JP4388604B2 - 金属銅の気相での化学的被着のための、新しい銅(▲i▼)前駆物質 - Google Patents
金属銅の気相での化学的被着のための、新しい銅(▲i▼)前駆物質 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4388604B2 JP4388604B2 JP53931198A JP53931198A JP4388604B2 JP 4388604 B2 JP4388604 B2 JP 4388604B2 JP 53931198 A JP53931198 A JP 53931198A JP 53931198 A JP53931198 A JP 53931198A JP 4388604 B2 JP4388604 B2 JP 4388604B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- lower alkyl
- structural formula
- branched
- chain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- IXPWKHNDQICVPZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhex-1-en-3-yne Chemical compound CCC#CC(C)=C IXPWKHNDQICVPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BYSRUWKGUGERFI-UHFFFAOYSA-N hex-1-en-3-yne Chemical compound CCC#CC=C BYSRUWKGUGERFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 claims description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- -1 copper coordination complex Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 8
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- DQQNMIPXXNPGCV-UHFFFAOYSA-N 3-hexyne Chemical compound CCC#CCC DQQNMIPXXNPGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001460 carbon-13 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012985 polymerization agent Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F1/00—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
- C07F1/08—Copper compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Description
従来の技術においては、前記純粋金属で構成された膜を製作するための数多くの銅前駆物質が知られている、最も将来性ある前駆物質は、
という一般構造式(I)を満たし、銅がβ−ジケトネートに配位されている、1つの配位子によって安定化された酸化状態(+1)にある銅の配位錯体である。なおこの式中、同一のものであるか又は異なるものであるR,R’及びR”は、水素原子、フッ素のようなハロゲン原子、場合によって単数又は複数のフッ素原子によって置換された低級アルキルである。
好ましい錯体は、以下の展開構造式を満たす、Rが水素原子でありR’及びR”が過フッ化アルキル、有利には−CF3基である錯体である。
このような錯体及びCVDのためのその利用については、例えば、米国特許第5,085,731号、5,096,737号、5,098,516号、5,144,049号、5,187,300号の中で記述されており、これらの特許のCVD方法に関する教示は本書に参考として内含される。
これらの前駆物質について実施された研究によると、それらの分子構造は、良質な膜の再現性ある獲得にとって決定的なものであることがわかる(P.Doppelt et T.H.Baum,MRS Bull.XIX(8)41,1994)。しかしながら、電子産業には、低い抵抗率と長期にわたる優れた熱安定性をもつ欠点のない垂直相互接続及びラインの充てんを可能にする銅薄膜ベースの電子回路の再現性ある製造にとって理想的な前駆物質が存在していない。
上述の特許で報告されているように、金属銅の形成は、以下の反応式に従って200℃前後の温度で加熱された表面上での2つの銅(I)分子の不均化の結果である:
2Cu(I)(hfac)L → Cu(II)(hfac)2+Cu(O)+2L
以下配位子とも呼ぶルイスの塩基Lの性質が、CVDによって得られる銅膜の性質に影響を及ぼすことは非常に少ない。銅の膜は一般に、炭素原子又は酸素原子を含まない(1%未満)非常に純粋なものであり、CVDによって得られた銅膜内では、約1.8μΩ・cmの抵抗率が一般に見られる。この値は、純銅塊において見られるもの(1.67μΩ・cm)ときわめて近い。一方、配位子Lの性質は、錯体の揮発性、ひいては得られる銅の被着速度を決定する。
従来の技術においては、例えば以下のように、銅CVDについてテストされた80種類以上の銅(I)(hfac)錯体が知られている:
− 米国特許第5,098,516号に引用された、少なくとも非芳香族不飽和を有する不飽和炭化水素配位子、イソニトリル、一酸化炭素;
− 米国特許第5,096,737号に引用されているアルキン及びアセチレン誘導体、ジエン、オレフィン及びホスフィン;
− C(R4)(R5)=C(R5)Si(R6)3という構造式を満たす、米国特許第5,144049号に引用された化合物:なお式中、R4,R5,R6は、水素原子又はC1〜C8の低級アルキルである;
− R4−C≡C−Si(R5)3という構造式を満たす米国特許第5,187,300号に引用された化合物:なお式中、R4及びR5は、C1〜C8の低級アルキルである。
以下の表Iで報告されている、大気温で液体である、CVD用の銅の3つの前駆物質が、さらに特別に検討されてきた。
これらの中で、(3−ヘキシン)Cu(hfac)錯体は、最も高い成長速度を示すものである。これに対し、近年これが二核性錯体の形成を導き、このことがその利用の主たる障害となっていることが示された。(P.Doppelt et T.H.Baum.Journal of Organometallic Chemistry517,53−62,1996)。
この欠点を補正するため、発明人は、置換された又は未置換のアルキンから成る配位子により安定化されたCVD用の銅錯体の利用に際しての二核性錯体の形成に関連づけられる電子現象について研究した。実施された研究作業により、米国特許第5,187,300号で提案された基Si(R)3といったような電子供与体基をアルキンが支持している場合、これらの二核性種の形成が有利な作用を受ける、ということを示すことができた。
本発明は、精確に言うと、CVDにおける前駆物質の潜在性を保ちながら、三重結合を有するタイプの配位子により安定化された銅の利用に際しての二核性錯体の形成が提起する問題に対し1つの解決法を提供することを目的としている。この目的は、nが0から約8までである−O−(CH2)n−CH3という式の1つ又は2つのアルコキシ、有利にはメトキシ(−O−CH3)基又は1つの2重結合といったような、わずかに電子求引性のある1つ又は2つの基によって3重結合が部分的に不活性化されている配位子を利用することによって達成される。
従って、本発明は、
という一般式(I)をもつ銅の蒸気相での化学的被着のための、以下銅前駆物質(I)とも呼ばれている、低融点の固体又は揮発性液体の有機金属錯体において、上記式中、同一のもの又は異なるものであるR’及びR”は、フッ素といったような単数又は複数のハロゲン原子によって場合により置換される低級アルキルであり、Rは、水素原子、フッ素といったハロゲン原子、場合によってフッ素といった単数又は複数のハロゲン原子によって置換される低級アルキルの中から選ばれ、Lは前記錯体の安定化用配位子を表わし、Lは、支持するわずかに電子求引性をもつ1つ又は2つの基により部分的にその3重結合が不活性化されているアルキンであることを特徴とする有機金属錯体に関する。
Lがわずかに電子求引性をもつ2つの基により部分的にその3重結合が不活性化されたアルキンである場合には、それらの基は、前記三重結合の両側に配置されていることが好ましい。
本発明に従った配位子は、
という構造式(II)又は、
という構造式(III)又は
という構造式(IV)
を満たし、これらの式中、同一のもの又は異なるものであるR1,R2,R3及びR4は、水素原子、単数又は複数のフッ素原子によって置換された低級アルキル、R5が低級アルキルである−Si(R5)3基の中から選ばれ、i及びjは0〜3であり、同一のもの又は異なるものであるX1及びX2は、わずかな電子求引性をもつ基を表わしている。
本発明に従った好ましい配位子の第1のグループは、アルケン−イン、つまり、1つの又は2つの2重結合と1つの3重結合を含む化合物である。これらの配位子は、構造式(II),(III)又は(IV)をもつものであり、これらの式中、同一のもの又は異なるものであるx1及びx2は、
という構造式(V)のラジカルであり、この式中R6,R7及びR8は水素原子、単数又は複数のフッ素原子で置換された低級アルキル、R5が低級アルキルであるSi(R5)3の中から選ばれるか、又はR6及びR2が一緒に、又はR6とR1が一緒に、又は2つのR6ラジカルが一緒に
という構造式(VI)の基を形成し、この式中、R9及びR10は、水素原子、単数又は複数の水素原子、単数又は複数のフッ素原子により置換された低級アルキル、R5が低級アルキルであるSi(R5)3基の中から選ばれ、kは1〜3であり、かくして例えば、
のもののような環式構造式の配位子で形成されるようになっている。なお式中、R3,R4,R6,R7,R8,R9,R10,i及びkは、構造式(II),(V)及び(VI)の場合と同じ意味をもつ。
X1及びX2が構造式(V)のものである構造式(IV)の化合物の中でも、2重結合と3重結合の共役を回避するような形で、i又はjが0と異なるものである化合物が好ましい。
構造式(II)又は(III)の化合物の中でも、特に以下のものが好ましい:
−の構造式をもつ2−メチル−1−ヘキセン−3−イン
−の構造式をもつ1−ヘキセン−3−イン
本発明に従った好ましい配位子の第2のグループは、構造式(II),(III)又は(IV)のものであり、これらの式中、同一の又は異なるものであるX1及びX2は、
という構造式(VII)のラジカルであり、この式中、R6,R7,R8は構造式(V)の場合と同じ意味をもち、nは、(C)n−R6が低級アルキルのままであるように0〜8である。
本発明に従った配位子の第3のグループは、各々2重結合の両側に置かれたアルコキシ基と2重結合を1つ含む基の両方を含むものであり、これらの配位子は、構造式(IV)を満たし、式中X1は構造式(V)をもち、X2は構造式(VII)をもつか又はその逆である。
以上の構造式において、より特定的に言うと、低級アルキルというは、−CH3又は−C2H5といった線状又は分枝のC1〜C8のアルキルのことを指している。これらは、−CF3,−C2F5,−CH2CF3,−CF2CH3ラジカルといったように、単数又は複数のフッ素原子によって置換されていてもよい。
本発明のその他の利点及び特徴は、
といった構造式の銅錯体の調製及び分析に関する以下の例の中で明らかになることだろう。なお式中、Lは、すでに先行技術においてその調製が記述され特に重合剤として知られている化合物である2−メチル−1−ヘキセン−3−イン又は1−ヘキセン−3−インである。
例1:
この例で利用された配位子は、市販の2−メチル−1−ヘキセン−3−インである。銅錯体は、先行技術において記述された方法によって合成された(P.Doppelt,T.H.Baum及びL.Ricard,Inorg・Chem.35,1286.1996)。その特性は以下のとおりである:
CuC12H11F6O2について計算された分析値:C,39.6;H,3.05;F,31.32;Cu,17.3。
実際値:C,40.0:H,3.10;Cu17.0.融点=15℃,IR(2枚のNaClディスク間の液体):2983(f).2016.3(f,C=C),1671(m),1556(m),1531(m),1490(s),1348(f),1258(F),1203(F),1147(F),1104(f),917(f),800(m),673(m),665(m),581(m),cm-1.1H NMR(Bruker,300Mhz,CDCl3,20℃):δ1.34(t,9Hz,CH3),2.07(s,CH3).2.71(q,9Hz,CH2),5.33(s,=CH),5.58(s,=CH),6.18(s,C−H,hfac),13C NMR:δ13.74(s,CH3),16.24(s,CH3),23.73(s,CH2),87.68(s,C-H),89.90(s,C=C),95.76(s,C=C),117.82(q.315MHz,CF3),121.54(s,C=C),178.12(q,32Hz,C=O).
例2:
この例で利用された配位子は、市販されていないものの特性が知られている1−ヘキセン−3−インである。この化合物は、先行技術で記述された方法を採用して調製された(G.Eglinton及びM.C.Whiting・J・Org.Chem3650(1950)。銅錯体は例1にあるように合成された。その特性は以下のとおりである:
融点=18℃.IR(2枚のNaClディスク間の液体):2986(f),2944(f),2885(tf),2016.4(f,C=C),1641(m),1556(m),1531(m),1472(s),1409(m),1348(f),1257(F),1202(F),1147(F),1102(f),967(f),800(m),673(m),589(m),cm-1 1H NMR(Bruker,300MHz,CDCl3,20℃).δ1.37(t,7.3Hz,CH3),2.67(qd,1.5及び7.5Hz.CH2).5.47(dd,1.5及び10.7Hz,=CHH),5.8(dd,1.5及び16.9Hz,=CHH),6.05(ddt,16.9,1.5及び10.7Hz,=CH,6.15(s,C-H,hfac),13C NMR:δ13.49(s,CH3),16.05(s,CH2),83.72(s,C=C),89.77(s,C-H),96.15(s,C=C),112.5(s,=CH),117.8(q,315Hz,CF3),121.91(s,C=C),178.27(q,32Hz,C=O)。
例3:例1及び2の錯体の分析
プロトンのNMRスペクトルは、ヘキサフルオロアセチルアセトネートのHメチンのピークと配位子のピークの取込みを比較することにより錯体の化学量論を見極めることを可能にする。この比は最終的に1であり、こうして例1及び2で与えられた錯体の構造が確認される。
13CのNMRスペクトルは、遊離配位子とキレート化された配位子のピークを比較することで、銅が3重結合に関連していることを明示することを可能にする。ところで、本発明の新しい錯体は、配位子が3−ヘキシンである対応する錯体よりもはるかに安定している。実際、この後者のケースでは、3重結合が、Cu+イオン(hfac)をキレート化することができ、はるかに安定性の低い錯体を提供するということが示された。本発明の錯体では、3重結合は、二核性錯体の形成を避けるため、2つの不飽和間の共役の結果、充分に不活性化されている。
例1及び2の錯体は2つ共、大気温で黄色の液体である。これらは、CVDにより金属銅膜を被着させるための前駆物質として利用され成功を収めている。これらは、すぐれた揮発性を示しその結果銅膜の急速な成長を実現できるようにすると同時に、蒸発温度での高い安定性を示す。比較すると、例1の錯体においては、ガス撹拌器<bulleur>の温度は65℃に維持され、12時間の周期を2回経過した後も劣化が見い出されることはなかった。
Claims (4)
- 下記一般式(I)で表される、銅の気相での化学的被着のための配位子により安定化された酸化状態(+1)にある銅の配位錯体。
[式中、R’及びR”は、同一であるか又は異なり、単数又は複数のハロゲン原子によって置換されていてもよい、鎖状又は分枝状のC1〜C8の低級アルキルであり、Rは、水素原子、フッ素原子、及び単数又は複数のフッ素原子によって置換されていてもよい鎖状又は分枝状のC1〜C8の低級アルキルの中から選ばれ、Lは前記錯体の安定化用配位子であって、下記の(a)、(b)、(c)、(d)、(e)のいずれか1つのアルキンである:
(a)2−メチル−1−ヘキセン−3−イン;
(b)1−ヘキセン−3−イン;
(c)構造式(II)のアルキン;
(d)構造式(III)のアルキン;
(e)構造式(IV)のアルキン;
(上記構造式(II)、(III)、(IV)中、
R1,R2,R3及びR4は、同一であるか又は異なり、水素原子、単数又は複数のフッ素原子によって置換された鎖状又は分枝状のC1〜C8低級アルキル、−Si(R5) 3 (式中、R5は鎖状又は分枝状のC1〜C8低級アルキルである)基の中から選ばれ、
i及びjは、0であり、
X1及びX2は、同一であるか又は異なり、
下記の構造式(V):
(式中、
R6、R7及びR8は、水素原子、単数又は複数のフッ素原子で置換された鎖状又は分枝状のC1〜C8低級アルキル、−Si(R5) 3 (式中、R5は鎖状又は分枝状のC1〜C8低級アルキルである)基の中から選ばれるか、
又は、R6及びR2が共に、又はR6とR1が共に、或いは2個のR6が共に、
下記の構造式(VI):
(式中、
R9及びR10は、水素原子、単数又は複数のフッ素原子により置換された鎖状又は分枝状のC1〜C8低級アルキル、−Si(R5) 3 (式中、R 5 は鎖状又は分枝状のC1〜C8低級アルキルである)基の中から選ばれ、kは1〜3である)
で表される基と一緒になって環状構造を形成する)
で表される基である)] - Lは、(e)構造式(IV)を満たすことを特徴とする請求項1に記載の銅の配位錯体。
- Lは、(e)構造式(IV)を満たし、X1及びX2 が互いに異なるものであることを特徴とする請求項1に記載の銅の配位錯体。
- 気相で揮発性の有機金属銅前駆物質と基体を接触させることによる、基体上への金属銅膜の気相での化学的被着のための方法において、前記前駆物質として、請求項1〜3のいずれか1項に記載の銅の配位錯体を利用することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9703029A FR2760743B1 (fr) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Nouveaux precurseurs de cuivre(i) pour depot chimique en phase gazeuse de cuivre metallique |
FR97/03029 | 1997-03-13 | ||
PCT/FR1998/000518 WO1998040387A1 (fr) | 1997-03-13 | 1998-03-13 | Nouveaux precurseurs de cuivre(i) pour depot chimique en phase gazeuse de cuivre metallique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001514644A JP2001514644A (ja) | 2001-09-11 |
JP4388604B2 true JP4388604B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=9504731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53931198A Expired - Fee Related JP4388604B2 (ja) | 1997-03-13 | 1998-03-13 | 金属銅の気相での化学的被着のための、新しい銅(▲i▼)前駆物質 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6130345A (ja) |
EP (1) | EP0966474B1 (ja) |
JP (1) | JP4388604B2 (ja) |
KR (1) | KR100542913B1 (ja) |
AT (1) | ATE477258T1 (ja) |
AU (1) | AU743343B2 (ja) |
CA (1) | CA2283160C (ja) |
DE (1) | DE69841824D1 (ja) |
FR (1) | FR2760743B1 (ja) |
TW (1) | TW514671B (ja) |
WO (1) | WO1998040387A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002530520A (ja) * | 1998-08-03 | 2002-09-17 | アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド | ミクロ電子工学素子構造体の製造のための銅前駆組成物及びその形成プロセス |
JP2002128787A (ja) * | 1999-12-15 | 2002-05-09 | Mitsubishi Materials Corp | 有機銅化合物及び該化合物を含む混合液並びにそれを用いて作製された銅薄膜 |
US6596344B2 (en) * | 2001-03-27 | 2003-07-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of depositing a high-adhesive copper thin film on a metal nitride substrate |
US6534666B1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-03-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Use of water and acidic water to purify liquid MOCVD precursors |
FR2839982B1 (fr) | 2002-05-22 | 2005-04-15 | Centre Nat Rech Scient | Composition de precurseur pour le depot de cuivre sur un support |
US7038071B2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-05-02 | Sonus Pharmaceuticals, Inc. | Platinum compounds |
FR2845088B1 (fr) * | 2002-09-30 | 2004-12-03 | Centre Nat Rech Scient | Nouveaux complexes metalliques exempts de fluor pour le depot chimique de metaux en phase gazeuse |
DE10319454A1 (de) * | 2003-04-29 | 2004-11-18 | Merck Patent Gmbh | Dikupfer(I)oxalat-Komplexe als Precursor zur metallischen Kupferabscheidung |
US6838573B1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-01-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Copper CVD precursors with enhanced adhesion properties |
CA2560059A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Sonus Pharmaceuticals, Inc. | Platinum carboxylate anticancer compounds |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1178290A (en) * | 1981-07-13 | 1984-11-20 | Gerald Doyle | Copper or silver complexes with fluorinated diketonates and unsaturated hydrocarbons |
US5096737A (en) | 1990-10-24 | 1992-03-17 | International Business Machines Corporation | Ligand stabilized +1 metal beta-diketonate coordination complexes and their use in chemical vapor deposition of metal thin films |
US5098516A (en) | 1990-12-31 | 1992-03-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Processes for the chemical vapor deposition of copper and etching of copper |
US5085731A (en) | 1991-02-04 | 1992-02-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper |
US5144049A (en) * | 1991-02-04 | 1992-09-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper |
US5187300A (en) | 1991-02-04 | 1993-02-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile precursors for copper CVD |
JP2622671B2 (ja) * | 1995-03-07 | 1997-06-18 | 株式会社トリケミカル研究所 | 銅のβ−ジケトネート錯体の製造方法 |
-
1997
- 1997-03-13 FR FR9703029A patent/FR2760743B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-13 EP EP98914918A patent/EP0966474B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-13 AU AU69233/98A patent/AU743343B2/en not_active Expired
- 1998-03-13 CA CA002283160A patent/CA2283160C/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-13 DE DE69841824T patent/DE69841824D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-13 JP JP53931198A patent/JP4388604B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-13 US US09/380,948 patent/US6130345A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-13 KR KR1019997008339A patent/KR100542913B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-13 WO PCT/FR1998/000518 patent/WO1998040387A1/fr active IP Right Grant
- 1998-03-13 AT AT98914918T patent/ATE477258T1/de active
- 1998-03-16 TW TW087103811A patent/TW514671B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW514671B (en) | 2002-12-21 |
FR2760743A1 (fr) | 1998-09-18 |
JP2001514644A (ja) | 2001-09-11 |
CA2283160C (fr) | 2009-11-03 |
CA2283160A1 (fr) | 1998-09-17 |
WO1998040387A1 (fr) | 1998-09-17 |
US6130345A (en) | 2000-10-10 |
KR100542913B1 (ko) | 2006-01-11 |
AU6923398A (en) | 1998-09-29 |
FR2760743B1 (fr) | 1999-07-23 |
AU743343B2 (en) | 2002-01-24 |
EP0966474A1 (fr) | 1999-12-29 |
DE69841824D1 (de) | 2010-09-23 |
ATE477258T1 (de) | 2010-08-15 |
EP0966474B1 (fr) | 2010-08-11 |
KR20000076244A (ko) | 2000-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5187300A (en) | Volatile precursors for copper CVD | |
KR940005327B1 (ko) | 구리의 화학적 증착 방법 | |
JP5226717B2 (ja) | 金属アミジナートを用いる原子層の析出 | |
US6359159B1 (en) | MOCVD precursors based on organometalloid ligands | |
KR940011709B1 (ko) | 구리필름을 증착시킬 수 있는 휘발성 액상 유기금속 구리 복합체 및 이를 사용한 구리필름의 증착방법 | |
Edwards et al. | Aerosol-assisted chemical vapour deposition (AACVD) of silver films from triorganophosphine adducts of silver carboxylates, including the structure of [Ag (O2CC3F7)(PPh3) 2] | |
JPH06501287A (ja) | 配位子で安定化された一価金属β−ジケトン配位錯体および金属薄膜の化学蒸着へのその利用 | |
JP4388604B2 (ja) | 金属銅の気相での化学的被着のための、新しい銅(▲i▼)前駆物質 | |
US6538147B1 (en) | Organocopper precursors for chemical vapor deposition | |
WO2016052288A1 (ja) | 有機ルテニウム化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 | |
JP4125728B2 (ja) | 一価銅錯体 | |
US6340768B1 (en) | MOCVD precursors based on organometalloid ligands | |
JP4203927B2 (ja) | 膜形成方法及び膜形成材料 | |
KR100600468B1 (ko) | 시클로알켄 구리 전구체의 제조방법 | |
JPH0662533B2 (ja) | 揮発性フッ素化β―ケトイミンリガンドの製造方法 | |
El-Kadri | Synthesis and characterization of group 6 and cobalt metal complexes containing nitrogen-rich donor ligands for metal nitride nanoparticles and thin films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080912 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081027 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081015 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090609 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090908 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |