JP4350087B2 - フッ素含有ターフェニルジヒドロキシ単量体とこの単量体を利用して製造されたフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド) - Google Patents

フッ素含有ターフェニルジヒドロキシ単量体とこの単量体を利用して製造されたフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド) Download PDF

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Description

本発明は、フッ素含有ターフェニルジヒドロキシ単量体とこの単量体を用いて製造されたフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)に関するものであって、さらに詳細には、分子内に二つのヒドロキシ基機能基とフッ素原子とを共に含んでいる新規フッ素含有ターフェニルジヒドロキシ単量体と、この単量体を使用した芳香族親核置換(SAr)重合反応により製造された情報通信用光素子材として有用なフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)に関するものである。
動映像処理、映像媒体の伝達、電話通信網を具現するためには、より多い量の情報を速い速度で伝達することが必須要件である。このような情報の大容量、高速化が実現されるために数百Mbps(mega bit per second)が要求されると予想され、将来には、Tbps(tera bit per second)の伝達速度が要求される見込みである。
このような大容量の情報を処理するための解決策として、光通信が代案として浮上し、光通信方式の中でも、光の並列性を用いた波長分割あるいは周波数分割方式が時間分割方式より脚光を浴びるようになった。光通信に必要な代表的な素子は、光出力分割機(optical output splitter)、波長分割多重化機(wavelength division multiplexer)、高速光変調機(high speed optical modulator)、スイッチ(switch)などがある。光導波路素子として考慮すべき性質としては、光進行損失、熱及び環境(湿度)安定性、偏光依存性、工程及びパッケージングの容易性などがある。受動光導波路素子の製作には、今までシリカが最もよく使用されてきたが、最近は、水素がフッ素に置換された高分子を利用した開発が活発に進行されている。
ポリ(アリレンエーテル)は、エンジニアリングプラスチックの一つであって、電子材料だけではなく、航空宇宙材料として用いられる高分子である。一般に、フッ素を含んだポリ(アリレンエーテル)やポリイミドは、熱的安定性、化学的安定性、低い光損失、低い屈折率、低い複屈折率、低い誘電率を有しており、加工が容易で、吸湿率も低いため、熱可塑性高分子、膜弾性体などに利用されるのはもちろん、情報通信分野において、素子の製作時要求される物性とよく符合されるとして、光素子を製作する時もよく利用されている。
特に、ポリ(アリレンエーテルスルフィド)(以下、‘PAESIs’と略称する)は、機械的安定性、熱安定性、火に対する抵抗性、化学的安定性、低い複屈折率及び低い吸湿性を有する硫黄(sulfur)グループが導入されただけではなく、柔軟性のよいエーテルグループを有しているため、ポリイミドに比べ、物性は同等でありながら相対的に素子製作には有利である。現在、UdelTM(ploy ether sulfone)、KadelTM(poly ether ketone)、PEEKTM[Poly(ether ether ketone)]、そして、VictrexTMなどが常用化されて販売されている。特に、フッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)(以下、‘FPAESIs’と略称する)が注目を浴びている理由は、エーテル結合により柔軟性を高分子主鎖に導入できるだけではなく、高分子主鎖が捩り(kink)構造を有するため、不規則性構造と規則性構造の相関、相殺効果により高いガラス転移温度を有するからである(特許文献1、非特許文献1〜3参照)。このようなFPAESIsを製造するためには、芳香族親核置換(SAr)反応がよく適用されるが、この際、ジヒドロキシ機能基を有する単量体がこの反応に使用される。FPAESIsの製造に用いられるジヒドロキシ単量体の代表的な例としては、4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフェノールが使用されている。その他に、フッ素を含有したジヒドロキシ単量体としては、9,9’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、2,2’,3,3’,5,5’,6,6’−オクタフルオロ−4,4’−ビフェノールハイドレート、4,4’−イソプロピリデンジフェノール、4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフェノールが知られているが、非常に稀で、FPAESIの種類もあまり多くない。
米国特許第6,512,076号 Jae-Pil Kim et al."Fluorinated Poly(arylene ether sulfide) for Polymeric Optical Waveguide Devices"Macromolecules 2001,34,7817-7821 Jae-Wook Kang et al. "Low-Loss Fluorinated Poly(Arylene Ether Sulfide) Waveguides with High Thermal Stability" JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL.19, NO.6, JUNE2001, 872-875 Jae-Wook Kang et al."StructureProperty Relationship of Fluorinated Co-Poly(Arylene Ether Sulfide)s and Co-Poly(Arylene Ether Sulfone)s for Low-Loss and Low-Birefringence Waveguide Devices"JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL. 23, NO. 1, JANUARY 2005, 364-373
フッ素含有高分子としてポリ(アリレンエーテルスルフィド)が、情報通信用素子など、産業的な適用用途が広範囲であるにも拘わらず、現在知られているフッ素含有ジヒドロキシ単量体が非常に少なく、より優れた物理的・化学的特性を有するポリ(アリレンエーテルスルフィド)を製造するに制約が多いため、本発明では、このような問題を解決できる新規単量体を合成することにより、本発明を完成することになった。
したがって、本発明は、フッ素含有ターフェニルジヒドロキシ単量体とこれの製造方法を提供することにその目的がある。
また、本発明は、上記ターフェニルジヒドロキシ単量体を重合して製造したポリ(アリレンエーテルスルフィド)とこれの製造方法を提供することにその目的がある。
本発明は、次の化学式1で表されるフッ素含有ターフェニル量体をその特徴とする。
Figure 0004350087

上記式で、Rは、水素原子またはC 〜C のアルキル基を示し;Xは、フッ素原子またはC〜Cのフルオロアルキル基を示し;nは、置換基Xの数であって、1〜5の整数を示す。
このような本発明をさらに詳細に説明すると、次のようである。
本発明による上記化学式1で表される新規フッ素含有ターフェニル単量体は、フッ素を含有しているため、この単量体を重合し製造された高分子は、一般にフッ素含有高分子の有する物性、例えば、熱的安定性と化学的安定性に優れているのはもちろん、低い光損失、低い屈折率、低い誘電率を有しており、加工が容易で、且つ吸湿率も低いため、情報通信用素子材として有用に適用できる。
本発明による上記化学式1で表されるフッ素含有ターフェニル量体をより具体的に例示すると、2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’;4’,1”]ターフェニル;4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール;2’,5’−ジメトキシ−3,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル;3,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール;2,3,5,6,2”,3”,5”,6”−オクタフルオロ−2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル;2,3,5,6,2”,3”,5”,6”−オクタフルオロ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオールが含まれる。
一方、本発明は、上記化学式1で表される単量体の製造方法を含むが、本発明による単量体の製造方法を簡略に示すと、次の反応式1のようである。
[反応式1]
Figure 0004350087
上記式で、R’は、C〜Cのアルキル基を示し;Rは、 〜Cのアルキル基を示し;Xは、フッ素原子またはC〜Cのフルオロアルキル基を示し;nは、置換基Xの数であって、1〜5の整数を示す。
本発明による上記化学式1で表される単量体として、R=水素原子である化合物は、ヒドロキシ基とフッ素原子間の反応特性上、一段階の反応では製造できない。そのため、本発明では、ヒドロキシ基の代わりに、アルコキシ基が置換された1,4−ジアルコキシベンゼンを出発物質として、これにフッ素を含有した物質をスズキクロスカップリング反応した後、反応の最後の段階でアルコキシ基をヒドロキシ基に転換させる方法を採択した。
前記反応式1による単量体の製造方法をより具体的に説明すると、以下のようである。
まず、前記化学式2で表される1,4−ジアルコキシベンゼンを臭化反応して、前記化学式3で表される1,4−ジブロモ−2,5−ジアルコキシベンゼンを製造する。臭化反応は、臭素(Br)とヨウ素(I)を使用する通常の方法により、常温で行う。反応溶媒は、通常の有機溶媒を使用して、具体的にはジクロロメタン(CHCl)、酢酸、トルエン、ヘキサン、テトラヒドロフラン(THF)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルフォキシド(DMSO)などを使用することができる。また、臭化反応後、未反応の臭素(Br)とヨウ素(I)を除去するために、水酸化カリウム水溶液などで処理した。
その後、上記化学式3で表される1,4−ジブロモ−2,5−ジアルコキシベンゼンを上記化学式4で表される2,5−ジアルコキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸に転換する。前記ブロモ化合物をボロン酸化合物に転換する反応は、ブロモ化合物をマグネシウム(Mg)、ジブロモエタン及びテトラヒドロフランと共に70〜90℃の温度で還流反応し、グリニャール試薬(Grignard reagent)を製造した後、−90〜−50℃に温度を保ちながら、ホウ酸トリメチルを添加して常温で攪拌反応し、−30〜10℃で加水分解して、硫酸で中和し、目的とするボロン酸化合物を得る。
その後、上記化学式4で表される2,5−ジアルコキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸を上記化学式5で表されるフッ素の置換されたブロモベンゼンとスズキクロスカップリング(Suzuki cross coupling)反応し、R=アルキル基の上記化学式1で表される目的化合物を製造する。スズキクロスカップリング反応は、アルカリ金属塩基及びパラジウム触媒下で通常の方法により、反応温度60〜140℃の範囲で行う。
アルカリ金属塩基は、具体的に、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの中から選択し使用する。パラジウム触媒としては、パラジウムテトラキストリフェニルフォスフィン(Pd(PPh))、パラジウムアセテート、パラジウムクロライドなどが使用できる。
反応溶媒は、通常の有機溶媒を使用して、具体的には、テトラヒドロフラン(THF)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、トルエン、ペンタン、ジオキサン、エチレングリコール、ジメチルエーテル(DME)、ジメチルアセトアミド(DMA)などを使用できる。
また、R=水素原子である上記化学式1で表される単量体を合成するためには、適切な酸、例えば、塩酸、臭素酸/酢酸、ヨウ素酸、トリフルオロ酢酸、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、二塩化フェニルホウ素、三ヨウ化ホウ素、三フッ化ホウ素などから選択使用し、加水分解反応する。具体的な例として、酸加水分解は、臭素酸/酢酸を使用し、100〜150℃温度に加熱反応して行う。
以上で説明した単量体の製造方法を構成する各段階の反応は、公知の方法に過ぎないが、反応物質の選択及び置換基の導入順序などを特異性のあるように構成することにより、目的とするフッ素含有ジヒドロキシ単量体を効率的に得るということにその特徴がある。
一方、本発明による上記化学式1で表される新規単量体は、フッ素原子とヒドロキシ基を含む構造的な特徴により、芳香族親核置換反応によるフッ素含有高分子、特にフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)重合用単量体として有用に適用できる。したがって、本発明は、次の化学式6で表されるフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)をその特徴とする。

Figure 0004350087
上記式で、Dは、フッ素原子またはエチニルフェノキシ基であり、Xは、ッ素原子またはC〜Cのフルオロアルキル基を示し、nは、置換基Xの数であって、1〜5の整数であり、mは、単位体の数であって、5〜80の整数を示す。
本発明による上記化学式6で表されるポリ(アリレンエーテルスルフィド)は、親核置換(S2)反応により合成されるため、高分子量の高分子を得ることができて、必要な単位体を組み合わせて合成することが可能であるため、ガラス転移温度(Tg)のような物性の調節が可能な長所を有する。
本発明による上記化学式6で表されるポリ(アリレンエーテルスルフィド)の代表的な製造方法は、次の反応式2で示すことができる。
次の反応式2による製造方法によると、
a)次の化学式1で表されるターフェニルジヒドロキシ化合物と次の化学式7で表されるスルフィド化合物を縮合反応して、次の化学式6aで表される高分子(D=F)を合成する過程、及び、
b)次の化学式6aで表される高分子とZ−OHで表される架橋結合性化合物とを反応して、次の化学式6bで表される高分子(D=−O−Z)を合成する過程が含まれる。
[反応式2]
Figure 0004350087
上記式で、Xは、ッ素原子またはC〜Cのフルオロアルキル基を示し、nは、置換基Xの数であって、1〜5の整数であり、mは、単位体の数であって、5〜80の整数を示し、Zは、架橋結合性基であって、エチニルフェニル基を示す。
本発明が目的とする上記化学式6aで表される高分子の製造のための、上記化学式1で表されるターフェニルジヒドロキシ単量体と上記化学式7で表されるスルフィド化合物の縮合反応は、適切な塩基と非プロトン性極性溶媒の存在下で、100〜200℃の温度範囲で2〜10時間行う。
また、本発明では、上記化学式6aで表される高分子の熱的安定性の増加のために、高分子鎖の末端に熱的架橋の可能な架橋結合性基を含む上記化学式8で表される化合物、例えば、エチニルフェノール化合物を反応させて上記化学式6bで表される高分子に転換することもできる。高分子鎖の末端に架橋結合性基を導入する反応は、適切な塩基と非プロトン性極性溶媒の存在下で、100〜200℃の温度範囲で2〜10時間行う。
本発明の目的とするポリ(アリレンエーテルスルフィド)合成のための縮合反応及び架橋結合性基の導入反応には、塩基として、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、硫酸塩の中から選択された無機塩基を使用するか、あるいはアンモニアを始めとした通常のアミン類の中から選択された有機塩基を使用することもできる。また、上記反応溶媒としては、N−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、ジメチルスルフォキシド(DMSO)、テトラヒドロフラン(THF)などの中から選択された通常の非プロトン性極性溶媒が使用できて、共沸溶媒としてベンゼン、トルエンなどが使用できる。
以上説明したような方法により製造された本発明のポリ(アリレンエーテルスルフィド)は、平均分子量が3,000〜100,000範囲であって、反復単位数(m)は、略5〜80個程度であり、熱的安定性、低い誘電率、低い屈折率などは、既存のフッ素含有高分子と同等またはそれ以上の水準であって、複屈折率は、著しく向上した結果を示した。
以上説明したように、本発明による新規単量体は、フッ素を含有しているため、この単量体を使用して製造された高分子は、一般にフッ素を含有した高分子が有する熱的安定性、化学的安定性、低い光損失、低い屈折率、低い誘電率を有しており、加工が容易で、且つ吸湿率も低いため、高性能の光導波路用素子の製作に利用され、情報通信用素子材として有用に使われて、電子産業の発展に寄与することができる。
以上説明したような本発明は、次の製造例及び実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明がこれに限定されるものではない。
製造例:ターフェニルジヒドロキシ単量体の製造
製造例1:1,4−ジブロモ−2,5−ジメトキシベンゼンの製造
Figure 0004350087
1,4−ジメトキシベンゼン(74.5mmol)、ヨウ素(I;0.61mmol)とジクロロメタンとを、窒素で置換した3口丸底フラスコ(3-Neck Round Bottom Flask)に入れた後、光を遮断した状態で、滴下漏斗を利用し臭素(Br;178.8mmol)を常温で徐々に滴下した。滴下が終わった後、反応器の温度を常温に保持した状態で一時間還流反応した。反応が終わった後、反応物は、未反応のヨウ素と臭素を除去するために、5Mの水酸化カリウム(KOH)水溶液に入れて、ジクロロメタンと水を使用した抽出過程で、塩状態の物質を水と共に除去した。また、硫酸マグネシウムを利用し、残っている少量の水を除去した。濾液中のジクロロメタンは、真空濃縮機を利用して除去した。得られた生成物は、40℃で真空乾燥して、収率は、99%以上と非常に高かった。最終生成物は、白色の固体で、融点は、144〜149℃であった。
構造分析は、GC−MASS、H−NMR、FT−IRを通じて行われた。図1のGC−MASSスペクトルから分かるように、親イオン(parent ion)が296で現れて、脂肪族臭素化合物は、臭素の同位元素が自然界に79と81では1:1と現れるため、親イオンが298と294との間でも現れなければならない。その理由は、生成された1,4−ジブロモ−2,5−ジメトキシベンゼンに置換された臭素が、両方とも79の原子量を有する物質が置換された場合と、79と81がそれぞれ一つずつ置換された場合と、両方とも81の原子量を有する物質が置換された場合の、三つの場合が生じるためである。また、メチル基(−CH)が一つはずれたピークが279、281、283などで現れることが確認できた。
図2のH−NMRスペクトル結果でも、電気陰性度が水素より大きい臭素が置換されることにより、陽性子の電子密度を減少させ、陽性子の局所的反磁性遮蔽を減らすため、ベンゼンの水素ピークが脱遮蔽され低磁場側に移動したことが確認できた。
また、図3のFT−IRスペクトル結果からも、出発物質である1,4−ジメトキシベンゼンで現れていた1968、1867cm−1ピークが、反応後、消えてなくなったことが確認できるが、この二つのピークは、2000〜1667cm−1領域で見られるパラ(para−)位置の置換されたベンゼン類化合物で現れるピークであって、反応の後、二つのピークが消えたことが分かる。そして、反応後、ベンゼンのC−1、C−2、C−4、C−5の位置に四つの物質が置換されていることを、1793、1700cm−1ピークを通じて確認することができた。
製造例2:2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸の製造
Figure 0004350087
コンデンサ、滴下漏斗及びマグネチックスターラーの装着された、窒素で置換した3口丸底フラスコに、マグネシウム(Mg)を入れて加熱し水分を完全に除去した後、テトラヒドロフラン(10mL)とジブロモエタン(0.1mL)を少し入れて活性化した。この際、マグネシウムが活性化されて沸きながら、溶液の色が透明な色から黒い褐色に変化するのを確認した後、テトラヒドロフランとテトラヒドロフランに溶かした1,4−ジブロモ−2,5−ジメトキシベンゼンを交互に少しずつ入れた後、80℃の温度で一時間還流した。ドライアイスとアセトンを用いてアセトン湯煎を作り、−60℃まで反応器の温度を保持した後、20分〜30分間ホウ酸トリメチル(Trimethyl borate)を滴下漏斗で少しずつ入れた。アセトン湯煎を除去し反応器の温度を常温まで上げた後、テトラヒドロフラン40mLを入れて、24時間保持した。反応器の温度を0℃以下に維持し、水を加えて加水分解した後、硫酸水溶液(680mLの水に33.6mLの硫酸)を添加し化合物を中和した。中和した後、反応物は、ジエチルエーテルを利用して有機物層を抽出した後、硫酸マグネシウムを利用し、残余水分を除去した。
濾液中のジメチルエーテルは、真空濃縮機を用いて除去した後、再びアセトニトリルと水の混合物を利用して再結晶し、最終生成物を得て、得られた生成物は、60℃で真空乾燥し、収率は、52%であった。最終生成物は、白色の固体として得られ、融点は、250℃以上であった。
構造分析は、EA(element analysis)分析、H−NMR、13C−NMR、FT−IRを通じて行われた。EA分析結果、2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸の炭素(C)と水素(H)の値がそれぞれ43.68、5.38として測定され、分子式(C12)の理論的な計算結果である42.55、5.36とほとんど一致することが分かった。図2のH−NMRスペクトルの結果でも、7.80ppmでヒドロキシ(−OH)ピークが新たに現れて、またベンゼンの水素ピークとメチル基のピークが正確に現れて、ピークの面積比も正確に一致し、2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸が合成されたことが確認できた。また、13C−NMRスペクトルの結果、他の環境の炭素ピークがそれぞれ55.84、116.86、124.56、157.47ppmで現れたことにより、純粋な単一物質であることが分かった。図3のFT−IRスペクトルにおいて、1,4−ジブロモ−2,5−ジメトキシベンゼンで見られなかったヒドロキシ(−OH)ピークが3366cm−1で正確に現れて、ボロン酸(−B(OH))グループが形成されたことが確認できた。上記のEA分析、H−NMR、13C−NMR、FT−IRを通じて2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸が合成されたことが確認できた。
製造例3:2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル(6FDMTP)の製造
Figure 0004350087
コンデンサ、マグネチックスターラーの装着された、窒素で置換した2口丸底フラスコに、2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸(6.64mmol)、4−ブロモベンゾトリフルオライド(12.28mmol)、テトラヒドロフラン(50mL)、2M濃度の炭酸カリウム水溶液(25mL)を加えた後、触媒のパラジウムテトラキストリフェニルフォスフィン(Pd(PPh);5mol%)を加えた。反応混合物を、反応器を窒素雰囲気とし80℃の温度で8時間反応した。反応が終わった後、ジクロロメタンを用いて抽出した後、水で数回洗浄した。また、硫酸マグネシウムを用いて残っている少量の水を除去した。濾液中のジクロロメタンは、真空濃縮機を利用し除去した後、カラムクロマトグラフィーを通じて未反応物質を除去した後、再びジクロロメタンを利用し再結晶過程を経て、さらに純粋な最終生成物を得ることができた。得られた生成物は、60℃で真空乾燥し、収率は、92%以上で高かった。最終生成物は、白色の固体として得られ、融点は、192〜194℃であった。
構造分析は、GC−MASS、H−NMR、19F−NMR、FT−IRを通じて行われた。図4のGC−MASSスペクトルから見られる親イオンが426で非常に大きく現れて、メチル基(−CH)の一つはずれたピークが411で、二つはずれたピークが396で、それぞれ現れた。図5のH−NMRスペクトル結果でも、ボロン酸ピークが消えてなくなり、4−ブロモベンゾトリフルオライドで存在していた水素ピークが、反応後、7.70、6.98ppmでそれぞれ生じたことから6FDMTPが合成されたことが分かり、それぞれ水素ピークの面積比も正確であった。また、19F−NMRスペクトルでも、−59.74ppmでフッ素ピークが新たに現れ、スズキクロスカップリング反応が成功的になされたことが確認できた。図6のFT−IRスペクトルで、ボロン酸グループのヒドロキシ基の消滅と、トリフルオロメチルグループのC−Fピークに該当する1122cm−1が新たに現れたことから、トリフルオロメチルベンゼングループの置換が成功的になされ、6FDMTPが合成されたことが確認できた。上記分析結果を通じて、スズキクロスカップリング反応が成功的になされたことが分かった。
製造例4:4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール(6FTPDO)の製造
Figure 0004350087
コンデンサ、滴下漏斗及びマグネチックスターラーの装着された、窒素で置換した2口丸いフラスコに、6FDMTPと酢酸を入れた後、HBrを滴下漏斗を用いて徐々に滴下し、125℃で48時間反応した。その後、反応物を水に沈澱させてフィルタリングし、最終生成物を得た。得られた生成物は、60℃で真空乾燥して、白色固体として得た。収率は、96%で非常に高く、融点は、188〜190℃であった。
構造分析は、GC−MASS、H−NMR、19F−NMR、FT−IRを通じて行われた。図7のGC−MASSスペクトルから見られる親イオンが398で非常に大きく現れた。図5のH−NMRスペクトルの結果、6FDMTPの3.81ppmで現れていたメチル基の水素ピークが6FTPDOでは消えてなくなり、ヒドロキシ基に該当するピークが4.75ppmで現れて、6FTPDOが成功的に合成されたことが確認できた。また、19F−NMRスペクトルの結果は、−59.89ppmでフッ素ピークが現れたが、ピークの変化はほとんどなかった。図6のFT−IRの分析結果は、3338cm−1でヒドロキシ基によるピークを確認することができて、2900〜3000cm−1範囲で現れていたメチル基のC−Hピークが消えてなくなったことから、設計した物質の合成を確認することができた。
製造例5:2’,5’−ジメトキシ−3,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル(12FDMTP)の製造
Figure 0004350087
上記製造例3と同様な方法により実施して、ただ出発物質として4−ブロモベンゾトリフルオライドの代わりに、3,5−ビストリフルオロメチルブロモベンゼンを使用した。収率は、95%以上で、融点は193〜195℃であった。
構造分析は、GC−MASS、H−NMR、19F−NMR、FT−IRを通じて行われた。図8のGC−MASSスペクトルから見られる親イオンが562で非常に大きく現れて、メチル基が一つはずれたピークが547で現れた。図9のH−NMRスペクトル結果でも、ボロン酸ピークが消えてなくなり、3,5−ビストリフルオロメチルブロモベンゼンに存在していた水素ピークが、反応後、7.87、8.01ppmでそれぞれ生じたことから12FDMTPが合成されたことが確認できて、それぞれの水素ピークの面積比も正確であった。また、19F−NMRスペクトル結果でも、−60.03ppmで新たなフッ素ピークが確認され、スズキクロスカップリング反応が成功的になされたことが分かった。図10のFT−IRスペクトルにおいて、ボロン酸グループのヒドロキシ基の消滅とトリフルオロメチルグループのC−Fピークに該当する1118cm−1が新たに現れたことから、トリフルオロメチルベンゼングループの置換が成功的になされ、12FDMTPが合成されたことが確認できた。上記分析結果により、スズキクロスカップリング反応が成功的になされたことが分かった。
製造例6:3,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール(12FTPDO)の製造
Figure 0004350087
上記製造例4と同様な方法により実施し、ただ出発物質として2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’;4’,1”]ターフェニルの代わりに、2’,5’−ジメトキシ−3,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニルを使用した。収率は、93%以上であって、融点は、176〜178℃であった。
構造分析は、GC−MASS、H−NMR、FT−IRを通じて行われた。図11のGC−MASSスペクトルから見られる親イオンが534で非常に大きく現れた。図9のH−NMRスペクトル結果でも、12FDMTPの3.85ppmで現れていたメチル基の水素ピークが12FTPDOでは消えてなくなり、ヒドロキシ基に該当するピークが4.77ppmで現れたことから、12FTPDOが成功的に合成されたことが確認できた。図10のFT−IRの分析結果、3503cm−1でヒドロキシ基によるピークを確認することができて、2900〜3000cm−1範囲で現れていたメチル基のC−Hピークが消えてなくなったことから、設計した物質の合成を確認することができた。
製造例7:2,3,5,6,2”,3”,5”,6”−オクタフルオロ−2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル(14FDMTP)の製造
Figure 0004350087
上記製造例3と同様な方法により実施し、ただ出発物質として4−ブロモベンゾトリフルオライドの代わりに、1−ブロモ−2,3,5,6−テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)ベンゼンを使用した。収率は、90%以上であって、融点は235〜239℃であった。
構造分析は、GC−MASS、H−NMR、19F−NMR、FT−IRを通じて行われた。図12のGC−MASSスペクトルから見られる親イオンが570で非常に大きく現れて、メチル基が一つはずれたピークが555と現れた。図13のH−NMRスペクトル結果でも、ボロン酸ピークが消えてなくなり、1−ブロモ−2,3,5,6−テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)ベンゼンに置換されている電気陰性度の最も大きいフッ素により、メチル基の水素ピークが低磁場に移動することを確認することができて、19F−NMRスペクトルにおいて、脂肪族に置換されているフッ素ピークが−135.06と−138.25ppmをそれぞれ中心とし数個のピークが現れて、芳香族に置換されているトリフルオロメチル基のフッ素ピークが−53.51ppmを中心にトリプルピークとして新たに生じたことから、12FDMTPが合成されたことが確認でき、それぞれのフッ素ピークの面積比も正確であった。図3と図14のFT−IRスペクトルで、ボロン酸グループのヒドロキシ基の消滅が確認できた。上記分析結果を通じて、スズキクロスカップリング反応が成功的になされたことが分かった。
製造例8:2,3,5,6,2”,3”,5”,6”−オクタフルオロ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール(14FTPDO)の製造
Figure 0004350087
上記製造例4と同様な方法により実施し、ただ出発物質として2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’;4’,1”]ターフェニルの代わりに、2,3,5,6,2”,3”,5”,6”−オクタフルオロ−2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニルを使用した。収率は、95%以上であって、融点は、218〜222℃であった。
構造分析は、GC−MASS、H−NMR、FT−IRを通じて行われた。図15のGC−MASSスペクトルから見られる親イオンが542で非常に大きく現れた。図13のH−NMRスペクトル結果でも、14FDMTPの3.80ppmで現れていたメチル基の水素ピークが14FTPDOでは消えてなくなり、ヒドロキシ基に該当するピークが5.04ppmで現れて、14FTPDOが成功的に合成されたことが確認できた。図14のFT−IRの分析結果は、3482、3588cm−1で水素結合をしていないヒドロキシ基ピークと水素結合をしたヒドロキシピークとを確認し、設計した物質の合成を確認することができた。
実施例:フッ素置換されたポリ(アリレンエーテルスルフィド)の製造
実施例1:フッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)−TP(FPAESI−TP)の製造
Figure 0004350087
攪拌装置、窒素導入管、ディーンストック装置が装着された50mLの2口フラスコに、ターフェニルジヒドロキシ化合物として[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール(TPDO)(1.3115g)と、スルフィド化合物としてペンタフルオロフェニルスルフィド(1.8492g)、KCO(0.7947g)、そしてDMAc(15mL)とベンゼン(10mL)を添加した。温度を120℃まで上げて、4時間反応した後、400mLのメタノール/水(1:1、v/v)に沈澱した。沈澱されたポリマーは、イオン交換水で数回洗浄した後、真空乾燥機で三日間乾燥した。高分子の分子量は、各単量体のモル比を変化することにより調節できる。また、反応温度を100℃から168℃まで調節することができるが、120℃が適切であった。以上の方法により合成されたFPAESI−TP高分子の構造は、H−NMR、19F−NMR及び13C−NMRにより分析した。
図16のH−NMRの分析結果、水素ピークは、ターフェニルジヒドロキシ化合物のヒドロキシ(−OH)ピークが消えてなくなり、6.85ppmに該当する単量体のピークがフッ素の含量の多いペンタフルオロフェニルスルフィド単量体の影響を受け高分子になりながら、7.03ppmに低磁場に移動したことから、高分子が形成されたことを確認した。また、全てのピークの幅が広くなるが、これもまた、縮合反応により高分子が形成されたからとして解釈できる。
図17の19F−NMRの分析結果、ピークが二つのみ現れ、ペンタフルオロフェニルグループのパラ位置にFが重合反応に参加し、はずれたことが確認できた。
図18の13C−NMRの分析結果、ペンタフルオロフェニルグループのパラ位置の炭素に該当するピークが、重合前には三つのピークが現れたが、重合後には、三つのピークの中で反応の起こった炭素に対するピークが高磁場に移動し、これはフッ素による影響がなくなったことを意味するため、これにより縮合反応がなされたことを確認することができた。
高分子の分子量は、屈折率の調節及び物性と非常に密接な関係にあるため、分子量の調節が可能であるということは、高分子の製造時、大きな長所になる。分子量の測定は、THFを溶媒とし、ポリスチレンを基準物質として測定した。
次の表1には、FPAESI−TP高分子を製造するにおいて、単量体モル比による分子量の変化を示した。FPAESI−TPの場合、分子量(Mn)範囲は、11,625〜25,712であって、分散度は、2.04〜3.17であった。高分子収率も93〜96%と高かった。
Figure 0004350087
製造されたFPAESI−TP高分子のガラス転移温度(Tg)は、時差走査熱量法(DSC)により10℃/minで窒素雰囲気下で測定した。図19は、FPAESI−TPの分子量によるガラス転移温度の変化を示したものである。FPAESI−TPの分子量がそれぞれ11,625から25,712に増加するにつれて、ガラス転移温度は、138℃から178℃に増加した。
また、図20は、FPAESI−TPの分子量によるガラス転移温度の変化を示したものであって、ガラス転移温度が、高分子鎖末端のグループの数と鎖末端の自由体積、そして高分子の内部分子の相互作用に依存する高分子物性グラフと類似に表れることが分かるが、一般に熱物性(thermophysical)挙動がこのような様相を示す。
図21は、FPAESI−TPの熱分解温度(Td)を10℃/minで空気雰囲気下で測定したが、分子量16,055に該当する熱分解温度が447℃と非常に高かった。
実施例2:フッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)−6F(FPAESI−6F)の製造
Figure 0004350087
上記実施例1と同様な方法によりFPAESI−6F高分子を合成し、ただ、ターフェニルジヒドロキシ化合物として4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール(6FTPDO)を使用した。製造されたFPAESI−6F高分子の構造は、H−NMR、19F−NMR及び13C−NMRにより分析した。
図22のH−NMRの分析結果、ターフェニルジヒドロキシ化合物のヒドロキシ(−OH)ピークがなくなり、6.91ppmに該当する単量体のピークがフッ素の含量の多いペンタフルオロフェニルスルフィド単量体の影響を受け高分子になりながら、7.23ppmに低磁場に移動したことにより、高分子が形成されたことを確認した。また、全てのピークの幅が広くなるが、これもまた、縮合反応によりポリマーが形成されたからとして解釈できる。
図23の19F−NMRの分析結果、パラ位置のフッ素ピークがなくなり、重合が成功的になされたことが確認できた。
図24の13C−NMRの分析結果、ペンタフルオロフェニルグループのパラ位置の炭素に該当するピークが、重合前には三つのピークが現れたが、重合後には、三つのピークの中で反応の起こった炭素に対するピークが高磁場に移動し、これはフッ素による影響がなくなったことを意味するため、これにより縮合反応がなされたことを確認することができた。
次の表2には、FPAESI−6F高分子を製造するにおいて、単量体モル比による分子量の変化を示した。FPAESI−6Fの場合、分子量範囲は、7,773〜30,604であって、分散度は、2.15〜3.07であった。高分子収率も91〜96%と高かった。
Figure 0004350087
製造されたFPAESI−6F高分子のガラス転移温度(Tg)は、時差走査熱量法(DSC)により10℃/minで窒素雰囲気下で測定した。図25は、FPAESI−6Fの分子量によるガラス転移温度の変化を示したものである。FPAESI−6Fの分子量がそれぞれ7,773から30,604に増加するにつれて、ガラス転移温度は、124℃から183℃に増加した。
また、FPAESI−6F高分子の分子量によるガラス転移温度の変化及び熱重量分析結果は、図20及び図21にそれぞれ示した。FPAESI−6Fの分子量によるガラス転移温度の変化は、上記実施例1でのような熱物性(thermophysical)挙動を示すことが分かり、FPAESI−6Fは、分子量11,274に該当する熱分解温度が450℃と非常に高かった。
実施例3:フッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)−12F(FPAESI−12F)の製造
Figure 0004350087
上記実施例1と同様な方法によりFPAESI−12F高分子を合成し、ただ、ターフェニルジヒドロキシ化合物として3,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール(12FTPDO)を使用した。製造されたFPAESI−12F高分子の構造は、H−NMR、19F−NMR及び13C−NMRにより分析した。
図26のH−NMR分析結果、ジヒドロキシ単量体のヒドロキシ(−OH)ピークがなくなったが、6.94ppmに該当する単量体のピークがペンタフルオロフェニルスルフィド単量体の影響を受けなかったが、その理由は、FPAESI−12F重合に使用されたジヒドロキシ単量体に四つの−CFグループの強力な電子引っ張り効果によりピークの動きがほとんどなかったからである。しかしながら、全てのピークの幅が広くなったことから、縮合反応によりポリマーが形成されたことが確認できる。
図27の19F−NMRの分析結果、パラ位置のフッ素ピークがなくなり、重合が成功的になされたことが確認できた。
図28の13C−NMRの分析結果、ペンタフルオロフェニルグループのパラ位置の炭素に該当するピークが、重合前には三つのピークが現れたが、重合後には、三つのピークの中で反応の起こった炭素に対するピークが高磁場に移動し、これはフッ素による影響がなくなったことを意味するため、これにより縮合反応がなされたことを確認することができた。
次の表3には、FPAESI−12F高分子を製造するにおいて、単量体モル比による分子量の変化を示した。FPAESI−12Fの場合、分子量範囲は、5,434〜24,082であって、分散度は、1.54〜7.87であった。高分子収率も90〜95%と高かった。
Figure 0004350087
製造されたFPAESI−12F高分子のガラス転移温度(Tg)は、時差走査熱量法(DSC)により10℃/minで窒素雰囲気下で測定した。図29は、FPAESI−12Fの分子量によるガラス転移温度の変化を示したものである。FPAESI−12Fの分子量がそれぞれ5,434から24,082に増加するにつれて、ガラス転移温度は、110℃から172℃に増加した。また、FPAESI−12F高分子の分子量によるガラス転移温度の変化及び熱重量分析結果は、図20及び図21にそれぞれ示した。FPAESI−12Fの分子量によるガラス転移温度の変化は、上記実施例1でのような熱物性(thermophysical)挙動を示すことが分かり、FPAESI−12Fは、分子量12,373に該当する熱分解温度が451℃と非常に高かった。
実施例4:エンドキャッピング及びフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)−TP、6F及び12F(“E−FPAESI−TP”、“E−FPAESI−6F”及び“E−FPAESI−12F”)の製造
Figure 0004350087
上記した実施例1〜3で合成された高分子FPAESI−TP、FPAESI−6F及びFPAESI−12Fのそれぞれの末端に、3−エチニルフェノール(EP)グループを導入し、E−FPAESI−TP、E−FPAESI−6F及びE−FPAESI−12Fをそれぞれ製造した。
即ち、上記実施例1〜3で合成した高分子溶液のそれぞれに、上記した該当高分子分子量の3モル比に該当する量の3−エチニルフェノール(EP)と、添加した3−エチニルフェノールの1.5倍のモル比に該当する量のKCOをさらに添加し、3時間さらに反応した後、400mLのメタノール/水(1:1、v/v)に沈澱させた。沈澱されたポリマーは、イオン交換水で数回洗浄した後、真空乾燥機で三日間乾燥した。製造されたE−FPAESIs高分子の構造は、H−NMR、13C−NMR及びFT−IRにより分析した。
図30は、3−エチニルフェノールのH−NMRスペクトラであり、図31は、3−エチニルフェノールの結合されたポリ(アリレンエーテルスルフィド)のH−NMRスペクトラである。図31の結果によると、EPの結合されたFPAESIsは、3.1ppm部分で単一ピークが確認され、高分子末端に結合されたことを確認した。また、図33のFT−IRスペクトルでもエチニルグループに該当するピークが現れ、反応が成功的になされたことが確認できた。
次の表4には、E−FPAESI−TP、E−FPAESI−6F及びE−FPAESI−12F高分子のそれぞれを製造するにおいて、単量体モル比による分子量の変化を示した。E−FPAESIsの場合、分子量範囲は、7,707〜31,128であって、分散度は、1.71〜2.89であった。高分子収率も93〜97%と高かった。
Figure 0004350087
E−FPAESI−TP、E−FPAESI−6F及びE−FPAESI−12F高分子のそれぞれの熱処理回数(スキャン回数)によるガラス転移温度を、図34、図35及び図36にそれぞれ示した。一般に架橋度が増加すると、ガラス転移温度は増加するが、スキャン回数が増加するにつれて、時差走査熱量法(DSC)グラフ上に発熱ピークが生じ、反応が起こったことが分かり、また、E−FPAESIsのガラス転移温度も増加し、架橋反応が起こったことが確認できた。一方、図37、図38及び図39の熱重量分析結果において、熱分解温度(Td)値を通じても、架橋反応した高分子が、そうではない高分子より熱的安定性が増加することが分かった。
次の表5には、E−FPAESIsの屈折率(refractive index)と複屈折率(birefringence)に対する結果を示した。一般に、分子量が増加するにつれて高分子のフッ素の含量が増加し、屈折率が低くなることが分かった。そして、E−FPAESI−12FsやFPAESI−12Fsが、E−FPAESI−TPsとFPAESI−TPsより屈折率と複屈折率が非常に低いことが観察できるが、その理由は、フッ素含量が遥かに多く、高分子構造上、−CF結合により生じる高分子の自由体積(free volume)が増加することにより、高分子の形態が非定型構造を有するからとして説明できる。E−FPAESIsの光損失は、0.4〜0.5dB/cmと低かった。
Figure 0004350087
以上説明したように、本発明による新規単量体は、フッ素を含有しているため、この単量体を使用して製造された高分子は、一般にフッ素を含有した高分子が有する熱的安定性、化学的安定性、低い光損失、低い屈折率、低い誘電率を有しており、加工が容易で、且つ吸湿率も低いため、高性能の光導波路用素子の製作に利用され、情報通信用素子材として有用に使われて、電子産業の発展に寄与することができる。
1,4−ジブロモ−2,5−ジメトキシベンゼンに対するGC−MASSスペクトルである。 1,4−ジメトキシベンゼン、1,4−ジブロモ−2,5−ジメトキシベンゼン及び2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸に対するH−NMRスペクトラである。 1,4−ジメトキシベンゼン、1,4−ジブロモ−2,5−ジメトキシベンゼン及び2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸に対するFT−IRスペクトラである。 6FDMTPに対するGC−MASSスペクトルである。 2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸、4−ブロモゼンゾトリフルオライド、6FDMTP及び6FTPDOに対するH−NMRスペクトラである。 6FDMTP及び6FTPDOに対するFT−IRスペクトラである。 6FTPDOに対するGC−MASSスペクトルである。 12FDMTPのGC−MASSスペクトルである。 2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸、3,5−ビストリフルオロメチルブロモベンゼン、12FDMTP及び12FTPDOに対するH−NMRスペクトラである。 12FDMTP及び12FTPDOに対するFT−IRスペクトラである。 12FTPDOに対するGC−MASSスペクトルである。 14FDMTPに対するGC−MASSスペクトルである。 2,5−ジメトキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸、1−ブロモ−2,3,5,6−テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)ベンゼン、14FDMTP及び14FTPDOに対するH−NMRスペクトラである。 14FDMTP及び14FTPDOに対するFT−IRスペクトラである。 14FTPDOに対するGC−MASSスペクトルである。 TPDOとFPAESI−TPのH−NMRスペクトラである。 ペンタフルオロフェニルスルフィドとFPAESI−TPの19F−NMRスペクトラである。 TPDO、ペンタフルオロフェニルスルフィド及びFPAESI−TPの13C−NMRスペクトラである。 分子量によるFPAESI−TPsのガラス転移温度変化を示したグラフである。 製造された高分子FPAESI−TPs、FPAESI−6Fs及びFPAESI−12Fsの分子量によるガラス転移温度変化を示したグラフである。 FPAESI−TP、FPAESI−6F及びFPAESI−12Fの熱重量分析(TGA)結果を示したグラフである。 6FTPDOとFPAESI−6FのH−NMRスペクトラである。 6FTPDO、ペンタフルオロフェニルスルフィド及びFPAESI−6Fの19F−NMRスペクトラである。 6FTPDO、ペンタフルオロフェニルスルフィド及びFPAESI−6Fの13C−NMRスペクトラである。 分子量によるFPAESI−6Fsのガラス転移温度変化を示したグラフである。 12FTPDOとFPAESI−12FのH−NMRスペクトラである。 12FTPDO、ペンタフルオロフェニルスルフィド及びFPAESI−12Fの19F−NMRスペクトラである。 12FTPDO、ペンタフルオロフェニルスルフィド及びFPAESI−12Fの13C−NMRスペクトラである。 分子量によるFPAESI−12Fsのガラス転移温度変化を示したグラフである。 3−エチニルフェノールのH−NMRスペクトラである。 E−FPAESI−TPのH−NMRスペクトラである。 3−エチニルフェノール、FPAESI−12F及びE−FPAESI−12Fの13C−NMRスペクトラである。 FPAESI−12F及びE−FPAESI−12FのFT−IRスペクトラである。 熱処理回数によるE−FPAESI−TP(Mn=12.0K)のガラス転移温度変化を示したグラフである。 熱処理回数によるE−FPAESI−6F(Mn=31.1K)のガラス転移温度変化を示したグラフである。 熱処理回数によるE−FPAESI−12F(Mn=22.2K)のガラス転移温度変化を示したグラフである。 FPAESI−TP(Mn=25.7K)及びE−FPAESI−TP(Mn=25.1K)の熱重量分析(TGA)結果を示したグラフである。 FPAESI−6F(Mn=30.6K)及びE−FPAESI−6F(Mn=31.1K)の熱重量分析(TGA)結果を示したグラフである。 FPAESI−12F(Mn=24.1K)及びE−FPAESI−12F(Mn=22.3K)の熱重量分析(TGA)結果を示したグラフである。

Claims (9)

  1. 次の化学式1で表されることを特徴とするフッ素含有ターフェニル量体:
    Figure 0004350087

    上記式で、Rは、水素原子またはC 〜C のアルキル基を示し;Xは、フッ素原子またはC〜Cのフルオロアルキル基を示し;nは、置換基Xの数であって、1〜5の整数を示す。
  2. 前記化学式1で表される化合物が
    2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’;4’,1”]ターフェニル、
    4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール、
    2’,5’−ジメトキシ−3,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル、
    3,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール、
    2,3,5,6,2”,3”,5”,6”−オクタフルオロ−2’,5’−ジメトキシ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル、及び
    2,3,5,6,2”,3”,5”,6”−オクタフルオロ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール
    の中から選択されたものであることを特徴とする、請求項1に記載のフッ素含有ターフェニル量体。
  3. 次の化学式2で表される1,4−ジアルコキシベンゼンを臭化反応させて、次の化学式3で表される1,4−ジブロモ−2,5−ジアルコキシベンゼンを製造する過程と、
    次の化学式3で表される1,4−ジブロモ−2,5−ジアルコキシベンゼンの臭素(Br)置換基をボロン酸に転換し、次の化学式4で表される2,5−ジアルコキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸を製造する過程と、
    次の化学式4で表される2,5−ジアルコキシ−1,4−ベンゼンジボロン酸と次の化学式5で表されるフッ素含有ブロモベンゼンとをスズキクロスカップリング反応し、次の化学式1で表されるフッ素含有ターフェニル量体を製造する過程と、
    からなることを特徴とするフッ素含有ターフェニル単量体の製造方法:
    Figure 0004350087
    上記式で、R’は、C〜Cのアルキル基を示し;Rは、 〜Cのアルキル基を示し;Xは、フッ素原子またはC〜Cのフルオロアルキル基を示し;nは、置換基Xの数であって、1〜5の整数を示す。
  4. 前記スズキクロスカップリング反応により生成された前記化学式1で表される化合物のRがC〜Cのアルキル基である化合物は、酸溶液により加水分解し、Rが水素原子である化合物に転換する過程がさらに含まれることを特徴とする、請求項3に記載の製造方法。
  5. 次の化学式6で表されるフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド):
    Figure 0004350087
    上記式で、Dは、フッ素原子またはエチニルフェノキシ基であり、Xは、ッ素原子またはC〜Cのフルオロアルキル基を示し、nは、置換基Xの数であって、1〜5の整数であり、mは、単位体の数であって、5〜80の整数を示す。
  6. Figure 0004350087
    の中から選択されたものであることを特徴とする、請求項5に記載のフッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)。
  7. a)次の化学式1で表されるターフェニルジヒドロキシ単量体と次の化学式7で表されるスルフィド化合物とを縮合反応して、次の化学式6aで表される高分子を合成する過程、及び、
    b)次の化学式6aで表される高分子とZ−OHで表される架橋結合性化合物とを反応して、次の化学式6bで表される高分子を合成する過程
    からなることを特徴とする、フッ素含有ポリ(アリレンエーテルスルフィド)の製造方法:
    Figure 0004350087
    上記式で、Xは、ッ素原子またはC〜Cのフルオロアルキル基を示し、nは、置換基Xの数であって、1〜5の整数であり、mは、単位体の数であって、5〜80の整数を示し、Zは、架橋結合性基であって、エチニルフェニル基を示す。
  8. 前記化学式1で表されるターフェニルジヒドロキシ単量体は、
    ,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール、
    ,5,3”,5”−テトラキス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール、及び
    ,3,5,6,2”,3”,5”,6”−オクタフルオロ−4,4”−ビス−トリフルオロメチル−[1,1’,4’,1”]ターフェニル−2’,5’−ジオール
    の中から選択して使用することを特徴とする、請求項7に記載の製造方法。
  9. 前記a)及びb)の反応は、それぞれ塩基と非プロトン性極性溶媒の存在下で、100〜200℃の温度範囲の条件で行うことを特徴とする、請求項7に記載の製造方法。
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