JP4333065B2

JP4333065B2 - Substrate holding device

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Publication number: JP4333065B2
Application number: JP2001348219A
Authority: JP
Inventors: 治彦楠瀬
Original assignee: Lasertec Corp
Current assignee: Lasertec Corp
Priority date: 2001-11-14
Filing date: 2001-11-14
Publication date: 2009-09-16
Anticipated expiration: 2021-11-14
Also published as: JP2003152060A

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、基板を保持する基板保持装置に係り、特に、真空吸着により基板を保持するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体製造装置、測定装置、検査装置等において、シリコンウエハ等の基板をチャック台に載置する際に、バキュームチャックによる真空吸着によってチャック台表面に基板を保持する基板保持装置が提案されている。
【０００３】
このような従来の基板保持装置の構成例を図８（ａ）、（ｂ）に示す。図８（ａ）は、従来の基板保持装置の上面図である。図８（ｂ）は、従来の基板保持装置の側面図である。この基板保持装置は、円板状のチャック台２の上面に、図８（ａ）に示すように、土手部２１、複数の凸部２２、真空経路２４を備えている。土手部２１は、チャック台２の周囲にリング状に成形されて設けられているものである。凸部２２は、等間隔に配列されて設けられている。真空経路２４は、チャック台２内部を貫通し、その一端部において図示しない真空ポンプに接続されている。基板は、チャック台２の上面に載置された後、真空ポンプにより、真空経路２４を介して当該チャック台２の上面に真空吸着される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような構成を有する従来の基板保持装置は、チャック台の材質であるセラミックに含まれる不純物が基板の裏面に付着する等の汚染や、基板の裏面に付着していた異物がチャック台に付着し、その後にチャック台に載置した別の基板の裏面にこの異物が移動して付着する等の汚染の問題があった。この場合には、基板の裏面と土手部若しくは凸部との間に不純物や異物が挟まるため基板表面に撓みが生じ、基板を平坦に載置することができないという問題も生ずる。また、チャック台は、一般にヒータテーブルやＸＹテーブルの上に取り付けられるため、簡単には取り外して洗浄することはできない。特に、セラミック製のチャック台の場合には、洗浄すると溶剤とともに汚染物を吸収する等の不具合が生ずる可能性がある。
【０００５】
本発明は上記の点を考慮してなされたもので、その目的とするところは、基板の裏面を汚さず、基板の表面を平坦に吸着する基板保持装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる基板保持装置は、前記基板を載置し、当該基板を真空吸着するために設けられ、貫通孔と、下面に形成され、前記貫通孔を取り囲む土手部（例えば、本実施の形態における土手部３３）とから構成される真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路３４）を有する板状部材（例えば、本発明の実施の形態における真空チャック３）と、前記板状部材の下方に接触して設けられ、前記真空経路を介して前記基板を真空吸着するための真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路５１）を有するチャック台（例えば、本実施の形態におけるチャック台２）を備え、前記板状部材は、前記チャック台側及び前記基板側の面に複数の凸部を有し、前記チャック台より離脱可能としたものである。このような構成により、板状部材を交換する、若しくは洗浄することで、基板の裏面を汚さずに平坦に基板をチャック台に載置することができる。また、このような構成により、板状部材とチャック台との接触面積を少なくし板状部材を平坦にチャック台に載置することができるので、より効果的に基板を平坦にチャック台に載置することができる。
【０００７】
また、上述の板状部材は、前記基板側の面に、当該板状部材の真空経路を取り囲む土手部を有することとしても良い。このような構成により、真空吸着によって基板を板状部材に確実に保持することができる。さらに、基板と板状部材との接触面積を少なくすることができるので、より効果的に基板の裏面を汚さずに平坦に基板をチャック台に載置することができる。
【０００９】
また、上述の板状部材の基板側の面に設けられた凸部と、チャック台側の面に設けられた凸部とは、前記板状部材の基板側の面から見たときに重なる位置に設けることも可能である。このような構成により、基板の自重及び大気と真空の圧力差によって、板状部材の基板側の凸部が下方に撓むことを防ぐことができる。
【００１０】
また、上述のチャック台は、前記板状部材を真空吸着するための真空経路を有し、前記板状部材は、前記チャック台側の面に当該チャック台の真空経路を取り囲む土手部を有するとしても良い。このような構成により、真空吸着によって板状部材をチャック台に確実に保持することができる。さらに、板状部材とチャック台との接触面積を少なくすることができるので、より効果的に基板の裏面を汚さずに平坦にチャック台に載置することができる。
【００１２】
また、前記板状部材は、シリコンウエハにより生成されていても良い。このような構成により、板状部材と基板との接触の際の磨耗によってこれらの部材の成分以外の異物に汚染されることを効果的に防ぐことができる。
【００１４】
また、前記板状部材は、多結晶シリコンにより生成することも可能である。このような構成により板状部材と基板との接触の際の磨耗を効果的に防ぐことができる。
さらに、前記板状部材は、金属により生成することも可能である。このような構成により、板状部材を使い捨てにして、基板が異物に汚染されることを効果的に防ぐことができる。
【００１５】
また、上述の基板の表面にカーボン、ダイヤモンド、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、又はフッ素樹脂膜を付加しても良い。このような構成によっても、板状部材と基板との接触の際の磨耗を効果的に防ぐことができる。
他方、本発明にかかる他の基板保持装置は、真空吸着によりシリコンウエハによって形成された基板を保持する基板保持装置であって、前記基板を載置し、当該基板を真空吸着するために設けられ、貫通孔と、下面に形成され、前記貫通孔を取り囲む土手部（例えば、本実施の形態における土手部３３）とから構成される真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路３４）を有し、シリコンウエハにより生成されている板状部材（例えば、本発明の実施の形態における真空チャック３）と、前記板状部材の下方に接触して設けられ、前記真空経路を介して前記基板を真空吸着するための真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路５１）を有するチャック台（例えば、本実施の形態におけるチャック台２）を備え、前記板状部材は、前記チャック台側の面に複数の凸部を有し、前記チャック台より離脱可能としたものである。このような構成により、板状部材と基板との接触の際の磨耗によってこれらの部材の成分以外の異物に汚染されることを効果的に防ぐことができる。
そして、本発明にかかる他の基板保持装置は、真空吸着により多結晶シリコンによって形成された基板を保持する基板保持装置であって、前記基板を載置し、当該基板を真空吸着するために設けられ、貫通孔と、下面に形成され、前記貫通孔を取り囲む土手部（例えば、本実施の形態における土手部３３）とから構成される真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路３４）を有し、多結晶シリコンにより生成されている板状部材（例えば、本発明の実施の形態における真空チャック３）と、前記板状部材の下方に接触して設けられ、前記真空経路を介して前記基板を真空吸着するための真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路５１）を有するチャック台（例えば、本実施の形態におけるチャック台２）を備え、前記板状部材は、前記チャック台側の面に複数の凸部を有し、前記チャック台より離脱可能としたものである。このような構成により、板状部材と基板との接触の際の磨耗によってこれらの部材の成分以外の異物に汚染されることを効果的に防ぐことができる。
また、本発明にかかる他の基板保持装置は、真空吸着により基板を保持する基板保持装置であって、前記基板を載置し、当該基板を真空吸着するために設けられ、貫通孔と、下面に形成され、前記貫通孔を取り囲む土手部（例えば、本実施の形態における土手部３３）とから構成される真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路３４）を有し、金属により生成されている板状部材（例えば、本発明の実施の形態における真空チャック３）と、前記板状部材の下方に接触して設けられ、前記真空経路を介して前記基板を真空吸着するための真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路５１）を有するチャック台（例えば、本実施の形態におけるチャック台２）を備え、前記板状部材は、前記チャック台側の面に複数の凸部を有し、前記チャック台より離脱可能としたものである。このような構成により、板状部材を使い捨てにして、基板が異物に汚染されることを効果的に防ぐことができる。
なお、本発明にかかる他の基板保持装置は、真空吸着により基板を保持する基板保持装置であって、前記基板を載置し、当該基板を真空吸着するために設けられ、貫通孔と、下面に形成され、前記貫通孔を取り囲む土手部（例えば、本実施の形態における土手部３３）とから構成される真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路３４）を有し、表面にカーボン、ダイヤモンド、ＳｉＯ_２、又はフッ素樹脂膜が付加された板状部材（例えば、本発明の実施の形態における真空チャック３）と、前記板状部材の下方に接触して設けられ、前記真空経路を介して前記基板を真空吸着するための真空経路（例えば、本実施の形態における真空経路５１）を有するチャック台（例えば、本実施の形態におけるチャック台２）を備え、前記板状部材は、前記チャック台側の面に複数の凸部を有し、前記チャック台より離脱可能としたものである。このような構成により、板状部材と基板との接触の際の磨耗を効果的に防ぐことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図１乃至図７に基づいて説明する。
発明の実施の形態１．
図１は、本実施の形態１に係る基板保持装置の構成を示す。本実施形態１においては、基板とチャック台の間に板状部材からなる真空チャックを設けている。基板保持装置は、図１に示すように、チャック台２、真空チャック３、真空ポンプ４、真空経路５１、５２、バルブ６１、６２、６３、６４を備えて構成されている。
【００１７】
図２は、図１における要部Ａの断面拡大図である。図３は、図１における要部Ｂの断面拡大図である。図４は、図１における要部Ｃの断面拡大図である。図２に示すように、チャック台２上面に真空チャック３が載置され、さらに真空チャック３上面にシリコンウエハ１が載置されている。シリコンウエハ１は、その上面にＩＣチップが形成されている。
【００１８】
チャック台２は、例えばセラミック製である。チャック台２をこのようにセラミックで構成する場合には、不純物の発生を少なくするために、所定の材料を合成して作成されたものであることが望ましい。チャック台２は、シリコンウエハ１と直接接触しないため、セラミック又は金属により構成しても良い。チャック台２の内部には、シリコンウエハ１を真空吸着するための真空経路５１と、真空チャック３を真空吸着するための真空経路５２が設けられている。
【００１９】
真空チャック３は、図５に示すような構成を有し、例えばシリコンウエハ１と同一のシリコンインゴットから切り出したウエハを成形したものである。ここで、図５（ａ）は、真空チャック３の上面図である。図５（ｂ）は、真空チャック３の側面図である。図５（ｃ）は、真空チャック３の下面図である。図５（ａ）に示すように、真空チャック３の上面及び下面の周囲には、リング状の土手部３１が設けられ、さらに複数の凸部３２が設けられている。土手部３１および凸部３２は、真空チャック３の上面及び下面に、例えばサンドブラスト加工によって形成される。このサンドブラスト加工により、空気と共に切削材、又は研磨材等がノズルから噴射されて、真空チャック３の表面に土手部３１、凸部３２がパターン形成される。また、真空チャック３の上面及び下面のパターンは、一致して重なるように形成されている。土手部３１および凸部３２は、エッチングにより形成されても良い。具体的には、シリコンウエハ１上に窒化膜または酸化膜等を設け、リソグラフィでパターニングし、さらにドライエッチング又はウェットエッチングによりパターンを形成する。
【００２０】
凸部３２は、等間隔に配列されて設けられている。凸部３２は、例えば円形断面を有する円柱又は円錐であるが、矩形断面を有する角柱であっても良い。また、真空チャック３には、真空経路３４が設けられている。この真空経路３４は、図３及び図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、真空チャック３の中心部に形成された貫通孔と、土手部３３とにより構成されている。この土手部３３は、真空チャック３の下面に、貫通孔を取り囲むようにして設けられている。
【００２１】
また、土手部３１は、シリコンウエハ１を吸着するための真空経路３４を取り囲むように設けられたものである。そして、真空チャック３の上面側においては、シリコンウエハ１の下面、真空チャック３の上面および土手部３１の内周面により密閉された空間が形成されている。また、真空チャック３の下面に設けられた土手部３１は、当該真空チャック３をチャック台２に吸着するための真空経路５２を少なくとも取り囲むように設けられている。そして、真空チャック３の下面側においては、チャック台２の上面、真空チャック３の下面、土手部３１の内周面および土手部３３の外周面とにより、密閉された空間が形成されている。すなわち、真空経路３４、および真空経路５１を介して真空ポンプ４により真空チャック３の上面の密閉された空間を減圧することで、シリコンウエハ１を真空チャック３上面に保持することが可能である。また、真空チャック３の下面の密閉された空間を、真空経路５２を介して真空ポンプ４により減圧することで、真空チャック３をチャック台２上面に保持することが可能である。
【００２２】
さらに、真空チャック３は、真空吸着を停止し、外部気圧と同じ状態に戻すことで容易にチャック台２から取り外して交換することが可能である。また、シリコンウエハ洗浄設備によりこの真空チャック３を洗浄し、その表面に付着した異物等を取り除いて繰り返し使用することが可能である。真空チャック３は、シリコンウエハ１との摩擦等によってシリコンウエハ１以外の成分を有する異物の発生を防ぐため、シリコンウエハ１と同じ材質であることが望ましい。また、真空チャック３は、シリコンウエハ１と同様の材質とすることにより大量に製造されているシリコンウエハ１を加工して真空チャック３として用いることが可能となるので、その製造が容易であり、さらにコスト低減化も実現できる。又、真空チャック３の表面は、耐摩耗性、相手攻撃性等を改善するため、カーボン、ダイヤモンド、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、又はフッ素樹脂膜等のような汚染源になり難い物質をコーティングすることによりわずかに発塵した場合にも問題を最小とすることができる。
【００２３】
真空経路５１の経路上には、バルブ６１、６２が設けられている。又、真空経路５２の経路上には、バルブ６３、６４が設けられている。バルブ６１及び６３は、真空経路５１及び５２に外気を流入させる、又は、外気を遮断するためのものである。バルブ６２及び６４は、真空経路５１及び５２を真空ポンプ４に対して導通状態にする、又は、その導通状態を遮断するためのものである。これらのバルブ６１、６２、６３、６４を切替えて閉じることにより、シリコンウエハ１と真空チャック３とを選択的に、若しくは両方を同時に真空吸着によってチャック台２に保持することが可能である。尚、真空吸着は、ある密閉空間を外気圧以下に減圧することにより吸着することを言う。
【００２４】
次に、本実施の形態１にかかる基板保持装置の作用について説明する。まず真空チャック３は、チャック台２の上面、真空チャック３の下面、真空チャック３の下面に設けられた土手部３１の内周面、および土手部３３の外周面により形成された空間が密閉されているので、バルブ６１、６２、６３を閉めるとともにバルブ６４を開け、真空経路５２を真空ポンプ４に対して導通状態にしておいて、真空ポンプ４を作動させて真空経路５２を介してこの空間を減圧し、さらにバルブ６４を閉めて真空経路５２を遮断することにより、真空チャック３をチャック台２の上面に確実に保持することができる。
【００２５】
また、シリコンウエハ１の下面、真空チャック３の上面、および真空チャック３の上面に設けられた土手部３１の内周面により形成された空間が同様に密閉されているので、バルブ６１、６３、６４を閉めるとともにバルブ６２を開け、真空経路５１を真空ポンプ４に対して導通状態にしておいて、真空ポンプ４を作動させて真空経路３４、５１を介してこの空間を減圧し、さらにバルブ６２を閉めて真空経路５１を遮断することにより、シリコンウエハ１を真空チャック３の上面に確実に保持することができる。
【００２６】
このとき、真空チャック３の上面及び下面に形成された土手部３１および凸部３２のパターンが一致し、重なっており、真空チャック３の上面の土手部３１および凸部３２が、真空チャック３の下面の土手部３１および凸部３２により支持されているので、真空チャック３の上面の土手部３１および凸部３２に、検査時にシリコンウエハ１に対して加わる外部からの力やシリコンウエハ１自身の重さ及び大気と真空の圧力差が生じても下方に撓むことがない。このため、シリコンウエハ１を平坦に保持することが可能である。
【００２７】
そして、真空ポンプ４を停止させてバルブ６１の外部空間との経路を導通状態にすることにより、シリコンウエハ１の下面、真空チャック３の上面、および真空チャック３の上面に設けられた土手部３１の内周面により密閉された空間の減圧状態を解除することでシリコンウエハ１を容易に取り出すことができ、シリコンウエハ１を別のものに取替えることができる。
【００２８】
さらに、真空ポンプ４を停止させてバルブ６３の外部空間との経路を導通状態にすることにより、チャック台２の上面、真空チャック３の下面、真空チャック３の下面に設けられた土手部３１の内周面、および土手部３３の外周面により密閉された空間の減圧状態を解除することで真空チャック３を容易に取出すことができ、真空チャック３を容易に交換することができる。また、真空チャック３は、シリコンウエハ１と形状等が略同一であるので、例えば、特開２００１−２９８０１１号公報や、特開２００１−２７４１３４号公報等に開示されるシリコンウエハ洗浄設備によりこの真空チャック３を洗浄することができ、真空チャック３に付着した異物等を取除くことでこの真空チャック３を繰り返し使用することができる。このように、真空チャック３を交換および洗浄することにより、シリコンウエハ１及び真空チャック３間、又は真空チャック３及びチャック台２間に異物等が挟まりシリコンウエハ１表面に撓みが生ずることが無く、シリコンウエハ１を真空チャック３の上面に平坦に保持することが可能となる。
【００２９】
以上のような本実施の形態１に係る基板保持装置によれば、真空チャック３を容易に交換することができ、またシリコンウエハ洗浄設備により洗浄し真空チャック３表面に付着した異物等を取除くことにより、シリコンウエハ１の裏面を汚さず、シリコンウエハ１の表面を平坦に吸着し保持することができる。
【００３０】
発明の実施の形態２．
図６は、本実施の形態２に係る基板保持装置の構成を示す。この基板保持装置は、実施の形態１におけるものと同様の構成であり、チャック台２、及び真空チャック３に構造的特徴を有している。
【００３１】
真空チャック３は、土手部３１および凸部３２がその上面にのみ形成されており、下面は平坦な面とされている。
【００３２】
チャック台２は、実施の形態１における真空チャック３の下面に設けられていた土手部３１、凸部３２、土手部３３と同様の土手部２１、凸部２２、土手部２３が、その上面に形成されている。
【００３３】
本実施の形態２における基板保持装置は、チャック台２の上面、真空チャック３の下面、チャック台２に設けられた土手部２１の内周面および土手部２３の外周面により密閉された空間が、真空経路５２を介して真空ポンプ４により減圧されて真空チャック３が保持されることによって、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００３４】
また、チャック台２の上面および真空チャック３の上面に形成された土手部２１、３１、および凸部２２、３２のパターンが一致し、重なっており、真空チャック３上面の土手部３１および凸部３２が、チャック台２上面の土手部２１および凸部２２により支持されているので、真空チャック３上面の土手部３１および凸部３２に、検査時にシリコンウエハ１に対して加わる外部からの力やシリコンウエハ１自身の重さが生じても下方に撓むことがない。このため、シリコンウエハ１を平坦に保持することが可能である。
【００３５】
以上のような構成によっても、シリコンウエハ１の裏面を汚さず、シリコンウエハ１の表面を平坦に吸着し保持することができる。
【００３６】
発明の実施の形態３．
図７は、本実施の形態３に係る基板保持装置の構成を示す。この基板保持装置は、実施の形態１におけるものと同様の構成であり、真空チャック３に構造的特徴を有している。
【００３７】
真空チャック３は、土手部３１および凸部３２がその上面にのみ形成されており、下面は平坦な面とされている。
【００３８】
本実施の形態３における基板保持装置は、シリコンウエハ１の下面、真空チャック３の上面、および真空チャック３の上面に設けられた土手部３１の内周面により密閉された空間が真空経路５１を介して真空ポンプ４により減圧されてシリコンウエハ１が保持されることによって、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００３９】
以上のような構成によっても、シリコンウエハ１の裏面を汚さず、シリコンウエハ１の表面を平坦に吸着し保持することができる。
【００４０】
その他の実施の形態．
なお、上述の実施の形態１〜３における基板保持装置は、土手部３１がシリコンウエハ１を安定して保持することができれば、土手部３１は真空チャック３の周囲に設けられていなくても良く、真空チャック３の上面及び下面の任意の箇所に設けることもできる。また、土手部３１は、同心円状に複数設けることもできる。さらに、真空経路３４は、真空チャック３に複数設けることもできる。
【００４１】
また、シリコンウエハ１及び真空チャック３は、多結晶シリコン、ガラスウエハ、ＳｉＣウエハ、化合物ウエハ（例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ等）、若しくは液晶表示装置のガラス基板等とすることもできる。特に、多結晶シリコンは、加工性が良いので望ましい。真空チャック３は、複数備えることもできる。
【００４２】
さらに、真空チャック３は、真空吸着に限られず接着剤等により保持することもできる。この場合には、熱可塑性接着剤、放射線硬化型接着剤等を用いることもできる。真空チャック３は、使い捨てにすることもできる。この場合には、真空チャック３は、金属等とすることもできる。
【００４３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の基板保持装置は、基板の裏面を汚さず、基板の表面を平坦に吸着することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明の実施の形態１における基板保持装置を示す概略構成図である。
【図２】発明の実施の形態１における基板保持装置の要部Ａを示す断面拡大図である。
【図３】発明の実施の形態１における基板保持装置の要部Ｂを示す断面拡大図である。
【図４】発明の実施の形態１における基板保持装置の要部Ｃを示す断面拡大図である。
【図５】発明の実施の形態１における基板保持装置の真空チャック３を示す構成図である。
【図６】発明の実施の形態２における基板保持装置を示す要部拡大図である。
【図７】発明の実施の形態３における基板保持装置を示す要部拡大図である。
【図８】従来の基板保持装置のチャック台２を示す構成図である。
【符号の説明】
１シリコンウエハ２チャック台３真空チャック４真空ポンプ
２１土手部２２凸部２３土手部２４真空経路３１土手部
３２凸部３３土手部３４真空経路５１、５２真空経路
６１、６２、６３、６４バルブ[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The present invention relates to a substrate holding apparatus that holds a substrate, and more particularly to a device that holds a substrate by vacuum suction.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, when a substrate such as a silicon wafer is placed on a chuck table in a semiconductor manufacturing apparatus, a measuring apparatus, an inspection apparatus, etc., a substrate holding apparatus that holds the substrate on the surface of the chuck table by vacuum suction using a vacuum chuck has been proposed. ing.
[0003]
A configuration example of such a conventional substrate holding apparatus is shown in FIGS. FIG. 8A is a top view of a conventional substrate holding apparatus. FIG. 8B is a side view of a conventional substrate holding device. As shown in FIG. 8A, the substrate holding device includes a bank portion 21, a plurality of convex portions 22, and a vacuum path 24 on the upper surface of the disk-shaped chuck base 2. The bank portion 21 is provided in a ring shape around the chuck base 2. The convex portions 22 are arranged at equal intervals. The vacuum path 24 penetrates the inside of the chuck base 2 and is connected to a vacuum pump (not shown) at one end thereof. After the substrate is placed on the upper surface of the chuck table 2, the substrate is vacuum-adsorbed on the upper surface of the chuck table 2 via the vacuum path 24 by a vacuum pump.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional substrate holding apparatus having such a structure, contamination such as impurities on the back surface of the substrate adhering to the ceramic that is the material of the chuck table, and foreign matter adhering to the back surface of the substrate adhere to the chuck table. However, there has been a problem of contamination such as the foreign matter moving and adhering to the back surface of another substrate placed on the chuck table. In this case, since impurities and foreign substances are sandwiched between the back surface of the substrate and the bank portion or the convex portion, the substrate surface is bent, and there is a problem that the substrate cannot be placed flat. Further, since the chuck base is generally mounted on a heater table or an XY table, it cannot be easily removed and cleaned. In particular, in the case of a ceramic chuck base, there is a possibility that problems such as absorption of contaminants together with the solvent may occur when washed.
[0005]
The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to provide a substrate holding device that adsorbs the surface of the substrate evenly without contaminating the back surface of the substrate.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a substrate holding apparatus according to the present invention is provided to place the substrate and vacuum-suck the substrate, and is formed in a through hole and a lower surface and surrounds the through hole. A plate-like member (for example, a vacuum chuck according to the embodiment of the present invention) having a vacuum path (for example, the vacuum path 34 according to the present embodiment ) composed of a bank portion (for example, the bank portion 33 according to the present embodiment). 3) and a chuck base having a vacuum path (for example, the vacuum path 51 in the present embodiment) that is provided in contact with the lower side of the plate-like member and vacuum-sucks the substrate through the vacuum path (for example, the vacuum path 51 in the present embodiment). For example, the chuck base 2) according to the present embodiment is provided, and the plate-like member has a plurality of convex portions on the surface of the chuck base and the substrate and can be detached from the chuck base. . With such a configuration, by replacing or cleaning the plate-like member, the substrate can be placed flat on the chuck table without contaminating the back surface of the substrate. Further, with such a configuration, the contact area between the plate-like member and the chuck base can be reduced, and the plate-like member can be placed flat on the chuck stand, so that the substrate can be more effectively placed flat on the chuck stand. Can be placed.
[0007]
Further, the above-mentioned plate member, the surface of the substrate side, it is also possible to have a bank portion surrounding the vacuum path of this plate-like member. With such a configuration, the substrate can be reliably held on the plate-like member by vacuum suction. Furthermore, since the contact area between the substrate and the plate-like member can be reduced, the substrate can be placed on the chuck table more effectively without contaminating the back surface of the substrate.
[0009]
Further, the convex portion provided on the substrate-side surface of the plate-like member and the convex portion provided on the chuck-side surface overlap each other when viewed from the substrate-side surface of the plate-like member. It is also possible to provide it. With such a configuration, it is possible to prevent the convex portion on the substrate side of the plate-like member from being bent downward due to the weight of the substrate and the pressure difference between the atmosphere and the vacuum.
[0010]
In addition, the above-described chuck base has a vacuum path for vacuum-sucking the plate-like member, and the plate-like member has a bank portion surrounding the vacuum path of the chuck base on the surface of the chuck base. Also good. With such a configuration, the plate-like member can be reliably held on the chuck base by vacuum suction. Furthermore, since the contact area between the plate-like member and the chuck table can be reduced, it is possible to more efficiently place the substrate on the chuck table without contaminating the back surface of the substrate.
[0012]
The plate member may be generated from a silicon wafer. With such a configuration, it is possible to effectively prevent contamination by foreign matters other than the components of these members due to wear during contact between the plate-like member and the substrate.
[0014]
The plate member can be made of polycrystalline silicon. With such a configuration, it is possible to effectively prevent wear during contact between the plate-like member and the substrate.
Furthermore, the plate-like member can be made of metal. With such a configuration, it is possible to effectively prevent the substrate from being contaminated with foreign substances by disposing the plate-like member disposable.
[0015]
Further, carbon, diamond, SiC, SiN, SiO ₂ , or a fluororesin film may be added to the surface of the substrate. Even with such a configuration, it is possible to effectively prevent wear during contact between the plate-like member and the substrate.
On the other hand, another substrate holding device according to the present invention is a substrate holding device for holding a substrate formed of a silicon wafer by vacuum suction, and is provided for mounting the substrate and vacuum sucking the substrate. A vacuum path (for example, the vacuum path 34 in the present embodiment ) formed of a through hole and a bank part (for example, the bank part 33 in the present embodiment) formed on the lower surface and surrounding the through hole. And a plate-like member generated by a silicon wafer (for example, the vacuum chuck 3 in the embodiment of the present invention) and a lower part of the plate-like member, and the substrate is attached via the vacuum path. A plate having a chuck base (for example, the chuck base 2 in the present embodiment) having a vacuum path for vacuum suction (for example, the vacuum path 51 in the present embodiment); Has a plurality of protrusions on a surface of the chuck base side, is obtained by a detachable from the chuck table. With such a configuration, it is possible to effectively prevent contamination by foreign matters other than the components of these members due to wear during contact between the plate-like member and the substrate.
Another substrate holding device according to the present invention is a substrate holding device for holding a substrate formed of polycrystalline silicon by vacuum suction, and is provided for mounting the substrate and vacuum sucking the substrate. A vacuum path (for example, a vacuum path 34 in the present embodiment ) formed of a through hole and a bank part (for example, the bank part 33 in the present embodiment) formed on the lower surface and surrounding the through hole. A plate-like member (for example, a vacuum chuck 3 in an embodiment of the present invention) that is formed of polycrystalline silicon, and is provided in contact with a lower portion of the plate-like member, and is provided through the vacuum path. A chuck base (for example, the chuck base 2 in the present embodiment) having a vacuum path (for example, the vacuum path 51 in the present embodiment) for vacuum-adsorbing the substrate; Has a plurality of protrusions on a surface of the chuck base side, is obtained by a detachable from the chuck table. With such a configuration, it is possible to effectively prevent contamination by foreign matters other than the components of these members due to wear during contact between the plate-like member and the substrate.
Another substrate holding device according to the present invention is a substrate holding device that holds a substrate by vacuum suction, and is provided for mounting the substrate and vacuum-sucking the substrate. And has a vacuum path (for example, the vacuum path 34 in the present embodiment ) configured by a bank part (for example, the bank part 33 in the present embodiment) that surrounds the through hole, and is generated from metal. A plate-like member (for example, the vacuum chuck 3 in the embodiment of the present invention) and a vacuum path that is provided in contact with the lower side of the plate-like member and vacuum-sucks the substrate via the vacuum path (For example, the chuck base 2 in the present embodiment) having the chuck path (for example, the vacuum path 51 in the present embodiment), and the plate member has a plurality of convex portions on the surface on the chuck base side. Shi It is obtained by a detachable from the chuck table. With such a configuration, it is possible to effectively prevent the substrate from being contaminated with foreign substances by disposing the plate-like member disposable.
Note that another substrate holding device according to the present invention is a substrate holding device that holds a substrate by vacuum suction, and is provided to place the substrate and vacuum-suck the substrate. And a vacuum path (for example, the vacuum path 34 in the present embodiment ) composed of a bank part (for example, the bank part 33 in the present embodiment) surrounding the through-hole, and having carbon on the surface, A plate-like member (for example, the vacuum chuck 3 in the embodiment of the present invention) to which diamond, SiO ₂ , or a fluororesin film is added is provided in contact with a lower portion of the plate-like member, and is provided via the vacuum path. A chuck base (for example, the chuck base 2 in the present embodiment) having a vacuum path (for example, the vacuum path 51 in the present embodiment) for vacuum-sucking the substrate. Wood has a plurality of protrusions on a surface of the chuck base side, is obtained by a detachable from the chuck table. With such a configuration, it is possible to effectively prevent wear during contact between the plate-like member and the substrate.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.
Embodiment 1 of the Invention
FIG. 1 shows the configuration of the substrate holding apparatus according to the first embodiment. In the first embodiment, a vacuum chuck made of a plate member is provided between the substrate and the chuck base. As shown in FIG. 1, the substrate holding device includes a chuck base 2, a vacuum chuck 3, a vacuum pump 4, vacuum paths 51 and 52, and valves 61, 62, 63 and 64.
[0017]
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the main part A in FIG. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the main part B in FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the main part C in FIG. As shown in FIG. 2, the vacuum chuck 3 is placed on the upper surface of the chuck base 2, and the silicon wafer 1 is placed on the upper surface of the vacuum chuck 3. An IC chip is formed on the upper surface of the silicon wafer 1.
[0018]
The chuck base 2 is made of, for example, ceramic. When the chuck base 2 is made of ceramic as described above, it is desirable that the chuck base 2 is made by synthesizing a predetermined material in order to reduce the generation of impurities. Since the chuck base 2 is not in direct contact with the silicon wafer 1, it may be made of ceramic or metal. Inside the chuck table 2, a vacuum path 51 for vacuum-sucking the silicon wafer 1 and a vacuum path 52 for vacuum-sucking the vacuum chuck 3 are provided.
[0019]
The vacuum chuck 3 has a configuration as shown in FIG. 5, and is formed by molding a wafer cut from the same silicon ingot as the silicon wafer 1, for example. Here, FIG. 5A is a top view of the vacuum chuck 3. FIG. 5B is a side view of the vacuum chuck 3. FIG. 5C is a bottom view of the vacuum chuck 3. As shown in FIG. 5A, a ring-shaped bank portion 31 is provided around the upper surface and the lower surface of the vacuum chuck 3, and a plurality of convex portions 32 are further provided. The bank portion 31 and the convex portion 32 are formed on the upper surface and the lower surface of the vacuum chuck 3 by, for example, sandblasting. By this sandblasting, a cutting material, an abrasive, or the like is ejected from the nozzle together with air, and the bank portion 31 and the convex portion 32 are pattern-formed on the surface of the vacuum chuck 3. Further, the patterns of the upper surface and the lower surface of the vacuum chuck 3 are formed so as to coincide with each other. The bank portion 31 and the convex portion 32 may be formed by etching. Specifically, a nitride film or an oxide film is provided on the silicon wafer 1 and patterned by lithography, and further a pattern is formed by dry etching or wet etching.
[0020]
The convex portions 32 are arranged at equal intervals. The convex portion 32 is, for example, a cylinder or a cone having a circular cross section, but may be a prism having a rectangular cross section. The vacuum chuck 3 is provided with a vacuum path 34. As shown in FIGS. 3, 5 (b), and 5 (c), the vacuum path 34 includes a through hole formed in the center of the vacuum chuck 3 and a bank 33. The bank portion 33 is provided on the lower surface of the vacuum chuck 3 so as to surround the through hole.
[0021]
The bank portion 31 is provided so as to surround the vacuum path 34 for adsorbing the silicon wafer 1. On the upper surface side of the vacuum chuck 3, a sealed space is formed by the lower surface of the silicon wafer 1, the upper surface of the vacuum chuck 3, and the inner peripheral surface of the bank portion 31. The bank portion 31 provided on the lower surface of the vacuum chuck 3 is provided so as to surround at least a vacuum path 52 for attracting the vacuum chuck 3 to the chuck base 2. On the lower surface side of the vacuum chuck 3, a sealed space is formed by the upper surface of the chuck base 2, the lower surface of the vacuum chuck 3, the inner peripheral surface of the bank portion 31, and the outer peripheral surface of the bank portion 33. That is, the silicon wafer 1 can be held on the upper surface of the vacuum chuck 3 by depressurizing the sealed space on the upper surface of the vacuum chuck 3 by the vacuum pump 4 through the vacuum path 34 and the vacuum path 51. Further, the vacuum chuck 3 can be held on the upper surface of the chuck table 2 by reducing the pressure of the sealed space on the lower surface of the vacuum chuck 3 by the vacuum pump 4 via the vacuum path 52.
[0022]
Furthermore, the vacuum chuck 3 can be easily removed from the chuck base 2 and replaced by stopping the vacuum suction and returning it to the same state as the external atmospheric pressure. Further, the vacuum chuck 3 can be cleaned with a silicon wafer cleaning facility to remove foreign matters adhering to the surface and used repeatedly. The vacuum chuck 3 is preferably made of the same material as that of the silicon wafer 1 in order to prevent generation of foreign matters having components other than the silicon wafer 1 due to friction with the silicon wafer 1 or the like. Further, the vacuum chuck 3 can be used as the vacuum chuck 3 by processing the silicon wafer 1 manufactured in a large quantity by using the same material as that of the silicon wafer 1, so that the manufacture is easy. Furthermore, cost reduction can be realized. The surface of the vacuum chuck 3 should be coated with a material that is unlikely to become a contamination source, such as carbon, diamond, SiC, SiN, SiO ₂ , or a fluororesin film, in order to improve wear resistance, opponent attack, etc. The problem can be minimized even if a slight amount of dust is generated.
[0023]
Valves 61 and 62 are provided on the vacuum path 51. Valves 63 and 64 are provided on the vacuum path 52. The valves 61 and 63 are used to allow the outside air to flow into the vacuum paths 51 and 52 or to block the outside air. The valves 62 and 64 are for making the vacuum paths 51 and 52 conductive with respect to the vacuum pump 4 or for blocking the conductive state. By switching and closing these valves 61, 62, 63 and 64, the silicon wafer 1 and the vacuum chuck 3 can be selectively held on the chuck base 2 by vacuum suction or both at the same time. In addition, vacuum adsorption means adsorption | suction by decompressing a certain sealed space below to external pressure.
[0024]
Next, the operation of the substrate holding apparatus according to the first embodiment will be described. First, in the vacuum chuck 3, the space formed by the upper surface of the chuck base 2, the lower surface of the vacuum chuck 3, the inner peripheral surface of the bank portion 31 provided on the lower surface of the vacuum chuck 3, and the outer peripheral surface of the bank portion 33 is sealed. Therefore, the valves 61, 62, 63 are closed and the valve 64 is opened, and the vacuum path 52 is kept in conduction with the vacuum pump 4, and the vacuum pump 4 is operated and this space is connected via the vacuum path 52. The vacuum chuck 3 can be reliably held on the upper surface of the chuck base 2 by closing the valve 64 and shutting off the vacuum path 52.
[0025]
Further, since the space formed by the lower surface of the silicon wafer 1, the upper surface of the vacuum chuck 3, and the inner peripheral surface of the bank portion 31 provided on the upper surface of the vacuum chuck 3 is similarly sealed, the valves 61, 63, 64 is closed and the valve 62 is opened, the vacuum path 51 is kept in conduction with the vacuum pump 4, the vacuum pump 4 is operated to depressurize this space via the vacuum paths 34 and 51, and the valve 62 is further closed. By closing the vacuum path 51, the silicon wafer 1 can be reliably held on the upper surface of the vacuum chuck 3.
[0026]
At this time, the patterns of the bank portion 31 and the convex portion 32 formed on the upper surface and the lower surface of the vacuum chuck 3 are coincident and overlapped, and the bank portion 31 and the convex portion 32 on the upper surface of the vacuum chuck 3 are Since it is supported by the bank portion 31 and the convex portion 32 on the lower surface, an external force applied to the silicon wafer 1 at the time of inspection on the bank portion 31 and the convex portion 32 on the upper surface of the vacuum chuck 3 and the silicon wafer 1 itself. Even if the weight and the pressure difference between the atmosphere and the vacuum occur, it will not bend downward. For this reason, it is possible to hold the silicon wafer 1 flat.
[0027]
Then, the vacuum pump 4 is stopped and the path to the external space of the valve 61 is brought into a conductive state, whereby the lower surface of the silicon wafer 1, the upper surface of the vacuum chuck 3, and the bank portion 31 provided on the upper surface of the vacuum chuck 3. The silicon wafer 1 can be easily taken out by releasing the decompression state of the space sealed by the inner peripheral surface of the silicon wafer 1, and the silicon wafer 1 can be replaced with another one.
[0028]
Further, by stopping the vacuum pump 4 and bringing the path to the external space of the valve 63 into a conductive state, the upper surface of the chuck base 2, the lower surface of the vacuum chuck 3, and the bank portion 31 provided on the lower surface of the vacuum chuck 3. By releasing the reduced pressure state of the space sealed by the inner peripheral surface and the outer peripheral surface of the bank 33, the vacuum chuck 3 can be easily taken out, and the vacuum chuck 3 can be easily replaced. Further, since the vacuum chuck 3 has substantially the same shape and the like as the silicon wafer 1, for example, this vacuum is performed by a silicon wafer cleaning facility disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-298011 and 2001-274134. The chuck 3 can be cleaned, and the vacuum chuck 3 can be used repeatedly by removing foreign matters and the like adhering to the vacuum chuck 3. Thus, by exchanging and cleaning the vacuum chuck 3, foreign matter or the like is not caught between the silicon wafer 1 and the vacuum chuck 3 or between the vacuum chuck 3 and the chuck base 2, and the surface of the silicon wafer 1 is not bent. The silicon wafer 1 can be held flat on the upper surface of the vacuum chuck 3.
[0029]
According to the substrate holding apparatus according to the first embodiment as described above, the vacuum chuck 3 can be easily replaced, and the foreign matter adhering to the surface of the vacuum chuck 3 is removed by cleaning with the silicon wafer cleaning equipment. Thus, the surface of the silicon wafer 1 can be adsorbed and held flat without contaminating the back surface of the silicon wafer 1.
[0030]
Embodiment 2 of the Invention
FIG. 6 shows the configuration of the substrate holding apparatus according to the second embodiment. This substrate holding device has the same configuration as that in the first embodiment, and the chuck base 2 and the vacuum chuck 3 have structural features.
[0031]
As for the vacuum chuck 3, the bank part 31 and the convex part 32 are formed only in the upper surface, and let the lower surface be a flat surface.
[0032]
The chuck base 2 has a bank portion 21, a convex portion 22, and a bank portion 23 similar to the bank portion 31, the convex portion 32, and the bank portion 33 provided on the lower surface of the vacuum chuck 3 in the first embodiment. Is formed.
[0033]
In the substrate holding apparatus according to the second embodiment, the space sealed by the upper surface of the chuck base 2, the lower surface of the vacuum chuck 3, the inner peripheral surface of the bank portion 21 and the outer peripheral surface of the bank portion 23 provided on the chuck base 2. The pressure is reduced by the vacuum pump 4 through the vacuum path 52 and the vacuum chuck 3 is held, so that the same effect as in the first embodiment can be obtained.
[0034]
Further, the patterns of the bank portions 21 and 31 and the convex portions 22 and 32 formed on the upper surface of the chuck base 2 and the upper surface of the vacuum chuck 3 are matched and overlapped, and the bank portion 31 and the convex portion on the upper surface of the vacuum chuck 3 are overlapped. 32 is supported by the bank portion 21 and the convex portion 22 on the upper surface of the chuck base 2, so that an external force applied to the silicon wafer 1 at the time of inspection on the bank portion 31 and the convex portion 32 on the upper surface of the vacuum chuck 3 Even if the weight of the silicon wafer 1 itself occurs, it does not bend downward. For this reason, it is possible to hold the silicon wafer 1 flat.
[0035]
Even with the above configuration, the surface of the silicon wafer 1 can be adsorbed and held flat without contaminating the back surface of the silicon wafer 1.
[0036]
Embodiment 3 of the Invention
FIG. 7 shows the configuration of the substrate holding apparatus according to the third embodiment. This substrate holding device has the same configuration as that in the first embodiment, and the vacuum chuck 3 has structural features.
[0037]
As for the vacuum chuck 3, the bank part 31 and the convex part 32 are formed only in the upper surface, and let the lower surface be a flat surface.
[0038]
In the substrate holding apparatus according to the third embodiment, the space sealed by the lower surface of the silicon wafer 1, the upper surface of the vacuum chuck 3, and the inner peripheral surface of the bank portion 31 provided on the upper surface of the vacuum chuck 3 passes through the vacuum path 51. The pressure is reduced by the vacuum pump 4 and the silicon wafer 1 is held, so that the same effect as in the first embodiment can be obtained.
[0039]
Even with the above configuration, the surface of the silicon wafer 1 can be adsorbed and held flat without contaminating the back surface of the silicon wafer 1.
[0040]
Other embodiments.
Note that the substrate holding apparatus in the first to third embodiments described above may not be provided around the vacuum chuck 3 as long as the bank portion 31 can stably hold the silicon wafer 1. It can also be provided at any location on the upper and lower surfaces of the vacuum chuck 3. A plurality of bank portions 31 may be provided concentrically. Further, a plurality of vacuum paths 34 can be provided in the vacuum chuck 3.
[0041]
Further, the silicon wafer 1 and the vacuum chuck 3 can be a polycrystalline silicon, a glass wafer, a SiC wafer, a compound wafer (for example, GaAs, GaP, etc.), a glass substrate of a liquid crystal display device, or the like. In particular, polycrystalline silicon is desirable because it has good processability. A plurality of vacuum chucks 3 may be provided.
[0042]
Further, the vacuum chuck 3 is not limited to vacuum suction and can be held by an adhesive or the like. In this case, a thermoplastic adhesive, a radiation curable adhesive, or the like can be used. The vacuum chuck 3 can also be made disposable. In this case, the vacuum chuck 3 can be made of metal or the like.
[0043]
【The invention's effect】
As described above, the substrate holding device of the present invention can adsorb the surface of the substrate flatly without contaminating the back surface of the substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a substrate holding device in a first embodiment of the invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a main part A of the substrate holding device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a main part B of the substrate holding device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a main part C of the substrate holding device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 5 is a configuration diagram showing a vacuum chuck 3 of the substrate holding apparatus in the first embodiment of the invention.
FIG. 6 is an enlarged view of a main part showing a substrate holding device according to a second embodiment of the invention.
FIG. 7 is an enlarged view showing a main part of a substrate holding device according to a third embodiment of the invention.
FIG. 8 is a configuration diagram showing a chuck base 2 of a conventional substrate holding apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon wafer 2 Chuck stand 3 Vacuum chuck 4 Vacuum pump 21 Bank part 22 Convex part 23 Bank part 24 Vacuum path 31 Bank part 32 Convex part 33 Bank part 34 Vacuum path 51, 52 Vacuum path 61, 62, 63, 64 Valve

Claims

A substrate holding device for holding a substrate by vacuum suction,
A plate-like member that is provided to place the substrate and vacuum-suck the substrate, and has a vacuum path formed of a through hole and a bank portion that is formed on the lower surface and surrounds the through hole ;
A chuck base provided in contact with a lower portion of the plate-like member and having a vacuum path for vacuum-adsorbing the substrate through the vacuum path;
The substrate holding apparatus, wherein the plate-like member has a plurality of convex portions on the chuck table side and the substrate side surfaces, and is detachable from the chuck table.

The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein the plate-like member has a bank portion surrounding a vacuum path of the plate-like member on the surface on the substrate side.

The convex portion provided on the surface of the plate-like member on the substrate side and the convex portion provided on the surface of the chuck base are provided at positions overlapping when viewed from the surface of the plate-like member on the substrate side. The substrate holding apparatus according to claim 2, wherein

The chuck base has a vacuum path for vacuum-sucking the plate-like member,
4. The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein the plate-shaped member has a bank portion surrounding a vacuum path of the chuck table on a surface on the chuck table side.

The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein the plate member is made of a silicon wafer.

5. The substrate holding device according to claim 1, wherein the plate-like member is made of polycrystalline silicon.

The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein the plate member is made of metal.

7. The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein a carbon, diamond, SiC, SiN, SiO ₂ or fluororesin film is added to the surface of the plate member.

A substrate holding device for holding a substrate formed of a silicon wafer by vacuum suction,
It is provided for mounting the substrate and vacuum-adsorbing the substrate, and has a vacuum path formed of a through hole and a bank portion formed on the lower surface and surrounding the through hole, and is generated by a silicon wafer. A plate-shaped member,
A chuck base provided in contact with a lower portion of the plate-like member and having a vacuum path for vacuum-adsorbing the substrate through the vacuum path;
The plate-like member has a plurality of convex portions on a surface on the chuck table side, and can be detached from the chuck table.

A substrate holding device for holding a substrate formed of polycrystalline silicon by vacuum suction,
Provided to place the substrate and vacuum-suck the substrate, and has a vacuum path composed of a through-hole and a bank formed on the lower surface and surrounding the through-hole, and is generated from polycrystalline silicon A plate-shaped member,
A chuck base provided in contact with a lower portion of the plate-like member and having a vacuum path for vacuum-adsorbing the substrate through the vacuum path;
The plate-like member has a plurality of convex portions on a surface on the chuck table side, and can be detached from the chuck table.

A substrate holding device for holding a substrate by vacuum suction,
It is provided for mounting the substrate and vacuum-adsorbing the substrate, and has a vacuum path formed of a through hole and a bank portion formed on the lower surface and surrounding the through hole, and is generated by metal. A plate-shaped member,
A chuck base provided in contact with a lower portion of the plate-like member and having a vacuum path for vacuum-adsorbing the substrate through the vacuum path;
The plate-like member has a plurality of convex portions on a surface on the chuck table side, and can be detached from the chuck table.

A substrate holding device for holding a substrate by vacuum suction,
It is provided for mounting the substrate and vacuum-adsorbing the substrate, and has a vacuum path composed of a through-hole and a bank portion formed on the lower surface and surrounding the through-hole. , A plate-like member to which a SiO ₂ or fluororesin film is added;
A chuck base provided in contact with a lower portion of the plate-like member and having a vacuum path for vacuum-adsorbing the substrate through the vacuum path;
The plate-like member has a plurality of convex portions on a surface on the chuck table side, and can be detached from the chuck table.