JP4341771B2 - 膜形成方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、金属元素Mと炭素元素Cとが化学的に結合したような構造の膜は中々得られていない。
特に、膜が形成される基体が損傷を受けないで、金属元素Mと炭素元素Cとが化学的に結合したような構造の膜は得られていない。
前者の熱CVDは、膜が形成される基体を500℃以上の高温に保持しなければならない。この為、基体が熱損傷を受け易い。
後者のプラズマCVDでは、基体を高温に保持しなくても良い。すなわち、プラズマCVDは、膜が設けられる基体が比較的低温でも成膜が可能である。従って、基体が耐熱性に乏しい材料である場合には、好ましい技術である。
前記基体は構成要素として炭素元素Cを有するものであり、
反応室内に配置された前記基体の温度を150℃以下に保持すると共に、反応室内に配置された加熱体の温度を1500〜3000℃に保持し、この反応室内にC,Hを少なくとも有する有機化合物と金属元素Mとの気相状態の有機金属化合物を供給することにより、
構成要素として炭素元素Cを有する基体上に金属元素Mと炭素元素Cとを前記の割合で含み、かつ、金属元素Mと炭素元素Cとが化学的に結合した構造を持つ膜を設けることを特徴とする膜形成方法によって解決される。
以下、具体的な実施例を挙げて更に詳しく説明する。
金属有機化合物として(CH3)2AlHを用いた。尚、この金属有機化合物は約150℃の温度で分解する。すなわち、容器5に充填されている(CH3)2AlHの蒸気を、真空状態の反応室1内に送り込んだ。
この時、W製フィラメント2が2200℃となるように通電され、加熱されている。基板4は25℃(室温)となるように保持されている。又、基板4とフィラメント2とは、最短距離で15cm離れている。
このようにして、CVDにより、基板4の上に膜が形成された。
この膜の組成を調べると、AlとCとを構成元素として持っており、Al:C=1:2(原子数比)であり、AlとCとは化学的に結合しているものであることが確認された。
このようにして得られた膜の組成を調べると、炭素元素は不純物レベルの程度しか含まれておらず、Al金属膜であった。
表−1
実施例 フィラメント材料 加熱温度(℃) Al:C
66−1 W 2000 1:1.9
66−2 W 1800 1:1.5
66−3 W 1600 1:1
66−4 Ta 1800 1:2
66−5 Ti 1800 1:1.2
66−6 Zr 1800 1:1.2
66−7 Hf 1800 1:1.5
66−8 V 1800 1:1.1
66−9 Mb 1800 1:1
66−10 Cr 1800 1:0.6
66−11 Mo 1800 1:1.5
66−12 Mn 1800 1:0.5
66−13 Tc 1800 1:0.7
66−14 Re 1800 1:0.8
66−15 Fe 1800 1:0.3
66−16 Ru 1800 1:1
66−17 Os 1800 1:2
66−18 Co 1800 1:0.9
66−19 Rh 1800 1:1.8
66−20 Ir 1800 1:1.8
66−21 Ni 1800 1:1.1
66−22 Pd 1800 1:1.7
66−23 Pt 1800 1:1.9
表−2
実施例 フィラメントの加熱温度(℃) Ta:C:S:Cl
67−1 2200 3:3:1:1
67−2 2000 3:2:1:1
67−3 1800 3:1:0.5:1
67−4 1600 3:0.5:0.3:1
表−3
実施例 フィラメントの加熱温度(℃) Ag:C:O:F:Si
68−1 2200 1:8:2:4:1
68−2 2000 1:6:1.5:4:0.8
68−3 1800 1:5:1:3:0.3
表−4
実施例 基板材料 基板温度(℃) 基板と膜との密着性
72−1 ポリエチレンテレフタレート 100 良
72−2 アクリル樹脂 80 良
72−3 ポリエチレン 100 良
72−4エチレン・プロピレンゴム 90 良
72−5 ポリスチレン 130 良
72−6 洋紙 90 良
72−7 和紙 100 良
72−8 木材(桜) 130 良
72−9 テフロン 130 良
72−10 木材(シナベニヤ) 130 良
これによれば、膜と基板とは、互いに共通する元素を構成要素として含んでいることから、即ち、共に、炭素元素Cを持っていることから、両者の間で密着性に富んでいることが判る。
表−5
実施例 導入ガス 膜組成(Al:C) 膜厚(Å)
1 なし 1:2 1030
73−1 水素 1:0.7 1120
73−2 窒素 1:2.6 880
73−3 ヘリウム 1:2.9 910
即ち、金属有機化合物の他にも送り込むガスを選択することによって、膜の組成比を制御できることが判る。
金属有機化合物としてAl[i−OC3H7]3を用いた。尚、この金属有機化合物は約400℃の温度で分解する。すなわち、容器5に充填されているAl[i−OC3H7]3の蒸気を、真空状態の反応室1内に送り込んだ。
この時、Ta製フィラメント2が1700℃となるように通電され、加熱されている。基板4は170℃となるように保持されている。又、基板4とフィラメント2とは、最短距離で15cm離れている。
このようにして、CVDにより、N型Si(001)基板4の上に膜が形成された。
この膜の組成を調べると、AlとCとOとを構成元素として持っていた。そして、Al:C:O=1:2:6(原子数比)であった。又、膜はアモルファスなものであった。
2 フィラメント
4 基板
5 原料容器
代理人 宇 高 克 己
Claims (9)
- 基体上に金属元素Mと炭素元素Cとを前者:後者=0.0000001:99.9999999〜99.9999999:0.0000001の割合(原子数比)で含み、金属元素Mと炭素元素Cとが化学的に結合した構造を持つ膜を設ける方法であって、
前記基体は構成要素として炭素元素Cを有するものであり、
反応室内に配置された前記基体の温度を150℃以下に保持すると共に、反応室内に配置された加熱体の温度を1500〜3000℃に保持し、この反応室内にC,Hを少なくとも有する有機化合物と金属元素Mとの気相状態の有機金属化合物を供給することにより、
構成要素として炭素元素Cを有する基体上に金属元素Mと炭素元素Cとを前記の割合で含み、かつ、金属元素Mと炭素元素Cとが化学的に結合した構造を持つ膜を設けることを特徴とする膜形成方法。 - 金属元素MがLi,Be,B,Na,Mg,Al,K,Ca,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,As,Se,Rb,Sr,Y,Zr,Nb,Mo,Ru,Rh,Ag,Cd,In,Sn,Sb,Te,Cs,Ba,La,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Au,Hg,Tl,Pb,Bi,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luの群の中から選ばれるものであることを特徴とする請求項1の膜形成方法。
- 有機金属化合物が、金属元素M、炭素元素C、及び水素元素Hの他にも、元素N,O,F,P,S,Cl,Br,Iの群の中から選ばれる少なくとも一つの元素Xを有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2の膜形成方法。
- 化学気相成長方法により膜が形成されることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの膜形成方法。
- 加熱体がW,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素を含む材料で構成されてなることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの膜形成方法。
- 膜が形成される基体は加熱体から0.5cm以上離れて配置されることを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかの膜形成方法。
- 有機金属化合物の蒸気以外にも水素ガス、窒素ガス、酸素ガス、不活性ガスの中から選ばれる少なくとも一つのガスを、加熱された熱フィラメントを有する反応室内に導入することを特徴とする請求項1〜請求項6いずれかの膜形成方法。
- 膜が形成される基体は有機材料からなることを特徴とする請求項1〜請求項7いずれかの膜形成方法。
- 加熱体はフィラメントであり、フィラメントに通電することで1500〜3000℃に加熱されることを特徴とする請求項1〜請求項8いずれかの膜形成方法。
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