JP4304659B2 - Metallized plastic film - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気部品や電子部品等に好適に使用される金属化プラスティックフィルムに関し、特に、それらの電極の抵抗値の調整に好適な金属化プラスティックフィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気回路に使用される電気抵抗部品の抵抗値許容差は、±２％あるいは±１％と非常に高い精度が要求されている。例えば、電気抵抗部品については、金属箔を基材に接着して高精度を得る方法等が知られている（特許文献１参照。）が、金属箔を用いる方法では生産効率が悪く、近年ではこれらの金属箔を蒸着膜で代替する研究がなされている。しかしながら、蒸着により基材に金属薄膜を形成する方法では、金属薄膜の表面抵抗値制御は難しく、±２０％あるいは±３０％の許容範囲内でしか抵抗値制御ができていない。このため、電気抵抗部品に金属蒸着膜を代替することは困難であり、実用化に至っていない。
【０００３】
【特許文献１】
特開平２−８８６８７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明が解決しようとする課題は、電気部品等に要求される極めて精度の高い表面抵抗を有する金属化プラスティックフィルムを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述の目的を達成せんとするものであり、本発明の金属化プラスティックフィルムは、プラスティックフィルムの両面または片面に、導電性金属薄膜を有する金属化プラスティックフィルムにおいて、該プラスティックフィルムの長手方向の金属膜表面抵抗値（ＲMD）と該プラスティックフィルムの幅方向の金属膜表面抵抗値（ＲTD)の比（ＲMD／ＲTD）が３／２以上２以下であることを特徴とする金属化プラスティックフィルムである。
【０００６】
さらに、本発明においては、プラスティックフィルムの幅方向から角度θ°の向きで切り出した短冊状の金属化プラスティックフィルムの金属膜表面抵抗値（Ｒθ）が、(a)ＲTD≦Ｒθ≦ＲMDの範囲で選択可能な金属化プラスティックフィルムであること、および、(b)Ｒθ＝ＲTD＋θ°／９０×（ＲMD−ＲTD）の関係式を満足する金属化プラスティックフィルムであることが、好ましい態様として含まれている。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の金属化プラスティックフィルムについて詳細に説明する。
【０００８】
本発明の金属化プラスティックフィルムは、基材であるプラスティックフィルムの両面または片面に導電性金属薄膜を設けてなる基本構造を有するものである。 本発明において基材として好ましく用いられるプラスティックフィルムとしては、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレンなどのフィルムが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンおよびポリフェニレンサルファイド等のフィルムが、機械特性および電気特性の点から特に好ましく用いられる。
【０００９】
プラスティックフィルムの厚みは、使用するフィルムの材質によって異なるが、好ましくは１〜３００μｍ、より好ましくは１〜５０μｍ、更に好ましくは１〜１５μｍである。
【００１０】
本発明の金属化プラスティックフィルムにおいては、プラスティックフィルムの両面または片面に導電性金属薄膜が形成されるが、本発明で用いられる導電性金属薄膜を構成する金属としては、アルミニウム、亜鉛、金、銀、銅、錫、珪素、マグネシウム、チタン、ニッケル、あるいはこれらの合金など、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、アルミニウム、亜鉛、銅、錫あるいはこれらの合金などが劣化が少なく安価な点から特に好ましく用いられる。
【００１１】
導電性金属薄膜の厚みは、金属材質によって異なるが、好ましくは１〜１００ｎｍであり、より好ましくは５〜５０ｎｍである。
【００１２】
次に、図面に基づいて本発明の金属化プラスティックフィルムを説明する。図１は、本発明のプラスティックフィルム長手方向の金属薄膜表面抵抗（ＲMD）と幅方向の金属薄膜表面抵抗（ＲTD）を測定角度で連続的に変化させた金属化プラスティックフィルムを作成する真空蒸着機断面の概略図の例である。
【００１３】
