JP2006237616A - リソグラフィ装置における偏光を使用したパラメータ制御 - Google Patents
リソグラフィ装置における偏光を使用したパラメータ制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006237616A JP2006237616A JP2006047938A JP2006047938A JP2006237616A JP 2006237616 A JP2006237616 A JP 2006237616A JP 2006047938 A JP2006047938 A JP 2006047938A JP 2006047938 A JP2006047938 A JP 2006047938A JP 2006237616 A JP2006237616 A JP 2006237616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polarization
- controlling
- intensity
- radiation
- lithographic apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射の投影ビームを提供するようになされたイルミネータと、投影ビームの好ましい偏光状態の強度を制御するようになされた偏光コントローラとを備えている。リソグラフィ装置は、さらに、パターン化装置を保持するようになされた支持部を備えている。パターン化装置は、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するようになされている。リソグラフィ装置は、さらに、基板を保持するようになされた基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するようになされた、パターン化された画像を基板上に形成するための投影システムとを備えている。
【選択図】図1
Description
CD=k1(λ/NA) (1)
及び
DOF=k2(λ/NA2) (2)
上式で、λは照明放射の波長であり、k1及びk2は、特定のリソグラフィ・プロセスの定数である。NAは投影システムの開口数である。
で与えられる。上式で、Wは波面収差であり、γ入力及びγは、入口及び出口ひとみにおける方向余弦である。複屈折を有するレンズは、式(5)によって画定されるひとみ行列を有することになる。このレンズは、事実上、典型的なジョーンズ行列を備えた偏光フィルタとして挙動する(局部ひとみ座標内で)ことになるが、このレンズが収差を有し、且つ、偏光挙動しない場合、単純なスカラひとみ関数Hを使用するだけで十分である。
− 放射(たとえばUV放射)のビームPBを条件付けるようになされた照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターン化装置(たとえばマスク)MAを保持するようになされた、アイテムPLに対して該パターン化装置を正確に位置決めするようになされた第1の位置決め装置PMに接続されたサポート構造(たとえばマスク・テーブル)MTと、
− 基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するようになされた、アイテムPLに対して該基板を正確に位置決めするようになされた第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WTと、
− パターン化装置MAによってビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイが含まれている)に画像化するようになされた投影システム(たとえば屈折投影レンズ)PLと
を備えている。
1.ステップ・モード:サポート構造MT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向に移動され、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モード:投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、サポート構造MT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:プログラム可能パターン化装置を保持するべくサポート構造MTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動又は走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化装置が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化装置を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
上式で、δ=δy−δxは位相遅延である。したがってパラメータε及びΨは、露光放射の偏光状態を表す極めて良好なインディケータである。絶対位相はこれらの項には出現せず、効果をもたらしているのは相対位相差であることに留意されたい。
PP=‖E目標・E実際‖2×100 (8)
で数学的に定義することができる。上式で、E目標及びE実際は、単位長さ当たりの電界ベクトルである。この測定基準の一例として、パターン化装置の露光にY偏光放射のみが望ましく、且つ、得られる出力照明が45°回転している場合について考察すると、次の式を使用してPPを計算することができる。
BA 4分の1波長板の複屈折結晶軸
BD ビーム引渡しシステム
C 基板Wの目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
MA パターン化装置
MT サポート構造
M1、M2 パターン化装置アライメント・マーク
PB 放射のビーム(投影ビーム)
PL 投影システム
PM 第1の位置決め装置
PW 第2の位置決め装置
P1、P2 基板アライメント・マーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (37)
- リソグラフィ装置における画像のパラメータを調整するための方法であって、
放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階と、
パターン化装置を使用して前記放射ビームをパターン化する段階と、
画像を形成するために、パターン化された放射を基板上の放射線感応材料の層の目標部分に投射する段階であって、前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御することによって前記画像のパラメータが調整される段階とを含む方法。 - 前記好ましい偏光状態の強度が、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度の関数である、請求項1に記載の方法。
- 前記好ましい偏光状態の強度を制御する段階が、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度のうちの少なくともいずれか1つを制御する段階を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記好ましい偏光状態の強度(IPS)が、前記放射ビームの偏光純度(PP)及び前記放射ビームの偏光度(DOP)の一次関数である、請求項2に記載の方法。
- IPS=0.5+DOP(PP−0.5)である、請求項4に記載の方法。
- 前記画像のパラメータが、画像コントラスト、臨界寸法、臨界寸法ピッチ及び孤立−稠密バイアス特性のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記制御段階が、
異なるリソグラフィ装置の偏光性能レベルを決定する段階と、
前記異なるリソグラフィ装置の放射の好ましい偏光状態の強度に対応するために、前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階とをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記制御段階が、前記リソグラフィ装置の光学エレメントを制御する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記光学エレメントが4分の1波長板であり、前記光学エレメントを制御する段階が前記4分の1波長板を回転させる段階を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記制御段階が、前記放射ビームを提供する放射源の出力の偏光を制御する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、
パターン化装置を放射ビームで照射する段階と、
前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階と、
前記パターン化装置を使用して前記放射ビームをパターン化する段階と、
放射線感応材料の層の上にパターン化された画像を形成するために、パターン化された放射を基板上の前記放射線感応材料の層の目標部分に投射する段階とを含む方法。 - 前記好ましい偏光状態の強度が、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度の関数である、請求項11に記載の方法。
- 前記好ましい偏光状態の強度を制御する段階が、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度のうちの少なくともいずれか1つを制御する段階を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記好ましい偏光状態の前記強度(IPS)が、前記放射ビームの前記偏光純度(PP)及び前記放射ビームの偏光度(DOP)の一次関数である、請求項12に記載の方法。
- IPS=0.5+DOP(PP−0.5)である、請求項14に記載の方法。
- 前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階によって、前記パターン化された画像のパラメータが改善即ち調整される、請求項11に記載の方法。
- 前記パラメータが、画像コントラスト、臨界寸法、臨界寸法ピッチ及び孤立−稠密バイアスのうちの少なくとも1つを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記制御段階が、
異なるリソグラフィ装置の偏光性能レベルを決定する段階と、
前記異なるリソグラフィ装置の放射の好ましい偏光状態の強度に対応するために、前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階とをさらに含む、請求項11に記載の方法。 - 前記制御段階が、前記リソグラフィ装置の光学エレメントを制御するステップを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記光学エレメントが4分の1波長板であり、前記光学エレメントを制御する段階が前記4分の1波長板を回転させる段階を含む、請求項19に記載の方法。
- 前記制御段階が、前記放射ビームを提供する放射源の出力の偏光を制御する段階を含む、請求項11に記載の方法。
- 複数のリソグラフィ装置間の近接整合を提供する方法であって、
第2のリソグラフィ装置の偏光レベルに整合させるために、第1のリソグラフィ装置の偏光のレベルを制御する段階を含む方法。 - 前記第1のリソグラフィ装置の偏光のレベルを制御する段階が、前記第2のリソグラフィ装置の前記偏光レベルに整合させるために、前記第1の装置の放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階を含む、請求項22に記載の方法。
- 前記放射ビームの好ましい偏光状態の強度を制御する段階が、前記放射ビームの好ましい偏光状態における強度の制御可能な損失を含める段階を含む、請求項23に記載の方法。
- 前記第2のリソグラフィ装置の偏光レベルに整合させるための前記第1の装置の放射ビームの好ましい偏光状態における強度を制御する段階が、前記第1のリソグラフィ装置の孤立−稠密バイアス特性を前記第2のリソグラフィ装置の孤立−稠密バイアス特性に整合させるために実行される、請求項23に記載の方法。
- 前記第2のリソグラフィ装置の偏光レベルに整合させるための前記第1の装置の放射ビームの好ましい偏光状態における強度を制御する段階が、前記第1のリソグラフィ装置を使用して得られる画像の臨界寸法ピッチ挙動を、前記第2のリソグラフィ装置を使用して得られる画像の臨界寸法ピッチ挙動に整合させるために実行される、請求項23に記載の方法。
- 前記制御段階が、前記第1のリソグラフィ装置の投影システムの光学エレメントを制御する段階を含む、請求項22に記載の方法。
- 前記制御段階が、前記第2のリソグラフィ装置の楕円偏光に整合させるために、前記第1のリソグラフィ装置の実質的に完全な偏光を前記第1のリソグラフィ装置の楕円偏光に変換するべく前記第1のリソグラフィ装置の板を回転させる段階を含む、請求項27に記載の方法。
- 前記板が4分の1波長板である、請求項28に記載の方法。
- 前記板が複屈折材料からなり、前記材料の複屈折結晶軸の配向が偏光方向になるように前記板が回転する、請求項29に記載の方法。
- リソグラフィ装置であって、
放射の投影ビームを提供するようになされたイルミネータと、
前記投影ビームの好ましい偏光状態の強度を制御するようになされた偏光コントローラと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するようになされパターン化装置を保持するようになされた支持部と、
基板を保持するようになされた基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた、パターン化された画像を前記基板上に形成するための投影システムとを備えた装置。 - 前記好ましい偏光状態の強度が、前記投影ビームの偏光純度及び前記投影ビームの偏光度の関数である、請求項31に記載の装置。
- 前記偏光コントローラが、前記放射ビームの偏光純度及び前記放射ビームの偏光度のうちの少なくともいずれか1つを制御するようになされた、請求項32に記載の装置。
- 前記好ましい偏光状態の強度(IPS)が、前記投影ビームの偏光純度(PP)及び前記投影ビームの偏光度(DOP)の一次関数である、請求項32に記載の装置。
- IPS=0.5+DOP(PP−0.5)である、請求項32に記載の装置。
