JP4393245B2 - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4393245B2 JP4393245B2 JP2004099676A JP2004099676A JP4393245B2 JP 4393245 B2 JP4393245 B2 JP 4393245B2 JP 2004099676 A JP2004099676 A JP 2004099676A JP 2004099676 A JP2004099676 A JP 2004099676A JP 4393245 B2 JP4393245 B2 JP 4393245B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- power supply
- input
- output
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3001—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
- H03F3/3022—CMOS common source output SEPP amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
図1は、本発明の第1〜第5の実施形態に共通する電力増幅回路の基本構成を示す回路図(ブロック図)である。入力回路1は入力端子14から入力信号を受けるとともに、帰還回路5から帰還信号を受け、これらを増幅し、プッシュ側駆動回路2、プル側駆動回路3に第1あるいは第2の制御信号を与える。
図3は、第2の実施形態に係る電力増幅回路の回路図である。第2の実施形態が第1の実施形態と異なるところは、プッシュ側駆動回路2を構成するトランジスタがPMOSトランジスタMa1,Ma2,Ma3で構成され、プル側駆動回路3を構成するトランジスタがNMOSトランジスタMb1,Mb2,Mb3で構成されていることである。他の部分は第1の実施形態と同じなので、重複する説明を省略する。
図4は第3の実施形態に係る電力増幅回路の回路図である。第1の電源レール11と出力端子15の間に第1の出力トランジスタM1が接続されており、第2の電源レール12と出力端子15の間に第2の出力トランジスタM2が接続され、出力端子と第3の電源レールの間に第3の出力トランジスタM3が接続されている。
図5は、第4の実施形態に係る電力増幅回路の回路図である。第1の電源レール11と出力端子15の間に、第1の出力トランジスタM1が接続されており、出力端子15と第2の電源レール12の間に第2の出力トランジスタM2が接続されており、出力端子15と第3の電源レールの間に第3の出力トランジスタM3が接続されている。入力回路1により駆動される、プッシュ側ドライバトランジスタ(バイポーラ)Qa1,Qa2,Qa3は、夫々エミッタ面積が1:1:1に選択されており、一方入力回路1により駆動されるプル側ドライバトランジスタ(バイポーラ)Qb1,Qb2,Qb3は、夫々エミッタ面積比が4:1:2に選択されている。ドライバトランジスタQa1,Qa2,Qa3とQb1,Qb2,Qb3は、夫々連結されており、ドライバトランジスタQa1、Qb1の接続線(第1の駆動信号線)は第3の出力トランジスタM3のゲート端子に接続されてこれを駆動する。ドライバトランジスタQa2、Qb2の接続線(第2の駆動信号線)は第2の出力トランジスタM2のゲート端子に接続されてこれを駆動する。ドライバトランジスタQa3、Qb3の接続線(第3の駆動信号線)は第1の出力トランジスタM1のゲート端子に接続されてこれを駆動する。
図6は、第5の実施形態に係る電力増幅回路の回路図である。第1の実施形態の図2と類似しているので、異なるところのみ説明し、重複する部分の説明は省略する。プッシュ側駆動回路2としてのドライバトランジスタ(バイポーラトランジスタ)Qa1,Qa2,Qa3は、夫々エミッタ面積が4:1:2に選択されていて、プル側駆動回路3としてのドライバトランジスタ(バイポーラトランジスタ)Qb1,Qb2,Qb3は、夫々エミッタ面積が1:1:1に選択されている点は第1の実施形態と同じである。
第1〜第5の実施形態では、3個の電源レールがある場合を説明したが、本発明はこれに限るものではない。図7は第6の実施形態に係る電力増幅回路の回路図であり、n個(nは3以上の整数)の電源レールを有している。
2…プッシュ側駆動回路
3…プル側駆動回路
4…インピーダンス回路
5、17…帰還回路
11…第1の電源レール
12…第2の電源レール
13…第3の電源レール
14…入力端子
15…出力端子
16…駆動回路
M1,M2、M3、Mn、Q1,Q2,Q3…出力トランジスタ
M4、M5.M6,M7…インピーダンス制御用トランジスタ
Ma1,Ma2,Ma3、Qa1,Qa2,Qa3…プッシュ側ドライバトランジスタ
Mb1,Mb2,Mb3、Qb1,Qb2,Qb3…プル側ドライバトランジスタ
Ra1,Ra2,Ra3,Rb1,Rb2,Rb3、Rc1,Rc2,Rc3,Rc4、Rc5、Rd1…抵抗
Claims (5)
- 入力信号と帰還信号が入力し、これらを増幅して第1及び第2の制御信号を出力する入力回路と、
n本(nは3以上の自然数)からなり、最も高い第1から最も低い第nまで、順次電圧が降下する複数の電源線と、
前記第1の電源線が接続され、前記第1の制御信号が入力し、n個の第1の駆動信号出力端子を有するプッシュ側駆動回路と、
前記第nの電源線が接続され、前記第2の制御信号が入力し、n個の第2の駆動信号出力端子を有するプル側駆動回路と、
前記プッシュ側及びプル側の前記n個の駆動信号出力端子を夫々対応して接続するn本の駆動信号線と、
前記n本の電源線にその導通路の一端が夫々接続され、前記n本の駆動信号線にそのゲートが夫々接続されたn個のMOSトランジスタと、
前記n個のMOSトランジスタの前記導通路の他端が共通に接続された出力端子と、
前記第1の電源線と第1のMOSトランジスタのゲートの間、若しくは前記第nの電源線と第nのMOSトランジスタのゲートの間にその導通路が接続され、そのゲートが前記第1若しくは第nのMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第1若しくは第nのMOSトランジスタのゲートインピーダンスを調整するインピーダンス回路と、
前記出力端子と前記入力回路の間に接続され、前記入力回路に前記帰還信号を送出する帰還回路と、
を具備し、前記プッシュ側駆動回路と前記プル側駆動回路は、前記n本の駆動信号線毎に異なる電流駆動能力比を有し、前記入力信号の大小に応じて前記n本の駆動信号線を通じ、前記第2から第nのMOSトランジスタ、若しくは前記第1から第(n−1)のMOSトランジスタを選択的に切換えて駆動することを特徴とする電力増幅回路。 - 入力信号と帰還信号が入力し、これらを増幅して第1及び第2の制御信号を出力する入力回路と、
第1の電源電圧が与えられる第1の電源線と、
前記第1の電源電圧より低い第2の電源電位が与えられる第2の電源線と、
前記第2の電源電圧より低い第3の電源電圧が与えられる第3の電源線と、
前記第1の電源線が接続され、前記第1の制御信号が入力し、3個の駆動信号出力端子を有するプッシュ側駆動回路と、
前記第3の電源線が接続され、前記第2の制御信号が入力し、3個の駆動信号出力端子を有するプル側駆動回路と、
前記プッシュ側及びプル側駆動回路の前記3個の駆動信号出力端子を夫々対応して接続する3本の駆動信号線と、
前記第1、第2、第3の電源線にその導通路の一端が夫々接続され、前記3本の駆動信号線にそのゲートが夫々接続された第1、第2、第3のMOSトランジスタと、
前記第1、第2、第3のMOSトランジスタの前記導通路の他端が共通に接続された出力端子と、
前記第1の電源線と第1のMOSトランジスタのゲートの間、若しくは前記第3の電源線と第3のMOSトランジスタのゲートの間にその導通路が接続され、そのゲートが前記第1若しくは第3のMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第1若しくは第3のMOSトランジスタのゲートインピーダンスを調整するインピーダンス回路と、
前記出力端子と前記入力回路の間に接続され、前記入力回路に前記帰還信号を送出する帰還回路と、
を具備し、前記プッシュ側駆動回路と前記プル側駆動回路は、前記3本の駆動信号線毎に異なる電流駆動能力比を有し、前記入力信号の大小に応じて前記3本の駆動信号線を通じ、前記第2、第3のMOSトランジスタ、若しくは前記第1、第2のMOSトランジスタを選択的に切換えて駆動することを特徴とする電力増幅回路。 - 前記入力回路の前記入力信号が増加するとき、前記第1の制御信号は前記プッシュ側駆動回路の前記駆動信号出力端子の出力電流を減少させ、前記第2の制御信号は前記プル側駆動回路の前記駆動信号出力端子の出力電流を増加させることを特徴とする請求項1または2に記載の電力増幅回路。
- 前記プッシュ側駆動回路及び前記プル側駆動回路の前記駆動信号出力端子は、前記駆動信号線を通じて対応する前記MOSトランジスタのゲート容量を充放電させることを特徴とする請求項1または2に記載の電力増幅回路。
- 前記インピーダンス回路は、前記入力信号が無い状態において、前記第1の電源線若しくは第nの電源線に最も近接する2つのMOSトランジスタに流れる電流を決定することを特徴とする請求項1に記載の電力増幅回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004099676A JP4393245B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 電力増幅器 |
US11/091,430 US7242250B2 (en) | 2004-03-30 | 2005-03-29 | Power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004099676A JP4393245B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 電力増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005286815A JP2005286815A (ja) | 2005-10-13 |
JP4393245B2 true JP4393245B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=35053617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004099676A Expired - Lifetime JP4393245B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 電力増幅器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7242250B2 (ja) |
JP (1) | JP4393245B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7359686B2 (en) * | 2005-02-16 | 2008-04-15 | Microtune (Texas), L.P. | Radio-frequency amplifier system |
US8325947B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-12-04 | Bejing FUNATE Innovation Technology Co., Ltd. | Thermoacoustic device |
US8300855B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-10-30 | Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. | Thermoacoustic module, thermoacoustic device, and method for making the same |
US8072266B1 (en) * | 2009-05-07 | 2011-12-06 | National Semiconductor Corporation | Class G amplifier with improved supply rail transition control |
CN101922755A (zh) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | 清华大学 | 取暖墙 |
CN101990152B (zh) * | 2009-08-07 | 2013-08-28 | 清华大学 | 热致发声装置及其制备方法 |
CN102006542B (zh) | 2009-08-28 | 2014-03-26 | 清华大学 | 发声装置 |
CN102023297B (zh) * | 2009-09-11 | 2015-01-21 | 清华大学 | 声纳系统 |
CN102056064B (zh) * | 2009-11-06 | 2013-11-06 | 清华大学 | 扬声器 |
CN102056065B (zh) * | 2009-11-10 | 2014-11-12 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 发声装置 |
CN102065363B (zh) * | 2009-11-16 | 2013-11-13 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 发声装置 |
US8098097B2 (en) * | 2009-12-23 | 2012-01-17 | Honeywell International Inc. | Radio frequency buffer |
US8054107B2 (en) * | 2009-12-30 | 2011-11-08 | Himax Technologies Limited | Operational circuit having protection circuit for detecting driving current to adjust control signal and related control method |
US8525558B2 (en) * | 2009-12-30 | 2013-09-03 | Himax Technologies Limited | Operational circuit and related control method |
JP2011142402A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Toshiba Corp | 出力回路 |
CN105227165B (zh) * | 2014-06-27 | 2021-04-20 | 西门子公司 | Igbt门极驱动电路、igbt装置以及电动汽车 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3887880A (en) * | 1973-05-24 | 1975-06-03 | Rca Corp | Bias circuitry for stacked transistor power amplifier stages |
JPH07101822B1 (ja) * | 1986-11-21 | 1995-11-01 | ||
US6198325B1 (en) * | 1997-06-27 | 2001-03-06 | Sun Microsystems, Inc. | Differencing non-overlapped dual-output amplifier circuit |
JPH11346126A (ja) | 1998-02-27 | 1999-12-14 | Texas Instr Inc <Ti> | Cmos電力デバイスのためのバイアス・ネットワ―ク |
JP3881448B2 (ja) | 1998-03-31 | 2007-02-14 | 株式会社東芝 | 電力増幅回路 |
US6157258A (en) * | 1999-03-17 | 2000-12-05 | Ameritherm, Inc. | High frequency power amplifier |
GB9926956D0 (en) * | 1999-11-13 | 2000-01-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Amplifier |
JP4030277B2 (ja) | 2001-05-30 | 2008-01-09 | 株式会社東芝 | 増幅回路 |
-
2004
- 2004-03-30 JP JP2004099676A patent/JP4393245B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-29 US US11/091,430 patent/US7242250B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050218987A1 (en) | 2005-10-06 |
JP2005286815A (ja) | 2005-10-13 |
US7242250B2 (en) | 2007-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7242250B2 (en) | Power amplifier | |
KR101369277B1 (ko) | 분산 클래스 g형 증폭기 스위칭방법 | |
US8054123B2 (en) | Fast differential level shifter and boot strap driver including the same | |
US5177450A (en) | Cmos power amplifier | |
US9602070B2 (en) | Power amplifying device | |
US8358173B2 (en) | CMOS power amplifier | |
US6844777B2 (en) | Audio amplifier | |
US7602248B2 (en) | Power amplifier and its idling current setting circuit | |
US10855239B2 (en) | Amplifier class AB output stage | |
JP4351882B2 (ja) | デジタル電力増幅器 | |
US11171617B2 (en) | Power amplifying device and audio equipment | |
US7449948B2 (en) | Amplifier | |
US10566933B2 (en) | Low voltage amplifier with gain boost circuit | |
WO2022264716A1 (ja) | 高電圧増幅器 | |
JP4147625B2 (ja) | ボリウム装置 | |
US9553546B2 (en) | Differential output stage of an amplification device, for driving a load | |
Shorb et al. | Class AB-DG line driver for central office asymmetric digital subscriber line systems | |
JP2011135224A (ja) | 電力増幅回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090313 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090728 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090820 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090915 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091013 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4393245 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 4 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |