JP4329259B2 - 直流昇降圧回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、直流昇降圧回路に関し、特に、リアクトルと、スイッチング動作をする半導体を用いて、直流電圧を昇圧または降圧する直流昇降圧回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、電気回路では、使用方法により、低圧の直流電源電圧を昇圧して高圧の直流電圧を出力する機能と、これとは逆に高圧の直流電源電圧を降圧して低圧の直流電圧を出力する機能とのいずれでの機能でも実現可能な回路、即ち、直流昇降圧回路が実用されている。
【0003】
従来の直流昇降圧回路では、降圧時に少なくとも2個の半導体素子をオンオフ動作させ、昇圧時には、1つの2次巻き線から直列に配線された2個の負荷に電力が供給される回路構成となっていた。
【0004】
図3は、従来の直流昇降圧回路の回路構成を示す回路図である。
図3に示す従来の直流昇降圧回路の回路は、混合アーム対92,93と、混合アーム対92に並列に接続されたコンデンサ81と、巻き線80a,80bを有するリアクトル80と、昇圧動作時の電源である直流電源71と、降圧動作時の電源である直列接続された直流電源86,87と、直流電源86と並列に接続された昇圧動作時の負荷84及びコンデンサ82と、直流電源87と並列に接続された昇圧動作時の負荷85及びコンデンサ83と、直流電源71と並列に接続された降圧動作時の負荷90及びコンデンサ91と、混合アーム対92の+側端子と直流電源71との間に介在するコンデンサ81を含む。
【0005】
混合アーム対92は、ダイオード76とMOSFET72とが並列接続された回路に、ダイオード77とMOSFET73とが並列接続された回路を直列接続して成る回路を含む。
【0006】
混合アーム対93は、ダイオード78とMOSFET74とが並列接続された回路に、ダイオード79を直列接続して成る回路を含む。
巻き線80aの一方の端子は直流電源71の+側端子に、他方の端子は混合アーム対92中のダイオード76とMOSFET72とが並列に接続されて成る回路とダイオード77とMOSFET73とが並列に接続されて成る回路との接続点に、それぞれ接続されている。
【0007】
巻き線80bの一方の端子は混合アーム対93中のダイオード78とMOSFET74とが並列に接続されて成る回路とダイオード79との接続点に、他方の端子は混合アーム対92の+側端子に、それぞれ接続されている。
【0008】
混合アーム対93は、直列接続された直流電源86,87と並列に接続されている。
混合アーム対92,93の−側端子は、直流電源71及び直流電源87の−側端子と接続されている。
【0009】
以下、図3に示す従来の直流昇降圧回路の動作を説明する。
昇圧動作時は、使用される電源は直流電源71であり、負荷は負荷84、負荷85である。
【0010】
MOSFET73がオンになると、直流電源71→リアクトル80の巻き線80a→MOSFET73→直流電源71の経路で電流が流れ、その結果、リアクトル80にエネルギーが蓄えられる。
【0011】
次に、MOSFET73がオフになると、リアクトル80に蓄えられたエネルギーにより、直流電源71→リアクトル80の巻き線80a→ダイオード76→リアクトル80の巻き線80b→ダイオード78→コンデンサ82→コンデンサ83→直流電源71の経路で電流が流れ、その結果、コンデンサ82,83を充電し、その両端の電圧を昇圧させる。
【0012】
このMOSFET73のオンオフ動作を一定の比率で繰り返すことにより、負荷84,85に所定の安定した高電圧を供給する。
降圧動作時は、使用される電源は直流電源86,87であり、負荷は負荷90である。
【0013】
MOSFET72,74がオンになると、直流電源86,87→MOSFET74→リアクトル80の巻き線80b→MOSFET72→リアクトル80の巻き線80a→コンデンサ91→直流電源86,87の経路で電流が流れ、その結果、コンデンサ91を充電し、その両端の電圧を降圧させる。
【0014】
MOSFET72,74がオフになると、上記の電流経路は遮断される。
このMOSFET72,74のオンオフ動作を一定の比率で繰り返すことにより、負荷90に所定の安定した低電圧を供給する。
【0015】
なお、昇圧時の直流電源71、コンデンサ81、コンデンサ82、コンデンサ83の電圧比を1:n1:n2:n3で示すと、リアクトル80の巻き線80a、80bの巻き数比は、(n1−1):(n2+n3−n1)に設定される。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の直流昇降圧回路は、降圧動作時に、2つの半導体素子をスイッチングする必要があり、コストが高くなり、回路効率が悪くなるといった問題点が有った。
【0017】
また、図3に示す回路で、MOSFET73がオンになった時、ダイオード79の両端の電圧がマイナスになると、リアクトル80の巻き線80b→コンデンサ81→ダイオード79→リアクトル80の巻き線80bの経路でコンデンサ81を充電する部分回路が構成され、その結果、本来の動作が損なわれる。
【0018】
なお、MOSFET73をオンにした時のダイオード79の両端の電圧をVdで示し、直流電源71の電圧をViで示すと、Vdを与える数式及びVdが正となるために必要な条件式は、下記の(1)式で与えられる。
【0019】
【数1】
Vd=n1×Vi−((n2+n3−n1)/(n1−1))×Vi>0 …………………………………………………………………………………………(1)
コンデンサ81の電圧n1に関する条件式は、(1)式を整理して、下記の(2)式で与えられる。
【0020】
【数2】
n1>(n2+n3)1/2 ………………………………………………(2)
(2)式からは、コンデンサ81の電圧をコンデンサ82の電圧とコンデンサ83の電圧との和の平方とすべきことが理解され、昇圧比が高い場合には、コンデンサ83の容量も大きくなり、変換効率も悪くなる。
【0021】
そのため、昇圧比が大きい場合には、回路を小型化できず、また、高い変換効率が得られないといった問題点があった。
さらに、従来の直流昇降圧回路は、昇圧動作時に、図3に示す負荷84,85が一括して電力を供給されてアンバランスとなった時に、コンデンサ82,83の電圧のバランスも悪くなるといった問題点があった。
【0022】
このコンデンサ82,83の電圧のバランスを保つために別回路を追加する場合には、回路規模が大となり、変換効率も低下する。
本発明は、以上のような従来の直流昇降圧回路における問題点に鑑みてなされたものであり、必要な昇圧比が高い場合でも、回路規模を小型化し、かつ高い変換効率を達成することができる直流昇降圧回路を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記の課題を解決するために、半導体素子のスイッチング動作により、低電圧直流電源が使用される場合は該低電圧直流電源の出力電圧を昇圧し、高電圧直流電源が使用される場合は該高電圧直流電源の出力電圧を降圧する直流昇降圧回路において、磁気的に結合した第1と第2の巻き線を備えたリアクトルと、第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列接続された回路に第2のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第1の混合アームと、該第1の混合アームに並列接続された第1のコンデンサと、第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列接続された回路に第4のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第2の混合アームと、第1の低電圧直流電源と、該第1の低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第1の負荷及び第2のコンデンサと、前記第1の低電圧直流電源と直列接続された第2の低電圧直流電源と、該低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第2の負荷及び第3のコンデンサと、高電圧直流電源と並列に接続された降圧動作時の第3の負荷及び第4のコンデンサと、第1の混合アームの+側端子にアノードを接続すると共に前記第1と第2の低電圧直流電源の接続点にカソードを接続した第5のダイオードを備え、前記リアクトルの第1の巻き線の一方の端子は、前記高電圧直流電源の+側端子に接続し、他方の端子は前記第1の混合アーム内の前記第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列に接続された回路と第2のダイオードとの接続点に接続し、前記リアクトルの第2の巻き線の一方の端子は、前記第2の混合アーム内の前記第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列に接続された回路と第4のダイオードとの接続点に接続し、他方の端子は前記第1の混合アームの+側端子及び前記第5のダイオードのアノードに接続し、前記第2の混合アームの+側端子は前記第1の低電圧直流電源の+側端子に接続し、前記第1と第2の混合アームの−側端子と、前記高電圧直流電源の−側端子と、前記第2の低電圧直流電源の−側端子とを互いに接続したことを特徴とする直流昇降圧回路が提供される。
【0024】
また、半導体素子のスイッチング動作により、低電圧直流電源が使用される場合は該低電圧直流電源の出力電圧を昇圧し、高電圧直流電源が使用される場合は該高電圧直流電源の出力電圧を降圧する直流昇降圧回路において、磁気的に結合した第1、第2、第3の巻き線を備えたリアクトルと、第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列接続された回路に第2のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第1の混合アームと、該第1の混合アームに並列接続された第1のコンデンサと、第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列接続された回路に第4のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第2の混合アームと、第1の低電圧直流電源と、該第1の低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第1の負荷及び第2のコンデンサと、前記第1の低電圧直流電源と直列接続された第2の低電圧直流電源と、該低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第2の負荷及び第3のコンデンサと、高電圧直流電源と並列に接続された降圧動作時の第3の負荷及び第4のコンデンサと、前記リアクトルの第2の巻き線の一方の端子及び前記第1と第2の低電圧電流源の接続点にカソードを接続すると共に前記リアクトルの第3の巻き線の一方の端子にアノードを接続した第5のダイオードを備え、前記リアクトルの第1の巻き線の一方の端子は、前記高電圧直流電源の+側端子に接続し、他方の端子は前記第1の混合アーム内の前記第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列に接続された回路と第2のダイオードとの接続点に接続し、前記リアクトルの第2の巻き線の他方の端子は、前記第2の混合アーム内の前記第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列に接続された回路と第4のダイオードとの接続点に接続し、前記リアクトルの第3の巻き線の他方の端子は、前記第1の混合アームの+側端子に接続し、前記第2の混合アームの+側端子は前記第1の低電圧直流電源の+側端子に接続し、前記第1と第2の混合アームの−側端子と、前記高電圧直流電源の−側端子と、前記第2の低電圧直流電源の−側端子とを互いに接続したことを特徴とする直流昇降圧回路が提供される。
【0025】
即ち、本発明では、高電圧直流電源及び対応負荷と、低電圧直流電源及び対応負荷と、磁気的に結合した第1と第2の巻き線を備えたリアクトルと、ダイオードとMOSFETとが並列接続された回路に他のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第1と第2の混合アームとを備え、リアクトルのエネルギー蓄積作用と、半導体素子のスイッチング動作により、低電圧直流電源が使用される場合は該低電圧直流電源の出力電圧を昇圧し、高電圧直流電源が使用される場合は該高電圧直流電源の出力電圧を降圧する従来の直流昇降圧回路から、上記第1の混合アームに含まれて上記リアクトルの第1の巻き線の一方にアノード、第2の巻き線の一方にカソードを接続していたダイオードを除去すると共に、第1の混合アームの+側端子にアノードを接続すると共に第1と第2の低電圧直流電源の接続点にカソードを接続したダイオードを新設することにより、回路規模を小型化し、かつ高い変換効率を達成している。
【0026】
また、上記従来の直流昇降圧回路から、上記第1の混合アームに含まれて上記リアクトルの第1の巻き線の一方にアノード、第2の巻き線の一方にカソードを接続していたダイオードを除去すると共に、上記リアクトルに第3の巻き線を新設し、かつ上記第2の巻き線の一方及び第1と第2の低電圧直流電源の接続点にカソード、第3の巻き線の一方にアノードを接続したダイオードを新設することにより、必要な昇圧比が高い場合においても回路規模を小型化し、かつ高い変換効率を達成している。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る直流昇降圧回路の回路構成を示す回路図である。
【0028】
本実施の形態に係る直流昇降圧回路は、混合アーム対22,23と、混合アーム対22に並列に接続されたコンデンサ11と、巻き線10a,10bを有するリアクトル10と、昇圧動作時の電源である直流電源1と、降圧動作時の電源である直列接続された直流電源16,17と、直流電源16と並列に接続された昇圧動作時の負荷14及びコンデンサ12と、直流電源17と並列に接続された昇圧動作時の負荷15及びコンデンサ13と、直流電源1と並列に接続された降圧動作時の負荷20及びコンデンサ21と、混合アーム対22の+側端子と直流電源1の−側端子との間に介在するコンデンサ11と、コンデンサ12とコンデンサ13の接続点と混合アーム対22の+側端子との間に介在するダイオード18を含む。
【0029】
コンデンサ12とコンデンサ13の接続点は、ダイオード18のカソードと接続されている。
混合アーム対22は、ダイオード7とMOSFET3とが並列接続された回路に、ダイオード6が直列接続されて成る回路を含む。
【0030】
混合アーム対23は、ダイオード8とMOSFET4とが並列接続された回路に、ダイオード9が直列接続されて成る回路を含む。
巻き線10aの一方の端子は直流電源1の+側端子に、他方の端子は混合アーム対22中のダイオード7とMOSFET3とが並列に接続されて成る回路とダイオード6との接続点に、それぞれ接続されている。
【0031】
巻き線10bの一方の端子は混合アーム対23中のダイオード8とMOSFET4とが並列に接続されて成る回路とダイオード9との接続点に、他方の端子は混合アーム対22の+側端子に、それぞれ接続されている。
【0032】
混合アーム対23は、直列接続された直流電源16,17と並列に接続されている。
混合アーム対22,23の−側端子は、直流電源1及び直流電源17の−側端子と接続されている。
【0033】
以下、本実施の形態に係る直流昇降圧回路の動作原理を説明する。
まず、昇圧時の動作については、従来の直流昇降圧回路と同じである。しかし、ダイオード18を追加したことにより、コンデンサ11の+側端子をコンデンサ13の+側端子にクランプすることができるので、過渡変動時においてもコンデンサ11の電圧がコンデンサ13の電圧以上となることがなく、混合アーム対22に印加される電圧が所定の値に制限される。
【0034】
次に、降圧時の動作については、ダイオード18を追加したことにより、MOSFET4がオンになると、直流電源16→MOSFET4→リアクトル10の巻き線10b→ダイオード18→直流電源16の経路で電流が流れ、その結果、リアクトル10にエネルギーを蓄える。
【0035】
MOSFET4がオフになると、リアクトル10に蓄えられたエネルギーは、リアクトル10の巻き線10a→コンデンサ21→リアクトル10の巻き線10aの経路出で流れ、その結果、コンデンサ21を充電する。
【0036】
このMOSFET4のオンオフ動作を一定の比率で繰り返すことにより、負荷20に所定の安定した低電圧を供給することができる。
以下、本実施の形態に係る直流昇降圧回路の動作を説明する。
【0037】
昇圧動作時は、電源が直流電源1、負荷が負荷14,15となる。
まず、MOSFET3がオンになると、直流電源1→リアクトル10の巻き線10a→MOSFET3→直流電源1の経路で電流が流れ、その結果、リアクトル10にエネルギーが蓄えられる。
【0038】
次に、MOSFET3がオフになると、リアクトル10に蓄えられたエネルギーにより、直流電源1→リアクトル10の巻き線10a→ダイオード6→リアクトル10の巻き線10b→ダイオード8→コンデンサ12→コンデンサ13→直流電源1の経路で電流が流れ、その結果、コンデンサ12,13を充電し、昇圧する。
【0039】
このMOSFET3のオンオフ動作を一定の比率で繰り返すことにより、負荷14,15に所定の安定した高電圧を供給することができる。
降圧動作時は、電源が直流電源16、負荷が負荷20となる。
【0040】
まず、MOSFET4がオンになると、直流電源16→MOSFET4→リアクトル10の巻き線10b→ダイオード18→直流電源16の経路で電流が流れ、その結果、リアクトル10にエネルギーを蓄える。
【0041】
次に、MOSFET4がオフになると、リアクトル10に蓄えられたエネルギーにより、リアクトル10の巻き線10a→コンデンサ21→ダイオード7→リアクトル10の巻き線10aの経路で電流が流れ、その結果、コンデンサ21を充電する。
【0042】
このMOSFET4のオンオフ動作を一定の比率で繰り返すことにより、負荷20に所定の安定した低電圧を供給することができる。
(第2の実施の形態)
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る直流昇降圧回路の回路構成を示す回路図である。
【0043】
