JP4327375B2 - Black low thermal expansion ceramic, method for producing the same, and member for semiconductor production equipment - Google Patents

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JP4327375B2 JP2001092913A JP2001092913A JP4327375B2 JP 4327375 B2 JP4327375 B2 JP 4327375B2 JP 2001092913 A JP2001092913 A JP 2001092913A JP 2001092913 A JP2001092913 A JP 2001092913A JP 4327375 B2 JP4327375 B2 JP 4327375B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体または液晶の露光装置などに使用される部材として適するセラミックスに関する。
【0002】
【従来の技術】
LSIなどの高集積化に伴い、回路の超微細化が進められ、半導体の線幅は0.1ミクロンを切るレベルにまで到達しようとしている。回路の超微細化が進むにつれて、半導体あるいは液晶ガラス基板の露光精度を確保するため、たとえば露光装置用真空チャック、ステージ位置測定ミラー用の材料について、低い熱膨張係数および高い剛性(ヤング率)が求められるようになっている。また半導体製造装置、特に露光装置に使用されるセラミックスは、視認性、防汚性および遮光性の観点から、黒色等の色がついていることが好ましい。
【0003】
従来より低膨張材として利用されてきた材料のうち、石英、β−スポジューメン、チタン酸アルミ、結晶化ガラスなどは、剛性が低いという問題があった。
【0004】
特開平11−209171号公報には、コーディエライトを80重量%以上、好ましくは希土類元素を酸化物換算で1〜20重量%含有し、気孔率が0.1%以下、10〜40℃における熱膨張係数が1×10-6/℃以下である緻密質低熱膨張セラミックスからなる半導体製造装置用部材が開示されている。かかる低熱膨張セラミックスは低い熱膨張係数および高い剛性を有するが、白色または薄い灰色であり、視認性、防汚性および遮光性が低いという問題があった。
【0005】
特開平11−343168号公報には、コーディエライトを80重量%以上、好ましくは希土類元素を酸化物換算で1〜20重量%含有し、気孔率が0.5%以下、カーボン含有量が0.1〜2.0重量%であり、10〜40℃における熱膨張係数が1×10-6/℃以下である低熱膨張黒色セラミックスおよびそのような緻密質低熱膨張セラミックスからなる半導体製造装置用部材が開示されている。かかる低熱膨張セラミックスは低い熱膨張係数および高い剛性を有するとともに、カ一ボンを含有することにより黒色を呈する。しかし、カーボン分の添加により熱膨張係数が上昇し、高精度が要求される露光装置用部材へは適用が困難であり、さらに焼結体の気孔を極小にするためにはホットプレス焼結が不可欠であり、焼結品のサイズに制限が生じるという問題があった。
【0006】
セラミックスの表面を黒色にする方法としては、従来よりDLCなどのコーティング方法が知られているが、膜の剥離が発生した場合には基材と膜との色ムラとなって、商品価値が損なわれるという問題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
低熱膨張性および黒色性を兼ね備えるセラミックスおよびその製造方法、ならびに半導体製造装置用の部材を提供する。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、コーディエライト、スポジューメンおよびユークリプタイトよりなる群から選ばれる少なくとも1種を主成分とし、表面の少なくとも一部においてその表層のみの明度が4.5以下であることを特徴とする黒色低熱膨張セラミックスに関する。
【0009】
このセラミックスの10〜40℃における熱膨張係数は0.5×10-6/℃以下であり、気孔率は0.5%以下であることが好ましく、半導体製造装置用の部材として適する。
【0010】
また本発明の黒色低熱膨張セラミックスは、コーディエライト、スポジューメンおよびユークリプタイトよりなる群から選ばれる少なくとも1種を主成分とする焼結体を、カーボンを含み酸素分圧が0.1気圧以下で10-7〜100気圧の雰囲気において、1000〜1300℃で熱処理することにより製造される。
【0011】
前記焼結体は、カーボン粉末、または熱処理によりカーボンを残留し得る樹脂中に埋設して熱処理することが好ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の黒色低熱膨張セラミックスは、コーディエライト、スポジューメンおよびユークリプタイトよりなる群から選ばれる少なくとも1種を主成分とし、表面の少なくとも一部においてその表層のみの明度が4.5以下であることを特徴とする。
【0013】
本発明の黒色低熱膨張セラミックスの原料は、コーディエライト、スポジューメン、ユークリプタイトまたはこれらを組合せたものを主成分とする。低熱膨張材として知られているチタン酸アルミニウムでは緻密化が困難であり、緻密化できたとしても剛性が低く使用には耐えることができない。前述したとおりスポジューメンはそれ自体剛性が比較的低いが、比較的高い剛性を有するコーディエライトやユークリプタイトとともに配合することにより、剛性の高いセラミックスを製造することができる。
【0014】
主成分とは、コーディエライト、スポジューメンおよびユークリプタイトよりなる群から選ばれる少なくとも1種の配合量が、焼結後の原料全体の中で70重量%以上であることをいい、90重量%以上であることが好ましい。
【0015】
本発明の低熱膨張セラミックスには、4a族元素、5a族元素もしくは6族元素の炭化物、窒化物、硼化物、珪化物、SiC、B4C、窒化珪素を、低熱膨張性を阻害しない程度に配合することができる。これらの配合により焼結体の耐摩耗性が向上する。
【0016】
本発明の低熱膨張セラミックスには、希土類元素の化合物、たとえば希土類元素の酸化物を配合することができるが、希土類元素の化合物を配合しなくとも、本発明の製造方法によれば十分緻密な低熱膨張セラミックスを得ることができる。
【0017】
主成分として配合するコーディエライト粉末などの平均粒径は、十分に緻密なセラミックスを得る点で10μm以下が好ましく、3μm以下がより好ましい。また主成分以外の4a族元素、5a族元素などの成分の平均粒径は、各成分を均一に分散させる点から、0.1〜3μmが好ましく、0.1〜2μmがより好ましい。
【0018】
セラミックスの低熱膨張性は、用途により要求される程度が異なるが、一般に半導体あるいは露光装置用部材の場合であれば、近年の回路の微細化に対応して露光精度を高める点で、10〜40℃における熱膨張係数が1.5×10-6/℃以下であることが好ましく、特に露光装置用真空チャック、ステージ位置測定ミラー用部材の場合には10〜40℃における熱膨張係数が0.5×10-6/℃以下がより好ましく、0.3×10ー6/℃以下が特に好ましい。主成分として使用するコーディエライト、スポジューメン、ユークリプタイトまたはそれらの組合せにより、このような低熱膨張性セラミックスを製造することができる。
【0019】
本発明のセラミックスの表面の少なくとも一部において、その表層は黒色を呈する。すなわち表層の明度は4.5以下であり、4.0以下が好ましく、3.5以下がより好ましい。明度が4.5より大きいと、視認性、防汚性および遮光性が低く、半導体製造装置、特に露光装置用部材には適さない。
【0020】
明度は、JIS Z 8721にもとづいて評価する。物体の表面色は、色知覚の3属性である色相、明度および彩度によつて表示され、明度は物体表面の反射率の大きさを判定する尺度である。明度は、無彩色を基準としており、理想的な黒の明度を0とし、理想的な白の明度を10とし、理想的な黒0と理想的な白10との間で、色の明るさの知覚が等歩度となるように10段階に分割し、N0〜Nl0の記号で表示する。明度を測定するときには、N0〜Nl0に対応する各標準色票と、製品の表面色とを比較して明度を決定する。その際、原則として小数点第1位まで明度を決定し、かつ小数点第1位の値は0または5とする。明度が低いということはより黒色に近いことを指し、逆に明度が高いということはより白色に近いことを指す。
【0021】
本発明のセラミックスは、表層が深層よりも明度が低い。表層の明度を深層の明度より低くすることで十分な低熱膨張性を維持したまま視認性、防汚性および遮光性が付与されるという特性が得られる。本発明において表層とは、用途や表面加工の有無により異なるが、一般に表面からの深さが1μm以上あればよく、深くても3mm程度までの領域を指す。
【0022】
セラミックスの表層と深層の明度の差は、製造条件、特に焼結体の熱処理時における雰囲気の影響を大きく受ける。表層の黒色化は、焼結体表面において還元により酸素不足が生じることおよびカーボンが含浸されることの両方に起因して起こるものと推定される。同一熱処理条件においては、雰囲気中のカーボンの濃度が高いほど表層の明度が低くなる。この点から本発明のセラミックスはカーボンを含む雰囲気中で熱処理することにより製造される。
【0023】
雰囲気中のカーボンの濃度を高くするには、カーボン粉末、または熱処理によりカーボンを残留し得る樹脂中に焼結体を埋設して熱処理する方法が、安定したカーボン濃度が得られ、好ましい。また、熱処理に際して使用する炉の断熱材、ヒーター、焼結体を載置するセッターなどをカーボン製のものとすることがより好ましい。熱処理によりカーボンを残留し得る樹脂としては、フェノール樹脂、フラン樹脂などがある。なお、カーボン製のセッターを使用せず、焼結体をカーボン粉末に埋設せずに熱処理をしても表層部の明度は内部よりも低くなるが、表層と深層との明度差は小さい。
【0024】
熱処理雰囲気中の酸素分圧は、0.1気圧以下とする必要があり、0.05気圧以下が好ましく、0.03気圧以下がより好ましい。酸素分圧が0.1気圧より大きいと、カーボンが雰囲気中の酸素と反応し炭酸ガスとなるため、表層と深層の明度差が小さくなる。
【0025】
熱処理時の雰囲気の圧力は10-7〜100気圧であり、窒素ガス(N2)やアルゴンガス(Ar)などの不活性ガス、または一酸化炭素(CO)などの還元性ガスを注入し、加圧する。圧力は、0.5〜50気圧が好ましく、1.0〜50気圧がより好ましい。圧力が高いほど表層と深層の明度差が大きくなるが、100気圧より大きいと熱処理により発生する変形や収縮により製品の寸法精度が得られない。したがって高精度が要求される材料にはそのまま適用できず、適用するには、研削加工が必要になる。また研削加工をすると、加工面に明度差(色ムラ)が生じ、商品価値が低下する。
【0026】
熱処理時の温度は、1000〜1300℃であり、1100〜1250℃が好ましく、1150〜1250℃がより好ましい。1000℃より低いと十分に黒色化が進まず、一方1300℃より高いと製品の変形が発生しやすくなり寸法精度が低下する。
【0027】
本発明のセラミックスは、表面の少なくとも一部においてその明度が低い。すなわち、ミクロンオーダーの高精度が要求される製品その他、用途、加工上の要因により、熱処理後に製品の一部を機械加工する場合があり、そのような場合には加工面が黒色ではなくなることがあり得るが、視認性、防汚性および遮光性を発揮する上で必要な範囲が黒色であれば本発明の目的を達成できる。
【0028】
本発明のセラミックスの気孔率は、十分に緻密なセラミックスを得る点で、0.5%以下が好ましく、0.3%以下がより好ましい。
【0029】
本発明のセラミックスは、通常のプロセスにて焼結体を得た後、さらに熱処理を施すことにより製造される。焼結体は、たとえばつぎの3種の方法で得ることができる。
【0030】
第1の方法は常圧で焼結する方法である。まず、原料を配合し、アルコールや水などの溶媒を加え、必要に応じてPVAやアクリル樹脂などの樹脂バインダーを配合してボールミル混合する。それを乾燥させて、原料粉末を得る。得られた粉末から、金型プレス成形あるいはCIP成形などの手法によって成形体を得る。その成形体を所望の形状に機械加工した後、焼結する。焼結は、大気雰囲気、不活性雰囲気または非酸化性雰囲気下の常圧で実施し、焼結温度はコーディエライト主材においては1300〜1450℃、β−スポジューメン主材においては1200〜1350℃、β−ユークリプタイト主材においては1150〜1300℃が好ましい。得られた焼結体は研削や研磨などにより所望の製品形状に機械加工する。
【0031】
第2の方法はホットプレス焼結による方法である。まず原料を配合し、アルコールや水などの溶媒を加えた後、ボールミル混合する。それを乾燥させて、原料粉末を得る。得られた原料粉末を所定の型に詰め、ホットプレス焼結をする。ホットプレス焼結は窒素やアルゴンなどの不活性雰囲気下で実施し、コーディエライト主材においては1300〜1450℃で4.9〜49MPa、β−スポジューメン主材においては1200〜1350℃で4.9〜49MPa、β−ユークリプタイト主材においては1150〜1300℃で4.9〜49MPaの条件が好ましい。得られた焼結体は研削や研磨などにより所望の製品形状に機械加工する。
【0032】
第3の方法は高温等方加圧焼結(HIP)による方法である。たとえば第1の方法で得られたコーディエライト主材の焼結体を、たとえば窒素やアルゴンなどの不活性雰囲気中、1250〜1400℃、200〜2000気圧の条件が好ましい。得られた焼結体は研削や研磨などにより所望の製品形状に機械加工する。
【0033】
本発明は、また前記黒色低熱膨張セラミックスからなる半導体製造装置用部材に関する。前記セラミックスはそのままでも寸法精度が確保されているため、焼結体を所望の製品形状に機械加工した後に、熱処理して、そのままセラミックス製品として半導体製造装置に使用することが好ましい。その場合にはセラミックス製品の全面にわたり表層は明度4.5以下に黒色化されており、視認性、防汚性および遮光性にすぐれた製品となる。またセラミックス表面を黒色化するにあたり、DLCなどのコーティング方法によらないため膜剥離による基材と表面の色ムラが発生せず、半導体製造装置用部材として商品価値がきわめて高い。
【0034】
【実施例】
実施例1〜8
純度99%以上、平均粒径が3μmのコーディエライト粉末、β−スポジューメン粉末、β−ユークリプタイト粉末を加熱焼結後に表1に示す割合となるように調合した後、水と、バインダーとしてPVAを所定の割合で加え、ボールミルで24時間混合した。得られた混合粉末をスプレードライヤーで乾燥した後、98MPaで金型プレス成形を実施した。得られた成形体を表1に示す温度で大気中において焼成し、気孔率が0.5%以下の緻密質焼結体を得た。得られた焼結体を機械加工し、所望の製品形状にした後、表1に示す条件でカーボンを含む雰囲気下において熱処理を行ない試験体を製造した。
比較例1
焼結体を熱処理しない点以外は、実施例1と同様の条件で試験体を製造した。
比較例2
焼結体の熱処理の温度を1350℃にした以外は、実施例1とほぼ同様の条件で試験体を製造した。
比較例3
焼結体の熱処理の温度を950℃にした以外は、実施例7と同様の条件で試験体を製造した。
【0035】
製造した試験体について、つぎの方法で評価した。
(評価方法)
1.熱膨張係数
レーザー干渉法にて10〜40℃の間の熱膨張係数を測定した。
2.気孔率
室温下、アルキメデス法にて測定した。
3.ヤング率
室温下、自由共振法にて測定した。
4.表面の明度
JIS Z 8721にもとづいて評価した。
5.基材の変形
加熱処理前後の試験体について、レーザー干渉計にて平坦度の変化を測定し、100mm角の範囲で、2μm以下の変形であったものについて○印、2μmを超える変形であったものについて×印を付与した。
【0036】
試験体の評価の結果を表1に示す。
【0037】
【表1】

Figure 0004327375
【0038】
(注1)コーディエライト粉末
(注2)β−スポジューメン粉末
(注3)β−ユークリプタイト粉末
実施例1と比較例1,2の結果より、焼結体を加熱処理しないと、明度が4.5から7.5となり、十分に黒色化していないことがわかった。一方、加熱処理をした場合であっても熱処理の温度が1350℃の高温になると、黒色化は十分に進んだが、基材に変形が生じ寸法精度が低下することがわかった。
【0039】
実施例7と比較例3の結果より、熱処理の温度が950℃の低温になると、明度が4.5から6.5となり、十分に黒色化しないことがわかった。
【0040】
実施例1〜8の結果により、コーディエライト、スポジューメン、ユークリプタイトのうちの少なくとも1種を主成分とする焼結体を、カーボンを含み酸素分圧が0.1気圧以下で10-7〜100気圧の雰囲気において、1000〜1300℃で熱処理をすることにより、表層の明度が4.5以下、10〜40℃における熱膨張係数が0.1×10-6/℃以下の緻密質黒色低熱膨張セラミックスが得られることがわかった。またこれらの条件ではN2ガスからArやCOガスが介在する雰囲気に変えても、得られるセラミックスの物性に変化はなく、良好であることもわかった。
【0041】
なお、ホットプレスで焼結をする方法を行った場合、あるいはHIP処理を選択した場合においても、同様の特性を得ることができた。
【0042】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0043】
【発明の効果】
本発明によれば、表層が黒色で低熱膨張性のセラミックスを提供できる。本セラミックスは高い剛性を併せもつので、露光装置の真空チェック、ステージなどの半導体製造装置用部材、液晶製造装置用部材として優れる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to ceramics suitable as a member used in a semiconductor or liquid crystal exposure apparatus.
[0002]
[Prior art]
Along with the high integration of LSIs and the like, the miniaturization of circuits has been promoted, and the line width of semiconductors is about to reach a level of less than 0.1 microns. As circuit miniaturization progresses, in order to ensure the exposure accuracy of a semiconductor or liquid crystal glass substrate, for example, a material for a vacuum chuck for an exposure apparatus and a stage position measuring mirror has a low thermal expansion coefficient and a high rigidity (Young's modulus). It has come to be required. Moreover, it is preferable that the ceramic used for a semiconductor manufacturing apparatus, especially an exposure apparatus, is colored in black or the like from the viewpoints of visibility, antifouling properties and light shielding properties.
[0003]
Among materials conventionally used as low expansion materials, quartz, β-spodumene, aluminum titanate, crystallized glass, and the like have a problem of low rigidity.
[0004]
In JP-A-11-209171, cordierite is contained in an amount of 80% by weight or more, preferably 1 to 20% by weight of a rare earth element in terms of oxide, and the porosity is 0.1% or less at 10 to 40 ° C. A member for a semiconductor manufacturing apparatus made of a dense low thermal expansion ceramic having a thermal expansion coefficient of 1 × 10 −6 / ° C. or less is disclosed. Such low thermal expansion ceramics have a low thermal expansion coefficient and high rigidity, but are white or light gray and have a problem of low visibility, antifouling properties and light shielding properties.
[0005]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-343168 discloses cordierite in an amount of 80% by weight or more, preferably 1 to 20% by weight of rare earth element in terms of oxide, a porosity of 0.5% or less, and a carbon content of 0. Low thermal expansion black ceramics having a thermal expansion coefficient at 10 to 40 ° C. of 1 × 10 −6 / ° C. or less, and a member for a semiconductor manufacturing apparatus comprising such a dense low thermal expansion ceramic Is disclosed. Such a low thermal expansion ceramic has a low thermal expansion coefficient and high rigidity, and exhibits a black color by containing carbon. However, the coefficient of thermal expansion increases due to the addition of carbon, making it difficult to apply to exposure apparatus members that require high precision. To minimize the pores of the sintered body, hot press sintering is required. There is a problem that the size of the sintered product is limited.
[0006]
Conventionally, coating methods such as DLC are known as a method for making the surface of ceramics black. However, when peeling of the film occurs, color unevenness occurs between the substrate and the film, resulting in loss of commercial value. There was a problem of being.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
A ceramic having both low thermal expansibility and blackness, a manufacturing method thereof, and a member for a semiconductor manufacturing apparatus are provided.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is characterized in that the main component is at least one selected from the group consisting of cordierite, spodumene and eucryptite, and the brightness of only the surface layer of at least a part of the surface is 4.5 or less. It relates to black low thermal expansion ceramics.
[0009]
The ceramic has a thermal expansion coefficient at 10 to 40 ° C. of 0.5 × 10 −6 / ° C. or less and a porosity of preferably 0.5% or less, and is suitable as a member for a semiconductor manufacturing apparatus.
[0010]
The black low thermal expansion ceramic of the present invention is a sintered body containing at least one selected from the group consisting of cordierite, spodumene and eucryptite as a main component, containing carbon and having an oxygen partial pressure of 0.1 atm or less. In an atmosphere of 10 −7 to 100 atm.
[0011]
The sintered body is preferably heat-treated by being embedded in carbon powder or a resin capable of remaining carbon by heat treatment.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The black low thermal expansion ceramic of the present invention is mainly composed of at least one selected from the group consisting of cordierite, spodumene and eucryptite, and the brightness of only the surface layer of at least a part of the surface is 4.5 or less. It is characterized by that.
[0013]
The raw material of the black low thermal expansion ceramic of the present invention is mainly composed of cordierite, spodumene, eucryptite, or a combination thereof. Aluminum titanate, which is known as a low thermal expansion material, is difficult to densify, and even if it can be densified, its rigidity is low and it cannot be used. As described above, the spodumene has a relatively low rigidity, but a ceramic having a high rigidity can be produced by blending it with cordierite or eucryptite having a relatively high rigidity.
[0014]
The main component means that the blending amount of at least one selected from the group consisting of cordierite, spodumene and eucryptite is 70% by weight or more in the whole raw material after sintering, 90% by weight The above is preferable.
[0015]
In the low thermal expansion ceramic of the present invention, carbides, nitrides, borides, silicides, SiC, B 4 C and silicon nitride of group 4a element, group 5a element or group 6 element are added to such an extent that the low thermal expansion property is not inhibited. Can be blended. These compounds improve the wear resistance of the sintered body.
[0016]
The low thermal expansion ceramic of the present invention can be blended with a rare earth element compound, for example, a rare earth element oxide. However, according to the production method of the present invention, a sufficiently dense low heat can be obtained without blending a rare earth element compound. Expanded ceramics can be obtained.
[0017]
The average particle diameter of the cordierite powder blended as the main component is preferably 10 μm or less, more preferably 3 μm or less from the viewpoint of obtaining a sufficiently dense ceramic. In addition, the average particle diameter of the components other than the main components, such as the 4a group element and the 5a group element, is preferably 0.1 to 3 μm, more preferably 0.1 to 2 μm from the viewpoint of uniformly dispersing each component.
[0018]
The degree of required low thermal expansion of ceramics varies depending on the application, but generally in the case of a semiconductor or a member for an exposure apparatus, it is 10 to 40 in terms of increasing exposure accuracy in response to recent miniaturization of circuits. The coefficient of thermal expansion at 1.5 ° C. is preferably 1.5 × 10 −6 / ° C. or less. Particularly in the case of a vacuum chuck for an exposure apparatus and a member for stage position measuring mirror, the coefficient of thermal expansion at 10 to 40 ° C. more preferably 5 × 10 -6 / ℃ less, particularly preferably 0.3 × 10 over 6 / ° C. or less. Such low thermal expansion ceramics can be produced by cordierite, spodumene, eucryptite, or a combination thereof used as the main component.
[0019]
In at least a part of the surface of the ceramic of the present invention, the surface layer is black. That is, the brightness of the surface layer is 4.5 or less, preferably 4.0 or less, and more preferably 3.5 or less. When the brightness is greater than 4.5, the visibility, antifouling properties and light shielding properties are low, and it is not suitable for a semiconductor manufacturing apparatus, particularly a member for an exposure apparatus.
[0020]
The brightness is evaluated based on JIS Z 8721. The surface color of an object is displayed by hue, brightness, and saturation, which are three attributes of color perception, and the brightness is a measure for determining the magnitude of the reflectance of the object surface. The brightness is based on an achromatic color, the ideal black brightness is 0, the ideal white brightness is 10, and the brightness of the color between the ideal black 0 and the ideal white 10 It is divided into 10 stages so that the perception of is equal, and displayed with symbols N0 to N10. When measuring the lightness, the lightness is determined by comparing each standard color chart corresponding to N0 to N10 with the surface color of the product. At that time, in principle, the lightness is determined to the first decimal place, and the value of the first decimal place is 0 or 5. Low brightness means that it is closer to black, and conversely, high brightness means that it is closer to white.
[0021]
In the ceramic of the present invention, the surface layer has lower brightness than the deep layer. By making the lightness of the surface layer lower than the lightness of the deep layer, it is possible to obtain the characteristics that visibility, antifouling properties and light shielding properties are imparted while maintaining a sufficiently low thermal expansion property. In the present invention, the surface layer differs depending on the use and presence / absence of surface processing, but generally the depth from the surface should be 1 μm or more, and refers to a region up to about 3 mm at most.
[0022]
The difference in brightness between the surface layer and the deep layer of the ceramic is greatly influenced by the manufacturing conditions, particularly the atmosphere during the heat treatment of the sintered body. The blackening of the surface layer is presumed to occur due to both oxygen deficiency and carbon impregnation due to reduction on the surface of the sintered body. Under the same heat treatment conditions, the higher the concentration of carbon in the atmosphere, the lower the brightness of the surface layer. From this point, the ceramic of the present invention is manufactured by heat treatment in an atmosphere containing carbon.
[0023]
In order to increase the concentration of carbon in the atmosphere, a method in which a sintered body is embedded in carbon powder or a resin capable of remaining carbon by heat treatment and heat treated is preferable because a stable carbon concentration can be obtained. Further, it is more preferable that the heat insulating material of the furnace, the heater, the setter on which the sintered body used for the heat treatment is made of carbon. Examples of resins that can retain carbon by heat treatment include phenolic resins and furan resins. Even if heat treatment is performed without using a carbon setter and the sintered body is not embedded in the carbon powder, the brightness of the surface layer portion is lower than the inside, but the brightness difference between the surface layer and the deep layer is small.
[0024]
The oxygen partial pressure in the heat treatment atmosphere needs to be 0.1 atm or less, preferably 0.05 atm or less, and more preferably 0.03 atm or less. When the oxygen partial pressure is greater than 0.1 atm, the carbon reacts with oxygen in the atmosphere to form carbon dioxide gas, so that the difference in brightness between the surface layer and the deep layer becomes small.
[0025]
The pressure of the atmosphere during the heat treatment is 10 −7 to 100 atm. An inert gas such as nitrogen gas (N 2 ) or argon gas (Ar) or a reducing gas such as carbon monoxide (CO) is injected, Pressurize. The pressure is preferably 0.5 to 50 atm, and more preferably 1.0 to 50 atm. The higher the pressure, the greater the difference in brightness between the surface layer and the deep layer. However, when the pressure is higher than 100 atm, the dimensional accuracy of the product cannot be obtained due to deformation or shrinkage caused by heat treatment. Therefore, it cannot be applied as it is to a material that requires high accuracy, and grinding is necessary for application. Further, when grinding is performed, a difference in brightness (color unevenness) occurs on the processed surface, and the commercial value is lowered.
[0026]
The temperature at the time of heat processing is 1000-1300 degreeC, 1100-1250 degreeC is preferable and 1150-1250 degreeC is more preferable. When the temperature is lower than 1000 ° C., the blackening does not proceed sufficiently. On the other hand, when the temperature is higher than 1300 ° C., the product tends to be deformed and the dimensional accuracy is lowered.
[0027]
The brightness of the ceramic of the present invention is low on at least a part of the surface. That is, some products may be machined after heat treatment due to other factors such as products that require high accuracy on the micron order, application, and processing. In such cases, the processed surface may not be black. There can be, but the object of the present invention can be achieved if the range necessary for achieving visibility, antifouling properties and light shielding properties is black.
[0028]
The porosity of the ceramic of the present invention is preferably 0.5% or less, and more preferably 0.3% or less, from the viewpoint of obtaining a sufficiently dense ceramic.
[0029]
The ceramic of the present invention is produced by obtaining a sintered body by a normal process and then performing a heat treatment. The sintered body can be obtained, for example, by the following three methods.
[0030]
The first method is a method of sintering at normal pressure. First, raw materials are blended, a solvent such as alcohol or water is added, and if necessary, a resin binder such as PVA or acrylic resin is blended and ball mill mixed. It is dried to obtain raw material powder. A molded body is obtained from the obtained powder by a technique such as die press molding or CIP molding. The molded body is machined into a desired shape and then sintered. Sintering is carried out at atmospheric pressure in an air atmosphere, inert atmosphere or non-oxidizing atmosphere, and the sintering temperature is 1300 to 1450 ° C. for cordierite main material and 1200 to 1350 ° C. for β-spodumene main material. In the β-eucryptite main material, 1150 to 1300 ° C. is preferable. The obtained sintered body is machined into a desired product shape by grinding or polishing.
[0031]
The second method is a method by hot press sintering. First, the raw materials are blended, and a solvent such as alcohol or water is added, followed by ball mill mixing. It is dried to obtain raw material powder. The obtained raw material powder is packed in a predetermined mold and subjected to hot press sintering. Hot press sintering is carried out in an inert atmosphere such as nitrogen or argon. The cordierite main material is 4.9 to 49 MPa at 1300 to 1450 ° C., and the β-spodumene main material is 1200 to 1350 ° C. at 4. In the case of 9 to 49 MPa, β-eucryptite main material, conditions of 4.9 to 49 MPa at 1150 to 1300 ° C. are preferable. The obtained sintered body is machined into a desired product shape by grinding or polishing.
[0032]
The third method is a method using high temperature isostatic pressing (HIP). For example, the cordierite main material sintered body obtained by the first method is preferably subjected to conditions of 1250 to 1400 ° C. and 200 to 2000 atm in an inert atmosphere such as nitrogen or argon. The obtained sintered body is machined into a desired product shape by grinding or polishing.
[0033]
The present invention also relates to a semiconductor manufacturing apparatus member comprising the black low thermal expansion ceramic. Since the dimensional accuracy is ensured even if the ceramic is used as it is, it is preferable to machine the sintered body into a desired product shape, heat-treat it, and use it as it is in a semiconductor manufacturing apparatus as a ceramic product. In that case, the surface layer is blackened to a brightness of 4.5 or less over the entire surface of the ceramic product, and the product has excellent visibility, antifouling properties and light shielding properties. In addition, since the ceramic surface is not blackened because it does not depend on a coating method such as DLC, color unevenness between the substrate and the surface due to film peeling does not occur, and the commercial value is extremely high as a member for a semiconductor manufacturing apparatus.
[0034]
【Example】
Examples 1-8
After preparing cordierite powder, β-spodumene powder, β-eucryptite powder having a purity of 99% or more and an average particle size of 3 μm so as to have the ratio shown in Table 1 after heating and sintering, water and a binder PVA was added at a predetermined ratio and mixed for 24 hours by a ball mill. The obtained mixed powder was dried with a spray dryer and then subjected to die press molding at 98 MPa. The obtained molded body was fired in the air at the temperature shown in Table 1 to obtain a dense sintered body having a porosity of 0.5% or less. The obtained sintered body was machined into a desired product shape, and then heat-treated in an atmosphere containing carbon under the conditions shown in Table 1 to produce a test body.
Comparative Example 1
A test body was manufactured under the same conditions as in Example 1 except that the sintered body was not heat-treated.
Comparative Example 2
A test body was manufactured under substantially the same conditions as in Example 1 except that the temperature of the heat treatment of the sintered body was 1350 ° C.
Comparative Example 3
A test body was manufactured under the same conditions as in Example 7 except that the heat treatment temperature of the sintered body was set to 950 ° C.
[0035]
The manufactured specimen was evaluated by the following method.
(Evaluation methods)
1. Thermal expansion coefficient The thermal expansion coefficient between 10-40 degreeC was measured with the laser interferometry.
2. The porosity was measured by Archimedes method at room temperature.
3. The Young's modulus was measured by the free resonance method at room temperature.
4). The brightness of the surface was evaluated based on JIS Z8721.
5. About the test body before and after the deformation heat treatment of the base material, the change in flatness was measured with a laser interferometer, and the deformation was less than 2 μm within the range of 100 mm square, and the deformation was more than 2 μm. The x mark was given about the thing.
[0036]
Table 1 shows the results of evaluation of the test specimens.
[0037]
[Table 1]
Figure 0004327375
[0038]
(Note 1) Cordierite powder (Note 2) β-spodumene powder (Note 3) β-eucryptite powder From the results of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2, if the sintered body is not heat-treated, the brightness is It became 4.5 to 7.5 and it turned out that it has not fully blackened. On the other hand, even when heat treatment was performed, when the temperature of the heat treatment reached a high temperature of 1350 ° C., the blackening was sufficiently advanced, but it was found that the base material was deformed and the dimensional accuracy was lowered.
[0039]
From the results of Example 7 and Comparative Example 3, it was found that when the temperature of the heat treatment was lowered to 950 ° C., the brightness was changed from 4.5 to 6.5 and the film was not sufficiently blackened.
[0040]
According to the results of Examples 1 to 8, a sintered body mainly composed of at least one of cordierite, spodumene and eucryptite is contained in carbon and has an oxygen partial pressure of 0.1 atm or less and 10 −7. By performing heat treatment at 1000 to 1300 ° C. in an atmosphere of ˜100 atm, a dense black with a surface layer brightness of 4.5 or less and a thermal expansion coefficient at 10 to 40 ° C. of 0.1 × 10 −6 / ° C. or less It has been found that low thermal expansion ceramics can be obtained. It was also found that under these conditions, even if the atmosphere was changed from N 2 gas to Ar or CO gas, the properties of the resulting ceramic were unchanged and good.
[0041]
In addition, when the method of sintering by hot pressing was performed, or when HIP processing was selected, similar characteristics could be obtained.
[0042]
It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
[0043]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a ceramic having a black surface layer and low thermal expansion. Since the present ceramic has high rigidity, it is excellent as a vacuum check for an exposure apparatus, a member for a semiconductor manufacturing apparatus such as a stage, and a member for a liquid crystal manufacturing apparatus.

Claims (4)

コーディエライト、スポジューメンおよびユークリプタイトよりなる群から選ばれる少なくとも1種を主成分とし、表面から深さ1μm〜3mmまでの領域の少なくとも一部の明度が4.5以下であり、かつ、前記領域以外の部分の明度は4.5以下でないことを特徴とする黒色低熱膨張セラミックス。Cordierite, as a main component at least one member selected from the spodumene and Yuktobanian descriptor consisting tight group, at least a portion of the lightness of the region to a depth of 1μm~3mm from the surface 4.5 Ri der less, Black low thermal expansion ceramics characterized in that the brightness of the portion other than the region is not 4.5 or less . 10〜40℃における熱膨張係数は0.5×10-6/℃以下、気孔率は0.5%以下である請求項1記載の黒色低熱膨張セラミックス。The black low thermal expansion ceramics according to claim 1, wherein the coefficient of thermal expansion at 10 to 40 ° C. is 0.5 × 10 −6 / ° C. or less and the porosity is 0.5% or less. 少なくとも一部が請求項1記載の黒色低熱膨張セラミックスからなる半導体製造装置用部材。  A member for a semiconductor manufacturing apparatus, comprising at least a part of the black low thermal expansion ceramic according to claim 1. コーディエライト、スポジューメンおよびユークリプタイトよりなる群から選ばれる少なくとも1種を主成分とする焼結体を、カーボン粉末、または熱処理によりカーボンを残留し得る樹脂中に埋設し、および/または、熱処理に際して使用する部材をカーボン製のものとし、酸素分圧が0.1気圧以下で10-7〜100気圧の雰囲気において、1000〜1300℃で熱処理することを特徴とする請求項1記載の黒色低熱膨張セラミックスの製造方法。A sintered body mainly composed of at least one selected from the group consisting of cordierite, spodumene and eucryptite is embedded in a carbon powder or a resin capable of remaining carbon by heat treatment, and / or heat treated. 2. The black low heat according to claim 1, wherein the member used is made of carbon and heat-treated at 1000 to 1300 ° C. in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 0.1 atm or less and 10 −7 to 100 atm. A method for producing expanded ceramics.
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