- 前記偏光コントローラが、前記パターン化された画像のパラメータを改善即ち調整するために、前記投影ビームの好ましい偏光状態の強度を制御するようになされた、請求項31に記載の装置。
- 前記パラメータが、画像コントラスト、臨界寸法、臨界寸法ピッチ及び孤立−稠密バイアスのうちの少なくとも1つを含む、請求項36に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65590505P | 2005-02-25 | 2005-02-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006237616A true JP2006237616A (ja) | 2006-09-07 |
JP4399424B2 JP4399424B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=37044847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006047938A Expired - Fee Related JP4399424B2 (ja) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | リソグラフィ装置における偏光を使用したパラメータ制御 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8675176B2 (ja) |
JP (1) | JP4399424B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011528856A (ja) * | 2008-07-22 | 2011-11-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置における偏光分布を修正する方法及びマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
JP2013540348A (ja) * | 2010-09-28 | 2013-10-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及び像配置誤差を低減する方法 |
KR20150120361A (ko) * | 2013-02-19 | 2015-10-27 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 투영 노광 장치용 사용된 출력 빔을 생성하기 위한 euv 광원 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4701030B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム |
KR100843228B1 (ko) * | 2007-01-09 | 2008-07-02 | 삼성전자주식회사 | 마스크 포토그래피 해석방법 및 이를 이용한 이미지 형성방법 |
US20080304029A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Qimonda Ag | Method and System for Adjusting an Optical Model |
NL2005958A (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-10 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus. |
KR101174676B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2012-08-17 | 주식회사 고영테크놀러지 | 표면형상 측정방법 및 측정장치 |
CN110554571B (zh) * | 2018-05-31 | 2021-04-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种照明系统、曝光系统及光刻设备 |
CN112001052B (zh) * | 2020-08-31 | 2023-09-29 | 郑州轻工业大学 | 一种高精密多轴数控机床精度设计的定量分析方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6560503B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-05-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring controller performance using statistical process control |
EP1240715B1 (en) * | 1999-12-20 | 2008-11-12 | Research In Motion Limited | Hybrid automatic repeat request system and method |
JP3631094B2 (ja) | 2000-03-30 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
US7673223B2 (en) * | 2001-06-15 | 2010-03-02 | Qualcomm Incorporated | Node processors for use in parity check decoders |
US6895547B2 (en) * | 2001-07-11 | 2005-05-17 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for low density parity check encoding of data |
SG110121A1 (en) * | 2003-09-10 | 2005-04-28 | Asml Netherlands Bv | Method for exposing a substrate and lithographic projection apparatus |
US7408616B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
KR20050046471A (ko) * | 2003-11-14 | 2005-05-18 | 삼성전자주식회사 | 저밀도 패러티 검사 부호를 병렬 연접하는 채널부호화/복호화 장치 및 방법 |
KR100640399B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2006-10-30 | 삼성전자주식회사 | 저밀도 패리티 검사 채널 부호의 천공 방법 |
US7312852B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7620880B2 (en) * | 2005-12-20 | 2009-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LDPC concatenation rules for IEEE 802.11n system with packets length specified in OFDM symbols |
-
2006
- 2006-02-14 US US11/353,230 patent/US8675176B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-24 JP JP2006047938A patent/JP4399424B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011528856A (ja) * | 2008-07-22 | 2011-11-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置における偏光分布を修正する方法及びマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
US9128389B2 (en) | 2008-07-22 | 2015-09-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for modifying a polarization distribution in microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic projection exposure apparatus |
JP2013540348A (ja) * | 2010-09-28 | 2013-10-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及び像配置誤差を低減する方法 |
KR20130119924A (ko) * | 2010-09-28 | 2013-11-01 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템 및 이미지 배치 에러 감소 방법 |
US9785052B2 (en) | 2010-09-28 | 2017-10-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus and method of reducing image placement errors |
KR101884486B1 (ko) * | 2010-09-28 | 2018-08-01 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템 및 이미지 배치 에러 감소 방법 |
KR20150120361A (ko) * | 2013-02-19 | 2015-10-27 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 투영 노광 장치용 사용된 출력 빔을 생성하기 위한 euv 광원 |
JP2016509259A (ja) * | 2013-02-19 | 2016-03-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置に使用される出力ビームを発生させるためのeuv光源 |
KR102257176B1 (ko) * | 2013-02-19 | 2021-05-28 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 투영 노광 장치용 사용된 출력 빔을 생성하기 위한 euv 광원 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4399424B2 (ja) | 2010-01-13 |
US8675176B2 (en) | 2014-03-18 |
US20060192149A1 (en) | 2006-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4399424B2 (ja) | リソグラフィ装置における偏光を使用したパラメータ制御 | |
KR100803268B1 (ko) | 메트롤로지 장치, 리소그래피 장치, 공정 장치, 메트롤로지방법 및 디바이스 제조 방법 | |
US7732110B2 (en) | Method for exposing a substrate and lithographic projection apparatus | |
US8823922B2 (en) | Overlay measurement apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus | |
US8203692B2 (en) | Sub-segmented alignment mark arrangement | |
US8218130B2 (en) | Device manufacturing method and lithographic apparatus,and computer program product | |
US20110273685A1 (en) | Production of an alignment mark | |
JP4477609B2 (ja) | 照明プロファイルを決定する方法及びデバイス製造方法 | |
JP2006135330A (ja) | リソグラフィ装置の半径方向偏光 | |
US20070263269A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US8339574B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US9366952B2 (en) | Lithographic substrate and a device | |
US7491478B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US20070103789A1 (en) | Optical system, lithographic apparatus and method for projecting | |
US7148954B2 (en) | Lithographic apparatus and method for its use | |
US20080292975A1 (en) | Device manufacturing method, method of making a mask, and mask | |
EP1515189A2 (en) | Method for exposing a substrate and lithographic projection apparatus | |
US20080239263A1 (en) | Lithographic system and device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061208 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091006 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091026 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |