JP4396287B2 - 電力制御装置 - Google Patents
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Description
また、図6に示されているように、逆耐圧をもつ自己消弧形半導体スイッチの特性として、スイッチに逆電圧が印加された場合、ゲートに電圧を印加しないと逆漏れ電流が大きくなることが報告されている(特許文献1参照)。同図に示されているように、逆阻止IGBTは、ゲートをオフ(0Vもしくはそれ以下の電圧をゲートに印加)した状態で逆阻止IGBTに逆電圧を印加すると、逆漏れ電流が大きくなるが、ゲートをオン(15Vをゲートに印加)すると逆漏れ電流が小さくなるといった特性がある。なお、逆阻止IGBTの逆漏れ電流は、温度の上昇とともに増加するといった特性を持つ。
ここで、従来の技術では、通常の運転時においてのみ、逆電圧が印加された素子のゲートをオンすることが可能であり、先述の例のように、装置を停止させる場合においては、逆電圧が印加された素子のゲートはオフ状態となる。このオフ状態では、0Vもしくはそれ以下の電圧がゲートに印加される。この場合、先述したように逆阻止IGBTの逆漏れ電流は、温度の上昇とともに増加する特性があることから、逆漏れ電流の熱暴走が始まり、最終的には逆阻止IGBTの破壊に至る。したがって、このような従来技術を採用する場合には、逆阻止IGBTの温度上昇を抑制するために冷却フィン等の冷却装置を大型にする必要が生じ、電力制御装置全体の小型化や低価格化の妨げになる。
本発明は上述した従来技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は温度上昇を抑制するための冷却装置を大型にする必要がなく、回路構成が複雑でなく低価格化を実現できる電力制御装置を提供することである。
前記逆阻止スイッチ素子をオンさせるときに該逆阻止スイッチ素子のゲート電圧を、該逆阻止スイッチ素子がオンするしきい値電圧以上の電圧とし、
該逆阻止スイッチ素子をオフさせるときに該逆阻止スイッチ素子のゲート電圧を、0V以下の電圧とする他の駆動手段を更に含むことを特徴とする。このように構成すれば、自装置の通常運転時には、IGBT等の逆阻止スイッチ素子をオンオフ制御できる。
本発明の請求項3による電力制御装置は、請求項1又は2において、前記逆阻止スイッチ素子は、逆阻止IGBTであることを特徴とする。逆阻止スイッチ素子の1つである逆阻止IGBTを用いた電力制御装置について本発明を適用でき、その逆漏れ電流を容易に低減することができ、逆漏れ電流の熱暴走を防止できる。
図1は、本発明の実施の一形態による電力制御装置の主要部の構成を示すブロック図である。同図は、スイッチ素子として逆阻止IGBT5を用いた場合の駆動回路部分を示したものである。
以上のように制御することで、逆阻止IGBT5の逆漏れ電流を容易に低減することができ、逆漏れ電流の熱暴走を防止できる。
なお、以上は、スイッチ素子として逆阻止IGBTを用いた場合について説明したが、それに限らず温度上昇に応じて逆阻止電流が増加する逆阻止スイッチ素子について本発明を適用できることは明白である。
3 制御回路
4 切り替えスイッチ
5、5a、5b、6〜27 逆阻止IGBT
28〜39 ダイオード
40 エネルギー吸収回路
44 保護回路
45 マトリックスコンバータ
48 単相交流電源
49 負荷抵抗
50 負荷リアクトル
51 直列回路
SWa、SWb 双方向スイッチ
Claims (3)
- 温度上昇に応じて逆阻止電流が増加する逆阻止スイッチ素子をオンオフさせて電力を操作する電力制御装置であって、自装置の停止の際に、前記逆阻止スイッチ素子のゲート電圧を、0Vより大きくかつ該逆阻止スイッチ素子がオンするしきい値電圧未満の電圧とする駆動手段を含むことを特徴とする電力制御装置。
- 自装置の運転状態において、
前記逆阻止スイッチ素子をオンさせるときに該逆阻止スイッチ素子のゲート電圧を、該逆阻止スイッチ素子がオンするしきい値電圧以上の電圧とし、
該逆阻止スイッチ素子をオフさせるときに該逆阻止スイッチ素子のゲート電圧を、0V以下の電圧とする他の駆動手段を更に含むことを特徴とする請求項1記載の電力制御装置。 - 前記逆阻止スイッチ素子は、逆阻止IGBTであることを特徴とする請求項1又は2記載の電力制御装置。
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