JP4310633B2 - 高周波スイッチ - Google Patents
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Description
前記導波路とともに前記可変デバイスが少なくとも一つ設けられる高周波伝達回路と、
前記可変デバイスが少なくとも一つ設けられる駆動回路と、
前記高周波伝達回路および前記駆動回路に設けられる前記可変デバイスへの電流供給状態を変化させることにより、各可変デバイスの状態を変化させる信号回路と、を有し、
前記駆動回路と前記高周波伝達回路とが電気的に接続されるとともに、該接続点から見て、前記高周波伝達回路に設けられた可変デバイスと前記駆動回路に設けられた可変デバイスの状態が異なるように各可変デバイスが配置されていることを特徴とする。
信号回路は、駆動回路に設けられた可変デバイスを介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの一端と接続され、前記抵抗を介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの他端と接続されることとしてもよい。
信号回路は、駆動回路に設けられた第一の可変デバイスを介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの一端と接続され、第二の可変デバイスを介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの他端と接続されることとしてもよい。
信号回路は、駆動回路に設けられた可変デバイスを介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの一端と接続されるとともに、バイアス電位に接続されることとしてもよい。
11 第一の可変デバイス
12 第二の可変デバイス
13a,13b,33a,33b 高周波導波路
14 固定抵抗
15 信号回路
16,17 金属配線
18 基板
19 駆動回路
30 ガラス基板
111,121 上部電極
112,114,122,14,312,22,324 コンタクト穴
113,123 可変抵抗層
115,125 絶縁膜
121,311,321 上部電極
301 グラウンド
313,323パターン
315,325 絶縁膜
Claims (6)
- 電流の流れる向きによって抵抗値が大きな第一の状態と抵抗値が小さな第二の状態となる可変デバイスを用いて導波路を通過する信号を変化させる高周波スイッチであって、
前記導波路とともに前記可変デバイスが少なくとも一つ設けられる高周波伝達回路と、
前記可変デバイスが少なくとも一つ設けられる駆動回路と、
前記高周波伝達回路および前記駆動回路に設けられる前記可変デバイスへの電流供給状態を変化させることにより、各可変デバイスの状態を変化させる信号回路と、を有し、
前記駆動回路と前記高周波伝達回路とが電気的に接続されるとともに、該接続点から見て、前記高周波伝達回路に設けられた可変デバイスと前記駆動回路に設けられた可変デバイスの状態が異なるように各可変デバイスが配置されていることを特徴とする高周波スイッチ。 - 請求項1に記載の高周波スイッチにおいて、
駆動回路が、値がほぼ変化しない抵抗を含んでおり、
信号回路は、駆動回路に設けられた可変デバイスを介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの一端と接続され、前記抵抗を介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの他端と接続されることを特徴とする高周波スイッチ。 - 請求項2に記載の高周波スイッチにおいて、
ほぼ変化しない抵抗の値が10kΩ以上であることを特徴とする高周波スイッチ。 - 請求項1に記載の高周波スイッチにおいて、
駆動回路が、第一および第二の可変デバイスを含んでおり、
信号回路は、駆動回路に設けられた第一の可変デバイスを介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの一端と接続され、第二の可変デバイスを介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの他端と接続されることを特徴とする高周波スイッチ。 - 請求項1に記載の高周波スイッチにおいて、
高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの他端にバイアス回路が設けられ、
信号回路は、駆動回路に設けられた可変デバイスを介して高周波伝達回路に設けられた可変デバイスの一端と接続されるとともに、バイアス電位に接続されることを特徴とする高周波スイッチ。 - 請求項1から5のいずれかに記載の高周波スイッチにおいて、
可変デバイスの抵抗が1Ω以下と10kΩ以上の領域の間を変化することを特徴とする高周波スイッチ。
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