JP4336170B2

JP4336170B2 - Substrate inspection apparatus and laser beam irradiation position correction method

Info

Publication number: JP4336170B2
Application number: JP2003318659A
Authority: JP
Inventors: 均今田; 文武林
Original assignee: Nidec Read Corp
Current assignee: Nidec Read Corp
Priority date: 2003-09-10
Filing date: 2003-09-10
Publication date: 2009-09-30
Anticipated expiration: 2023-09-10
Also published as: JP2005083987A

Description

本発明は、被検査基板の表面に形成された配線パターンにレーザー光を照射して当該配線パターンを検査する基板検査装置及びレーザービーム光照射位置補正方法に関し、特に、レーザー光を基板の微小領域に照射して、基板の配線の断線や短絡等を検査する装置に関する。尚、この発明は、プリント配線基板に限らず、例えば、フレキシブル基板、多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板における電気的配線の検査に適用でき、この明細書では、それら種々の配線基板を総称して「基板」と称する。 The present invention relates to a substrate inspection apparatus and a laser beam irradiation position correction method for inspecting a wiring pattern formed on the surface of a substrate to be inspected by irradiating a laser beam, and in particular, a laser beam is applied to a minute region of a substrate. It is related with the apparatus which test | inspects disconnection, a short circuit, etc. of the wiring of a board | substrate. The present invention is not limited to a printed wiring board, but includes, for example, electrical wiring on various substrates such as flexible substrates, multilayer wiring substrates, electrode plates for liquid crystal displays and plasma displays, and package substrates and film carriers for semiconductor packages. In this specification, these various wiring boards are collectively referred to as “substrates”.

従来、基板の表面に形成された配線パターンにレーザー光を照射した場合に、光電効果（トンプトン効果）によって、レーザー光が照射された配線パターンから電子が放出されることを利用して、配線パターンの検査を行う基板検査装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。このような基板検査装置の内、レーザー光を基板の微小領域に照射して、基板の配線の断線や短絡等を検査する装置においては、レーザー光を検査対象となる配線パターンに照射するため、ガルバノミラー等の偏向器が用いられる。
特開２００２−３１８２５８号公報 Conventionally, when a laser beam is irradiated onto a wiring pattern formed on the surface of a substrate, the photoelectric pattern (tonpton effect) is used to emit electrons from the wiring pattern irradiated with the laser beam. A substrate inspection apparatus that performs the inspection is known (for example, see Patent Document 1). In such a substrate inspection apparatus, in a device that irradiates a micro area of a substrate with a laser beam and inspects a disconnection or a short circuit of the wiring of the substrate, in order to irradiate a wiring pattern to be inspected with a laser beam, A deflector such as a galvanometer mirror is used.
JP 2002-318258 A

ところで、上述のように、配線パターンの微小領域にレーザー光を照射して検査を行う場合には、検査対象配線パターン上の検査点である例えば直径１００μｍ程度のパッド等に、直径１０μｍ程度のレーザー光を正確に照射する必要がある。しかし、レーザー光の照射点は、温度の影響や、レーザー装置、偏向器等の基板検査装置への取り付け精度、あるいは検査対象となる基板の傾き等の影響を受けてずれてしまう可能性があり、検査対象の検査点に正確にレーザー光を照射するためには、それらの影響に対する対策が必要である。 By the way, as described above, when an inspection is performed by irradiating a minute region of a wiring pattern with a laser beam, a laser having a diameter of about 10 μm is applied to, for example, a pad having a diameter of about 100 μm as an inspection point on the inspection target wiring pattern. It is necessary to irradiate light accurately. However, there is a possibility that the irradiation point of the laser beam may be shifted due to the influence of temperature, the accuracy of mounting to a substrate inspection device such as a laser device or a deflector, or the inclination of the substrate to be inspected. In order to accurately irradiate the inspection point to be inspected with laser light, it is necessary to take measures against such influence.

本発明は、このような問題に鑑みて為された発明であり、検査対象の検査点にレーザー光を照射する精度を向上させることができる基板検査装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a substrate inspection apparatus that can improve the accuracy of irradiating the inspection point to be inspected with laser light.

そして、本発明の第１の手段に係る基板検査装置は、検査位置に保持された被検査基板に形成された配線パターンの検査点に、レーザービーム光を照射することによって放出される電子に起因する第１の電気信号を検出することにより、前記配線パターンの検査を行う基板検査装置において、レーザービーム光を所定位置に照射するレーザー出力部と、表面に所定形状の導体部が形成され、前記表面とは反対側の面に、前記導体部と電気的に接続されたパッドが設けられた測定用基板において、前記導体部にレーザービーム光が照射された際に放出される電子に起因する第２の電気信号を検出する検出部と、前記パッドと接触する接触子と、前記導体部にレーザービーム光が照射された際に放出される電子をトラップする電極と、前記電極に正極が接続され、負極が前記検出部に接続された直流電源と、前記接触子と前記検出部との間の接続を切り替えるスイッチと、前記測定用基板が前記検査位置に保持された場合に、前記スイッチをオンして接触子と前記検出部とを接続し、前記測定用基板上に設定された座標系における前記導体部の位置を示す基準座標及び当該導体部の輪郭を含む座標範囲をレーザービーム光により走査するように前記レーザー出力部を制御しつつ、前記検出部により前記第２の電気信号が検出された際に前記レーザー出力部にレーザービーム光を照射させていた座標に基づいて、レーザービーム光が実際に照射された座標を示す結果座標を生成する結果座標取得部と、前記座標系における前記被検査基板上の検査点の位置を示した座標を記憶する基板座標データ記憶部と、前記基板座標データ記憶部に記憶されている前記検査点の位置を示した座標を、前記結果座標取得部によって取得された結果座標に基づいて補正することにより前記検査点に対応する補正後の座標を生成する座標補正部とを備え、前記配線パターンの検査を行う場合に、前記座標補正部により生成された前記補正後の座標に基づいて、前記レーザー出力部から前記検査点へ前記配線パターンの検査を行うべくレーザービーム光を照射する。 The substrate inspection apparatus according to the first means of the present invention is caused by electrons emitted by irradiating a laser beam light to an inspection point of a wiring pattern formed on a substrate to be inspected held at an inspection position. In the substrate inspection apparatus for inspecting the wiring pattern by detecting the first electrical signal, a laser output unit for irradiating a predetermined position with a laser beam and a conductor portion having a predetermined shape on the surface are formed. In a measurement substrate provided with a pad that is electrically connected to the conductor portion on the surface opposite to the surface, the second is caused by electrons emitted when the conductor portion is irradiated with a laser beam. a detector for detecting a second electrical signal, and a contact in contact with said pad, and an electrode for trapping electrons laser beam to the conductor portion is released when illuminated, the electrode If pole is connected, a DC power supply negative electrode connected to the detecting unit, and a switch for switching the connection between said contacts and said detector, said measurement substrate is held in the test position, The switch is turned on to connect the contactor and the detection unit, and the reference coordinate indicating the position of the conductor part in the coordinate system set on the measurement substrate and the coordinate range including the outline of the conductor part are lasered. while controlling the laser output unit to scan the light beam, based on Tei was coordinate by irradiating a laser beam to the laser output unit when said second electrical signal is detected by the detecting unit, A result coordinate acquisition unit that generates a result coordinate indicating the coordinates actually irradiated with the laser beam, and a substrate coordinate that stores coordinates indicating the position of the inspection point on the substrate to be inspected in the coordinate system And correcting the coordinates indicating the position of the inspection point stored in the data storage unit and the substrate coordinate data storage unit based on the result coordinates acquired by the result coordinate acquisition unit. and a coordinate correction unit which generates a corresponding correction after the coordinates, in the case of inspection of the wiring pattern, based on the generated coordinate of the corrected by the coordinate correcting unit, the inspection from the laser output unit A laser beam is irradiated to the point to inspect the wiring pattern.

また、上述の基板検査装置において、前記結果座標取得部は、前記座標範囲をレーザービーム光により走査するように前記レーザー出力部を制御しつつ、前記検出部により前記導体部からの電子の放出が検出された際におけるレーザービーム光の照射座標を、前記導体部の大きさよりも小さい座標間隔で複数の検知座標として取得すると共に、前記複数の検知座標の中心位置となる座標に基づいて、前記結果座標を算出するものであることを特徴としている。 Moreover, in the above-described substrate inspection apparatus, the result coordinate acquisition unit controls the laser output unit to scan the coordinate range with laser beam light, and the detection unit emits electrons from the conductor unit. The irradiation coordinates of the laser beam light at the time of detection are acquired as a plurality of detection coordinates at a coordinate interval smaller than the size of the conductor portion, and based on the coordinates that are the center positions of the plurality of detection coordinates, the result It is characterized by calculating coordinates.

さらに、前記測定用基板は、表面の少なくとも三カ所に導体部が形成されたものであり、前記結果座標取得部は、前記少なくとも三カ所の導体部にそれぞれ対応する前記結果座標を取得するものであり、前記座標補正部は、前記導体部に対応する基準座標と前記結果座標取得部により取得された前記結果座標とに基づいて前記基準座標と前記結果座標との間の関係を表す関数を生成し、前記関数を用いて前記補正を行うことを特徴としている。 Furthermore, the measurement substrate has conductor portions formed at least at three locations on the surface, and the result coordinate acquisition portion acquires the result coordinates respectively corresponding to the at least three conductor portions. And the coordinate correction unit generates a function representing a relationship between the reference coordinates and the result coordinates based on the reference coordinates corresponding to the conductor part and the result coordinates acquired by the result coordinate acquisition unit. The correction is performed using the function.

そして、前記被検査基板が前記測定用基板として用いられ、前記被検査基板の所定検査点が前記導体部として利用されることを特徴としている。 The substrate to be inspected is used as the substrate for measurement, and a predetermined inspection point of the substrate to be inspected is used as the conductor portion.

そして、本発明の第２の手段に係るレーザービーム光照射位置補正方法は、検査位置に保持された被検査基板に形成された配線パターンの検査点に、レーザービーム光を照射することによって放出される電子に起因する第１の電気信号を検出することにより、前記配線パターンの検査を行う基板検査装置におけるレーザービーム光照射位置補正方法において、レーザー出力部が、レーザービーム光を所定位置に照射する工程と、直流電源の負極に接続された検出部が、表面に所定形状の導体部が形成され、前記表面とは反対側の面に、前記導体部と電気的に接続されたパッドが設けられた測定用基板において、前記導体部にレーザービーム光が照射された際に放出される電子に起因する第２の電気信号を検出する工程と、接触子が、前記パッドと接触する工程と、直流電源の正極に接続された電極が、前記導体部にレーザービーム光が照射された際に放出される電子をトラップする工程と、スイッチが、前記接触子と前記検出部との間の接続を切り替える工程と、結果座標取得部が、前記測定用基板が前記検査位置に保持された場合に、前記スイッチをオンして接触子と前記検出部とを接続し、前記測定用基板上に設定された座標系における前記導体部の位置を示す基準座標及び当該導体部の輪郭を含む座標範囲をレーザービーム光により走査するように前記レーザー出力部を制御しつつ、前記検出部により前記第２の電気信号が検出された際に前記レーザー出力部にレーザービーム光を照射させていた座標に基づいて、レーザービーム光が実際に照射された座標を示す結果座標を生成する工程と、基板座標データ記憶部が、前記座標系における前記被検査基板上の検査点の位置を示した座標を記憶する工程と、座標補正部が、前記基板座標データ記憶部に記憶されている前記検査点の位置を示した座標を、前記結果座標取得部によって取得された結果座標に基づいて補正することにより前記検査点に対応する補正後の座標を生成する工程と、前記配線パターンの検査を行う場合に、前記座標補正部により生成された前記補正後の座標に基づいて、前記レーザー出力部から前記検査点へ前記配線パターンの検査を行うべくレーザービーム光を照射する工程とを含む。 The laser beam irradiation position correcting method according to the second means of the present invention is emitted by irradiating the inspection point of the wiring pattern formed on the inspection substrate held at the inspection position with the laser beam light. In the laser beam irradiation position correcting method in the substrate inspection apparatus that inspects the wiring pattern by detecting the first electrical signal caused by the electrons, the laser output unit irradiates the laser beam light at a predetermined position. The detection part connected to the negative electrode of the process and the DC power source has a conductor part of a predetermined shape formed on the surface, and a pad electrically connected to the conductor part is provided on the surface opposite to the surface. In the measurement substrate, a step of detecting a second electrical signal caused by electrons emitted when the conductor portion is irradiated with a laser beam, and a contact include the pad. A step of contacting with the connected electrode in the positive electrode of the DC power source, a step of trapping electrons laser beam to the conductor portion is released when illuminated, the switch, the said contact detector The step of switching the connection between and the result coordinate acquisition unit, when the measurement substrate is held at the inspection position, the switch is turned on to connect the contactor and the detection unit, the measurement The detection unit while controlling the laser output unit to scan the coordinate range including the reference coordinate indicating the position of the conductor part in the coordinate system set on the substrate for use and the contour of the conductor part with the laser beam light, based on the second Tei was coordinate with the laser output unit when the electrical signal is detected by irradiating a laser beam by the results coordinates indicating coordinates of the laser beam is actually irradiated A step of storing, a step of storing a coordinate indicating a position of an inspection point on the substrate to be inspected in the coordinate system, and a coordinate correcting unit being stored in the substrate coordinate data storing unit. Generating corrected coordinates corresponding to the inspection points by correcting the coordinates indicating the positions of the inspection points based on the result coordinates acquired by the result coordinate acquisition unit; and the wiring pattern when performing the test, on the basis of the corrected coordinate generated by the coordinate correcting unit, and a step of irradiating a laser beam to perform the inspection of the wiring pattern to the test point from the laser output unit Including.

このような構成の基板検査装置、及びレーザービーム光照射位置補正方法は、測定用基板上の基準座標に形成された導体部の輪郭を含む所定の座標範囲をレーザー光により走査した場合に、第２の電気信号が検出された座標に基づいて、実際にレーザー光が照射された座標を示す結果座標を取得することができる。そして、この結果座標と基準座標とに基づいて、検査点の座標が補正されるので、検査点にレーザー光を照射する精度を向上させることができる。 The substrate inspection apparatus and the laser beam irradiation position correction method configured as described above are configured such that when a predetermined coordinate range including the contour of the conductor portion formed at the reference coordinates on the measurement substrate is scanned with laser light, Based on the coordinates at which the two electrical signals are detected, it is possible to obtain the result coordinates indicating the coordinates where the laser light is actually irradiated. Since the coordinates of the inspection point are corrected based on the result coordinates and the reference coordinates, it is possible to improve the accuracy of irradiating the inspection point with laser light.

以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, the structure which attached | subjected the same code | symbol in each figure shows that it is the same structure, The description is abbreviate | omitted.

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態による基板検査装置１の構成の一例を説明するための図である。図１に示す基板２は、基板検査装置１の検査対象となる基板、例えばＢＧＡパッケージに用いられるパッケージ基板で、図１に示す基板２は、その断面図を示している。そして、基板２の、半導体チップが取り付けられる側の表面に、例えばフリップチップボンディングやワイヤボンディングによって半導体チップを接続するための導体部（検査点）２０１〜２０８が設けられている。また、基板２の導体部２０１〜２０８が設けられている側とは反対側の表面に、はんだボールの端子をはんだ付けするためのパッド２１１〜２２２が設けられている。そして、導体部２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８は、それぞれパッド２１２，２１３，２１４，２１５，２１７，２１９，２２０，２２１との間で、内部ビアや内層配線パターン等の接続配線（配線パターン）によって、電気的に接続されている。 (First embodiment)
FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of the substrate inspection apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. A substrate 2 shown in FIG. 1 is a substrate to be inspected by the substrate inspection apparatus 1, for example, a package substrate used for a BGA package, and the substrate 2 shown in FIG. Then, conductor portions (inspection points) 201 to 208 for connecting the semiconductor chip by flip chip bonding or wire bonding are provided on the surface of the substrate 2 on the side where the semiconductor chip is attached. Also, pads 211 to 222 for soldering solder ball terminals are provided on the surface of the substrate 2 opposite to the side on which the conductor portions 201 to 208 are provided. The conductor portions 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 are connected to the pads 212, 213, 214, 215, 217, 219, 220, 221 with internal vias, inner layer wiring patterns, etc. The connection wiring (wiring pattern) is electrically connected.

また、図１に示す基板検査装置１は、レーザー装置３、ガルバノミラー４、チャンバー室５、多針状プローブ６、切替部７１，７４、電流計７２、直流電源７３、制御部８、表示部９、及び操作部１０を備える。レーザー装置３は、制御部８からの制御信号に応じて例えばビーム径１０μｍ、波長２６６ｎｍの紫外線レーザー光をガルバノミラー４へ出力する。ガルバノミラー４は、二枚のミラーを用いて構成された偏向器であり、制御部８からの制御信号に応じてミラーの角度を変更し、レーザー装置３から出力されたレーザー光を、チャンバー室５を介して基板２へ照射する。 1 includes a laser device 3, a galvanometer mirror 4, a chamber chamber 5, a multi-needle probe 6, switching units 71 and 74, an ammeter 72, a DC power source 73, a control unit 8, and a display unit. 9 and the operation unit 10. The laser device 3 outputs, for example, an ultraviolet laser beam having a beam diameter of 10 μm and a wavelength of 266 nm to the galvanometer mirror 4 in accordance with a control signal from the control unit 8. The galvanometer mirror 4 is a deflector configured by using two mirrors, changes the angle of the mirror in accordance with a control signal from the control unit 8, and converts the laser beam output from the laser device 3 into the chamber chamber. The substrate 2 is irradiated via 5.

チャンバー室５は、例えば筒状の金属からなる側壁５１と、側壁５１の上部開口を閉鎖する例えばガラス等の透明な板状部材からなる遮断隔壁５２と、側壁５１の下側端部に取り付けられた例えばゴム等の弾性部材からなるパッキン５３とを備える。また、チャンバー室５が図略の昇降機構により下降され、さらに基板２に圧接されることにより、チャンバー室５と基板２によって取り囲まれる気密閉空間ＳＰが形成されるようになっている。また、チャンバー室５には、図略の真空ポンプが接続されており、気密閉空間ＳＰを所定の気圧(１０^-2気圧程度が望ましい)の真空状態にすることができるようになっている。さらに、側壁５１は、直流電源７３の正極に接続されており、電極として機能する。 The chamber 5 is attached to the lower end of the side wall 51, a side wall 51 made of, for example, a cylindrical metal, a blocking partition wall 52 made of a transparent plate-like member such as glass that closes the upper opening of the side wall 51, and the like. In addition, a packing 53 made of an elastic member such as rubber is provided. Further, the chamber chamber 5 is lowered by an elevating mechanism (not shown) and is further brought into pressure contact with the substrate 2, whereby an airtight space SP surrounded by the chamber chamber 5 and the substrate 2 is formed. Further, a vacuum pump (not shown) is connected to the chamber 5 so that the airtight space SP can be brought into a vacuum state at a predetermined atmospheric pressure (preferably about 10 ⁻² atmospheric pressure). Furthermore, the side wall 51 is connected to the positive electrode of the DC power source 73 and functions as an electrode.

多針状プローブ６は、検査用の接触子６１１〜６２２を一体に保持して多針状に構成されている。また、多針状プローブ６は、図略の昇降装置によって昇降可能にされている。そして、基板２が図略の基板ホルダーによって検査位置に保持された状態で、昇降装置によって多針状プローブ６が上昇されると、接触子６１１〜６２２が、それぞれパッド２１２〜２２２と接触する。なお、多針状プローブ６によって一体に保持される接触子は、基板２の表面に形成されたパッドの数に応じて適宜増減されるものであり、例えば、実用装置においては、数千本程度設けられている。 The multi-needle probe 6 is configured to have a multi-needle shape by integrally holding the test contacts 611 to 622. The multi-needle probe 6 can be moved up and down by a lifting device (not shown). When the multi-needle probe 6 is lifted by the lifting device while the substrate 2 is held at the inspection position by a substrate holder (not shown), the contacts 611 to 622 come into contact with the pads 212 to 222, respectively. The number of contacts integrally held by the multi-needle probe 6 is appropriately increased or decreased according to the number of pads formed on the surface of the substrate 2. For example, in a practical apparatus, about several thousand pieces are used. Is provided.

切替部７１は、接触子６１１〜６２２と、電流計７２との間の接続を切り替えるためのスイッチ７１１〜７２２等から構成され、制御部８からの制御信号により指定された接触子を電流計７２へ接続する。電流計７２は、切替部７１と直流電源７３の負極側との間に介設されており、測定した電流値を示すデータを制御部８へ、出力する。切替部７４は、接触子６１２，６１３，６１４，６１５，６１７，６１９，６２０，６２１と、直流電源７３の正極側との間の接続を切り替えるためのスイッチ７４１〜７４８等から構成され、制御部８からの制御信号により指定された接触子と直流電源７３の正極側との間の接続をオフすると共に、その他の接触子と直流電源７３の正極側との間の接続をオンする。 The switching unit 71 includes switches 711 to 722 for switching the connection between the contacts 611 to 622 and the ammeter 72, and the contacts specified by the control signal from the control unit 8 are connected to the ammeter 72. Connect to. The ammeter 72 is interposed between the switching unit 71 and the negative electrode side of the DC power source 73 and outputs data indicating the measured current value to the control unit 8. The switching unit 74 includes switches 741 to 748 for switching the connection between the contacts 612, 613, 614, 615, 617, 619, 620, 621 and the positive electrode side of the DC power source 73, and the like. 8 turns off the connection between the contact designated by the control signal from 8 and the positive side of the DC power supply 73, and turns on the connection between the other contact and the positive side of the DC power supply 73.

表示部９は、例えば液晶表示器等からなる表示装置であり、制御部８からの制御信号に応じて文字等を表示する。操作部１０は、例えばキーボード等から構成されており、ユーザーが操作部１０を操作して入力したデータを制御部８へ出力する。 The display unit 9 is a display device including a liquid crystal display, for example, and displays characters and the like according to a control signal from the control unit 8. The operation unit 10 includes, for example, a keyboard and outputs data input by the user operating the operation unit 10 to the control unit 8.

制御部８は、基板検査装置１全体の動作を司るもので、例えば基板検査装置１の動作を制御するための制御プログラム、レーザー光を照射する座標を補正する補正プログラム、基板の検査を行うための検査プログラム等を記憶するＲＯＭ(Read Only Memory)、プログラムの実行中や実行後に生じるデータを一時的に保管するＲＡＭ(Random Access Memory)、及び制御プログラム等をＲＯＭから読み出して実行するＣＰＵ(Central Processing Unit)等から構成される。また、制御部８は、ＲＯＭに記憶されている所定のプログラムを実行することにより、レーザーマーキング部８１、結果座標受付処理部８２、補正係数算出部８３、補正座標生成部８４、及び基板検査部８５として機能する。さらに、制御部８は、例えばハードディスク装置や半導体メモリ等からなる基板データ記憶部８６、及び補正座標記憶部８７を備える。 The control unit 8 controls the overall operation of the substrate inspection apparatus 1. For example, a control program for controlling the operation of the substrate inspection apparatus 1, a correction program for correcting coordinates for irradiating laser light, and an inspection of the substrate. ROM (Read Only Memory) for storing inspection programs and the like, RAM (Random Access Memory) for temporarily storing data generated during and after execution of the program, and CPU (Central Processing Unit). Further, the control unit 8 executes a predetermined program stored in the ROM, thereby performing a laser marking unit 81, a result coordinate reception processing unit 82, a correction coefficient calculation unit 83, a correction coordinate generation unit 84, and a substrate inspection unit. It functions as 85. Further, the control unit 8 includes a substrate data storage unit 86 including a hard disk device, a semiconductor memory, and the like, and a correction coordinate storage unit 87, for example.

基板データ記憶部８６は、基板２上に設定された座標系における導体部２０１〜２０８の位置座標を記憶している。また、基板データ記憶部８６は、検査箇所を示す検査箇所データＮ１〜Ｎ８を記憶している。例えば、検査箇所データＮ１は、Ｎ１＝２０１：２１２とされており、導体部２０１とパッド２１２との間の導通検査を行うべきことを示している。同様に、Ｎ２＝２０２：２１３、Ｎ３＝２０３：２１４、Ｎ４＝２０４：２１５、Ｎ５＝２０５：２１７、Ｎ６＝２０６：２１９、Ｎ７＝２０７：２２０、Ｎ８＝２０８：２２１とされている。補正座標記憶部８７は、補正座標生成部８４によって生成された、導体部２０１〜２０８の補正後の座標を記憶する記憶部である。 The board data storage unit 86 stores the position coordinates of the conductor parts 201 to 208 in the coordinate system set on the board 2. Moreover, the board | substrate data storage part 86 has memorize | stored the test location data N1-N8 which show a test location. For example, the inspection location data N1 is set to N1 = 201: 212, and indicates that the continuity inspection between the conductor portion 201 and the pad 212 should be performed. Similarly, N2 = 202: 213, N3 = 203: 214, N4 = 204: 215, N5 = 205: 217, N6 = 206: 219, N7 = 207: 220, and N8 = 208: 221. The corrected coordinate storage unit 87 is a storage unit that stores the corrected coordinates of the conductor units 201 to 208 generated by the corrected coordinate generation unit 84.

次に、図１に示す基板検査装置１の動作を説明する。図２は、基板２の導体部２０１〜２０８が形成されている側の平面図である。図２において、基板２の表面には、例えば導体部２０１〜２０８を含む１６個の導体部が、格子状に配列されて形成されている。なお、以降の説明において、便宜上、導体部２０１〜２０８についてのみ説明し、他の検査点についての説明を省略する。また、基板２上には、ＸＹ直交座標系が設定されており、導体部２０１〜２０８の位置を、ＸＹ座標によって特定可能にされている。基板２上に設定されたＸＹ座標は、例えば、基板２の中央部を原点Ｓとして、原点Ｓからの各軸方向の距離をμｍ単位で表すようにされている。例えば、導体部２０１は、原点Ｓから、Ｘ軸に沿ってマイナス方向に５６１０μｍ、Ｙ軸に沿ってプラス方向に６３７０μｍ離れており、導体部２０１の位置座標（ｘ₁，ｙ₁）＝（−５６１０，６３７０）となる。同様に、導体部２０５の位置座標（ｘ₂，ｙ₂）＝（５５８８，−６４２６）、導体部２０４の位置座標（ｘ₃，ｙ₃）＝（−５６１０，−６４２６）となる。 Next, the operation of the substrate inspection apparatus 1 shown in FIG. 1 will be described. FIG. 2 is a plan view of the side of the substrate 2 on which the conductor portions 201 to 208 are formed. In FIG. 2, 16 conductor parts including, for example, conductor parts 201 to 208 are formed on the surface of the substrate 2 in a grid pattern. In the following description, for convenience, only the conductor portions 201 to 208 will be described, and descriptions of other inspection points will be omitted. Further, an XY orthogonal coordinate system is set on the substrate 2, and the positions of the conductor portions 201 to 208 can be specified by the XY coordinates. The XY coordinates set on the substrate 2 are set such that, for example, the central portion of the substrate 2 is the origin S, and the distances in the respective axial directions from the origin S are expressed in μm units. For example, the conductor 201 is separated from the origin S by 5610 μm in the minus direction along the X axis and 6370 μm in the plus direction along the Y axis, and the position coordinates (x ₁ , y ₁ ) = (− 5610, 6370). Similarly, the position coordinates (x ₂ , y ₂ ) = (5588, −6426) of the conductor portion 205 and the position coordinates (x ₃ , y ₃ ) = (− 5610, −6426) of the conductor portion 204 are obtained.

図３は、基板検査装置１の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ステップＳ１０１において、ユーザーが基板検査装置１に検査対象となる基板２をセットすることにより、図略の搬送機構により基板２が搬送され、図略の基板ホルダーに保持されると共に検査位置に位置決めされる。そして、制御部８からの制御信号に応じてチャンバー室５が下降されて基板２に圧接され、気密閉空間ＳＰが所定の真空状態にされる。一方、制御部８からの制御信号に応じて多針状プローブ６が上昇され、接触子６１１〜６２２が、それぞれパッド２１１〜２２２と接触する。 FIG. 3 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate inspection apparatus 1. First, in step S101, when a user sets a substrate 2 to be inspected in the substrate inspection apparatus 1, the substrate 2 is transported by a transport mechanism (not shown), held by a substrate holder (not shown), and placed at an inspection position. Positioned. Then, the chamber chamber 5 is lowered and pressed against the substrate 2 in accordance with a control signal from the controller 8, and the hermetic space SP is brought into a predetermined vacuum state. On the other hand, the multi-needle probe 6 is raised in accordance with a control signal from the control unit 8, and the contacts 611 to 622 come into contact with the pads 211 to 222, respectively.

次に、ステップＳ１０２において、制御部８によって、基板データ記憶部８６に記憶されている導体部２０１〜２０８の中からマーカーとして用いるための導体部が三つ、例えば導体部２０１，２０５，２０４が選択される。そして、レーザーマーキング部８１によって、導体部２０１，２０５，２０４の座標（ｘ₁，ｙ₁），（ｘ₂，ｙ₂），（ｘ₃，ｙ₃）、すなわち（−５６１０，６３７０）、（５５８８，−６４２６）、（−５６１０，−６４２６）が、基準座標として基板データ記憶部８６から読み出される。 Next, in step S102, the control unit 8 has three conductor parts to be used as markers among the conductor parts 201 to 208 stored in the board data storage unit 86, for example, the conductor parts 201, 205, and 204. Selected. The coordinates (x ₁ , y ₁ ), (x ₂ , y ₂ ), (x ₃ , y ₃ ) of the conductors 201, 205, 204, that is, (−5610, 6370), ( 5588, -6426) and (-5610, -6426) are read from the substrate data storage unit 86 as reference coordinates.

次に、ステップＳ１０３において、レーザーマーキング部８１から出力された制御信号に応じて、レーザー光を導体部２０１の座標（−５６１０，６３７０）に照射させるべく、ガルバノミラー４が駆動される。そして、レーザーマーキング部８１からの制御信号に応じてレーザー装置３から出力されたレーザー光が、ガルバノミラー４により反射されて、基板２に照射される。この場合、温度の影響や、レーザー装置、ガルバノミラー４の基板検査装置への取り付け精度、あるいは基板２の傾き等の影響を受け、基板２のターゲット位置からずれた位置にレーザー光が照射され、レーザー痕２３１が形成される。同様にして、レーザーマーキング部８１によって、基準座標として基板データ記憶部８６から読み出された導体部２０５，２０４の座標についてもレーザー光が照射され、レーザー痕２３２，２３３が形成される。 Next, in step S103, the galvanometer mirror 4 is driven to irradiate the coordinates (−5610, 6370) of the conductor part 201 with the laser light in accordance with the control signal output from the laser marking part 81. Then, the laser light output from the laser device 3 in accordance with the control signal from the laser marking unit 81 is reflected by the galvanometer mirror 4 and irradiated onto the substrate 2. In this case, the laser beam is irradiated to the position shifted from the target position of the substrate 2 due to the influence of temperature, the accuracy of mounting the laser device, the galvano mirror 4 to the substrate inspection device, or the tilt of the substrate 2. A laser mark 231 is formed. Similarly, the laser marking unit 81 applies laser light to the coordinates of the conductors 205 and 204 read from the substrate data storage unit 86 as reference coordinates, and laser marks 232 and 233 are formed.

次に、ステップＳ１０４において、結果座標受付処理部８２からの制御信号に応じて、表示部９によって、ユーザーに対してレーザー痕２３１，２３２，２３３の位置を示す痕位置データの入力を促すためのガイド表示、例えば「痕位置データを入力してください」等のメッセージ表示がされる。痕位置データとしては、例えば、レーザー痕２３１，２３２，２３３の位置を基準にした場合のそれぞれ導体部２０１，２０５，２０４までの距離を用いてもよい。例えば、図２において、レーザー痕２３１を基準にした導体部２０１の位置は、Ｘ軸に沿ってプラス方向に７５４．０μｍ、Ｙ軸に沿ってマイナス方向に６８６．０μｍであるので、導体部２０５の痕位置データは、ΔＸ₁＝７５４．０、ΔＹ₁＝−６８６．０として表される。同様にして、導体部２０５の痕位置データΔＸ₂＝８９１．０、ΔＹ₂＝−４６．００、導体部２０４の痕位置データΔＸ₃＝１００５、ΔＹ₃＝−７３１．０となる。 Next, in step S104, in response to a control signal from the result coordinate reception processing unit 82, the display unit 9 prompts the user to input trace position data indicating the positions of the laser traces 231, 232, and 233. A message such as “Please input the trace position data” is displayed, for example, as a guide. As the trace position data, for example, distances to the conductor portions 201, 205, and 204 when the positions of the laser traces 231, 232, and 233 are used as references may be used. For example, in FIG. 2, the position of the conductor 201 with respect to the laser mark 231 is 754.0 μm in the plus direction along the X axis and 686.0 μm in the minus direction along the Y axis. The mark position data is expressed as ΔX ₁ = 754.0 and ΔY ₁ = −686.0. Similarly, the trace position data ΔX ₂ = 891.0 of the conductor part 205, ΔY ₂ = −46.00, the trace position data ΔX ₃ = 1005 of the conductor part 204, and ΔY ₃ = −731.0.

次に、ステップＳ１０５において、ユーザーが基板２に形成されたレーザー痕２３１，２３２，２３３の位置と導体部２０１，２０５，２０４とのずれを計測することにより得られた痕位置データΔＸ₁＝７５４．０、ΔＹ₁＝−６８６．０、ΔＸ₂＝８９１．０、ΔＹ₂＝−４６．００、ΔＸ₃＝１００５、ΔＹ₃＝−７３１．０の入力が、操作部１０によって受け付けられる。 Next, in step S105, the trace position data ΔX ₁ = 754 obtained by the user measuring the deviation between the positions of the laser traces 231, 232, 233 formed on the substrate 2 and the conductor portions 201, 205, 204. 0.0, ΔY ₁ = −686.0, ΔX ₂ = 891.0, ΔY ₂ = −46.00, ΔX ₃ = 1005, ΔY ₃ = −731.0 are received by the operation unit 10.

次に、ステップＳ１０６において、結果座標受付処理部８２によって、受け付けられた痕位置データに基づいて、レーザー痕２３１，２３２，２３３の座標である結果座標が算出される。すなわち、レーザー痕２３１の結果座標（Ｘ₁，Ｙ₁）＝（ｘ₁，ｙ₁）−（ΔＸ₁，ΔＹ₁）＝（−５６１０，６３７０）−（７５４．０，−６８６．０）＝（−６３６４，７０５６）となる。同様にして、レーザー痕２３２の結果座標（Ｘ₂，Ｙ₂）＝（４６９７，６３８０）、レーザー痕２３３の結果座標（Ｘ₃，Ｙ₃）＝（６６１５，−５６９５）が得られる。 Next, in step S106, the result coordinate reception processing unit 82 calculates the result coordinates that are the coordinates of the laser marks 231, 232, and 233 based on the received mark position data. That is, the resulting coordinates (X ₁ , Y ₁ ) = (x ₁ , y ₁ ) − (ΔX ₁ , ΔY ₁ ) = (− 5610, 6370) − (754.0, −686.0) = (-6364, 7056). Similarly, the result coordinates (X ₂ , Y ₂ ) = (4697, 6380) of the laser mark 232 and the result coordinates (X ₃ , Y ₃ ) = (6615, −5695) of the laser mark 233 are obtained.

次に、ステップＳ１０７において、補正係数算出部８３によって、基準座標と結果座標との関係を表した関数Ｆが生成される。関数Ｆは、基準座標を（ｘ，ｙ）、結果座標を（Ｘ，Ｙ）とした場合に（Ｘ，Ｙ）＝Ｆ（ｘ，ｙ）となる座標変換を示す関数である。具体的には、関数Ｆは、例えば、
Ｘ＝ａｘ＋ｂｙ＋ｅ・・・（１）
Ｙ＝ｃｘ＋ｄｙ＋ｆ・・・（２）
として表される。 Next, in step S107, the correction coefficient calculation unit 83 generates a function F representing the relationship between the reference coordinates and the result coordinates. The function F is a function indicating a coordinate transformation in which (X, Y) = F (x, y) when the reference coordinates are (x, y) and the resulting coordinates are (X, Y). Specifically, the function F is, for example,
X = ax + by + e (1)
Y = cx + dy + f (2)
Represented as:

式（１）（２）は、XY座標上の図形に対する一次変換式として知られているものであり、長方形の図形と平行四辺形の図形との間での座標変換を表すことができる。本発明の発明者は、温度の影響や、レーザー装置、偏向器等の基板検査装置への取り付け精度、あるいは検査対象となる基板の傾き等の影響によるレーザー光の照射点のずれが、式（１）（２）による一次変換により、よく近似されることを見出した。 Expressions (1) and (2) are known as a primary conversion expression for a figure on the XY coordinates, and can express coordinate conversion between a rectangular figure and a parallelogram figure. The inventor of the present invention is able to calculate the deviation of the irradiation point of the laser beam due to the influence of temperature, the accuracy of attachment to a substrate inspection apparatus such as a laser device or a deflector, or the inclination of the substrate to be inspected. 1) It was found that the approximation is well approximated by the linear transformation according to (2).

そして、式（１）（２）は、それぞれ未知の係数が三つある関数であるので、三カ所の導体部２０１，２０５，２０４から得られた結果座標（Ｘ₁，Ｙ₁），（Ｘ₂，Ｙ₂），（Ｘ₃，Ｙ₃）と、この結果座標にそれぞれ対応する基準座標（ｘ₁，ｙ₁），（ｘ₂，ｙ₂），（ｘ₃，ｙ₃）とから、式（１）（２）を解くことにより、関数Ｆが得られる。 Since the equations (1) and (2) are functions having three unknown coefficients, the resulting coordinates (X ₁ , Y ₁ ), (X ₂ , Y ₂ ), (X ₃ , Y ₃ ) and the reference coordinates (x ₁ , y ₁ ), (x ₂ , y ₂ ), (x ₃ , y ₃ ) corresponding to the resulting coordinates, The function F is obtained by solving the equations (1) and (2).

まず、Ｘについて式（１）から、
Ｘ₁＝ａｘ₁＋ｂｙ₁＋ｅ
Ｘ₂＝ａｘ₂＋ｂｙ₂＋ｅ
Ｘ₃＝ａｘ₃＋ｂｙ₃＋ｅ
を解いて、係数ａ，ｂ，ｅを算出すると、
ａ＝０．９９０、ｂ＝−０．０２０、ｅ＝８２１．８が得られる。 First, from X (1),
X ₁ = ax ₁ + by ₁ + e
X ₂ = ax ₂ + by ₂ + e
X ₃ = ax ₃ + by ₃ + e
And calculating the coefficients a, b and e,
a = 0.990, b = −0.020, e = 821.8 are obtained.

また、Ｙについて式（２）から、
Ｙ₁＝ｃｘ₁＋ｄｙ₁＋ｆ
Ｙ₂＝ｃｘ₂＋ｄｙ₂＋ｆ
Ｙ₃＝ｃｘ₃＋ｄｙ₃＋ｆ
を解いて、係数ｃ、ｄ、ｆを算出すると、
ｃ＝０．０６２、ｄ＝１．００４、ｆ＝−３６５．２が得られる。 Also, for Y, from equation (2):
Y ₁ = cx ₁ + dy ₁ + f
Y ₂ = cx ₂ + dy ₂ + f
Y ₃ = cx ₃ + dy ₃ + f
And calculating the coefficients c, d, and f,
c = 0.062, d = 1.004, f = -365.2 are obtained.

これを式（１）（２）に代入して、関数Ｆは、
Ｘ＝０．９９０ｘ−０．０２０ｙ＋８２１．８
・・・（３）
Ｙ＝０．０６２ｘ＋１．００４ｙ−３６５．２
・・・（４）
として表される。 Substituting this into equations (1) and (2), the function F is
X = 0.990x-0.020y + 821.8
(3)
Y = 0.062x + 1.004y-365.2
(4)
Represented as:

これにより、基準座標（ｘ，ｙ）にレーザー光を照射させた場合に実際にレーザー光が照射される結果座標（Ｘ，Ｙ）の関係が、式（３）（４）で表される関数Ｆによって近似される。すなわち、関数Ｆは、レーザー装置３やガルバノミラー４等の取り付け精度等の影響によるレーザー光の照射位置のずれを近似的に表している。 As a result, when the reference coordinates (x, y) are irradiated with laser light, the relationship of the result coordinates (X, Y) that are actually irradiated with the laser light is expressed by the equations (3) and (4). Approximated by F. That is, the function F approximately represents the deviation of the irradiation position of the laser beam due to the influence of the mounting accuracy of the laser device 3 and the galvanometer mirror 4 and the like.

次に、ステップＳ１０８において、補正座標生成部８４によって、基板データ記憶部８６に記憶されている導体部２０１〜２０８の位置座標（ｘ₁，ｙ₁）〜（ｘ₈，ｙ₈）が、それぞれ関数Ｆの逆関数Ｆ^-1に基づいて補正される。逆関数Ｆ^-1は、（ｘ，ｙ）＝Ｆ（Ｘ，Ｙ）となる座標変換を示す関数である。この逆関数Ｆ^-1を用いて、導体部２０１の座標（ｘ₁，ｙ₁）を補正した補正座標（ｘｃ₁，ｙｃ₁）は、（ｘｃ₁，ｙｃ₁）＝Ｆ^-1（ｘ₁，ｙ₁）として算出される。同様にして、補正座標生成部８４により、導体部２０２〜２０８の位置座標（ｘ₂，ｙ₂）〜（ｘ₈，ｙ₈）から、それぞれ補正座標（ｘｃ₂，ｙｃ₂）〜（ｘｃ₈，ｙｃ₈）が算出される。そして、ステップＳ１０９において、補正座標生成部８４によって、導体部２０１〜２０８の補正座標（ｘｃ₁，ｙｃ₁）〜（ｘｃ₈，ｙｃ₈）が、補正座標記憶部８７に記憶される。 Next, in step S108, the position coordinates (x ₁ , y ₁ ) to (x ₈ , y ₈ ) of the conductors 201 to 208 stored in the board data storage unit 86 are respectively calculated by the correction coordinate generation unit 84. Correction is performed based on the inverse function F ⁻¹ of the function F. The inverse function F ⁻¹ is a function indicating coordinate transformation such that (x, y) = F (X, Y). The corrected coordinates (xc ₁ , yc ₁ ) obtained by correcting the coordinates (x ₁ , y ₁ ) of the conductor portion 201 using this inverse function F ⁻¹ are (xc ₁ , yc ₁ ) = F ⁻¹ (x ₁ , Y ₁ ). Similarly, the correction coordinate generation unit 84 corrects the correction coordinates (xc ₂ , yc ₂ ) to (xc ₈ ) from the position coordinates (x ₂ , y ₂ ) to (x ₈ , y ₈ ) of the conductors 202 to 208, respectively. , Yc ₈ ) is calculated. In step S <b> 109, the correction coordinate generation unit 84 stores the correction coordinates (xc ₁ , yc ₁ ) to (xc ₈ , yc ₈ ) of the conductors 201 to 208 in the correction coordinate storage unit 87.

次に、ステップＳ１１０において、基板検査部８５によって、基板２に形成された配線パターンの検査が行われる。図４は、ステップＳ１１０における基板検査装置１の検査動作の一例を示すフローチャートである。まず、基板検査部８５によって、基板データ記憶部８６から検査箇所データＮ１〜Ｎ８が順次が読み出される。まず、検査箇所データＮ１＝２０１：２１２が読み出される（ステップＳ１２１）。 Next, in step S110, the substrate inspection unit 85 inspects the wiring pattern formed on the substrate 2. FIG. 4 is a flowchart showing an example of the inspection operation of the substrate inspection apparatus 1 in step S110. First, the inspection portion data N1 to N8 are sequentially read from the substrate data storage portion 86 by the substrate inspection portion 85. First, inspection location data N1 = 201: 212 is read (step S121).

次に、基板検査部８５によって、検査箇所データＮ１＝２０１：２１２に基づき、パッド２１２に接触している接触子６１２を電流計７２に接続すべく、スイッチ７１２がオンされる。また、基板検査部８５によって、接触子６１２に接続されているスイッチ７４１がオフされると共に、接触子６１２以外の接触子に接続されているスイッチ７４２〜７４８がオンされて直流電源７３の正極に接続される（ステップＳ１２２）。これにより、直流電源７３によって、検査対象となる導体部２０１と、電極である側壁５１との間に電圧が印加される。また、接触子６１２以外の接触子と接触するパッドと導通している導体部２０２〜２０８は、側壁５１と同様電極として機能する。 Next, the switch 712 is turned on by the substrate inspection unit 85 to connect the contact 612 in contact with the pad 212 to the ammeter 72 based on the inspection location data N1 = 201: 212. Further, the board inspection unit 85 turns off the switch 741 connected to the contact 612 and turns on the switches 742 to 748 connected to contacts other than the contact 612 so that the DC power supply 73 has a positive polarity. Connected (step S122). Thereby, a voltage is applied between the conductor part 201 to be inspected and the side wall 51 as an electrode by the DC power source 73. In addition, the conductor portions 202 to 208 that are in conduction with the pads that are in contact with the contacts other than the contact 612 function as electrodes similarly to the side wall 51.

次に、基板検査部８５によって、補正座標記憶部８７から導体部２０１の補正座標（ｘｃ₁，ｙｃ₁）が読み出され（ステップＳ１２３）、補正座標記憶部８７からガルバノミラー４へ、レーザー光を導体部２０１の補正座標（ｘｃ₁，ｙｃ₁）に照射させるようにガルバノミラー４を駆動させる制御信号が出力され、当該制御信号に応じてガルバノミラー４が駆動される（ステップＳ１２４）。そして、基板検査部８５からの制御信号に応じてレーザー装置３からガルバノミラー４を介して基板２へ、レーザー光が照射される（ステップＳ１２５）。 Next, the substrate inspection unit 85 reads the correction coordinates (xc ₁ , yc ₁ ) of the conductor 201 from the correction coordinate storage unit 87 (step S123), and the laser light is transferred from the correction coordinate storage unit 87 to the galvanometer mirror 4. Is output to the correction coordinates (xc ₁ , yc ₁ ) of the conductor part 201, and a control signal for driving the galvano mirror 4 is output, and the galvano mirror 4 is driven in accordance with the control signal (step S124). And according to the control signal from the board | substrate test | inspection part 85, a laser beam is irradiated to the board | substrate 2 from the laser apparatus 3 via the galvanometer mirror 4 (step S125).

この場合、位置座標（ｘ₁，ｙ₁）にレーザー光を照射させるために、補正座標（ｘｃ₁，ｙｃ₁）にレーザー光を照射するようにガルバノミラー４が制御されるので、実際にレーザー光が照射される座標は、関数Ｆに補正座標（ｘｃ₁，ｙｃ₁）を代入して
Ｆ（ｘｃ₁，ｙｃ₁）＝Ｆ｛Ｆ^-1（ｘ₁，ｙ₁）｝
＝（ｘ₁，ｙ₁）
として近似され、導体部２０１の位置座標である（ｘ₁，ｙ₁）にレーザー光が照射される。 In this case, since the galvanometer mirror 4 is controlled so as to irradiate the correction coordinates (xc ₁ , yc ₁ ) with the laser light in order to irradiate the position coordinates (x ₁ , y ₁ ) with the laser light, the laser is actually used. The coordinates to which the light is irradiated are obtained by substituting correction coordinates (xc ₁ , yc ₁ ) into the function F and F (xc ₁ , yc ₁ ) = F {F ⁻¹ (x ₁ , y ₁ )}.
= (X ₁ , y ₁ )
And (x ₁ , y ₁ ) which is the position coordinate of the conductor portion 201 is irradiated with laser light.

これにより、温度や、レーザー装置３やガルバノミラー４等の取り付け精度、あるいは基板２の傾き等の影響を受けることによるレーザー光の照射位置のずれを補正して、レーザー光を照射する精度を向上させることができる。 This improves the accuracy of laser light irradiation by correcting the deviation of the laser light irradiation position due to the effects of temperature, mounting accuracy of the laser device 3 and galvano mirror 4, or the inclination of the substrate 2. Can be made.

そして、導体部２０１にレーザー光が照射されると、導体部２０１から光電効果（トンプトン効果）により電子が放出され、その放出された電子が側壁５１及び導体部２０２〜２０８からなる電極にトラップされると、側壁５１及び導体部２０２〜２０８、直流電源７３、電流計７２、スイッチ７１２、接触子６１２、接触子６１２と導体部２０１とを接続する配線２４５、及び導体部２０１を経由する閉回路が構成される結果、導体部２０１にレーザー光が照射されたことにより放出された電子に起因して流れる電流が、電流計７２によって検出されることとなる。 When the conductor portion 201 is irradiated with laser light, electrons are emitted from the conductor portion 201 by a photoelectric effect (tonpton effect), and the emitted electrons are trapped by the electrode including the side wall 51 and the conductor portions 202 to 208. Then, the side wall 51 and the conductor parts 202 to 208, the DC power source 73, the ammeter 72, the switch 712, the contact 612, the wiring 245 connecting the contact 612 and the conductor part 201, and the closed circuit via the conductor part 201. As a result, the current flowing due to the electrons emitted by irradiating the conductor 201 with the laser light is detected by the ammeter 72.

この場合、配線２４５が導通していれば、電流計７２によって電流が検出され（ステップＳ１２６でＹＥＳ）、他の検査箇所の有無を確認すべくステップＳ１２７へ移行する一方、配線２４５が断線していれば、電流計７２によって電流が検出されないので（ステップＳ１２６でＮＯ）、ステップＳ１２８へ移行して基板検査部８５からの制御信号に応じて、表示部９によって検査結果が不良である旨の表示がされ、処理を終了する。 In this case, if the wiring 245 is conductive, the current is detected by the ammeter 72 (YES in step S126), and the process proceeds to step S127 to confirm the presence or absence of another inspection location, while the wiring 245 is disconnected. Then, since no current is detected by the ammeter 72 (NO in step S126), the process proceeds to step S128, and in response to the control signal from the board inspection unit 85, the display unit 9 displays that the inspection result is defective. The process is terminated.

次に、ステップＳ１２７において、基板検査部８５により、全検査箇所の検査が終了したか否かが確認され、終了していれば（ステップＳ１２７でＹＥＳ）、基板検査部８５からの制御信号に応じて、表示部９によって検査結果が良である旨の表示がされ（ステップＳ１２９）処理を終了する一方、終了していなければ（ステップＳ１２７でＮＯ）、他の検査箇所について、再びステップＳ１２１〜Ｓ１２８の動作を繰り返し実行する。 Next, in step S127, the board inspection unit 85 confirms whether or not the inspection of all inspection points has been completed. If completed (YES in step S127), the board inspection unit 85 responds to the control signal from the substrate inspection unit 85. Then, the display unit 9 displays that the inspection result is good (step S129), and the process ends. If not (NO in step S127), steps S121 to S128 are again performed for other inspection points. Repeat the operation.

以上、ステップＳ１０１〜Ｓ１１０の動作により、基板２の検査が行われる。また、レーザー光の照射位置のずれを補正することができるので、レーザー光を照射する位置精度を向上させることができる。 As described above, the substrate 2 is inspected by the operations of steps S101 to S110. In addition, since the deviation of the irradiation position of the laser beam can be corrected, the position accuracy of the laser beam irradiation can be improved.

なお、結果座標を取得するために検査対象となる基板２を用いる例を示したが、例えばステップＳ１０１〜Ｓ１０７において、基板２の代わりに、例えば表面に視識可能なマーカーが印刷された板状部材を用いて取得した結果座標から関数Ｆを算出し、この関数Ｆに基づいて、基板２に対してステップＳ１０８〜Ｓ１１０の動作を行う構成としてもよい。また、基板検査を行う都度、関数Ｆを算出する例に限られず、例えば、基板検査装置１を校正する際にステップＳ１０１〜Ｓ１０７の処理により関数Ｆを算出して、その関数Ｆや逆関数Ｆ^-1等を基板検査装置１のＲＡＭ等に記憶しておき、基板２の検査を行う際に、予め記憶しておいた関数Ｆや逆関数Ｆ^-1等に基づいて、基板２の検査点の位置を補正して検査を行う構成としてもよい。 In addition, although the example which uses the board | substrate 2 used as a test object in order to acquire a result coordinate was shown, instead of the board | substrate 2 in step S101-S107, for example, the plate shape by which the visible marker was printed on the surface, for example The function F may be calculated from the result coordinates obtained using the members, and the operations of steps S108 to S110 may be performed on the substrate 2 based on the function F. Further, the function F is not limited to the example of calculating the substrate inspection each time the substrate inspection is performed. For example, when the substrate inspection apparatus 1 is calibrated, the function F is calculated by the processing of steps S101 to S107, and the function F or the inverse function F is calculated. ^-1 etc. are stored in the RAM or the like of the substrate inspection apparatus 1, and the inspection point of the substrate 2 is determined based on the function F or the inverse function F- ¹ stored in advance when the substrate 2 is inspected. It is good also as a structure which correct | amends the position of and inspects.

また、補正座標記憶部８７を備えず、逆関数Ｆ^-1に基づいて補正座標を算出しつつ、基板検査（ステップＳ１１０）を行う構成としてもよい。また、関数Ｆとして式（１）（２）に示す一次関数を用いる例を示したが、他の関数式を用いてもよく、またその関数式に含まれる係数の数により、関数を解くために必要な数に応じてマーカーの数を適宜増減してもよい。 Moreover, it is good also as a structure which does not provide the correction coordinate memory | storage part 87 but performs a board | substrate test | inspection (step S110), calculating a correction coordinate based on the inverse function F- ¹ . Moreover, although the example which uses the linear function shown to Formula (1) (2) as the function F was shown, in order to solve a function by the number of the coefficients contained in the other function formula, you may use another functional formula. The number of markers may be increased or decreased as appropriate according to the number required for.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２の実施の形態による基板検査装置１ａについて説明する。図５は、本発明の第２の実施の形態による基板検査装置１ａの構成の一例を説明するための図である。図５に示す基板検査装置１ａと図１に示す基板検査装置１とでは、下記の点で異なる。すなわち、図５に示す基板検査装置１ａでは、制御部８ａは、レーザーマーキング部８１と結果座標受付処理部８２とを備えない。また、制御部８ａは、基板２上の所定の導体部の輪郭を含む範囲をレーザー光で走査するようにレーザー装置３及びガルバノミラー４の動作を制御するレーザー走査部８８と、レーザー走査部８８によるレーザー光の走査時に、電流計７２により電流が検出された座標に基づいて、そのレーザー光が実際に照射された座標を示す結果座標を生成する結果座標生成部８９とを備える。 (Second Embodiment)
Next, a substrate inspection apparatus 1a according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a diagram for explaining an example of the configuration of the substrate inspection apparatus 1a according to the second embodiment of the present invention. The board inspection apparatus 1a shown in FIG. 5 differs from the board inspection apparatus 1 shown in FIG. 1 in the following points. That is, in the substrate inspection apparatus 1 a shown in FIG. 5, the control unit 8 a does not include the laser marking unit 81 and the result coordinate reception processing unit 82. In addition, the control unit 8a includes a laser scanning unit 88 that controls operations of the laser device 3 and the galvanometer mirror 4 so as to scan a range including the outline of a predetermined conductor on the substrate 2 with a laser beam, and a laser scanning unit 88. And a result coordinate generation unit 89 that generates a result coordinate indicating a coordinate where the laser light is actually irradiated based on the coordinate at which the current is detected by the ammeter 72 during the scanning of the laser beam.

その他の構成は図１に示す基板検査装置１と同様であるので、以下、図５に示す基板検査装置１ａの動作を説明する。図６は、基板検査装置１ａの動作の一例を示すフローチャートである。まず、ステップＳ２０１において、図３のフローチャートにおけるステップＳ１０１と同様にして、基板２が図略の基板ホルダーに保持されると共に検査位置に位置決めされる。そして、気密閉空間ＳＰが所定の真空状態にされると共に、接触子６１１〜６２２が、それぞれパッド２１１〜２２２と接触する。 Since the other configuration is the same as that of the substrate inspection apparatus 1 shown in FIG. 1, the operation of the substrate inspection apparatus 1a shown in FIG. 5 will be described below. FIG. 6 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate inspection apparatus 1a. First, in step S201, similarly to step S101 in the flowchart of FIG. 3, the substrate 2 is held by a substrate holder (not shown) and positioned at the inspection position. The airtight space SP is brought into a predetermined vacuum state, and the contacts 611 to 622 are in contact with the pads 211 to 222, respectively.

次に、ステップＳ２０２において、制御部８によって、基板データ記憶部８６に記憶されている導体部２０１〜２０８の中から座標補正の基準として用いるための導体部が三つ、例えば導体部２０１，２０５，２０４が選択される。そして、レーザー走査部８８によって、導体部２０１，２０５，２０４の座標（ｘ₁，ｙ₁），（ｘ₂，ｙ₂），（ｘ₃，ｙ₃）、すなわち（−５６１０，６３７０）、（５５８８，−６４２６）、（−５６１０，−６４２６）が、基準座標として基板データ記憶部８６から読み出される。 Next, in step S202, the control unit 8 uses three conductor parts to be used as a reference for coordinate correction among the conductor parts 201 to 208 stored in the board data storage unit 86, for example, conductor parts 201 and 205. , 204 are selected. Then, the coordinates (x ₁ , y ₁ ), (x ₂ , y ₂ ), (x ₃ , y ₃ ) of the conductors 201, 205, and 204, that is, (−5610, 6370), ( 5588, -6426) and (-5610, -6426) are read from the substrate data storage unit 86 as reference coordinates.

次に、ステップＳ２０３において、制御部８によって、図４のフローチャートにおけるステップＳ１２２と同様にして、切替部７１，７４のスイッチが切り替えられる。 Next, in step S203, the control unit 8 switches the switches of the switching units 71 and 74 in the same manner as in step S122 in the flowchart of FIG.

次に、ステップＳ２０４において、レーザー走査部８８からの制御信号によって、導体部２０１，２０５，２０４の輪郭を含む範囲をレーザー光で走査するようにレーザー装置３及びガルバノミラー４の動作が制御される。図７は、レーザー走査部８８によるレーザー光の走査を説明するための図である。図７において、破線で囲まれた範囲２４１，２４２，２４３は、それぞれ導体部２０１，２０５，２０４に対応してレーザー光が走査された範囲を示している。範囲２４１，２４２，２４３としては、それぞれ導体部２０１，２０５，２０４の位置座標を中心にしてその輪郭を含むほぼ正方形の座標範囲が設定されている。 Next, in step S204, the operations of the laser device 3 and the galvanometer mirror 4 are controlled by the control signal from the laser scanning unit 88 so as to scan the range including the contours of the conductors 201, 205, and 204 with laser light. . FIG. 7 is a diagram for explaining scanning of laser light by the laser scanning unit 88. In FIG. 7, ranges 241, 242, and 243 surrounded by broken lines indicate ranges scanned with laser light corresponding to the conductor portions 201, 205, and 204, respectively. As the ranges 241, 242, and 243, a substantially square coordinate range including the outline centered on the position coordinates of the conductor portions 201, 205, and 204 is set.

そして、ガルバノミラー４の取り付け精度等の影響によるレーザー光の光路のずれ等がなければ、導体部２０８に対応する走査範囲として示した範囲２４４のように、導体部２０１，２０５，２０４の座標（ｘ₁，ｙ₁），（ｘ₂，ｙ₂），（ｘ₃，ｙ₃）が、それぞれ範囲２４１，２４２，２４３の中心部に位置するように、ガルバノミラー４が駆動されてレーザー光が走査される。しかし、実際には、レーザー光の光路がずれていたり、基板２が傾いていたりするために、範囲２４１，２４２，２４３は、導体部２０１，２０５，２０４を中心とする座標範囲からずれた位置になっている。 If there is no deviation of the optical path of the laser beam due to the influence of the mounting accuracy of the galvanometer mirror 4, the coordinates of the conductor portions 201, 205, 204 (see the range 244 shown as the scanning range corresponding to the conductor portion 208). The galvanometer mirror 4 is driven so that x ₁ , y ₁ ), (x ₂ , y ₂ ), and (x ₃ , y ₃ ) are located at the center of the ranges 241, 242, and 243, respectively. Scanned. However, in actuality, because the optical path of the laser beam is deviated or the substrate 2 is inclined, the ranges 241, 242, and 243 are positions deviated from the coordinate range centered on the conductor portions 201, 205, and 204. It has become.

次に、ステップＳ２０５において、レーザー走査部８８によって、範囲２４１，２４２，２４３をレーザー光により走査させつつ電流計７２により電流が検知されたときにレーザー光により走査されていた座標である検知座標が取得される。図８は、範囲２４１，２４２，２４３と、各範囲に対応して取得された検知座標との関係を説明するための図である。図８（ａ）は範囲２４１、図８（ｂ）は範囲２４２、図８（ｃ）は範囲２４３に対応している。 Next, in step S205, the detection coordinates, which are the coordinates scanned by the laser light when the current is detected by the ammeter 72 while the ranges 241, 242, and 243 are scanned by the laser light by the laser scanning unit 88, are detected. To be acquired. FIG. 8 is a diagram for explaining the relationship between the ranges 241, 242, and 243 and the detected coordinates acquired corresponding to each range. 8A corresponds to the range 241, FIG. 8B corresponds to the range 242, and FIG. 8C corresponds to the range 243.

例えば、図８において、範囲２４１，２４２，２４３を分割している一升が、一回のレーザー光照射に対応しており、レーザー走査部８８によって、一升毎に、電流計７２による電流の検知の有無が確認される。そして、電流計７２によって電流が検知された座標が、斜線で示されている。例えば、図８（ａ）において、斜線で示す座標に対してレーザー光が照射された場合に、電流計７２により電流が検知された、すなわち導体部２０１にレーザー光が当たったことを示している。 For example, in FIG. 8, a glance that divides the ranges 241, 242, and 243 corresponds to one laser light irradiation, and the laser scanning unit 88 causes the current by the ammeter 72 to be produced every glance. The presence or absence of detection is confirmed. The coordinates at which the current is detected by the ammeter 72 are indicated by hatching. For example, in FIG. 8A, when laser light is applied to the coordinates indicated by oblique lines, current is detected by the ammeter 72, that is, the laser light has hit the conductor 201. .

この場合、レーザー走査部８８によって検知座標が取得される間隔は、導体部２０１の直径よりも小さくされているので、導体部２０１上を横切ってレーザー光で走査する際に、複数の検知座標が取得される。例えば図８においては、レーザー走査部８８によって、導体部２０１，２０５，２０４の直径１００μｍに対して３０μｍ間隔で検知座標が取得される結果、導体部２０１，２０５，２０４上を横切ってレーザー光で走査する際に、３〜４個の検知座標が取得される。 In this case, since the interval at which the detection coordinates are acquired by the laser scanning unit 88 is made smaller than the diameter of the conductor part 201, when scanning with the laser beam across the conductor part 201, a plurality of detection coordinates are obtained. To be acquired. For example, in FIG. 8, the detection coordinates are obtained at intervals of 30 μm with respect to the diameter of 100 μm of the conductors 201, 205, and 204 by the laser scanning unit 88. When scanning, 3 to 4 detection coordinates are acquired.

次に、ステップＳ２０６において、結果座標生成部８９によって、レーザー走査部８８により取得された検知座標の中心、すなわち図８に斜線で示す検知座標範囲の中心座標が、導体部２０１，２０５，２０４にそれぞれ対応して例えば（ｘｍ₁，ｙｍ₁），（ｘｍ₂，ｙｍ₂），（ｘｍ₃，ｙｍ₃）として算出される。この場合、範囲２４１，２４２，２４３としてそれぞれ導体部２０１，２０５，２０４の輪郭を含む座標範囲が設定されているので、検知座標範囲の中心座標を算出することが容易である。 Next, in step S206, the center of the detection coordinate acquired by the laser scanning unit 88 by the result coordinate generation unit 89, that is, the center coordinate of the detection coordinate range indicated by hatching in FIG. For example, (xm ₁ , ym ₁ ), (xm ₂ , ym ₂ ), and (xm ₃ , ym ₃ ) are calculated correspondingly. In this case, since the coordinate ranges including the contours of the conductor portions 201, 205, and 204 are set as the ranges 241, 242, and 243, respectively, it is easy to calculate the center coordinates of the detected coordinate range.

次に、ステップＳ２０７において、結果座標生成部８９によって、導体部２０１，２０５，２０４の中心座標（ｘｍ₁，ｙｍ₁），（ｘｍ₂，ｙｍ₂），（ｘｍ₃，ｙｍ₃）に基づいて、基準座標（ｘ₁，ｙ₁），（ｘ₂，ｙ₂），（ｘ₃，ｙ₃）に対してレーザー光を照射した際に、実際にレーザー光が照射された座標である結果座標（Ｘ₁，Ｙ₁），（Ｘ₂，Ｙ₂），（Ｘ₃，Ｙ₃）を算出する。具体的には、
（Ｘ₁，Ｙ₁）＝（ｘ₁，ｙ₁）＋｛（ｘ₁，ｙ₁）−（ｘｍ₁，ｙｍ₁）｝、
（Ｘ₂，Ｙ₂）＝（ｘ₂，ｙ₂）＋｛（ｘ₂，ｙ₂）−（ｘｍ₂，ｙｍ₂）｝、
（Ｘ₃，Ｙ₃）＝（ｘ₃，ｙ₃）＋｛（ｘ₃，ｙ₃）−（ｘｍ₃，ｙｍ₃）｝、
となる。 Next, in step S207, the result coordinate generation unit 89 uses the center coordinates (xm ₁ , ym ₁ ), (xm ₂ , ym ₂ ), (xm ₃ , ym ₃ ) of the conductors 201, 205, and 204. , The result coordinates which are the coordinates that are actually irradiated with the laser light when the laser light is irradiated to the reference coordinates (x ₁ , y ₁ ), (x ₂ , y ₂ ), (x ₃ , y ₃ ) (X ₁ , Y ₁ ), (X ₂ , Y ₂ ), (X ₃ , Y ₃ ) are calculated. In particular,
(X ₁ , Y ₁ ) = (x ₁ , y ₁ ) + {(x ₁ , y ₁ ) − (xm ₁ , ym ₁ )},
(X ₂ , Y ₂ ) = (x ₂ , y ₂ ) + {(x ₂ , y ₂ ) − (xm ₂ , ym ₂ )},
(X ₃ , Y ₃ ) = (x ₃ , y ₃ ) + {(x ₃ , y ₃ ) − (xm ₃ , ym ₃ )},
It becomes.

以下、ステップＳ２０８〜Ｓ２１１は、図３に示すフローチャートのステップＳ１０７〜Ｓ１１０と同様であるので、その説明を省略する。 Hereinafter, steps S208 to S211 are the same as steps S107 to S110 in the flowchart shown in FIG.

以上、ステップＳ２０１〜Ｓ２１１の動作により、基板２の検査が行われる。また、温度や、レーザー装置３やガルバノミラー４等の取り付け精度、あるいは基板２の傾き等の影響を受けることによるレーザー光の照射位置のずれを補正して、レーザー光を照射する精度を向上させることができる。 As described above, the substrate 2 is inspected by the operations of steps S201 to S211. In addition, the deviation of the laser light irradiation position due to the influence of temperature, the accuracy of mounting the laser device 3 and the galvano mirror 4 or the inclination of the substrate 2 is corrected to improve the accuracy of laser light irradiation. be able to.

また、ステップＳ２０８において、検知座標が取得される間隔は、導体部２０１，２０５，２０４の直径よりも小さくされ、導体部２０１，２０５，２０４上を横切ってレーザー光で走査する際に得られた複数の検知座標の中心座標に基づいて結果座標が算出されるので、結果座標を高精度に算出することができる結果、関数Ｆによるレーザー光の光路のずれに対する近似精度を向上させることができ、この関数Ｆに基づくレーザー光の光路のずれに対する補正精度を向上させることができる。また、検知座標を取得する間隔をさらに小さく、例えばレーザー光のビーム径と同程度の１０μｍ間隔とすれば、結果座標をさらに高精度に算出することができるので、レーザー光の光路のずれに対する補正精度を向上させることができる。 In step S208, the interval at which the detection coordinates are acquired is smaller than the diameter of the conductor portions 201, 205, and 204, and is obtained when scanning with the laser light across the conductor portions 201, 205, and 204. Since the result coordinates are calculated based on the center coordinates of the plurality of detection coordinates, the result coordinates can be calculated with high accuracy. As a result, the approximation accuracy for the deviation of the optical path of the laser beam by the function F can be improved. The correction accuracy for the deviation of the optical path of the laser beam based on this function F can be improved. Further, if the detection coordinate acquisition interval is made smaller, for example, 10 μm interval, which is about the same as the beam diameter of the laser beam, the resulting coordinate can be calculated with higher accuracy, so that correction for deviations in the optical path of the laser beam is possible. Accuracy can be improved.

なお、検知座標を取得する間隔は、導体部の直径よりも小さい例に限られず、例えば導体部の直径と同程度であってもよい。この場合、一つの導体部から一つの検知座標しか取得されないので、検知座標範囲の中心を算出する必要はなく、その検知座標に基づいて、結果座標を算出する構成としてもよい。 In addition, the interval which acquires a detection coordinate is not restricted to the example smaller than the diameter of a conductor part, For example, it may be comparable as the diameter of a conductor part. In this case, since only one detection coordinate is acquired from one conductor part, it is not necessary to calculate the center of the detection coordinate range, and the result coordinate may be calculated based on the detection coordinate.

また、結果座標を取得するために検査対象となる基板２を用いる例に限られず、例えばステップＳ２０１〜Ｓ２０８において、基板２の代わりに他の測定用の基板を用いて取得した結果座標から関数Ｆを算出し、この関数Ｆに基づいて、基板２に対してステップＳ２０９〜Ｓ２１１の動作を行う構成としてもよい。 Moreover, it is not restricted to the example which uses the board | substrate 2 used as a test object in order to acquire a result coordinate, For example, in step S201-S208, function F is obtained from the result coordinate acquired using the board | substrate for another measurement instead of the board | substrate 2. And the operation of steps S209 to S211 may be performed on the substrate 2 based on the function F.

更に、本発明が適用されるレーザー光を用いた基板検査装置は、前記従来技術の装置に限らず、例えば、特開２００２−３７２５６２号に開示されたような装置その他、微小領域に細いレーザービームを照射するものであって、その照射位置の正確制御の必要な装置であればよく、特に、上記実施例のように、紫外線レーザのような不可視光を用いた検査装置に本願発明は有効である。 Further, the substrate inspection apparatus using the laser beam to which the present invention is applied is not limited to the above-mentioned conventional apparatus, but, for example, an apparatus as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-372562, or a laser beam that is thin in a minute region. The present invention is particularly effective for an inspection apparatus using invisible light such as an ultraviolet laser as in the above embodiment. is there.

本発明の第１の実施形態による基板検査装置の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the board | substrate inspection apparatus by the 1st Embodiment of this invention. 図１に示す基板の導体部が形成されている側の平面図である。It is a top view of the side by which the conductor part of the board | substrate shown in FIG. 1 is formed. 図１に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement of the board | substrate inspection apparatus shown in FIG. 図１に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement of the board | substrate inspection apparatus shown in FIG. 本発明の第２の実施の形態による基板検査装置の構成の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of a structure of the board | substrate inspection apparatus by the 2nd Embodiment of this invention. 図５に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement of the board | substrate inspection apparatus shown in FIG. レーザー走査部によるレーザー光の走査を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the scanning of the laser beam by a laser scanning part. 走査範囲と検知座標との関係を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the relationship between a scanning range and a detection coordinate.

Explanation of symbols

１，１ａ基板検査装置
２基板
３レーザー装置（レーザー出力部）
４ガルバノミラー
５チャンバー室
６多針状プローブ
８，８ａ制御部
９表示部
１０操作部（受付部）
７２電流計（検出部）
７３直流電源
８１レーザーマーキング部
８２結果座標受付処理部
８３補正係数算出部
８４補正座標生成部（座標補正部）
８５基板検査部
８６基板データ記憶部（基板座標データ記憶部）
８７補正座標記憶部
８８レーザー走査部
８９結果座標生成部（結果座標取得部）
２０１，２０４，２０５導体部（マーカー、検査点）
２０２，２０３，２０６，２０７，２０８導体部
２３１，２３２，２３３レーザー痕 1, 1a Substrate inspection device 2 Substrate 3 Laser device (laser output unit)
4 Galvano mirror 5 Chamber room 6 Multi-needle probe 8, 8a Control unit 9 Display unit 10 Operation unit (reception unit)
72 Ammeter (Detector)
73 DC power supply 81 Laser marking unit 82 Result coordinate reception processing unit 83 Correction coefficient calculation unit 84 Correction coordinate generation unit (coordinate correction unit)
85 Substrate inspection unit 86 Substrate data storage unit (substrate coordinate data storage unit)
87 Correction coordinate storage unit 88 Laser scanning unit 89 Result coordinate generation unit (result coordinate acquisition unit)
201, 204, 205 Conductor (marker, inspection point)
202, 203, 206, 207, 208 Conductor parts 231, 232, 233 Laser marks

Claims

By detecting a first electrical signal caused by electrons emitted by irradiating the inspection point of the wiring pattern formed on the substrate to be inspected held at the inspection position with laser beam light, In board inspection equipment that performs inspection,
  A laser output unit for irradiating a predetermined position with laser beam light;
  In a measurement substrate in which a conductor part having a predetermined shape is formed on the surface, and a pad electrically connected to the conductor part is provided on the surface opposite to the surface, the conductor part is irradiated with a laser beam. A detection unit for detecting a second electrical signal resulting from electrons emitted when
  A contact that contacts the pad;
  An electrode for trapping electrons emitted when the conductor portion is irradiated with laser beam light;
  A direct current power source in which a positive electrode is connected to the electrode and a negative electrode is connected to the detection unit;
  A switch for switching the connection between the contact and the detection unit;
  When the measurement substrate is held at the inspection position, the switch is turned on to connect the contactor and the detection unit, and the position of the conductor portion in the coordinate system set on the measurement substrate is determined. The laser output when the second electrical signal is detected by the detection unit while controlling the laser output unit so as to scan the coordinate range including the reference coordinates and the contour of the conductor unit with laser beam light. A result coordinate acquisition unit that generates a result coordinate indicating the coordinates where the laser beam light is actually irradiated, based on the coordinates where the laser beam light was irradiated to the unit;
  A substrate coordinate data storage unit for storing coordinates indicating the position of the inspection point on the substrate to be inspected in the coordinate system;
  Corrected coordinates corresponding to the inspection points by correcting the coordinates indicating the position of the inspection points stored in the substrate coordinate data storage unit based on the result coordinates acquired by the result coordinate acquisition unit A coordinate correction unit for generating
  When inspecting the wiring pattern, based on the corrected coordinates generated by the coordinate correction unit, a laser beam is irradiated from the laser output unit to the inspection point to inspect the wiring pattern. A substrate inspection apparatus.

The result coordinate acquisition unit controls the laser output unit so as to scan the coordinate range with the laser beam light, and detects the emission of the laser beam light when the detection unit detects the emission of electrons from the conductor unit. The irradiation coordinates are acquired as a plurality of detection coordinates at a coordinate interval smaller than the size of the conductor portion, and the result coordinates are calculated based on the coordinates that are the center positions of the plurality of detection coordinates. 2. The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein:

The measurement substrate is one in which conductor parts are formed at least at three locations on the surface,
The result coordinate acquisition unit acquires the result coordinate corresponding to each of the at least three conductor portions,
The coordinate correction unit generates a function representing a relationship between the reference coordinates and the result coordinates based on the reference coordinates corresponding to the conductor part and the result coordinates acquired by the result coordinate acquisition unit, The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the correction is performed using the function.

The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the inspection substrate is used as the measurement substrate, and a predetermined inspection point of the inspection substrate is used as the conductor portion.

By detecting a first electrical signal caused by electrons emitted by irradiating the inspection point of the wiring pattern formed on the substrate to be inspected held at the inspection position with laser beam light, In the laser beam irradiation position correction method in the substrate inspection apparatus that performs inspection,
  A laser output unit irradiating a laser beam light at a predetermined position;
  The detection unit connected to the negative electrode of the DC power supply has a conductor part having a predetermined shape on the surface, and a pad electrically connected to the conductor part is provided on the surface opposite to the surface. In the substrate, detecting a second electrical signal caused by electrons emitted when the conductor portion is irradiated with laser beam light;
  A step of contacting a contact with the pad;
  An electrode connected to a positive electrode of a DC power source traps electrons emitted when the conductor portion is irradiated with laser beam light; and
  A step of switching a connection between the contact and the detection unit;
  In a coordinate system in which the result coordinate acquisition unit connects the contact and the detection unit by turning on the switch when the measurement substrate is held at the inspection position, and is set on the measurement substrate. The second electrical signal is detected by the detection unit while controlling the laser output unit to scan the reference coordinate indicating the position of the conductor unit and the coordinate range including the contour of the conductor unit with laser beam light. A step of generating a result coordinate indicating coordinates where the laser beam light is actually irradiated, based on the coordinates at which the laser output unit was irradiated with the laser beam light when
  A step of storing a coordinate indicating a position of an inspection point on the inspected substrate in the coordinate system;
  The coordinate correction unit corresponds to the inspection point by correcting the coordinates indicating the position of the inspection point stored in the substrate coordinate data storage unit based on the result coordinates acquired by the result coordinate acquisition unit. Generating corrected coordinates to be
  When inspecting the wiring pattern, based on the corrected coordinates generated by the coordinate correction unit, a laser beam is irradiated from the laser output unit to the inspection point to inspect the wiring pattern. And a laser beam irradiation position correcting method characterized by comprising the steps of: