記載の方法。
- 前記好ましい偏光状態の強度を制御する段階が、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度のうちの少なくともいずれか1つを制御する段階を含む、請求項11又は12に記載の方法。
- 前記好ましい偏光状態の前記強度(IPS)が、前記放射ビームの前記偏光純度(PP)及び前記放射ビームの偏光度(DOP)の一次関数である、請求項11から13のいずれかに記載の方法。
- IPS=0.5+DOP(PP−0.5)である、請求項14に記載の方法。
- 前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階によって、前記パターン化された画像のパラメータが改善即ち調整される、請求項11から15のいずれかに記載の方法。
- 前記画像のパラメータが、画像コントラスト、臨界寸法、臨界寸法ピッチ及び孤立−稠密バイアスのうちの少なくとも1つを含む、請求項11から16のいずれかに記載の方法。
- 前記制御段階が、前記第1のリソグラフィ装置の光学エレメントを制御するステップを含む、請求項11から17のいずれかに記載の方法。
- 前記光学エレメントが4分の1波長板であり、前記光学エレメントを制御する段階が前記4分の1波長板を回転させる段階を含む、請求項18に記載の方法。
- 前記制御段階が、前記放射ビームを提供する放射源の出力の偏光を制御する段階を含む、請求項11から19のいずれかに記載の方法。
- 複数のリソグラフィ装置間の近接整合を提供する方法であって、
第2のリソグラフィ装置の偏光レベルに整合させるために、第1のリソグラフィ装置の偏光のレベルを制御する段階を含み、
前記第1のリソグラフィ装置の偏光のレベルを制御する段階が、前記第1の装置の放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御して、前記第2のリソグラフィ装置の前記偏光レベルに整合させる段階であって、前記放射ビームの好ましい偏光状態における強度の制御可能な損失を含める段階を含む、方法。 - 前記第2のリソグラフィ装置の偏光レベルに整合させるための前記第1の装置の放射ビームの好ましい偏光状態における強度を制御する段階が、前記第1のリソグラフィ装置の孤立−稠密バイアス特性を前記第2のリソグラフィ装置の孤立−稠密バイアス特性に整合させるために実行される、請求項21に記載の方法。
- 前記第2のリソグラフィ装置の偏光レベルに整合させるための前記第1の装置の放射ビームの好ましい偏光状態における強度を制御する段階が、前記第1のリソグラフィ装置を使用して得られる画像の臨界寸法ピッチ挙動を、前記第2のリソグラフィ装置を使用して得られる画像の臨界寸法ピッチ挙動に整合させるために実行される、請求項21に記載の方法。
- 前記制御段階が、前記第1のリソグラフィ装置の投影システムの光学エレメントを制御する段階を含む、請求項21から23のいずれかに記載の方法。
- 前記制御段階が、前記第2のリソグラフィ装置の楕円偏光に整合させるために、前記第1のリソグラフィ装置の実質的に完全な偏光を前記第1のリソグラフィ装置の楕円偏光に変換するべく前記第1のリソグラフィ装置の前記光学エレメントを回転させる段階を含む、請求項24に記載の方法。
- 前記光学エレメントが4分の1波長板である、請求項24又は25に記載の方法。
- 前記板が複屈折材料からなり、前記材料の複屈折結晶軸の配向が偏光方向になるように前記板が回転する、請求項26に記載の方法。
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