JP4396422B2 - 圧力センサの製造方法 - Google Patents
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Description
VoffINIT−{[VoffINIT×A]+B}
によって計算される狙い値になるように第2の調整用抵抗をトリミングする。そして、第2の調整用抵抗をトリミングした後、ブリッジ回路の出力電圧が零になるように第1の調整用抵抗をトリミングする。このようにしても、ブリッジ回路の温度特性および電源電圧依存性を無くすことができる。
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。
狙い値=(VoffINIT×0.5×1.05)―2.5 [mV]
数式1は、定数AおよびBを用いて以下の数式2のように書き替えることができる。
狙い値=A×VoffINIT+B [mV]
したがって、数式1により、A=0.525、B=―2.5を得る。なお、これらの定数A、Bは、ダイヤフラム1aの厚みや径、プロセス条件等により異なる。言い換えると、ダイヤフラム1aの厚みや径、プロセス条件が同じシリコンウェハにおいては、上記計算を1回行えば、他のシリコンウェハにおいても同じ定数AおよびBにて狙い値を適用できる。
狙い値=(0.525×10)―2.5=2.75 [mV]
つまり、ゲージオフセット初期値が10[mV]である場合、狙い値、すなわちブリッジ回路の出力電圧VBCが2.75[mV]になれば、ブリッジ回路の温度特性を無くすことができる。
上記第1実施形態では、2つのパラレル抵抗R72、R82が電源側の歪みゲージRA、RCに対して並列に接続され、2つのシリーズ抵抗R7、R8はアース側の歪みゲージRB、RDに直列に接続されている。しかしながら、図5に示すように、2つのパラレル抵抗R72、R82がアース側の歪みゲージRA、RCに対してそれぞれ並列に接続され、2つのシリーズ抵抗R7、R8が電源側の歪みゲージRB、RDにそれぞれ直列に接続されても良い。
狙い値=ゲージオフセット初期値(VoffINIT)−
{[ゲージオフセット初期値(VoffINIT)×A]+B} [mV]
上記数式4にてシリーズ抵抗R7、R8をトリミングする狙い値を求め、求めた狙い値となるようにシリーズ抵抗R7、R8をトリミングする。続いて、オフセット電圧が0[mV]となるように、パラレル抵抗R72、R82をトリミングする。このように、先にシリーズ抵抗R7、R8をトリミングした後、パラレル抵抗R72、R82をトリミングしても良い。
RA、RB、RC、RD…歪みゲージ、
R7、R8、R72、R82…薄膜抵抗。
Claims (2)
- センシング部としてのダイヤフラム(1a)を有する半導体基板(1)に台座(2)を接合することで真空室(3)を設けてなる絶対圧を検出する圧力センサの製造方法であって、
前記半導体基板に形成される複数の前記ダイヤフラムにそれぞれ対応するように、4つの歪みゲージ(RA、RB、RC、RD)から構成されるブリッジ回路と、前記4つの歪みゲージのうち前記ブリッジ回路の電源側の2つの歪みゲージ(RA、RC)に、それぞれ並列に接続された第1の調整用抵抗(R72、R82)と、前記4つの歪みゲージのうち前記ブリッジ回路のアース側の2つの歪みゲージ(RB、RD)に、それぞれ直列に接続された第2の調整用抵抗(R7、R8)とを形成する工程と、
前記ブリッジ回路から出力されるオフセット電圧をVoffINITとし、前記半導体基板に形成された複数のブリッジ回路において並列に接続された前記第1の調整用抵抗を前記ブリッジ回路の出力が[A×V off INIT]+Bとなるようにトリミングし、AおよびBを各々2つ以上の異なる値で、前記第1の調整用抵抗をトリミングした後、前記半導体基板を大気中にて測定される第1の温度および前記第1の温度よりも高いと共に大気中にて測定される第2の温度としたときのそれぞれの温度におけるオフセット電圧を測定する工程と、
前記第1の温度および前記第2の温度にて測定されたそれぞれのオフセット電圧の差分値を求め、前記オフセット電圧VoffINITに対する前記差分値の相関を求める工程と、
前記差分値の相関を直線でフィッティングし、AおよびB各々の異なる値から前記直線の傾きが零になるAの値および前記直線の切片が零になるBの値を求める工程と、
求めたAおよびBの値をそれぞれ定数とし、大気中にて測定される前記ブリッジ回路の出力電圧が、
[A×VoffINIT]+B
によって得られる値となるように、前記ブリッジ回路に接続された前記第1の調整用抵抗をトリミングする工程と、
前記第1の調整用抵抗をトリミングした後、大気中にて測定される前記ブリッジ回路の出力電圧が零になるように前記第2の調整用抵抗をトリミングする工程と、を有することを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 前記トリミングする工程の後に、前記半導体基板をダイシングカットし、それぞれの前記ダイヤフラムに対応する1つ1つのチップに分割することを特徴とする請求項1に記載の圧力センサの製造方法。
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