本実施の形態に係る直流昇降圧回路は、混合アーム対22,23と、混合アーム対22に並列に接続されたコンデンサ11と、巻き線10a,10b,10cを有するリアクトル10と、昇圧動作時の電源である直流電源1と、降圧動作時の電源である直列接続された直流電源16,17と、直流電源16と並列に接続された昇圧動作時の負荷14及びコンデンサ12と、直流電源17と並列に接続された昇圧動作時の負荷15及びコンデンサ13と、直流電源1と並列に接続された降圧動作時の負荷20及びコンデンサ21と、混合アーム対22の+側端子と直流電源1の−側端子との間に介在するコンデンサ11と、巻き線10bと巻き線10cとの間に介在するダイオード19を含む。
【0044】
混合アーム対22は、ダイオード7とMOSFET3とが並列接続された回路に、ダイオード6が直列接続されて成る回路を含む。
混合アーム対23は、ダイオード8とMOSFET4とが並列接続された回路に、ダイオード9が直列接続されて成る回路を含む。
【0045】
巻き線10aの一方の端子は直流電源1の+側端子に、他方の端子は混合アーム対22中のダイオード7とMOSFET3とが並列に接続されて成る回路とダイオード6との接続点に、それぞれ接続されている。
【0046】
巻き線10bの一方の端子は混合アーム対23中のダイオード8とMOSFET4とが並列に接続されて成る回路とダイオード9との接続点に、他方の端子は直流電源16と直流電源17との接続点に、それぞれ接続されている。
【0047】
巻き線10bの、直流電源16と直流電源17との接続点に接続された側の端子は、また、ダイオード19のカソードと接続されている。
巻き線10cの一方の端子は混合アーム対22の+側端子に接続されている。
【0048】
混合アーム対23は、直列接続された直流電源16,17と並列に接続されている。
混合アーム対22,23の−側端子は、直流電源1及び直流電源17の−側端子と接続されている。
【0049】
以下、本実施の形態に係る直流昇降圧回路の動作原理を説明する。
本実施の形態に係る直流昇降圧回路の動作原理は、図1に示す本発明の第1の実施の形態の動作原理に準じるが、リアクトル10に追加された巻き線10cとダイオード19との作用により、昇圧動作時に直列接続されている負荷14,15の各々に電力を供給する。
【0050】
以下、本実施の形態に係る直流昇降圧回路の動作を説明する。
昇圧動作時は、電源が直流電源1、負荷が負荷14,15となる。
まず、MOSFET3がオンになると、直流電源1→リアクトル10の巻き線10a→MOSFET3→直流電源1の経路で電流が流れ、その結果、リアクトル10にエネルギーが蓄えられる。
【0051】
次に、MOSFET3がオフになると、リアクトル10に蓄えられたエネルギーにより、直流電源1→リアクトル10の巻き線10a→ダイオード6→リアクトル10の巻き線10c→ダイオード19→コンデンサ13→直流電源1の経路と、直流電源1→リアクトル10の巻き線10a→ダイオード6→リアクトル10の巻き線10c→ダイオード19→リアクトル10の巻き線10b→ダイオード8→コンデンサ12→コンデンサ13→直流電源1の経路とで電流が流れ、その結果、コンデンサ12,13を充電し、昇圧する。
【0052】
MOSFET3がオフになった時のリアクトル10の各巻き線に発生する電圧の比は、巻き数比に比例するため、コンデンサ12,13の充電電圧の比は、リアクトル10の巻き数比によって決まる。
【0053】
それ故、このMOSFET3のオンオフ動作を一定の比率で繰り返すことにより、負荷14,15の各々に所定の安定した高電圧を供給することができる。
降圧動作時は、電源が直流電源16、負荷が負荷20となる。
【0054】
まず、MOSFET4がオンになると、直流電源16→MOSFET4→リアクトル10の巻き線10b→ダイオード18→直流電源16の経路で電流が流れ、その結果、リアクトル10にエネルギーを蓄える。
【0055】
次に、MOSFET4がオフになると、リアクトル10に蓄えられたエネルギーにより、リアクトル10の巻き線10a→コンデンサ21→ダイオード7→リアクトル10の巻き線10aの経路で電流が流れ、その結果、コンデンサ21を充電する。
【0056】
このMOSFET4のオンオフ動作を一定の比率で繰り返すことにより、負荷20に所定の安定した低電圧を供給することができる。
なお、図2に示す本実施の形態に係る直流昇降圧回路において、コンデンサ11の電圧を直流電源1の電圧の2倍以上となるように設定することにより、低電圧・大電流の場合の処理の分担を混合アーム対22に、高電圧・小電流の場合の処理の分担を混合アーム対23に、それぞれ分離することができる。
【0057】
以下、その原理を説明する。
昇圧動作時において、直流電源1、コンデンサ11、コンデンサ12、コンデンサ13の電圧の比を1:n1:n2:n3とすると、リアクトル10の巻き線10a:巻き線10b:巻き線10cの巻き数比は、(n1−1):n2:(n3−n1)となる。
【0058】
MOSFET3がオンになった時に、ダイオード9の両端の電圧がマイナスになると、リアクトル10の巻き線10b→コンデンサ13→ダイオード9→リアクトルの巻き線10bの経路でコンデンサ13を充電する回路ができるので、本来の回路の意図した動作の妨げとなる。
【0059】
MOSFET3がオンになった時のダイオード9の両端の電圧をVd’、直流電源1の電圧をVi’で示すと、Vd’を与える数式及びVd’が正となるために必要な条件式は、下記の(3)式で与えられる。
【0060】
【数3】
Vd’=n3×Vi’−(n2/(n1−1))×Vi’>0 ………(3)
コンデンサ11の電圧n1に関する条件式は、(3)式を整理して、下記の(4)式で与えられる。
【0061】
【数4】
n1>(n2+n3)/n3 ………………………………………………(4)
ここで、コンデンサ12とコンデンサ13の電圧が等しくなるように設定した場合には、数値n2と数値n3の具体的な大きさには関わらず、下記の(5)式が得られる。
【0062】
【数5】
n1>2 ………………………………………………………………………(5)
(5)式より、コンデンサ11の電圧を従来回路よりも低圧にすることができて、低電圧・大電流の場合の処理の分担を混合アーム対22に、高電圧・小電流の場合の処理の分担を混合アーム対23に、それぞれ分離することができることが理解できる。
【0063】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明では、高電圧直流電源及び対応負荷と、低電圧直流電源及び対応負荷と、磁気的に結合した第1と第2の巻き線を備えたリアクトルと、ダイオードとMOSFETとが並列接続された回路に他のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第1と第2の混合アームとを備え、リアクトルのエネルギー蓄積作用と、半導体素子のスイッチング動作により、低電圧直流電源が使用される場合は該低電圧直流電源の出力電圧を昇圧し、高電圧直流電源が使用される場合は該高電圧直流電源の出力電圧を降圧する従来の直流昇降圧回路から、上記第1の混合アームに含まれて上記リアクトルの第1の巻き線の一方にアノード、第2の巻き線の一方にカソードを接続していたダイオードを除去すると共に、第1の混合アームの+側端子にアノードを接続すると共に第1と第2の低電圧直流電源の接続点にカソードを接続したダイオードを新設したので、回路規模を小型化し、かつ高い変換効率を達成することができる。
【0064】
また、上記従来の直流昇降圧回路から、上記第1の混合アームに含まれて上記リアクトルの第1の巻き線の一方にアノード、第2の巻き線の一方にカソードを接続していたダイオードを除去すると共に、上記リアクトルに第3の巻き線を新設し、かつ上記第2の巻き線の一方及び第1と第2の低電圧直流電源の接続点にカソード、第3の巻き線の一方にアノードを接続したダイオードを新設したので、必要な昇圧比が高い場合においても回路規模を小型化し、かつ高い変換効率を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る直流昇降圧回路の回路構成を示す回路図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態に係る直流昇降圧回路の回路構成を示す回路図である。
【図3】従来の直流昇降圧回路の回路構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1,16,17……直流電源、3,4……MOSFET、6〜9,18,19……ダイオード、14,15,20……負荷、10……リアクトル、10a,10b,10c……巻き線、11,12,13,21……コンデンサ、22,23……混合アーム対
Claims (3)
- 半導体素子のスイッチング動作により、低電圧直流電源が使用される場合は該低電圧直流電源の出力電圧を昇圧し、高電圧直流電源が使用される場合は該高電圧直流電源の出力電圧を降圧する直流昇降圧回路において、
磁気的に結合した第1と第2の巻き線を備えたリアクトルと、第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列接続された回路に第2のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第1の混合アームと、該第1の混合アームに並列接続された第1のコンデンサと、第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列接続された回路に第4のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第2の混合アームと、第1の低電圧直流電源と、該第1の低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第1の負荷及び第2のコンデンサと、前記第1の低電圧直流電源と直列接続された第2の低電圧直流電源と、該低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第2の負荷及び第3のコンデンサと、高電圧直流電源と並列に接続された降圧動作時の第3の負荷及び第4のコンデンサと、第1の混合アームの+側端子にアノードを接続すると共に前記第1と第2の低電圧直流電源の接続点にカソードを接続した第5のダイオードを備え、
前記リアクトルの第1の巻き線の一方の端子は、前記高電圧直流電源の+側端子に接続し、他方の端子は前記第1の混合アーム内の前記第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列に接続された回路と第2のダイオードとの接続点に接続し、
前記リアクトルの第2の巻き線の一方の端子は、前記第2の混合アーム内の前記第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列に接続された回路と第4のダイオードとの接続点に接続し、他方の端子は前記第1の混合アームの+側端子及び前記第5のダイオードのアノードに接続し、
前記第2の混合アームの+側端子は前記第1の低電圧直流電源の+側端子に接続し、
前記第1と第2の混合アームの−側端子と、前記高電圧直流電源の−側端子と、前記第2の低電圧直流電源の−側端子とを互いに接続したこと、
を特徴とする直流昇降圧回路。 - 半導体素子のスイッチング動作により、低電圧直流電源が使用される場合は該低電圧直流電源の出力電圧を昇圧し、高電圧直流電源が使用される場合は該高電圧直流電源の出力電圧を降圧する直流昇降圧回路において、
磁気的に結合した第1、第2、第3の巻き線を備えたリアクトルと、第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列接続された回路に第2のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第1の混合アームと、該第1の混合アームに並列接続された第1のコンデンサと、第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列接続された回路に第4のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第2の混合アームと、第1の低電圧直流電源と、該第1の低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第1の負荷及び第2のコンデンサと、前記第1の低電圧直流電源と直列接続された第2の低電圧直流電源と、該低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第2の負荷及び第3のコンデンサと、高電圧直流電源と並列に接続された降圧動作時の第3の負荷及び第4のコンデンサと、前記リアクトルの第2の巻き線の一方の端子及び前記第1と第2の低電圧電流源の接続点にカソードを接続すると共に前記リアクトルの第3の巻き線の一方の端子にアノードを接続した第5のダイオードを備え、
前記リアクトルの第1の巻き線の一方の端子は、前記高電圧直流電源の+側端子に接続し、他方の端子は前記第1の混合アーム内の前記第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列に接続された回路と第2のダイオードとの接続点に接続し、
前記リアクトルの第2の巻き線の他方の端子は、前記第2の混合アーム内の前記第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列に接続された回路と第4のダイオードとの接続点に接続し、
前記リアクトルの第3の巻き線の他方の端子は、前記第1の混合アームの+側端子に接続し、
前記第2の混合アームの+側端子は前記第1の低電圧直流電源の+側端子に接続し、
前記第1と第2の混合アームの−側端子と、前記高電圧直流電源の−側端子と、前記第2の低電圧直流電源の−側端子とを互いに接続したこと、
を特徴とする直流昇降圧回路。 - 前記第1のコンデンサの両端の電圧が、前記高電圧直流電源の電圧の2倍以上となるように設定したことを特徴とする請求項2記載の直流昇降圧回路。
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