図１において、真空蒸着機は、繰り出しロール１から送り出されるプラスティックフィルム８が、プラスティックフィルム８を走行させるために配置された中間ロール２を経て、一部を真空蒸着機の下室にさらされた冷却ロール３上で金属蒸発源５からの蒸発金属がプラスティックフィルム８に蒸着され、巻き取りロール７で巻き取られるようになっている。
【００１４】
なお、下室には、必要部分のみプラスティックフィルム８に付着させるために、２枚の隔壁板９が設けられ、さらに必要に応じ、その中で蒸発金属を付着させる範囲制限のための防着板４が配置されており、また上室には金属化プラスティックフィルムを巻き取る前に薄膜金属表面抵抗を測定するために抵抗測定ロール６が設けられている。
【００１５】
図１では、蒸発金属の必要部分のみプラスティックフィルム８に付着させるために、防着板４で金属蒸気の選択をしているが、本発明はこれに限定するものでなく、例えば、下室の金属蒸発源５の位置を冷却ロール３の真下からずらし、基材であるプラスティックフィルム８の下室への入り口側、もしくは出口側にずらすことによっても作成可能である。
【００１６】
本発明の金属化プラスティックフィルムにおいては、プラスティックフィルムの長手方向の金属膜表面抵抗値（ＲMD）と該プラスティックフィルムの幅方向の金属膜表面抵抗値（ＲTD)の比（ＲMD／ＲTD）が３／２以上２以下であることが必要である。
【００１７】
プラスティックフィルム長手方向の金属膜表面抵抗値（ＲMD）は、長手方向の長さ５００ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状に金属化プラスティックフィルムを切り出し、また、プラスティックフィルム幅方向の金属膜表面抵抗値（ＲTD)は、幅方向の長さ５００ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状に金属化プラスティックフィルムを切り出し、それぞれＪＩＳ Ｃ−２３１６に準じて長さ５００ｍｍの両端間で抵抗値を測定する。蒸着による金属薄膜表面抵抗値制御は難しく、ＲMDで±２０％程度の許容範囲でしか抵抗値制御できないため、ＲMD／ＲTDが３／２未満であると、必要な抵抗値を有する金属化プラスティックフィルムを選択することができなくなる。また、ＲMD／ＲTDを２より大きくするためには、防着板４により蒸発金属付着を制限する部分の面積を広く取らなくてはならず、生産性の面で効率が悪くなる。
【００１８】
長手方向の金属膜表面抵抗値（ＲMD）は、金属材質によって異なるが、好ましくは０．４Ω／□〜１．５ｋΩ／□、より好ましくは、２Ω／□〜６００Ω／□である。また、幅方向の金属膜表面抵抗値（ＲTD）は、金属材質によって異なるが、好ましくは０．２Ω／□〜１ｋΩ／□、より好ましくは、１Ω／□〜４００Ω／□である。
【００１９】
長手方向と幅方向の金属膜表面抵抗値を上記の比とするためには、冷却ロール３上で蒸発金属をプラスティックフィルム８に付着させるときに、付着させる部分を選択することが必要であり、冷却ロール３上で蒸発金属を付着させる部分の、好ましい範囲は、冷却ロール３の曲率半径、冷却ロール３と金属蒸発源５の位置関係等の真空蒸着機態様によって異なるが、冷却ロール３中心から直下方向を０°で反時計回り方向を正方向とし、円周方向に±２０°の部分の内、一部または全部を除く範囲が好ましい。
【００２０】
また、本発明の金属化プラスティックフィルムにおいては、プラスティックフィルムの幅方向から角度θ°の向きで切り出した短冊状の金属化プラスティックフィルムの金属膜抵抗値（Ｒθ）をＲTD≦Ｒθ≦ＲMDの範囲とすることが好ましい。金属膜抵抗値をこの範囲とすることで、必要な抵抗値選択を容易にすることができる。
【００２１】
さらに、本発明の金属化プラスティックフィルムにおいては、プラスティックフィルムの幅方向から角度θ°の向きで切り出した短冊状の金属化プラスティックフィルムの金属膜表面抵抗（Ｒθ）について、Ｒθ＝ＲTD＋θ°／９０×（ＲMD−ＲTD）の関係式が成り立っていれば、ＲMDおよびＲTD の値を測定すると、θ°の角度で金属化プラスティックフィルムを切り出すことで、容易に必要な抵抗値を選択することができる。
【００２２】
次に、本発明の金属化プラスティックフィルムの製造方法について説明する。
【００２３】
基材であるプラスティックフィルムへの導電性金属薄膜の形成方法は、金属蒸発方式として高周波誘導加熱方式や直接加熱方式などを利用した真空蒸着法等がある。
【００２４】
本発明の金属化プラスティックフィルムは、電気回路に使用される電気抵抗部品やフィルムコンデンサ等に好適に使用される。
【００２５】
【実施例】
以下、本発明の金属化プラスティックフィルムについて実施例により、さらに詳細に説明する。
