JP2006017623A - 圧力センサの製造方法 - Google Patents
圧力センサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006017623A JP2006017623A JP2004196898A JP2004196898A JP2006017623A JP 2006017623 A JP2006017623 A JP 2006017623A JP 2004196898 A JP2004196898 A JP 2004196898A JP 2004196898 A JP2004196898 A JP 2004196898A JP 2006017623 A JP2006017623 A JP 2006017623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bridge circuit
- value
- temperature
- offset
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【解決手段】 シリコンウェハ上の複数の圧力センサにおけるブリッジ回路のオフセット電圧(ゲージオフセット初期値;VoffINIT)を室温および高温にて測定し、その差分値(ゲージオフセット差分値)を求める。そして、ゲージオフセット初期値に対するゲージオフセット差分値の相関を求め、この分布を近似する相関直線を得る。続いて、この相関直線の傾きおよびY軸切片がそれぞれ0となるAおよびBの値を上記相関に基づき求める。この後、ブリッジ回路のゲージオフセット初期値VoffINITおよび上記定数A、Bに基づきブリッジ回路の出力電圧の狙い値を計算する。そして、計算された狙い値となるようにパラレル抵抗R72、R82をトリミングする。この後、ブリッジ回路のオフセット電圧が0となるようにシリーズ抵抗R7、R8をトリミングする。
【選択図】 図2
Description
VoffINIT−{[VoffINIT×A]+B}
によって計算される狙い値になるように第2の調整用抵抗をトリミングする。そして、第2の調整用抵抗をトリミングした後、ブリッジ回路の出力電圧が零になるように第1の調整用抵抗をトリミングする。このようにしても、ブリッジ回路の温度特性および電源電圧依存性を無くすことができる。
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。
狙い値=(VoffINIT×0.5×1.05)―2.5 [mV]
数式1は、定数AおよびBを用いて以下の数式2のように書き替えることができる。
狙い値=A×VoffINIT+B [mV]
したがって、数式1により、A=0.525、B=―2.5を得る。なお、これらの定数A、Bは、ダイヤフラム1aの厚みや径、プロセス条件等により異なる。言い換えると、ダイヤフラム1aの厚みや径、プロセス条件が同じシリコンウェハにおいては、上記計算を1回行えば、他のシリコンウェハにおいても同じ定数AおよびBにて狙い値を適用できる。
狙い値=(0.525×10)―2.5=2.75 [mV]
つまり、ゲージオフセット初期値が10[mV]である場合、狙い値、すなわちブリッジ回路の出力電圧VBCが2.75[mV]になれば、ブリッジ回路の温度特性を無くすことができる。
上記第1実施形態では、2つのパラレル抵抗R72、R82が電源側の歪みゲージRA、RCに対して並列に接続され、2つのシリーズ抵抗R7、R8はアース側の歪みゲージRB、RDに直列に接続されている。しかしながら、図5に示すように、2つのパラレル抵抗R72、R82がアース側の歪みゲージRA、RCに対してそれぞれ並列に接続され、2つのシリーズ抵抗R7、R8が電源側の歪みゲージRB、RDにそれぞれ直列に接続されても良い。
狙い値=ゲージオフセット初期値(VoffINIT)−
{[ゲージオフセット初期値(VoffINIT)×A]+B} [mV]
上記数式4にてシリーズ抵抗R7、R8をトリミングする狙い値を求め、求めた狙い値となるようにシリーズ抵抗R7、R8をトリミングする。続いて、オフセット電圧が0[mV]となるように、パラレル抵抗R72、R82をトリミングする。このように、先にシリーズ抵抗R7、R8をトリミングした後、パラレル抵抗R72、R82をトリミングしても良い。
RA、RB、RC、RD…歪みゲージ、
R7、R8、R72、R82…薄膜抵抗。
Claims (2)
- センシング部としてのダイヤフラム(1a)を有する半導体基板(1)に台座(2)を接合することで真空室(3)を設けてなる絶対圧を検出する圧力センサの製造方法であって、
前記半導体基板に形成される複数の前記ダイヤフラムにそれぞれ対応するように、4つの歪みゲージ(RA、RB、RC、RD)から構成されるブリッジ回路と、前記4つの歪みゲージのうち前記ブリッジ回路の電源側の2つの歪みゲージ(RA、RC)に、それぞれ並列に接続された第1の調整用抵抗(R72、R82)と、前記4つの歪みゲージのうち前記ブリッジ回路のアース側の2つの歪みゲージ(RB、RD)に、それぞれ直列に接続された第2の調整用抵抗(R7、R8)とを形成する工程と、
前記ブリッジ回路から出力されるオフセット電圧をVoffINITとし、前記半導体基板に形成された複数のブリッジ回路において並列に接続された前記第1の調整用抵抗のトリミングの狙い値を[A×VoffINIT]+Bとし、AおよびBに任意の定数を決めると共に数水準で前記第1の調整用抵抗をトリミングした後、前記半導体基板を第1の温度および前記第1の温度よりも高い第2の温度としたときのそれぞれの温度におけるオフセット電圧を測定する工程と、
前記第1の温度および前記第2の温度にて測定されたそれぞれのオフセット電圧の差分値を求め、前記オフセット電圧VoffINITに対する前記差分値の相関を求める工程と、
前記差分値の相関を直線でフィッティングし、AおよびBの水準から前記直線の傾きが零になるAの値および前記直線の切片が零になるBの値を求める工程と、
求めたAおよびBの値をそれぞれ定数とし、前記ブリッジ回路の出力電圧が、
[A×VoffINIT]+B
によって得られる値となるように、前記ブリッジ回路に接続された前記第1の調整用抵抗をトリミングする工程と、
前記第1の調整用抵抗をトリミングした後、前記ブリッジ回路の出力電圧が零になるように前記第2の調整用抵抗をトリミングする工程と、を有することを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 前記トリミングする工程の後に、前記半導体基板をダイシングカットし、それぞれの前記ダイヤフラムに対応する1つ1つのチップに分割することを特徴とする請求項1に記載の圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004196898A JP4396422B2 (ja) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004196898A JP4396422B2 (ja) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006017623A true JP2006017623A (ja) | 2006-01-19 |
JP4396422B2 JP4396422B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=35792049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004196898A Expired - Fee Related JP4396422B2 (ja) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4396422B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011039567A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Tecsis Gmbh | Messvorrichtung mit verstimmbarem widerstand |
JP2015108581A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
US9631992B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-04-25 | Seiko Epson Corporation | Physical quantity sensor, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus and moving object |
CN108956005A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-12-07 | 陈德连 | 压力传感器 |
CN110823446A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-21 | 成都凯天电子股份有限公司 | 硅压阻式压力传感器二次温度补偿零点调试方法 |
-
2004
- 2004-07-02 JP JP2004196898A patent/JP4396422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011039567A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Tecsis Gmbh | Messvorrichtung mit verstimmbarem widerstand |
JP2015108581A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
US9631992B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-04-25 | Seiko Epson Corporation | Physical quantity sensor, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus and moving object |
CN108956005A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-12-07 | 陈德连 | 压力传感器 |
CN108956005B (zh) * | 2018-08-08 | 2024-03-22 | 陈德连 | 压力传感器 |
CN110823446A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-21 | 成都凯天电子股份有限公司 | 硅压阻式压力传感器二次温度补偿零点调试方法 |
CN110823446B (zh) * | 2019-10-18 | 2022-01-07 | 成都凯天电子股份有限公司 | 硅压阻式压力传感器二次温度补偿零点调试方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4396422B2 (ja) | 2010-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10775248B2 (en) | MEMS strain gauge sensor and manufacturing method | |
KR100741520B1 (ko) | 다이어프램을 갖는 반도체 압력 센서 | |
US9689767B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
US8161820B2 (en) | Pressure sensor | |
TWI270667B (en) | Method of calibrating zero offset of a pressure sensor | |
CN209673267U (zh) | 半导体器件 | |
Kumar et al. | Experimental evaluation of sensitivity and non-linearity in polysilicon piezoresistive pressure sensors with different diaphragm sizes | |
KR101652369B1 (ko) | 습식 및 건식 식각공정을 이용한 압저항형 압력센서 제조방법 | |
Van Herwaarden et al. | Integrated vacuum sensor | |
Kumar et al. | Effect of piezoresistor configuration on output characteristics of piezoresistive pressure sensor: an experimental study | |
KR20090087847A (ko) | 반도체 감왜 센서 | |
KR100210726B1 (ko) | 내연기관의 연소실내압탐지용 압력 감지기 | |
JP4396422B2 (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
US6595063B1 (en) | Sensor element especially for pressure sensors | |
US6591683B1 (en) | Pressure sensor | |
Lisec et al. | Surface micromachined piezoresistive pressure sensors with step-type bent and flat membrane structures | |
Gonzalez et al. | A CMOS compatible polycrystalline silicon-germanium based piezoresistive pressure sensor | |
Kalinkina et al. | Reducing the Temperature Error of Thin-Film Structures of Micromechanical Elements in Mechatronic Pressure Sensors | |
Suzuki et al. | Development of corrosion‐resistant pressure sensor with semiconductor strain sensor | |
JPS6080281A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
JP3509336B2 (ja) | 集積化センサ | |
WO2015072189A1 (ja) | 圧力センサー、圧力センシングシステム、および圧力センサーの製造方法 | |
JPS5833136A (ja) | 温度センサ | |
JPH0536993A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
JP2006047193A (ja) | 圧力センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091012 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4396422 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |