JP4398920B2 - 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
MR=(Cp−Cap)/Cap (1)
によって定義されるため ピン層とフリー層の磁化の向きが平行状態の電気伝導度Cpが小さくなると、MR比が低下することになる。したがって、特許文献2に開示されている壷型の穴に対して埋め込んだ場合、穴の側面では3方向(上面、側面、底面)より引っ張り力を受けるため、密度が最も疎となり上述のCpの低下が最も大きく起こることが予想される。埋め込みをスパッタなど指向性の高い方法で行った場合、それはさらに顕著になることが予想される。
N. Garcia, M. Munoz, and Y. -W. Zhao, Physical Review Letters, vol.82, p2923 (1999) J. J. Versluijs, M. A. Bari and J. M. D. Coey, Physical Review Letters, vol.87, p26601 -1 (2001) N.Garcia et al.,Appl.Phys.Lett.,vol.80,p1785(2002), H.D.Chopra and S.Z.Hua, Phys.Rev.B,vol.66,p.20403-1(2002) M. Munoz, G. G. Qian, N. Karar, H. Cheng, I. G. Saveliev, N. Garcia, T. P. Moffat, P. J. Chen, L. Gan, and W. F. Egelhoff, Jr., Appl. Phys. Lett., vol.79, p.2946, (2001)
本発明の第1実施形態による磁気抵抗効果素子1を図1に示す。本実施形態の磁気抵抗効果素子1は、アルミナアンダーコート(図示せず)が形成されたアルチック基板(図示せず)上に、下部電極を兼ねた下部シールド2が設けられている。この下部シールド上に下ギャップ膜4が設けられ、下ギャップ膜4上に磁性下地層6が設けられている。磁性下地層6上に、外部磁界を受けて回転可能な磁化を有するフリー層8が設けられている。磁性下地層6およびフリー層8の側部には、フリー層8の磁化にピン層との直交異方性を与えるためのバイアス膜10が設けられている。
次に、本実施形態の磁気抵抗効果素子1の製造方法を説明する。
説明を簡単にするために、以下の工程では、バイアス膜10および絶縁膜16を表示しない。すなわち、図2(a)に示すように、フリー層8上に絶縁層14が形成された状態から説明する。
次に、本発明の第2実施形態による磁気抵抗効果素子を図15に示す。この実施形態の磁気抵抗効果素子は1Aは、第1実施形態の磁気抵抗効果素子において、下部磁性層(フリー層8)と上部磁性層(ピン層18)とのコンタクト12の底部に側面よりも膜厚の薄い酸化層30を設けた構成となっている。
次に、本発明の第3実施形態による磁気抵抗効果素子を説明する。
2 下部電極(下部シールド)
4 下ギャップ層
6 磁性下地層
8 フリー層
10 バイアス膜
12 コンタクト
14 絶縁層
16 絶縁膜
18 ピン層
20 バイアス層
22 非磁性金属層
24 上部電極(上部シールド)
Claims (7)
- 外部磁界を受けて回転可能な磁化を有する第1磁性層と、
前記第1磁性層の一方の側に設けられ、膜厚方向に貫通する開口を有する第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の前記第1磁性層が設けられている側とは反対側に設けられ、前記外部磁界下において実質的に回転しない磁化を有する第2磁性層と、
前記第1絶縁層の開口を介して対向する前記第1および第2磁性層のうちの一方の磁性層の表面に設けられて底面および傾斜角を有する側面を有する窪みと、前記開口とを、前記窪みが設けられていない他方の磁性層と同じ磁性材料で埋め込むように設けられたコンタクトと、
を備え、
前記コンタクトの前記窪みの側面に対応する部分の傾斜角度は、前記コンタクトの前記窪みの底面に対応する部分から見て10度以上でかつ90度よりも小さく、前記コンタクトの前記窪みの側面に対応する部分の面積が、前記コンタクトの前記窪み全体に対応する部分の面積の30%以上を占めることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記コンタクトの前記傾斜角度は、10度から80度であること特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記コンタクトの前記窪みの側面に対応する部分の形状は、直線傾斜、多段傾斜、または連続的な傾斜を有していることを特徴とする請求項1または2記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記窪みが設けられた前記一方の磁性層の前記窪みの底面に対応する部分は前記窪みの側面に対応する部分に比べて高抵抗であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記窪みが設けられた前記一方の磁性層の前記窪みの底面には前記窪みの側面に比べて厚い絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項4記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記一方の磁性層の前記窪みの側面に対する垂線が、前記他方の磁性層側の前記絶縁層の開口の縁より前記開口側にあることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第1磁性層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に前記第1磁性層に通じる開口を形成する工程と、
前記絶縁層をマスクとしてエッチングし、前記開口の底部の前記第1磁性層に底面と傾斜した側面とを有する窪みを形成する工程と、
前記窪みの側面の法線と、スパッタターゲット中心から前記側面に引いた線分とのなす角度が45度以下であるようにスパッタリングによって第2磁性層の成膜を行う工程と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
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