JP4350313B2 - スタンパ形成用電極材料及びスタンパ形成用薄膜 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等の光ディスクを量産する際の成形用鋳型として利用されるスタンパを形成するために使用されるスタンパ形成用薄膜、及びそのスタンパ形成用薄膜を構成するスタンパ形成用電極材料に関するものである。より詳しくは、前記スタンパを電鋳法により形成させる際に電極として利用されるスタンパ形成用薄膜、及び前記電極を構成する材料としてのスタンパ形成用電極材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えばＣＤやＤＶＤといった光ディスクを製造する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、その表面を研磨して平滑にしたガラス製の原板１０１の表面にスピンコート等によりレジスト膜１０２を形成する。次いで、このレジスト膜１０２に対してパターニング処理が施される。パターニング処理は、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜１０２をレーザビームで露光し、潜像１０２ａを形成した後、現像することにより行われる。すると、図３（ｃ）に示すように、レジスト膜１０２の表面には複数の溝部よりなる凹パターン１０２ｂが形成される。
【０００３】
このパターニング処理が行われた後、図３（ｄ）に示すように、レジスト膜１０２上には凹パターン１０２ｂの全体を被覆するように、金属材料よりなる電極膜１０３がスパッタリング法、蒸着法等により形成される。この電極膜１０３の金属材料には、導電率が高く膜形成後に組成変化しづらい性質を有するニッケル（Ｎｉ）元素が単体で使用されており、その膜厚は均一なものとなっている。その後、図３（ｅ）に示すように、この電極膜１０３を電極として用いる電鋳法により、電極膜１０３の表面にはＮｉ製の金属層１０４が積層される。
【０００４】
この後、図３（ｆ）に示すように、電極膜１０３とともに金属層１０４をレジスト膜１０２の表面から剥離させると、電極膜１０３及び金属層１０４が一体となったスタンパ１０４ａが得られる。このスタンパ１０４ａの表面には前記凹パターン１０２ｂとは逆転した形状となるように、複数の突部よりなる凸パターン１０４ｂが転写されている。そして、スタンパ１０４ａを成形型として使用し、凸パターン１０４ｂ側に合成樹脂材料を射出することにより、その表面に前記凹パターン１０２ｂと同一の凹パターンが複写された基板が形成され、この凹パターンを覆うように基板上に反射膜、保護層等を積層することにより光ディスクが製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年の光ディスクには、例えばＣＤに対するＤＶＤのように、サイズを大きくすることなく記憶容量を増大させるため、単位面積当たりの記録密度をさらに高度化させることが課題となっている。このため、前述したパターニング処理においては、レーザビームと比較して溝部をより幅狭とすることができ、高精細な凹パターン１０２ｂを形成可能な電子ビームが使用されるようになっている。そして、電子ビームで露光を行う際には、レジスト膜１０２を形成するレジスト材料中に、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又は電子吸引機能を有する基等（以下、電子吸引基と記載する）が添加され、レジスト膜１０２の電子吸収感度が高められている。
【０００６】
ところが、上記のように電子吸収感度を向上させたレジスト膜１０２を使用すると、電鋳法で電極膜１０３上に金属層１０４を積層する際、電極膜１０３は、その材料であるＮｉ元素が電子吸引性の元素又は電子吸引基に対して反応し、変質する等して損傷するおそれがある。すると、スタンパ１０４ａは、この電極膜１０３により凸パターン１０４ｂの表面部分が形成されていることから、損傷した電極膜１０３により凸パターン１０４ｂの表面が荒れるという不具合を生じてしまう。そして、このようなスタンパ１０４ａを使用して形成された基板には前記凹パターン１０２ｂが正確に複写されず、データ読取り時のノイズが大きくなり、Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）が低く、品質の低下した光ディスクが製造されてしまうという問題があった。
【０００７】
この発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、耐腐食性を向上させることにより、スタンパ形成用薄膜の損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることができるように構成されたスタンパ形成用電極材料及びスタンパ形成用薄膜を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明のスタンパ形成用電極材料は、原板上のパターニング処理されたレジスト膜の表面に被覆されるスタンパ形成用薄膜を構成し、前記スタンパ形成用薄膜を電極として使用する電鋳法により、その薄膜の表面に金属層を積層させ、その金属層をスタンパ形成用薄膜とともにレジスト膜から剥離させてスタンパを形成するためのスタンパ形成用電極材料であって、銅（Ｃｕ）元素を主成分として含有するとともに、少なくとも１種の他の元素を含有することを特徴とするものである。
【０００９】
請求項２に記載の発明のスタンパ形成用電極材料は、請求項１に記載の発明において、前記他の元素は、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔｉ）の少なくともいずれか１種であることを特徴とするものである。
【００１０】
請求項３に記載の発明のスタンパ形成用電極材料は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、１０．０重量パーセント以下の銀（Ａｇ）元素を含有することを特徴とするものである。
【００１１】
請求項４に記載の発明のスタンパ形成用電極材料は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明において、５．０重量パーセント以下のチタン（Ｔｉ）元素を含有することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項５に記載の発明のスタンパ形成用薄膜は、請求項１から請求項４のいずれかに記載のスタンパ形成用電極材料からなることを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
図２（ｂ）に示すように、光ディスク２０を構成する基板２１は、合成樹脂である透明なポリカーボネートにより円板状に形成され、その上面には複数の微細な溝部よりなる凹パターン２１ａを有している。基板２１の上部には、この凹パターン２１ａの各溝部を被覆するようにアルミニウム製の薄膜よりなる反射膜２２が積層されている。さらに、反射膜２２の上部には、紫外線硬化樹脂よりなる保護層２３が凹パターン２１ａの各溝部を埋めつつ、さらに基板２１をその全面に渡って被覆するように積層されており、この保護層２３により凹パターン２１ａ及び反射膜２２の損傷が防止されている。
【００１４】
図２（ａ）に示すように、前記基板２１は、後述する製造方法により成形された金属製のスタンパ１５を用いて形成される。このスタンパ１５は、ニッケル（Ｎｉ）製の金属層１４と、その金属層１４の下面に積層された金属材料（スタンパ形成用電極材料）よりなるスタンパ形成用薄膜としての電極膜１３とにより一体的に形成されている。このスタンパ１５の下面は、基板２１の凹パターン２１ａとは逆転した形状をなし、複数の突部よりなる凸パターン１６を有している。そして、前記基板２１を成形する工程は、スタンパ１５を成形用鋳型として用い、凸パターン１６を有する下面側にポリカーボネート材料を射出して、ポリカーボネート材料が硬化した後、スタンパ１５から離型させることにより行われる。
【００１５】
また、光ディスク２０を製造する工程は、まず、射出成形された基板２１にスパッタリング法、蒸着法等の方法により反射膜２２を形成した後、その反射膜２２上に保護層２３を形成させる。
【００１６】
次に、上記スタンパ１５を成形するための製造方法について説明する。
さて、スタンパ１５を成形するための製造方法として、まず、図１（ａ）に示すように、原板１１上にレジスト膜１２を形成する工程について説明する。この工程は、その表面が研磨、洗浄されて平滑面とされたガラス板又はシリコンウェハからなる原板１１上に、スピンコート法等により液状のレジスト材料を均一な厚さとなるように塗布した後、プリベークすることにより行われる。その結果、前記レジスト材料が加熱乾燥されてレジスト膜１２が形成される。このレジスト材料中には、塩素、硫黄、フッ素等のような電子吸引性の元素又は電子吸引基が含有されているため、形成されたレジスト膜１２の電子吸収感度は向上されている。
【００１７】
次いで、前記レジスト膜１２に対し、パターニング処理を施す工程について説明する。この工程では、まず、図１（ｂ）に示すように、前記レジスト膜１２の上面側から電子ビームを照射することによりレジスト膜１２を露光し、そのレジスト膜１２の表面に潜像１２ａが形成されてデータ信号の記録が行われる。この後、図１（ｃ）に示すように、前記レジスト膜１２を現像することにより潜像１２ａ部分が除去されて、レジスト膜１２の上面に複数の溝部よりなる凹パターン１２ｂが形成される。続いて、このレジスト膜１２をポストベークすることにより、レジスト膜１２に対するパターニング処理が完了する。
【００１８】
続いて、図１（ｄ）に示すように、スタンパ形成用薄膜としての電極膜１３を形成する工程について説明する。この工程は、スパッタリング法、蒸着法、無電界メッキ法等の方法により、レジスト膜１２の上面にスタンパ形成用電極材料（金属材料）よりなる電極膜１３が均一な膜厚となるように形成されることにより行われる。この状態で電極膜１３には凹パターン１２ｂの形状が正確に転写されている。
【００１９】
最後に、スタンパ１５を形成する工程について説明する。この工程では、まず、図１（ｅ）に示すように、前記電極膜１３を電極として使用し、電鋳法を施すことにより、電極膜１３の上面にＮｉ元素が堆積され、金属層１４が積層される。そして、金属層１４を電極膜１３とともに、原板１１及びレジスト膜１２の表面から剥離させることにより、図１（ｆ）に示すように、金属層１４及び電極膜１３が一体となったスタンパ１５が得られる。
【００２０】
このスタンパ１５の下面には、凹パターン１２ｂの形状が正確に転写された電極膜１３により、前記凹パターン１２ｂとは逆転した形状をなす複数の突部より構成された凸パターン１６が形成されている。そして、このスタンパ１５を利用することにより、上述したように光ディスク２０を構成する基板２１が射出成形される。
【００２１】
なお、スタンパ１５を形成した以降の工程としては、上記の工程で得られるスタンパ１５をマスタスタンパとし、凸パターン１６が形成された面上に電鋳法を施すことにより、凹パターンを有するサブマスタスタンパの形成を行うことができる。さらにこの後、サブマスタスタンパを利用してマスタスタンパと同一形状の複数のベビースタンパを形成し、これらベビースタンパを使用して光ディスク２０の基板２１を射出成形することもできる。
【００２２】
一方、上記電極膜１３を構成するスタンパ形成用電極材料（金属材料）には、導電率が高く、レジスト材料中の電子吸引性の元素又は電子吸引基に対して化学反応を起こしにくいことから、銅（Ｃｕ）を主成分として含有するとともに、少なくとも１種の他の元素を含有するものが使用される。なお、この明細書中で主成分とは、スタンパ形成用電極材料の中で含有量の最も多いものを指すものとする。前記他の元素としては、スタンパ形成用薄膜としての電極膜１３の耐腐食性を容易に向上させることができることから、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔｉ）の少なくともいずれか１種を選択するのが好ましい。また、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔｉ）以外にも、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）の少なくともいずれか１種を選択してもよい。
【００２３】
この実施形態のスタンパ形成用電極材料には、Ｃｕを主成分とし、前に挙げた金属元素のうち、Ａｇ及びＴｉが添加されたものが使用されている。このようにスタンパ形成用電極材料中にＡｇ及びＴｉを添加した場合には、電極膜１３の導電性を維持しつつ、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又はそれらを電子吸引基として有する物質に対する耐腐食性の向上を図ることができる。
【００２４】
さらに、Ａｇを添加させる場合、スタンパ形成用電極材料中におけるＡｇの含有率は、１０.０重量パーセント以下とすることが好ましく、より好ましくは５．０重量パーセント以下である。Ａｇを１０.０重量パーセントより多く含有すると、その組成によってはＣｕ及びＴｉのそれぞれと固溶体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがある。また、スタンパ形成用電極材料中におけるＴｉの含有率は、５.０重量パーセント以下とすることが好ましく、より好ましくは２．０重量パーセント以下であり、さらに好ましくは１．０重量パーセント以下である。Ｔｉを５.０重量パーセントより多く含有すると、その組成によってはＣｕ及びＡｇと固溶体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがある。
【００２５】
前記の実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
・ 実施形態のスタンパ形成用薄膜としての電極膜１３には、Ｃｕ、Ａｇ及びＴｉからなるスタンパ形成用電極材料（金属材料）が用いられている。このＣｕ、Ａｇ及びＴｉからなるスタンパ形成用電極材料は、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又はそれらを電子吸引基として有する物質に対する耐腐食性が高いことから、電鋳法によりＮｉ製の金属層１４を形成させる際の電極膜１３の変質等といった損傷を防止することができる。
【００２６】
この電極膜１３により凸パターン１６の表面が形成されたスタンパ１５は、レジスト膜１２の凹パターン１２ｂが正確に転写されたままの状態で、その表面を平滑面として維持することができる。従って、このようなスタンパ１５を使用して形成された光ディスク２０の基板２１は、レジスト膜１２の凹パターン１２ｂが正確に複写された凹パターン２１ａを有するとともに、凹パターン２１ａを構成する各溝部の内面が平滑面となる。そして、光ディスク２０に記録されたデータを読み取るための光学ピックアップから照射されるレーザの乱反射が抑制されることから、Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）が向上し、光ディスク２０の品質を高度に維持することができる。
【００２７】
・ さらに、スタンパ形成用電極材料中におけるＡｇの含有率を１０.０重量パーセント以下に、Ｔｉの含有率を５.０重量パーセント以下に設定することにより、電極膜１３の耐腐食性のさらなる向上を相乗効果的に図ることが可能である。
【００２８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げ、前記実施形態をさらに具体的に説明する。なお、この発明はそれらの実施例に限定されるものではない。
【００２９】
（実施例１）
石英基板上に、ＲＦスパッタ装置を使用してＣｕ及びＡｇの２種からなる電極膜１３を形成した。すなわち、Ｃｕ及びＡｇの２種のスパッタリングターゲットを用意してＲＦスパッタ装置に装着し、各金属を同時に基板上に堆積させてスパッタリングを行い、電極膜１３を形成した。このとき、各金属の含有率は、各金属原子の放出量を制御することにより調整し、この金属原子の放出量の制御は、各スパッタリングターゲットへのＲＦ投入電力により行った。なお、スパッタリングターゲットのサイズは、直径７.６２ｃｍ（３ｉｎｃｈ）、厚み５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０ｃｍとした。また、成膜条件は、到達真空度を３×１０^-5Ｐａ、成膜時のガス圧を０.７〜１.０Ｐａとした。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗとした。
【００３０】
（実施例２）
Ｃｕ及びＴｉの２種のスパッタリングターゲットを用意し、実施例１と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、電極膜１３を形成した。
【００３１】
（実施例３）
Ｃｕ、Ａｇ及びＴｉの３種のスパッタリングターゲットを用意し、実施例１と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、電極膜１３を形成した。
【００３２】
（比較例１）
石英基板上に、ＲＦスパッタ装置を使用してＣｕのみからなる電極膜１３を形成した。すなわち、Ｃｕのスパッタリングターゲットを用意し、ＲＦスパッタ装置に装着し、スパッタリングを行って電極膜１３を形成した。スパッタリングターゲットのサイズは、直径７.６２ｃｍ（３ｉｎｃｈ）、厚み５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０ｃｍとした。成膜条件は、到達真空度を３×１０^-5Ｐａ、成膜時のガス圧を０.７〜１.０Ｐａとした。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗとした。
【００３３】
（耐腐食性の評価）
実施例１〜３及び比較例１で得られた電極膜１３を石英基板とともに、その濃度が５体積パーセント（これ以降、ｖｏｌ％と記載する）の塩化ナトリウム水溶液中に常温で浸し、所定時間放置した後、経時変化の有無を評価した。測定結果を表１に示した。なお、金属材料中における各金属元素の組成、つまり含有率は、重量パーセント（これ以降、ｗｔ％と記載する）で示した。経時変化の有無の評価は測定者の目視により行い、測定時に電極膜１３の表面が全く変質しなかったものを○、表面が若干変質したものを△、表面が変質したものを×として評価した。また、塩化ナトリウム水溶液を使用した理由は、任意で選択したレジスト材に塩素およびナトリウム含有による腐食作用が懸念されたためである。
【００３４】
【表１】

表１の結果より、実施例１及び実施例２においては、３０分（これ以降、ｍｉｎと記載する）の浸漬で電極膜１３の表面の一部が若干白く濁るように変質した。比較例１においては、３０ｍｉｎの浸漬で電極膜１３の表面全体が白く濁るように変質した。実施例３においては、３０ｍｉｎの浸漬では表面が変質せず、６０ｍｉｎの浸漬で電極膜１３の表面が白く濁るように変質した。
【００３５】
実施例２と実施例３とを比較すると、Ｔｉの含有率が同じく５ｗｔ％であるにも係わらず、Ａｇの有無により、実施例２よりも実施例３の耐腐食性が高いことが示された。このため、Ｃｕを主成分とする金属材料にＡｇ及びＴｉの２種類を添加することにより、耐腐食性が向上するとともに、Ｔｉの含有率は５．０ｗｔ％以下に設定することが好ましいことが示された。
【００３６】
実施例３において、Ａｇ及びＴｉの含有率がそれぞれ１０ｗｔ％及び５ｗｔ％では、６０ｍｉｎの浸漬で表面が変質するというように若干の不具合が生ずることが示された。そこで、以下に示す実施例では、電極膜１３を作製するための最適な条件を求めた。
【００３７】
（実施例４〜１０）
実施例１と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、Ｔｉの含有率を実施例４〜６では０．１ｗｔ％、実施例７〜１０では０．５ｗｔ％とし、これに対してＡｇの含有率を変えながら実施例４〜１０の電極膜１３を形成した。そして、各実施例で得られた電極膜１３を上記の耐腐食性の評価と同様に評価した。測定結果を表２に示した。
【００３８】
【表２】

表２の結果より、実施例４〜８においては、３０ｍｉｎの浸漬で電極膜１３の表面が白く濁るように変質した。実施例９及び実施例１０は、６０ｍｉｎの浸漬で電極膜１３の表面が白く濁るように変質した。Ａｇの含有率が１０ｗｔ％より高く設定された実施例５〜実施例８においては、３０ｍｉｎの浸漬で表面が変質したことから、Ａｇの含有率は１０ｗｔ％以下に設定することが好ましいことが示された。
【００３９】
一方、実施例４及び実施例９を比較すると、Ａｇの含有率が同じく１０ｗｔ％であるにも係わらず、実施例４よりも実施例９の耐腐食性が高いことが示された。このため、Ｃｕの含有率が９０ｗｔ％程度の場合、Ａｇの含有率をＴｉの含有率と比較して２０倍前後となるように設定することが好ましいことが示された。
【００４０】
この結果を基にして、以下に示す実施例では、電極膜１３を作製するためのさらに最適な条件を求めた。
（実施例１１〜１７）
実施例１と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、Ａｇの含有率が１０ｗｔ％以下となるようにＡｇ及びＴｉの含有率をそれぞれ変えながら実施例１１〜１７の電極膜１３を形成した。そして、各実施例で得られた電極膜１３を上記の耐腐食性の評価と同じく、濃度が５ｖｏｌ％の塩化ナトリウム水溶液中に常温で浸し、電極膜１３の表面が変質するまで放置し、変質するまでの時間を耐塩水時間として測定してこれを評価した。なお、耐塩水時間の評価においては、前に挙げた各実施例のうち、概ね良好な耐腐食性を有することが示された実施例３、実施例９及び実施例１０についても併せて評価した。測定結果を表３に示した。
【００４１】
【表３】

表３の結果より、実施例３及び実施例９においては、４０ｍｉｎの浸漬で電極膜１３の表面が変質することが示された。実施例１０及び実施例１１においては、５０ｍｉｎの浸漬で電極膜１３の表面が変質し、実施例３及び実施例９よりも良好な耐腐食性を有することが示された。実施例１２〜１７においては、全ての実施例で耐塩水時間が９０ｍｉｎ以上となり、さらに良好な耐腐食性を有することが示された。なかでも、実施例１３、実施例１４及び実施例１６においては、耐塩水時間が１８０ｍｉｎであり、最も良好な耐腐食性を有することが示された。
【００４２】
上記の結果のうち、実施例９及び実施例１０を比較すると、Ｔｉの含有率が同じく０．５ｗｔ％であるにも係わらず、実施例９よりも実施例１０の耐腐食性が高いことが示された。このため、Ａｇの含有率は、５.０ｗｔ％以下に設定することがより好ましいことが示された。また、Ａｇの含有率が５.０ｗｔ％以下である実施例１１〜１３をそれぞれ比較すると、３つの実施例の全てで耐塩水時間が５０ｍｉｎ以上であることから、Ｔｉの含有率は、２.０ｗｔ％以下に設定することがより好ましいと考えられる。
【００４３】
一方、実施例１０及び実施例１３を比較すると、両実施例ともにＴｉの含有率が０.５ｗｔ％であるにも係わらず、実施例１０よりも実施例１３の耐腐食性が非常に高いことが示された。実施例１０ではＡｇの含有率がＴｉの含有率と比較して１０倍、実施例１３では２倍に設定されている。このため、Ａｇの含有率をＴｉの含有率と比較して２倍前後となるように設定することがより好ましいことが示された。
【００４４】
Ａｇの含有率がＴｉの含有率の２倍前後が好ましいという結果より、実施例１１〜１３を比較すると、各実施例でそれぞれＡｇの含有率がＴｉの含有率と比較して２倍であるにも係わらず、実施例１２及び実施例１３は耐塩水時間が１００ｍｉｎを越えている。これより、Ｔｉの含有率は、１.０ｗｔ％以下に設定することがさらに好ましいと考えられる。この考察を基にＴｉの含有率が１.０ｗｔ％以下である実施例１４〜１６を検討すると、実施例１４〜１６の全てが耐塩水時間が１００ｍｉｎを越え、良好な耐腐食性を示すことから、Ｔｉの含有率は、１.０ｗｔ％以下に設定することがさらに好ましいことが示された。
【００４５】
加えて、実施例１７において、Ａｇの含有率がＴｉの含有率と比較して２倍であるにも係わらず、耐塩水時間が９０ｍｉｎであるという結果が得られ、実施例１２〜１６と比較して耐腐食性が低くなることが示された。この結果と、実施例１３、実施例１４及び実施例１６の結果とを併せると、主成分であるＣｕの含有率を９７〜９９．５ｗｔ％に設定するとともに、Ａｇの含有率がＴｉの含有率と比較して１．５〜４．５倍の範囲内となるようにそれぞれの含有率を設定することでさらに良好な耐食性を付与することができることが示された。
【００４６】
なお、本実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・ 上記実施形態の光ディスク２０は、基板２１、反射膜２２及び保護層２３をそれぞれ１層ずつ有するものであったが、これに限定されず、例えば基板２１、反射膜２２及び保護層２３をそれぞれ２層ずつ有する光ディスク２０としてもよい。
【００４７】
さらに、上記実施形態又は実施例より把握できる技術的思想について記載する
（１） ５．０重量パーセント以下の銀（Ａｇ）元素と、２.０重量パーセント以下のチタン（Ｔｉ）元素とを含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のスタンパ形成用電極材料。このように構成した場合、スタンパを形成するスタンパ形成用薄膜により一層良好な耐腐食性を付与することができる。
【００４８】
（２） 前記チタン（Ｔｉ）元素を１．０重量パーセント以下含有することを特徴とする前記（１）に記載のスタンパ形成用電極材料。このように構成した場合、スタンパを形成するスタンパ形成用薄膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【００４９】
（３） ９７〜９９．５重量パーセントの銅（Ｃｕ）元素と、重量基準での含有率の比がチタン（Ｔｉ）元素１に対して銀（Ａｇ）元素１．５〜４．５となるように設定したことを特徴とする前記（１）又は前記（２）に記載のスタンパ形成用電極材料。このように構成した場合、スタンパを形成するスタンパ形成用薄膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【００５０】
（４） 前記（１）から前記（３）のいずれかに記載のスタンパ形成用電極材料からなることを特徴とするスタンパ形成用薄膜。このように構成した場合、スタンパを形成するスタンパ形成用薄膜により一層良好な耐腐食性を付与することができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、次のような効果を奏する。
請求項１に記載の発明のスタンパ形成用電極材料によれば、耐腐食性を向上させることにより、スタンパ形成用薄膜の損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることができる。
【００５２】
請求項２に記載の発明のスタンパ形成用電極材料によれば、請求項１に記載の発明の効果に加えて、スタンパ形成用薄膜に良好な耐腐食性を付与することができる。
【００５３】
請求項３に記載の発明のスタンパ形成用電極材料によれば、請求項１又は請求項２に記載の発明の効果に加えて、スタンパ形成用薄膜により一層良好な耐腐食性を付与することができる。
【００５４】
請求項４に記載の発明のスタンパ形成用電極材料によれば、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明の効果に加えて、スタンパ形成用薄膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【００５５】
請求項５に記載の発明のスタンパ形成用薄膜によれば、耐腐食性を向上させることにより、スタンパ形成用薄膜の損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）〜（ｆ）はいずれも、実施形態のスタンパの製造工程を模式的に示す部分拡大端面図。
【図２】 （ａ）は実施形態のスタンパを用いた基板形成工程を模式的に示す部分拡大端面図、（ｂ）は光ディスクを模式的に示す部分拡大端面図。
【図３】 （ａ）〜（ｆ）はいずれも、従来のスタンパの製造工程を模式的に示す部分拡大端面図。
【符号の説明】
１１…原板、１２…レジスト膜、１３…スタンパ形成用薄膜としての電極膜、１４…金属層、１５…スタンパ。

Claims (5)

1. 原板上のパターニング処理されたレジスト膜の表面に被覆されるスタンパ形成用薄膜を構成し、
   前記スタンパ形成用薄膜を電極として使用する電鋳法により、その薄膜の表面に金属層を積層させ、その金属層をスタンパ形成用薄膜とともにレジスト膜から剥離させてスタンパを形成するためのスタンパ形成用電極材料であって、
   銅（Ｃｕ）元素を主成分として含有するとともに、少なくとも１種の他の元素を含有することを特徴とするスタンパ形成用電極材料。
2. 前記他の元素は、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔｉ）の少なくともいずれか１種であることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ形成用電極材料。
3. １０．０重量パーセント以下の銀（Ａｇ）元素を含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のスタンパ形成用電極材料。
4. ５．０重量パーセント以下のチタン（Ｔｉ）元素を含有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のスタンパ形成用電極材料。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載のスタンパ形成用電極材料からなることを特徴とするスタンパ形成用薄膜。

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