【００２６】
なお、金属膜表面抵抗値の測定に関し、プラスティックフィルム長手方向の金属膜表面抵抗値（ＲMD）は、長手方向の長さ５００ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状に金属化プラスティックフィルムを切り出し、プラスティックフィルム幅方向の金属膜表面抵抗値（ＲTD)は、幅方向の長さ５００ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状に金属化プラスティックフィルムを切り出し、ＪＩＳ Ｃ−２３１６に準じて長さ５００ｍｍの両端間で抵抗値を測定した。また、Ｒθについては、幅方向の角度を０°とし、角度θ方向に長さ５００ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状に金属化プラスティックフィルムを切り出し、同様に測定した。すなわち、Ｒθ=0°＝ＲTDで、Ｒθ=90°＝ＲMDである。
【００２７】
（実施例１）
冷却ロール３上で蒸着金属（アルミニウム）が付着する面積は２枚の隔壁板９によってプラスティックフィルム８が金属蒸発源５側にさらされる部分（以下、開口部と呼ぶ）によって決まっているが、その面積が約１／２になり、冷却ロール３中心から直下方向を０°で反時計回りを正方向として円周方向に−２０°から０°の部分を覆うように防着板４を配置し、厚さ８μｍのポリプロピレンフィルム（東レ株式会社製タイプＴ２３７２（商品名））に、アルミニウムを抵抗測定ロール６間のアルミニウム金属薄膜抵抗値ＲMDが約２０Ω／□になるように、アルミニウム金属蒸発源の各坩堝１個当たりの投入電力を約８ｋＷにしてフィルム搬送速度を約３５０ｍ／分で搬送しながら、片面蒸着した。その結果、ＲMD＝２０．１Ω／□の金属化プラスティックフィルムが得られた。蒸着中の真空度は、上室で約１Ｐａ、下室で約０．０５Ｐａ、高周波誘導加熱坩堝方式の蒸発源を用いて蒸着した。得られた金属化ポリプロピレンフィルムについて、フィルム幅方向から角度をつけて切り出した金属膜抵抗値を表１に示す。
【００２８】
（実施例２）
冷却ロール３上で蒸着金属（アルミニウム）が付着する面積が約１／３になり、冷却ロール３中心から直下方向を０°で反時計回りを正方向として円周方向に−２０°から２０°の部分を覆うように防着板４を配置し、厚さ８μｍのポリプロピレンフィルム（東レ株式会社製 タイプＴ２３７２（商品名））に、アルミニウムを抵抗測定ロール６間のアルミニウム金属薄膜抵抗値ＲMDが約２０Ω／□になるように、アルミニウム金属蒸発源の各坩堝１個当たりの投入電力を約８ｋＷにしてフィルム搬送速度を約２３０ｍ／分で搬送しながら、片面蒸着した。蒸着中の真空度は、上室で約１Ｐａ、下室で約０．０５Ｐａ、高周波誘導加熱坩堝方式の蒸発源を用いて蒸着した。その結果、ＲMD＝２０．０Ω／□の金属化プラスティックフィルムが得られた。得られた金属化ポリプロピレンフィルムについて、フィルム幅方向から角度をつけて切り出した金属膜抵抗値を表１に示す。
【００２９】
（実施例３）
冷却ロール３上で蒸着金属（アルミニウム）が付着する面積が約１／３になり、冷却ロール３中心から直下方向を０°で反時計回りを正方向として円周方向に−２０°から２０°の部分を覆うように防着板４を配置し、厚さ８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ株式会社製 タイプＣ２３（商品名））に、アルミニウムを抵抗測定ロール６間のアルミニウム金属薄膜抵抗値ＲMDが約２０Ω／□になるように、アルミニウム金属蒸発源の各坩堝１個当たりの投入電力を約８ｋＷにしてフィルム搬送速度を約２３０ｍ／分で搬送しながら、片面蒸着した。蒸着中の真空度は、上室で約１Ｐａ、下室で約０．０５Ｐａ、高周波誘導加熱坩堝方式の蒸発源を用いて蒸着した。その結果、ＲMD＝２０．０Ω／□の金属化プラスティックフィルムが得られた。得られた金属化ポリエチレンテレフタレートフィルムについて、フィルム幅方向から角度をつけて切り出した金属膜抵抗値を表１に示す。
【００３０】
（比較例１）
比較例として、防着板４をはずし、厚さ８μｍのポリプロピレンフィルム（東レ株式会社製タイプＴ２３７２（商品名））にアルミニウムを抵抗測定ロール６間でアルミニウム金属薄膜抵抗値ＲMDが約２０Ω／□になるように片面蒸着した。その結果、ＲMD＝２０．３Ω／□の金属化プラスティックフィルムが得られた。 各々蒸着されたフィルムを、金属化プラスティックフィルムの幅方向を０°とし、時計回りに９０°まで、角度１５°ごとに、幅２５ｍｍ、長さ５００ｍｍの短冊状にスリットし、薄膜金属抵抗値を測定した。
【００３１】
以上の結果を表１に示す。比較例１では角度による金属薄膜表面抵抗の差は１．６Ω／□であったが、実施例１では１３．５〜２０．１Ω／□、実施例２では１０．６〜２０．０Ω／□の範囲で抵抗値選択が可能な蒸着フィルムが得られた。また、実施例３では実施例２同様１０．７〜２０．０Ω／□の範囲で抵抗値選択可能な蒸着フィルムが得られた。
【００３２】
上記の結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【発明の効果】
本発明によれば、基材に金属薄膜を形成する真空蒸着法の、表面抵抗値制御問題を解決し、電気回路上必要とされる高精度な金属薄膜表面抵抗を持つ金属化プラスティックフィルムを安定して供給できるようになり、その産業的効果は大である。また、特に、電気・電子部品として使用されるフィルムコンデンサにおいては、本発明の特徴の、プラスティックフィルムの長手方向の金属膜表面抵抗値（ＲMD）と該プラスティックフィルムの幅方向の金属膜表面抵抗値（ＲTD)の比（ＲMD／ＲTD）が３／２以上２以下であることから、欠陥部破壊時にフィルム長手方向から流れ込む突入電流を制限できると考えられるため、フィルムコンデンサ寿命延命の効果が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明のプラスティックフィルム長手方向の金属薄膜表面抵抗（ＲMD）と幅方向の金属薄膜表面抵抗（ＲTD）を測定角度で連続的に変化させた金属化プラスティックフィルムを作成するための真空蒸着機断面の概略図である。
【符号の説明】
１：繰り出しロール
２：中間ロール
３：冷却ロール
４：防着板
５：金属蒸発源
６：抵抗測定ロール
７：巻き取りロール
８：プラスチィックフィルム
９：隔壁板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a metallized plastic film suitably used for electric parts, electronic parts and the like, and more particularly to a metallized plastic film suitable for adjusting the resistance value of these electrodes.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, the resistance tolerance of electrical resistance components used in electrical circuits is required to have a very high accuracy of ± 2% or ± 1%. For example, with respect to electrical resistance components, a method of obtaining high accuracy by bonding a metal foil to a base material is known (see Patent Document 1). However, in the method using a metal foil, production efficiency is poor, and in recent years, Studies have been made to replace these metal foils with vapor deposition films. However, in the method of forming a metal thin film on a substrate by vapor deposition, it is difficult to control the surface resistance value of the metal thin film, and the resistance value can be controlled only within an allowable range of ± 20% or ± 30%. For this reason, it is difficult to substitute a metal vapor deposition film for an electrical resistance component, and it has not been put into practical use.
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-2-88687 [0004]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a metallized plastic film having an extremely accurate surface resistance required for electric parts and the like.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present invention achieves the above-mentioned object, and the metallized plastic film of the present invention is a metallized plastic film having a conductive metal thin film on both sides or one side of the plastic film. The ratio (R MD / R TD ) of the metal film surface resistance value (R MD ) in the direction and the metal film surface resistance value (R TD ) in the width direction of the plastic film is 3/2 or more and 2 or less, Metallized plastic film.
[0006]
Furthermore, in the present invention, the metal film surface resistance value (Rθ) of the strip-shaped metalized plastic film cut out in the direction of the angle θ ° from the width direction of the plastic film is (a) R TD ≦ Rθ ≦ R MD It is preferable that the metallized plastic film be selectable in a range, and (b) a metallized plastic film satisfying the relational expression of Rθ = R TD + θ ° / 90 × (R MD −R TD ). It is included as an embodiment.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the metallized plastic film of the present invention will be described in detail.
[0008]
The metallized plastic film of the present invention has a basic structure in which a conductive metal thin film is provided on both sides or one side of a plastic film as a substrate. Examples of the plastic film preferably used as the substrate in the present invention include films of polyolefin, polyester, polypropylene, polyamide, polyimide, polyphenylene sulfide, polystyrene, and the like. Among these, films such as polyethylene terephthalate, polypropylene, and polyphenylene sulfide are particularly preferably used from the viewpoint of mechanical properties and electrical properties.
[0009]
The thickness of the plastic film varies depending on the material of the film to be used, but is preferably 1 to 300 μm, more preferably 1 to 50 μm, and further preferably 1 to 15 μm.
[0010]
In the metallized plastic film of the present invention, a conductive metal thin film is formed on both sides or one side of the plastic film. As the metal constituting the conductive metal thin film used in the present invention, aluminum, zinc, gold, silver Copper, tin, silicon, magnesium, titanium, nickel, or alloys thereof are not particularly limited as long as they have conductivity, but aluminum, zinc, copper, tin, or alloys thereof are deteriorated. It is particularly preferably used because of its low cost and low cost.
[0011]
Although the thickness of a conductive metal thin film changes with metal materials, Preferably it is 1-100 nm, More preferably, it is 5-50 nm.
[0012]
Next, the metallized plastic film of the present invention will be described based on the drawings. FIG. 1 shows a vacuum for forming a metallized plastic film in which the metal thin film surface resistance (R MD ) in the longitudinal direction of the plastic film and the metal thin film surface resistance (R TD ) in the width direction of the present invention are continuously changed at a measurement angle. It is an example of the schematic of the vapor deposition machine cross section.
[0013]
In FIG. 1, in the vacuum deposition machine, the plastic film 8 fed from the feeding roll 1 is partially exposed to the lower chamber of the vacuum deposition machine through the
[0014]
In the lower chamber, two
[0015]
In FIG. 1, metal vapor is selected by the deposition preventing plate 4 in order to attach only a necessary portion of the evaporated metal to the plastic film 8, but the present invention is not limited to this, and for example, the lower chamber It can also be created by shifting the position of the
[0016]
In the metallized plastic film of the present invention, the ratio (R MD / R TD ) of the metal film surface resistance value (R MD ) in the longitudinal direction of the plastic film and the metal film surface resistance value (R TD ) in the width direction of the plastic film. ) Must be 3/2 or more and 2 or less.
[0017]
The metal film surface resistance value (R MD ) in the longitudinal direction of the plastic film is obtained by cutting a metallized plastic film into a strip having a length of 500 mm and a width of 25 mm, and the metal film surface resistance value (R TD ) cuts a metallized plastic film into a strip shape having a length of 500 mm in the width direction and a width of 25 mm, and measures the resistance value between both ends of the length of 500 mm in accordance with JIS C-2316. Deposition difficult metal thin film surface resistivity control by, can not control the resistance value only with a tolerance of about ± 20% in R MD, when R MD / R TD is less than 3/2, the metal having the necessary resistance values The plasticized film cannot be selected. Further, in order to make R MD / R TD larger than 2, the area of the portion where evaporation metal adhesion is restricted by the deposition preventing plate 4 must be widened, and the efficiency is lowered in terms of productivity.
[0018]
Although the metal film surface resistance value (R MD ) in the longitudinal direction varies depending on the metal material, it is preferably 0.4Ω / □ to 1.5 kΩ / □, more preferably 2Ω / □ to 600Ω / □. The metal film surface resistance value (R TD ) in the width direction is preferably 0.2Ω / □ to 1 kΩ / □, more preferably 1Ω / □ to 400Ω / □, although it varies depending on the metal material.
[0019]
In order to set the metal film surface resistance value in the longitudinal direction and the width direction to the above ratio, it is necessary to select a portion to be attached when the evaporated metal is attached to the plastic film 8 on the cooling roll 3, The preferred range of the portion to which the evaporated metal is attached on the cooling roll 3 varies depending on the vacuum deposition mode such as the radius of curvature of the cooling roll 3 and the positional relationship between the cooling roll 3 and the
[0020]
In the metallized plastic films of the present invention, a metal film resistance of the strip-like metallized plastic film cut in a direction from the width direction of the angle theta ° plastic film (R.theta) of R TD ≦ Rθ ≦ R MD It is preferable to be in the range. By setting the metal film resistance value within this range, it is possible to easily select a necessary resistance value.
[0021]
Furthermore, in the metallized plastic film of the present invention, with respect to the metal film surface resistance (Rθ) of the strip-shaped metallized plastic film cut out at an angle θ ° from the width direction of the plastic film, Rθ = R TD + θ ° / If made up the relational expression 90 × (R MD -R TD) , when measuring the value of R MD and R TD, by cutting the metallized plastic film at an angle of theta °, the easy required resistance You can choose.
[0022]
Next, the manufacturing method of the metallized plastic film of this invention is demonstrated.
[0023]
As a method for forming a conductive metal thin film on a plastic film as a substrate, there are a vacuum evaporation method using a high frequency induction heating method, a direct heating method, etc. as a metal evaporation method.
[0024]
The metallized plastic film of the present invention is suitably used for electric resistance parts and film capacitors used in electric circuits.
[0025]
【Example】
Hereinafter, the metallized plastic film of the present invention will be described in more detail with reference to examples.
[0026]
Regarding the measurement of the metal film surface resistance value, the metal film surface resistance value (R MD ) in the longitudinal direction of the plastic film is obtained by cutting a metallized plastic film into a strip shape having a length of 500 mm in the longitudinal direction and a width of 25 mm. The metal film surface resistance value (R TD ) in the direction is obtained by cutting a metallized plastic film into a strip shape having a length of 500 mm in the width direction and a width of 25 mm, and the resistance value between both ends of the length of 500 mm according to JIS C-2316. It was measured. For Rθ, the metallized plastic film was cut into a strip shape having a length of 500 mm in the angle θ direction and a width of 25 mm with the angle in the width direction being 0 °, and measured in the same manner. That is, in Rθ = 0 ° = R TD, is Rθ = 90 ° = R MD.
[0027]
Example 1
The area to which the deposited metal (aluminum) adheres on the cooling roll 3 is determined by the portion (hereinafter referred to as the opening) where the plastic film 8 is exposed to the
[0028]
(Example 2)
The area where the deposited metal (aluminum) adheres to the cooling roll 3 is about 1/3, and the direction immediately below the center of the cooling roll 3 is 0 ° and the counterclockwise direction is the positive direction, and the circumferential direction is −20 ° to 20 °. The protective plate 4 is arranged so as to cover the part of the film, and an aluminum metal thin film resistance value R MD between the resistance measuring rolls 6 is applied to a polypropylene film (type T2372 (trade name) manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 8 μm. Single-sided vapor deposition was carried out at a film conveyance speed of about 230 m / min with an input power per crucible of each aluminum metal evaporation source of about 8 kW so as to be about 20Ω / □. The degree of vacuum during vapor deposition was about 1 Pa in the upper chamber, about 0.05 Pa in the lower chamber, and vapor deposition was performed using a high-frequency induction heating crucible type evaporation source. As a result, a metallized plastic film with R MD = 20.0Ω / □ was obtained. About the obtained metallized polypropylene film, the metal film resistance value cut out at an angle from the film width direction is shown in Table 1.
[0029]
(Example 3)
The area where the deposited metal (aluminum) adheres to the cooling roll 3 is about 1/3, and the direction immediately below the center of the cooling roll 3 is 0 ° and the counterclockwise direction is the positive direction, and the circumferential direction is −20 ° to 20 °. The protective plate 4 is arranged so as to cover the part of the film, and an aluminum metal thin film resistance value R MD between the resistance measuring rolls 6 is placed on an 8 μm thick polyethylene terephthalate film (type C23 (trade name) manufactured by Toray Industries, Inc.). Was deposited on one side while the film was fed at a rate of about 230 m / min with an input power of about 8 kW per crucible of the aluminum metal evaporation source so that the film was about 20 Ω / □. The degree of vacuum during vapor deposition was about 1 Pa in the upper chamber, about 0.05 Pa in the lower chamber, and vapor deposition was performed using a high-frequency induction heating crucible type evaporation source. As a result, a metallized plastic film with R MD = 20.0Ω / □ was obtained. Table 1 shows metal film resistance values obtained by cutting out the obtained metallized polyethylene terephthalate film at an angle from the film width direction.
[0030]
(Comparative Example 1)
As a comparative example, remove the deposition preventing plate 4, an aluminum metal film resistance R MD polypropylene film (Toray Co., Ltd. type T2372 (trade name)) of aluminum between the resistance measurement roll 6 having a thickness of 8μm about 20 [Omega / □ One side was vapor-deposited so that As a result, a metallized plastic film with R MD = 20.3Ω / □ was obtained. Each deposited film is slit into a strip with a width of 25 mm and a length of 500 mm for each 15 ° angle, with the width direction of the metallized plastic film set to 0 °, clockwise to 90 °, and the thin film metal resistance value is determined. It was measured.
[0031]
The results are shown in Table 1. In Comparative Example 1, the difference in metal thin film surface resistance depending on the angle was 1.6 Ω / □, but in Example 1, it was 13.5 to 20.1 Ω / □, and in Example 2, 10.6 to 20.0 Ω / □. The vapor deposition film which can select resistance value in the range of this was obtained. Moreover, in Example 3, the vapor deposition film which can select resistance value in the range of 10.7-20.0 ohm / square similarly to Example 2 was obtained.
[0032]
The results are shown in Table 1.
[0033]
[Table 1]
【The invention's effect】
According to the present invention, the problem of controlling the surface resistance of the vacuum deposition method for forming a metal thin film on a substrate is solved, and a metallized plastic film having a highly accurate metal thin film surface resistance required for an electric circuit is stabilized. The industrial effect is great. In particular, in a film capacitor used as an electric / electronic component, the metal film surface resistance value (R MD ) in the longitudinal direction of the plastic film and the metal film surface resistance in the width direction of the plastic film are the features of the present invention. value since the ratio of (R TD) (R MD / R TD) is 3/2 to 2, it is considered that can limit the inrush current flowing from the longitudinal direction of the film at the time of defect breakdown of the film capacitor life Extension The effect can be expected.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a metallized plastic film in which the metal thin film surface resistance (R MD ) in the longitudinal direction and the metal thin film surface resistance (R TD ) in the width direction of the plastic film of the present invention are continuously changed at a measurement angle. It is the schematic of the vacuum evaporation machine cross section for producing.
[Explanation of symbols]
1: Feed roll 2: Intermediate roll 3: Cooling roll 4: Depositing plate 5: Metal evaporation source 6: Resistance measuring roll 7: Winding roll 8: Plastic film 9: Partition plate
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