JP4322958B1 - 測定装置および測定方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (10)
- 絶縁膜が半導体基板上に形成された構造からなる測定試料を用いて前記絶縁膜の表面容量を測定する測定装置であって、
前記半導体基板と前記絶縁膜との界面に反転層が形成される直流電圧を該直流電圧の電圧レベルを所望の速度で変化させながら前記半導体基板に印加したときの探針と前記絶縁膜との間に流れる電流の前記直流電圧に対する依存性である電流電圧特性を測定する測定器と、
前記測定された電流電圧特性に基づいて、前記絶縁膜に印加される電圧の変化速度である電圧変化速度と前記絶縁膜に流れる飽和電流との関係を求め、その求めた関係に基づいて、前記絶縁膜の表面容量を演算する演算器とを備え、
前記測定器は、前記電圧変化速度を複数の電圧変化速度に変えて複数の前記電流電圧特性を測定する測定処理を実行し、
前記演算器は、前記測定された複数の前記電流電圧特性に基づいて、複数の飽和電流を検出し、その検出した複数の飽和電流と、複数の電圧変化速度との関係をプロットして前記絶縁膜に流れる飽和電流と前記電圧変化速度との関係を示す直線を求め、その求めた直線の傾きを前記絶縁膜の表面容量として演算する演算処理を実行する、測定装置。 - 前記測定器は、略平板形状からなる前記絶縁膜の複数の位置の各々において前記測定処理を実行し、
前記演算器は、前記測定された複数の位置における複数の前記電流電圧特性に基づいて、前記複数の位置の各々に対して前記演算処理を実行し、前記複数の位置における前記絶縁膜の表面容量の分布を求める、請求項1に記載の測定装置。 - 絶縁膜が半導体基板上に形成された構造からなる測定試料を用いて前記絶縁膜の表面容量および誘電率を測定する測定装置であって、
前記半導体基板と前記絶縁膜との界面に反転層が形成される直流電圧を該直流電圧の電圧レベルを所望の速度で変化させながら前記半導体基板に印加したときの探針と前記絶縁膜との間に流れる電流の前記直流電圧に対する依存性である電流電圧特性を測定する測定器と、
前記測定された電流電圧特性に基づいて、前記絶縁膜に印加される電圧の変化速度である電圧変化速度と前記絶縁膜に流れる飽和電流との関係を求め、その求めた関係に基づいて、前記絶縁膜の表面容量および誘電率を演算する演算器とを備え、
前記測定器は、前記電圧変化速度を複数の電圧変化速度に変えて複数の前記電流電圧特性を測定する測定処理を実行し、
前記演算器は、前記測定された複数の前記電流電圧特性に基づいて、複数の飽和電流を検出し、その検出した複数の飽和電流と、複数の電圧変化速度との関係をプロットして前記絶縁膜に流れる飽和電流と前記電圧変化速度との関係を示す直線を求め、その求めた直線の傾きを前記絶縁膜の表面容量として演算するとともに、その演算した表面容量と、前記絶縁膜の面積と、前記絶縁膜の膜厚とに基づいて、前記絶縁膜の誘電率を演算する、測定装置。 - 前記測定器は、略平板形状からなる前記絶縁膜の複数の位置の各々において前記測定処理を実行し、
前記演算器は、前記測定された複数の位置における複数の前記電流電圧特性に基づいて、前記複数の位置の各々に対して前記演算処理を実行し、前記複数の位置における前記絶縁膜の表面容量の分布を求めるとともに、その求めた前記絶縁膜の表面容量の分布と、前記絶縁膜の面積と、前記絶縁膜の膜厚とに基づいて、前記絶縁膜の誘電率の分布を求める、請求項3に記載の測定装置。 - 前記演算器によって演算された前記絶縁膜の表面容量および前記絶縁膜の誘電率を表示する表示装置をさらに備える、請求項3に記載の測定装置。
- 絶縁膜が半導体基板上に形成された構造からなる測定試料を用いて前記絶縁膜の表面容量を測定する測定方法であって、
測定器が、前記半導体基板と前記絶縁膜との界面に反転層が形成される直流電圧を該直流電圧の電圧レベルを所望の速度で変化させながら前記半導体基板に印加したときの探針と前記絶縁膜との間に流れる電流の前記直流電圧に対する依存性である電流電圧特性を測定する第1のステップと、
演算器が、前記第1のステップにおいて測定された電流電圧特性に基づいて、前記絶縁膜に流れる電流の飽和電流を検出する第2のステップと、
前記演算器が、前記第2のステップにおいて検出した飽和電流と、前記絶縁膜に印加される電圧の変化速度である電圧変化速度とに基づいて、前記絶縁膜に流れる飽和電流と前記電圧変化速度との関係を求める第3のステップと、
前記演算器が、前記第3のステップにおいて求めた関係に基づいて、前記絶縁膜の表面容量を演算する第4のステップとを備え、
前記測定器は、前記第1のステップにおいて、前記電圧変化速度を複数の電圧変化速度に変えて複数の前記電流電圧特性を測定する測定処理を実行し、
前記演算器は、前記第2のステップにおいて、前記測定された複数の前記電流電圧特性に基づいて、複数の飽和電流を検出する検出処理を実行し、
前記演算器は、前記第3のステップにおいて、前記複数の飽和電流と前記複数の電圧変化速度とをプロットし、前記絶縁膜に流れる飽和電流と前記電圧変化速度との関係を示す直線を求める処理を実行し、
前記演算器は、前記第4のステップにおいて、前記第3のステップにおいて求めた直線の傾きを前記絶縁膜の表面容量として演算する演算処理を実行する、測定方法。 - 前記測定器は、前記第1のステップにおいて、略平板形状からなる前記絶縁膜の複数の位置の各々に対して前記測定処理を実行し、
前記演算器は、前記第2のステップにおいて、前記複数の位置の各々に対して前記検出処理を実行し、
前記演算器は、前記第3のステップにおいて、前記複数の位置の各々に対して前記直線を求める処理を実行し、
前記演算器は、前記第4のステップにおいて、前記複数の位置の各々に対して前記演算処理を実行し、前記絶縁膜の表面容量の分布を求める、請求項6に記載の測定方法。 - 絶縁膜が半導体基板上に形成された構造からなる測定試料を用いて前記絶縁膜の表面容量および誘電率を測定する測定方法であって、
測定器が、前記半導体基板と前記絶縁膜との界面に反転層が形成される直流電圧を該直流電圧の電圧レベルを所望の速度で変化させながら前記半導体基板に印加したときの探針と前記絶縁膜との間に流れる電流の前記直流電圧に対する依存性である電流電圧特性を測定する第1のステップと、
演算器が、前記第1のステップにおいて測定された電流電圧特性に基づいて、前記絶縁膜に流れる電流の飽和電流を検出する第2のステップと、
前記演算器が、前記第2のステップにおいて検出した飽和電流と、前記絶縁膜に印加される電圧の変化速度である電圧変化速度とに基づいて、前記絶縁膜に流れる飽和電流と前記電圧変化速度との関係を求める第3のステップと、
前記演算器が、前記第3のステップにおいて求めた関係に基づいて、前記絶縁膜の表面容量および誘電率を演算する第4のステップとを備え、
前記測定器は、前記第1のステップにおいて、前記電圧変化速度を複数の電圧変化速度に変えて複数の前記電流電圧特性を測定する測定処理を実行し、
前記演算器は、前記第2のステップにおいて、前記測定された複数の前記電流電圧特性に基づいて、複数の飽和電流を検出する検出処理を実行し、
前記演算器は、前記第3のステップにおいて、前記複数の飽和電流と前記複数の電圧変化速度とをプロットし、前記絶縁膜に流れる飽和電流と前記電圧変化速度との関係を示す直線を求める処理を実行し、
前記演算器は、前記第4のステップにおいて、前記第3のステップにおいて求めた直線の傾きを前記絶縁膜の表面容量として演算するとともに、その演算した表面容量と、前記絶縁膜の面積と、前記絶縁膜の膜厚とに基づいて、前記絶縁膜の誘電率を演算する演算処理を実行する、測定方法。 - 前記測定器は、前記第1のステップにおいて、略平板形状からなる前記絶縁膜の複数の位置の各々に対して前記測定処理を実行し、
前記演算器は、前記第2のステップにおいて、前記複数の位置の各々に対して前記検出処理を実行し、
前記演算器は、前記第3のステップにおいて、前記複数の位置の各々に対して前記直線を求める処理を実行し、
前記演算器は、前記第4のステップにおいて、前記複数の位置の各々に対して前記演算処理を実行し、前記絶縁膜の表面容量の分布および前記絶縁膜の誘電率の分布を求める、請求項8に記載の測定方法。 - 前記演算された前記絶縁膜の表面容量および前記絶縁膜の誘電率を表示する第5のステップをさらに備える、請求項8に記載の測定方法。
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