JP4288036B2 - ガスシャワーヘッド、成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の基板に対してガスの供給を行うガスシャワーヘッド、このガスシャワーヘッドを用いて前記基板の表面に成膜を行う成膜装置及び成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造プロセスの一つにCVD(Chemical vapor deposition)処理により被処理体上に成膜を行うものがあり、この処理を行う装置の一つに枚葉式の成膜装置がある。この成膜装置は例えば内部に半導体ウエハ(以下ウエハと略す)を載置するための載置台を備える処理容器と、この載置台と対向して設けられ、ウエハ表面に向けて成膜ガスの供給を行うガスシャワーヘッドとを備えている。このシャワーヘッドは、複数種の成膜ガスが互いに混じらないように且つ横方向に拡散されてウエハ表面に均一に供給されるようにガス流路が形成されており、そのため金属板(金属製の拡散板)を例えば三段に積み重ねて構成される。これら金属板は例えばボルトにて互いに固定され且つ処理容器に取り付けられており、上面側から供給される成膜ガスが三段の金属板内を貫通する流路を下方に流れ、下端面に形成される多数の孔部からウエハの表面全体に均一に供給されることとなる。このようなガスシャワーヘッドは、複数種の成膜ガスを同時に供給できるようになっており、例えばチタンナイトライド(TiN)を成膜するために、TiCl4ガスとNH3ガスとが互いに混じらないように通過して処理容器内に供給される。
【0003】
図2はこのような二種類のガスを別々に供給可能なガスシャワーヘッドを示す縦断面図であり、図3はこれを三段に分解して示した縦断面図である。図示するようにTiCl4ガスについてはガス供給管21から上段部3aと中段部3bとの間に形成される空間31及び第1のガス流路32を介して第1の孔部33に、NH3については第2のガス流路42及び空間41を介して第2の孔部43に夫々向かうように構成されている。また第1の孔部33及び第2の孔部43の配置は互い違いとされており、両方の成膜ガスが共にウエハの表面全体に均等に行き渡るようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような複数種の成膜ガスを供給するためのガスシャワーヘッドには以下のような問題がある。即ち、ネジ止めにより固定される各段の金属板間の接触面(接合面)P2には図7に示すように機械的研磨では解消し得ない微小な凹凸があるため、ネジ止めをしても完全に密着することはなく、図8に示すような数μmのごく微小な隙間が生じてしまう。従ってこの隙間を介してTiCl4ガスとNH3ガスとが混じり合ってしまうことがあり、この場合にガスシャワーヘッド内で生成物が生じることがある。
【0005】
即ち、両成膜ガスは熱エネルギーにより反応を起こすため、通常はその裏面側を加熱されるウエハの表面近傍で反応が起こるのであるが、ガスシャワーヘッドとウエハとは接近しているため、ウエハから放射される熱によりガスシャワーヘッドも加熱され、その一部がガスシャワーヘッド内で反応してしまうのである。こうして生じた反応生成物はパーティクルの原因となるおそれがある。
【0006】
一方、前記隙間への対策としては、拡散板の接合時に当該拡散板の接合面にろう材を塗布しておくことで前記隙間を塞ぐという手法もある。しかしながら、この手法を採ると拡散板内の流路近傍部位でろう材と成膜ガスとが反応し、その反応生成物がパーティクルとなるおそれがある。具体的には、上述構成の装置において、例えばAg、Cu、Zn等のガスシャワーヘッドの構成母材以外のろう材を用いた場合に、成膜ガス中のClやF等がろう材と反応し、反応生成物が発生してしまう。またろう材を用いると各拡散板を分解することが困難となるため、洗浄作業を行う場合に不便であるという問題もある。
【0007】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、複数の金属部材を重ね合わせて構成され、基板に対して複数種の成膜ガスを供給可能なガスシャワーヘッドにおいて、各金属部材の接触面同士に生じる隙間から異なる種類の成膜ガスが混じり合うことを防ぐ技術を提供することにある。他の発明の目的は、前記ガスシャワーヘッドを成膜装置に適用し、パーティクルの発生を抑えることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るガスシャワーヘッドは、基板の表面と対向して設けられると共に前記基板と対向する面部に多数の孔部を備え、ガス供給路から送られる複数種の成膜ガスを、これら孔部を介して前記基板に同時に供給するガスシャワーヘッドにおいて、
複数の金属部材を上下に重ね合わせた状態で加熱することにより、各金属部材の接触面同士を金属拡散接合したシャワーヘッド本体と、
このシャワーヘッド本体内の前記接触面を横切るように貫通し、且つ成膜ガスの種類毎に、各々が混じり合うことのないように独立して形成される複数のガス流路と、を備えることを特徴とする。
【0009】
このような構成によれば、ガスシャワーヘッドをなす金属部材の接触面同士を加熱により化学的に結合させているので、当該接合面にある機械的な結合では解消し得なかった微小な凹凸により形成される微小な隙間を解消することができる。従って、各ガス流路におけるガス漏れを抑えると共に、ガスシャワーヘッド内で異なる成膜ガス同士が混じり合い、反応生成物が生じることを防ぐことができる。
【0010】
また本発明に係るガスシャワーヘッドは以上のような効果を有することから、例えば半導体デバイスの製造工程にて用いられる成膜装置に適用することが好ましく、成膜装置には例えば基板を載置するための載置台が設けられた処理容器と、前記載置台に載置された基板を加熱するための加熱部と、を備えたものが用いられる。なお、上記金属部材としては例えばニッケルまたはニッケル合金を用いることが好ましい。
【0011】
また本発明に係る成膜方法は、処理容器内の載置台に載置された基板に対して、当該基板に対向するガスシャワーヘッドから複数種の成膜ガスを当該シャワーヘッド内で混ざらないように基板に供給し、当該基板の表面に成膜処理を行う成膜方法において、
前記ガスシャワーヘッドは、複数の金属部材を重ね合わせた状態で、これを加熱して各金属部材の接触面同士を金属拡散接合して組み立てられ、このガスシャワーヘッドから前記複数種の成膜ガスを基板に供給し、当該基板の表面に成膜処理を行うことを特徴とする。
【0012】
このような方法において、ガスシャワーヘッドをなす各金属部材の加熱は、ガスシャワーヘッドを処理容器に装着して、基板を加熱するための加熱部及びガスシャワーヘッドに設けられた加熱部の少なくとも一方を用いて行うことが好ましい。また成膜処理の終了後に、ガスシャワーヘッドの組み立て工程と同様に当該ガスシャワーヘッドの加熱を行って複数の金属部材を互いに分離する工程を設けるようにしてもよい。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係るガスシャワーヘッドを適用した成膜装置の実施の形態を、図1〜図3を参照しながら説明する。11は例えばアルミニウムよりなる処理容器をなすチャンバであり、このチャンバ11内には基板であるウエハWを載置するためのウエハWより僅かに大きな円板状をなす載置台12と、この載置台12を下方側で支持する支持体13とが設けられている。載置台12内には、例えば抵抗加熱体を用いてなる加熱部をなす第1のヒータ14が埋設されており、成膜処理時において例えばウエハWを全面に亘って均等に昇温させ、或いは後述するガスシャワーヘッドの組み立て及び分解の各作業時にガスシャワーヘッドを所定温度に加熱するように、例えば装置外に設けられる電力供給部15から各用途に応じて温度制御を行う構成とされている。
【0014】
チャンバ11の天井部にはガスシャワーヘッド本体30及びその側方を支持するシールド部30aにて構成されるガスシャワーヘッド3が設けられている。このガスシャワーヘッド3は、ガス供給路をなすガス供給管21,22と接続され、その下端面に形成される多数の孔部(ここでは図示を省略)を介して前記載置台12に載置されるウエハWの表面に成膜ガスの供給を行うものである。またガスシャワーヘッド3の上面部には第2のヒータ23が設けられており、上述した第1のヒータ14と同様に電力供給部15にて温度制御を行うように構成されている。更にまた、ガスシャワーヘッド3には整合器20aを介して高周波電源部20bが接続されており、成膜処理時においてウエハWに供給される成膜ガスをプラズマ化し、成膜反応を促進できるようになっている。
【0015】
チャンバ11の側方にはウエハWの搬入出のためのゲートバルブ16が設けられている。載置台12には、ゲートバルブ16を介して進入してきた図示しない搬送アームとの間でウエハWの受け渡しを行えるようにリフトピン17(実際には例えば3本ある)が突没自在に設けられている。リフトピン17の昇降は、その下端部を支持する支持部材17aを介し昇降機構17bの働きにより行われる。また支持体13の周囲には図示するように排気口11aが形成されており、この排気口11aには排気管18及びバルブV1を介して真空ポンプ19が接続されている。
【0016】
次に本実施の形態の要部をなすシャワーヘッド本体30について図2及び図3を参照して説明する。図2はこのシャワーヘッド本体30の全体構造を示す縦断面図であり、例えばニッケルよりなる3つの金属部材である金属板を上下に積み重ねた構成とされている。各金属板の接触面(接合面)は例えば機械加工、機械研磨、化学研磨または電解研磨等によって加工がなされており、その粗さは例えばRa3.2〜0.2程度である。
【0017】
図3はこれら三段の金属板を分解して示したものであり、各金属板を便宜的に上段部3a、中段部3b、下段部3cと呼ぶものとすると、接合手順等の詳細は後述するが上段部3aと中段部3bとの接合面P1、及び中段部3bと下段部3cとの接合面P2は共に拡散接合により隙間なく接合されており、上段部3aと中段部3bとの間には空間31が、中段部3bと下段部3cとの間には空間41が夫々形成されている。中段部3bには空間31から下段部3cへと貫通する多数の第1のガス流路32と、空間31へは連通せず空間41へと連通する第2のガス流路42とが形成されている。下段部3cには第1のガス流路32に連通する多数の第1の孔部33と、空間41に連通する多数の第2の孔部43とが形成されている。また、上段部3aと中段部3bとの間についてはボルト34aによっても固定(ネジ止め)可能とされており、同様に中段部3bと下段部3cとの間についてもボルト34bにより固定が可能とされている。
【0018】
上段部3aの上面には、既述のようにガス供給管21及びガス供給管22が夫々接続されているが、ガス供給管21は空間31に連通し、ガス供給管22は第2のガス流路を介して空間41へと連通している。ここで空間31及び空間41の形状について図3を参照しながら説明すると、空間31は中段部3bの上面に形成される例えば円柱状の凹部35aと、上段部3aの下面35bとで囲まれる円柱状の空間であり、横方向に連通する一体的空間として構成されている。空間41については中段部3bの下面に形成される例えば円柱状の多数の凹部36aと下段部3cの上面36bとで囲まれ、且つ各凹部36aが図示しない流路を介して各々が横方向に連通する一体的空間として構成されている。
【0019】
このため、ガス供給管21から送られてくる成膜ガスは空間31にて横方向に分散し、第1のガス流路32を介して第1の孔部33へと向かい、ガス供給管22から送られてくる成膜ガスは、第2のガス流路を介して空間41へと流入し、この空間41内で横方向に分散して第2の孔部43へと向かう。即ち、ガスシャワーヘッド3は、ガス供給管21及び22を流れる2種類の成膜ガスがシャワーヘッド本体30内で混じりあうことなしに独立してウエハWに向かうマトリックスタイプとなっている。
【0020】
次いでガス供給管21、22の上流側について説明する。ガス供給管21の上流側にはバルブV2を介して第1の成膜ガス(TiCl4)供給源21aが、またガス供給管22の上流側にはバルブV3を介して第2の成膜ガス(NH3)供給源22aが夫々接続されている。第1及び第2の成膜ガス供給源21a,22aには夫々の成膜成分である液体ソースが貯留されており、例えば成膜処理時にはキャリアガスを用いてこの液体ソースを気化させて蒸気とし、この蒸気をガス供給管21,22を介してガスシャワーヘッド3に送る構成とされている。
【0021】
次に上述実施の形態における作用について図4に示す工程図に沿って説明していく。先ずウエハWへの成膜処理に先立ち、ガスシャワーヘッド3の組み立てを行う。これは例えば洗浄などを行うために分解されたシャワーヘッド本体30をなす3つの金属板を接合するものであり、例えばチャンバ11の外部にて上段部3a、中段部3b、下段部3cを所定の向き及び位置で密着させ、上段部3aと中段部3bとの間はボルト34aにて、中段部3bと下段部3cとの間はボルト35bにて、各箇所を例えば30kg/cm2のトルクで仮止めする(ステップS1)。そして仮止めされたガスシャワーヘッド3をチャンバ11内の所定位置に装着し、チャンバ11内に例えば図示しない窒素ガス供給手段から3600cc/分で窒素ガスを供給すると共に、圧力が1.33322×102Pa(1Torr)となるように排気流量の調節を行い、係る状態で第1のヒータ14及び第2のヒータ23を用いてチャンバ11内の加熱を開始する。するとシャワーヘッド本体30内の上段部3aの下面と中段部3bの上面との接合面P1及び中段部3bの下面と下段部3cの上面との接合面P2をなすニッケル同士が融解し、当該接合面P1,P2における微小な隙間を埋めながら、極表層で金属拡散接合が進行する。そして例えばボルト34a,34bを外しても接合面P1または接合面P2が分離しない程度の結合力を得られるまでそのまま加熱を継続することで、ガスシャワーヘッド3の組み立てが終了する。具体的には接合面P1,P2が所定の結合力を得ることが必要であり、例えば接合面P1の面積が50cm2以上好ましくは100cm2以上であるときには、500℃以上で12時間の加熱を行うことが好ましい。
【0022】
続いてウエハWに対して成膜処理を行う。先ずゲートバルブ16を開くと図示しない搬送アームがチャンバ11内へと進入し、ウエハWは搬送アームからリフトピン17へと受け渡される。しかる後リフトピンを下降させてウエハWを載置台12の中央に載置し、ステップS3に示す成膜処理工程を開始する。この工程は先ず第1のヒータ14及び第2のヒータ23によりウエハWの表面温度が所定のプロセス温度例えば450℃〜700℃となるまで昇温させ、バルブV1を開いてチャンバ11内が所定の真空度に維持されるように排気口11aを介して真空ポンプ19から排気を行って、しかる後バルブV2及びV3を開いてガスシャワーヘッド3への成膜ガスの供給を開始する。このとき図示しない制御部ではTiCl4ガス及びNH3ガスが所定の流量でガスシャワーヘッド3に向かうように、例えば図示しない流量調節手段を介して各成膜ガスの流量調節を行う。
【0023】
ガスシャワーヘッド3内において、TiCl4ガス及びNH3ガスは、各流路内において下方側に向かいながら夫々混じり合うことなく分散していき、互い違いに配置される第1の孔部33及び第2の孔部43を介してウエハWの表面全体に均等に供給される。そして、成膜ガスはウエハWの表面近傍にて当該ウエハWから放射される熱エネルギーを受けて分解し、ウエハWの表面には熱エネルギーによる化学的気相反応によりTiNの薄膜が形成される。所定時間経過後バルブV2及びV3を閉じて成膜ガスの供給を停止し、更に第1のヒータ14による加熱を停止して、このチャンバ11内における所定の後工程を行った後、搬入時とは逆の順序でウエハWの搬出を行う。
【0024】
ガスシャワーヘッド3は例えば所定枚数の成膜処理を行うと、図示しないガス供給源から送られるクリーニングガス例えばClF3ガスをチャンバ11内に供給し、チャンバ11内に成膜された不要な膜の除去(クリーニング)を行う(ステップS4)。しかる後、内部の洗浄を行うためにガスシャワーヘッド3は再び解体(分解)される(ステップS5)。このガスシャワーヘッド3の解体工程は、基本的にステップS1及びS2にて説明した組み立て工程と逆の順序で行うものであるが、最初にガスシャワーヘッド3をチャンバ11から取り出してステップS1にて行った仮止めのときよりもボルト34a,34bを例えば1mm程度ゆるませる。そして再びガスシャワーヘッド3をチャンバ11内に戻して加熱を行うと、接合面P1及びP2における結合力が弱まり、シャワーヘッド本体30を構成する各金属板同士が脱離する。
【0025】
このときの加熱条件はステップS2と概ね同じであるが、加熱温度については組み立て時よりも同じか僅かに高いことが好ましく、上述した例と同様のシャワーヘッド本体30について言えば、組み立て時の接合加熱温度が500℃であったものを分解時には500℃以上、好ましくは550℃以上とすることが好ましい。そして加熱を停止し、冷却後、上段部3a、中段部3b及び下段部3cが夫々分離して、チャンバー11から取り出してボルト34a及びボルト34bを夫々外すことで解体工程が完了する。
【0026】
このように本実施の形態によれば、ガスシャワーヘッド3(シャワーヘッド本体30)を構成する複数の金属面間を加熱により化学的に結合させているため、例えばネジ止め等の前記金属板の機械的な結合では解消できなかった隙間、即ち当該接合面にある機械的研磨では解消し得ない微小な凹凸による隙間を解消することができる。従って各金属板間の接合面を横断して形成される成膜ガスの流路において、前記接合面でのガス漏れを完全に抑えることができるため、ガスシャワーヘッド3内で異なる種類の成膜ガス同士が混じり合うことを抑えられると共に、この混じり合いに伴う反応生成物の発生をも完全に抑えることができる。
【0027】
即ち、本実施の形態では上記混じり合いを完全に防ぐことで、各成膜ガスをガスシャワーヘッド3の孔部32(32a、32b)の配列に沿って、ウエハW表面上の全体に高い精度で均一に供給できるため、薄膜の面内均一性が向上する。更にガスシャワーヘッド3内における反応生成物の発生を抑えることで、パーティクルの原因が消滅するため、ウエハW上のパーティクル等の汚染のおそれが完全になくなり製品の歩留まりが向上するという効果もある。
【0028】
更に本実施の形態では、金属面の接合にろう材を用いることもないため、ガスシャワーヘッド3の組み立てと同様の手順で簡易に接合面を分離することができ、例えばガスシャワーヘッド3内に形成されている各ガス流路の洗浄を容易に行うことができる。
【0029】
なお、本実施の形態ではガスシャワーヘッド3の組み立て及び解体のいずれについても成膜処理を行うチャンバ11内で行うようにしたが、これらの作業は例えばチャンバ11とは別個に設けた加熱炉等にて行うようにしてもよい。またガスシャワーヘッド3を構成する金属は成膜ガスと反応することがなく、且つ加熱による金属拡散接合及び分離が可能な金属であれば、ニッケル以外のものであってもよく、例えばアルミニウム及びその合金、或いはニッケル、クロム系の合金等であっても同様の効果を得ることができる。更にまた、同様の効果を奏するものである限り、複数の金属板は全て同じ種類の金属である必要はない。具体的には例えばニッケル製の金属板とアルミニウム製の金属板との組み合わせ等が可能である。また、ガスシャワーヘッド3の組み立て及び解体における加熱に際し、使用するヒータは第1のヒータ14,第2のヒータ23のいずれか一方であってもよい。
【0030】
また、シャワーヘッド本体30の構成は上記実施の形態のものに限定されるものではなく、例えばTi膜或いはTiN膜等の成膜に用いられる図6に示すシャワーヘッド本体5によっても上述実施の形態と同様の効果を得ることが可能である。以下シャワーヘッド本体5の構成について簡単に説明する。シャワーヘッド本体5についても複数例えば三段の金属板からなり、これら金属板を上側から順に上段部5a,中段部5b及び下段部5cと呼ぶものとすると、夫々の接合面Q1,Q2は金属拡散接合にて密着されており、これに加えて下段部3cの下面側から上段部3aまで貫通するボルト50によっても固定が可能とされている。上段部5aと中段部5bとの間には、中段部5bの上面に凹部を形成してなる空間51が形成されており、中段部5bと下段部5cとの間には中段部5bの下面に凹部を形成してなる空間61が夫々形成されている。
【0031】
中段部5bには、空間51から下段部5cへと連通する多数の第1のガス流路52と、空間51には連通せず空間61から上段部5aへと連通する第2のガス流路62とが夫々形成されている。下段部5cには第1のガス流路52と連通する多数の第1の孔部53と、空間61と連通する多数の第2の孔部63とが夫々形成されており、第1の孔部53と第2の孔部63とは例えば互い違いとなるように配列される。上段部5aについては、上面に第1の成膜ガスを供給するガス供給管54と第2の成膜ガスを供給するガス供給管64とが接続されている。また上段部5a内にはガス供給管54と空間51とを連通させる第3のガス流路55と、ガス供給管64と第2の流路62とを連通させる第4のガス流路65とが形成されている。従って第1の成膜ガスは、ガス供給管54→第3のガス流路55→空間51→第1のガス流路52→第1の孔部53という経路でウエハWへと供給される、第2の成膜ガスは、ガス供給管64→第4のガス流路65→第2のガス流路62→空間61→第2の孔部63という経路でウエハWへと供給され、各々はシャワーヘッド本体5内で混じり合うことがない。なお本実施の形態においても、シャワーヘッド本体5に用いられる金属は上述実施の形態と同様であるため、加熱による接合、離脱についても同様の条件下で行うことが可能である。
【0032】
【実施例】
上述実施の形態における加熱条件とニッケル同士の結合力を確認するため、一組のニッケル製の試験片を用意して両者の結合力と加熱温度との関係を調べる試験を行った。この試験において用いた試験片同士の接触面積は25cm2であり、加熱装置としては本実施の形態にて用いた成膜装置と同様のものを使用した。また当該成膜装置におけるチャンバ内の圧力は1.33322×102Pa(1Torr)に維持し、更に窒素ガスを3600cc/分の流量で供給すると共に加熱時間を12時間として試験を行った。
【0033】
図5はこの試験の結果を示す特性図であり、図示するようにニッケルの結合力は試験片の温度が500℃以上において急激に上昇することが分かる。なお図中一点鎖線で示す結合力αは、本実施の形態で用いたガスシャワーヘッド3において接合面P1の面積が50cm2以上好ましくは100cm2以上であるときに、接合面P1が分離しない結合力を示すものである。このように拡散接合された金属面同士は高い結合力で結ばれ、接合面の微小な隙間が解消されることが確認できた。
【0034】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、複数の金属部材を重ね合わせて構成され、基板に対して複数種の成膜ガスを供給可能なガスシャワーヘッドにおいて、各金属部材の接触面同士に生じる隙間から異なる種類の成膜ガスが混じり合うことを防ぐことができる。他の発明によれば、前記ガスシャワーヘッドを成膜装置に適用することで、パーティクルの発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る成膜装置の実施の形態を示す縦断面図である。
【図2】前記成膜装置に設けられるシャワーヘッド本体の構成を示す縦断面図である。
【図3】前記シャワーヘッド本体を分解して示した縦断面図である。
【図4】本実施の形態における作用を示す工程図である。
【図5】本実施の形態の効果を確認するために行った試験の結果を示す特性図である。
【図6】本発明に係る成膜装置の他の実施の形態におけるシャワーヘッド本体の構成を示す縦断面図である。
【図7】従来の技術に係るガスシャワーヘッドの課題について示す概略説明図である。
【図8】従来の技術に係るガスシャワーヘッドの課題について示す概略説明図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ
P1,P2 接合面
V1,V2,V3 バルブ
11 チャンバ
12 載置台
14 第1のヒータ
15 電力供給部
21,22 ガス供給管
23 第2のヒータ
3 ガスシャワーヘッド
3a 上段部
3b 中段部
3c 下段部
30 シャワーヘッド本体
30a シールド部
31,41 空間
32 第1のガス流路
33 第1の孔部
42 第2のガス流路
43 第2の孔部
Claims (5)
- 基板の表面と対向して設けられると共に前記基板と対向する面部に多数の孔部を備え、ガス供給路から送られる複数種の成膜ガスを、これら孔部を介して前記基板に同時に供給するガスシャワーヘッドにおいて、
複数の金属部材を上下に重ね合わせた状態で加熱することにより、各金属部材の接触面同士を金属拡散接合したシャワーヘッド本体と、
このシャワーヘッド本体内の前記接触面を横切るように貫通し、且つ成膜ガスの種類毎に、各々が混じり合うことのないように独立して形成される複数のガス流路と、を備えることを特徴とするガスシャワーヘッド。 - 金属部材はニッケルまたはニッケル合金からなることを特徴とする請求項1記載のガスシャワーヘッド。
- 基板を載置するための載置台が設けられた処理容器と、
前記載置台に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記処理容器に設けられる請求項1または2記載のガスシャワーヘッドと、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 処理容器内の載置台に載置された基板に対して、当該基板に対向するガスシャワーヘッドから複数種の成膜ガスを当該シャワーヘッド内で混ざらないように基板に供給し、当該基板の表面に成膜処理を行う成膜方法において、
前記ガスシャワーヘッドは、複数の金属部材を重ね合わせた状態で、これを加熱して各金属部材の接触面同士を金属拡散接合して組み立てられ、このガスシャワーヘッドから前記複数種の成膜ガスを基板に供給し、当該基板の表面に成膜処理を行うことを特徴とする成膜方法。 - 金属部材はニッケルまたはニッケル合金からなることを特徴とする請求項4記載の成膜方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002043483A JP4288036B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | ガスシャワーヘッド、成膜装置及び成膜方法 |
PCT/JP2003/001890 WO2003071003A1 (fr) | 2002-02-20 | 2003-02-20 | Tete d'aspersion de gaz, dispositif et procede de formation d'un film |
CNB038006928A CN1250767C (zh) | 2002-02-20 | 2003-02-20 | 气体喷头、成膜装置及成膜方法 |
KR1020067012397A KR100729874B1 (ko) | 2002-02-20 | 2003-02-20 | 가스 샤워 헤드, 성막 장치 및 성막 방법 |
KR1020047012751A KR100633892B1 (ko) | 2002-02-20 | 2003-02-20 | 가스 샤워 헤드, 성막 장치 및 성막 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002043483A JP4288036B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | ガスシャワーヘッド、成膜装置及び成膜方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007268190A Division JP4816616B2 (ja) | 2007-10-15 | 2007-10-15 | ガスシャワーヘッド、処理装置、処理方法及び処理装置のメンテナンス方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003247073A JP2003247073A (ja) | 2003-09-05 |
JP4288036B2 true JP4288036B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=27750527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002043483A Expired - Fee Related JP4288036B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | ガスシャワーヘッド、成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4288036B2 (ja) |
KR (2) | KR100633892B1 (ja) |
CN (1) | CN1250767C (ja) |
WO (1) | WO2003071003A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5044931B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及び基板処理装置 |
KR100866912B1 (ko) | 2007-05-31 | 2008-11-04 | 주식회사 마이크로텍 | 화학기상증착장비 |
US20080314311A1 (en) * | 2007-06-24 | 2008-12-25 | Burrows Brian H | Hvpe showerhead design |
US7807222B2 (en) * | 2007-09-17 | 2010-10-05 | Asm International N.V. | Semiconductor processing parts having apertures with deposited coatings and methods for forming the same |
JP2009224590A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP4731580B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
KR101412034B1 (ko) * | 2008-06-18 | 2014-06-26 | 주식회사 원익아이피에스 | 가스분사조립체 및 이를 이용한 박막증착장치 |
KR101155291B1 (ko) * | 2010-02-22 | 2012-06-12 | 주식회사 테스 | 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템 |
JP6115244B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
EP3275008B1 (en) * | 2015-03-25 | 2022-02-23 | Applied Materials, Inc. | Chamber components for epitaxial growth apparatus |
US10297458B2 (en) * | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3360098B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
JPH10226885A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Ebara Corp | ガス噴射ヘッド |
JP3125043B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2001-01-15 | 東京大学長 | 分離可能な接合構造物及びその分離方法 |
JP2000239837A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-09-05 | Sony Corp | 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の分離方法 |
JP2001064777A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-13 | Ebara Corp | ガス噴射ヘッド |
JP4717179B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2011-07-06 | 日本電気株式会社 | ガス供給装置及び処理装置 |
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002043483A patent/JP4288036B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-20 WO PCT/JP2003/001890 patent/WO2003071003A1/ja active Application Filing
- 2003-02-20 KR KR1020047012751A patent/KR100633892B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-20 CN CNB038006928A patent/CN1250767C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-20 KR KR1020067012397A patent/KR100729874B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1250767C (zh) | 2006-04-12 |
JP2003247073A (ja) | 2003-09-05 |
KR20060079804A (ko) | 2006-07-06 |
CN1533447A (zh) | 2004-09-29 |
KR20040086392A (ko) | 2004-10-08 |
WO2003071003A1 (fr) | 2003-08-28 |
KR100729874B1 (ko) | 2007-06-18 |
KR100633892B1 (ko) | 2006-10-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071015 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090310 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090330 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150403 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |