JP4287982B2 - 2層レジスト上層用ポジ型シリコーン含有レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線等の輻射線による露光用のポジ型シリコーン含有感光性組成物に関し、さらに詳しくは、IC等の半導体製造工程で、例えば回路基板等を製造する際に用いる、特に高い解像力と感度、矩形な断面形状のレジストを与え且つ広いプロセス許容性をそなえた微細加工用ポジ型シリコーン含有感光性組成物に関する。
【0002】
本発明のポジ型シリコーン含有感光性組成物は、次のような工程で用いることができる。例えば、半導体ウエハー、又はガラス、セラミックス、金属等の基板上に又はそれらの上に反射防止層や有機膜を設置した上にスピン塗布法又はローラー塗布法で0.01〜3μmの厚みに塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介して回路パターン等を活性光線照射等により焼き付け、現像してポジ画像が得られる。更にこのポジ画像をマスクとしてエッチングする事により基板にパターン状の加工を施す事ができる。代表的な応用分野にはIC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程等がある。
【0003】
【従来の技術】
LSIの高集積化にともない従来の単層レジストでは解像限界が明らかになり、レジストを単層ではなく多層化することにより、膜厚が厚くしかも微細な高形状比パターンを形成する方法が提案されている。すなわち、第1層目に有機高分子の厚膜を形成し、その上の第2層に薄膜のレジスト材料層を形成したのち、第2のレジスト材料に高エネルギー線を照射し、現像する。それにより得られるパターンをマスクとして第1の有機高分子を酸素プラズマエッチング(O2RIE)で異方エッチングすることにより矩形形状性の高いパターンを得ようとするものである(リン、ソリッドステートテクノロジー第24巻第73ぺ一ジ(1981)参照)。
【0004】
この場合、第2レジスト層はO2−RIE耐性が高くなければならないので、通常シリコン含有ポリマーが用いられている。特に分子設計の自由度が広がることや合成の容易さから側鎖にシリコン原子を有する酸分解性基含有ビニルポリマーを用いる試みが多くなされている。例えば、特公平7-99435号、欧州特許第494383号、米国特許第5998557号、同5856071号、等の各公報が挙げられる。
【0005】
しかし、こうした2層レジスト法の試みでもたとえばKrFを露光光源とした0.18μm以下の限界解像力付近の微細なパターン形成用に適用すると、ラインアンドスペースの密な部分と疎な部分におけるパターンサイズの差、いわゆる疎密依存性が大きいという問題が発生し、半導体等のデバイス作成への実際の適用が困難となっている。さらに別の問題として、露光マージン(特にアンダー露光側のマージン)が非常に小さいという問題がある。これは目標とするパターンサイズに露光量を合わせ込んだときに、少しアンダー露光側に露光量が変化するとパターンサイズが大きく変化したり、場合によっては急にラインアンドスペースのパターンが抜けなくなるという問題があり、これらの部分における改良が強く望まれていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体デバイスの製造において、ArFやKrFを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、高い解像力を有するポジ型感光性組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、特に0.18μm以下の微細パターンにおける疎密依存性、および露光マージンに優れたレジストパターンを与えるポジ型感光性組成物を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記特性に留意し、鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明の目的は、以下の構成で達成することができる。
【0008】
(1) (a)側鎖にシリコン原子を有し、かつ水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマー、
(b)下記一般式(PAG7)または(PAG8)で表される構造を有する活性光線もしくは放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物、
(d)溶媒
とを含有することを特徴とする、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用のポジ型シリコーン含有レジスト組成物。
【化12】
式中、
Ar11、Ar12は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。
R303、R304、R305は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、または置換もしくは未置換のアリール基を示す。
Zl-はカルボン酸アニオンを表す。
【0009】
(2) 前記レジスト組成物が、(c)活性光線もしくは放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物を更に含有することを特徴とする前記(1)に記載の、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用のポジ型シリコーン含有レジスト組成物。
【0010】
(3) 前記(a)側鎖にシリコン原子を有し、かつ水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマーが、下記一般式(1)で表される繰り返し単位、及び一般式(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位を有するポリマーであることを特徴とする前記(1)に記載の、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用のポジ型シリコーン含有レジスト組成物。
【0011】
【化6】
【0012】
式(1)中、R2〜R4は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0又は1を表す。
【0013】
【化7】
【0014】
式(2a)中、Y2は 水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。Lは単結合もしくは2価の連結基を表す。Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。
【0015】
【化8】
【0016】
式(2b)中、X1とX2はそれぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、−NH−、−NHSO2−から選ばれた基を表す。L11とL12はそれぞれ独立に単結合もしくは2価の連結基を表す。A2は水素原子、シアノ基、水酸基、−COOH、−COOR5、−CO−NH−R6、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、又は−COOQを表す。(R5とR6はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。)Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。
【0017】
(4) 前記(a)側鎖にシリコン原子を有し、かつ水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマーが、一般式(1)で表される繰り返し単位、及び一般式(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位、及び下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有するポリマーであることを特徴とする前記(1)に記載の、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用のポジ型シリコーン含有レジスト組成物。
【0018】
【化9】
【0019】
式(3)中、Zは酸素原子、又はN−R7を表す、R7は水素原子、水酸基、直鎖または分岐を有するアルキル基、あるいは−O−SO2−R8を表す。R8はアルキル基、又はトリハロメチル基を表す。
【0020】
(5) 前記の(a)側鎖にシリコン原子を有し、かつ水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマーが、下記一般式(4)で表される繰り返し単位を有することを特徴とする前記(1)に記載の、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用のポジ型シリコーン含有レジスト組成物。
【0021】
【化10】
【0022】
式中、R0は水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。R2〜R4はそれぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。L21は2〜4価の連結基を表す。lは1〜3の整数を表す。
(6) 下層レジスト上に上記(1)〜(5)のいずれかに記載の、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用のポジ型シリコーン含有レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を明らかにするが、本発明はこれに限定されない。
まず、本発明に用いられる(a)成分のシリコン原子含有酸分解性ポリマーについて説明する。本ポリマーは下記に示すポリマーの形態で用いられる。
すなわち、
▲1▼一般式(1)で示される繰り返し単位、及び一般式(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位を必須成分とする共重合ポリマー
▲2▼一般式(1)で示される繰り返し単位、一般式(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位、及び一般式(3)で示される繰り返し単位を必須成分とする共重合ポリマー
▲3▼一般式(4)で示される繰り返し単位を含有するホモポリマー、または他のモノマー成分をさらに含有する共重合ポリマー
である。
【0024】
尚、本発明は請求項に記載の構成を有するものであるが、その他についても参考のために記載した。
一般式(1)において、R2〜R4は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、トリアルキルシリルオキシ基から選ばれる基を表す。上記アルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖または分岐のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基である。
【0025】
ハロアルキル基としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基が挙げられる。
アルコキシ基としては、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基であり、更に好ましくはメトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基であり、中でも特に好ましいのはメトキシとエトキシ基である。
【0026】
トリアルキルシリルのアルキル基としては炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基であり、中でも最も好ましいのはメチル基である。
トリアルキルシリルオキシ基のアルキル基としては炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基であり、中でも最も好ましいのはメチル基である。
nは0または1を表す。
【0027】
上記一般式(1)で表される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【0028】
【化11】
【0029】
一般式(2a)において、Y2は水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、シアノ基、ハロゲン原子(Cl、Br、Iなど)であり、より好ましくは水素原子、炭素数1〜3のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基である。
【0030】
Lは単結合もしくは2価の連結基を表す。Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。
Qとして具体的には、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシルオキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフルフリル基、トリアルキルシリル基、3−オキソシクロヘキシル基、2−メチル−アダマンチル基、メバロニックラクトン残基、2−(γ−ブチロラクトニルオキシカルボニル)−2−プロピル基等を挙げることができる。
【0031】
上記一般式(2a)で表される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【0032】
【化12】
【0033】
【化13】
【0034】
一般式(2b)において、X1とX2はそれぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、−NH−、−NHSO2−から選ばれた基を表す。L11とL12はそれぞれ独立に単結合もしくは2価の連結基を表す。
上記L11とL12における2価の連結基としては、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせが挙げられる。
上記L11およびL12におけるアルキレン基、置換アルキレン基としては、下記式で表される基を挙げることができる。
−〔C(Ra )(Rb )〕r −
式中、Ra 、Rb は、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。rは1〜10の整数を表す。
【0035】
一般式(2b)において、A2は水素原子、シアノ基、水酸基、−COOH、−COOR5、−CO−NH−R6、置換されていても良いアルキル基、アルコキシ基、又は−COOQを表す。(R5、R6はそれぞれ独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表す。)
A2、R5、R6における、アルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖または分岐のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基である。同じくアルコキシ基としては、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルコキシ基であり、更に好ましくはメトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基であり、中でも特に好ましいのはメトキシとエトキシ基である。
Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。
同じくQは、繰り返し単位(2a)のQと同様な基が挙げられる。
【0036】
上記一般式(2b)で表される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【0037】
【化14】
【0038】
【化15】
【0039】
【化16】
【0040】
【化17】
【0041】
【化18】
【0042】
【化19】
【0043】
一般式(3)において、Zは酸素原子、又はN−R7を表す。R7は水素原子、水酸基、直鎖または分岐を有するアルキル基、あるいは−O−SO2−R8を表す。
R8はアルキル基、又はトリハロメチル基を表す。R8のアルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖または分岐のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基である。
上記一般式(3)で表される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【0044】
【化20】
【0045】
【化21】
【0046】
本発明の(a)成分として用いられる、上記▲1▼の形態において、一般式(1)で表される繰り返し単位と、一般式(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位の含有量は、レジストの酸素プラズマエッチング耐性、基板密着性等や、感度、プロファイル、解像力等のレジスト性能を勘案して適宜設定することができる。
一般式(1)で表される繰り返し単位の含有量は10〜90モル%であり、好ましくは15〜70モル%、さらに好ましくは20〜50モル%である。また繰り返し単位(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位の含有量は、10〜90モル%であり、さらに好ましくは25〜50モル%である。
【0047】
また、本発明の(a)成分として用いられる、上記▲2▼の形態において、一般式(1)で表される繰り返し単位と、一般式(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位にさらに一般式(3)で表される繰り返し単位を含有する酸分解性ポリマーにおいても、上記と同様の観点から、その繰り返し単位の含有量を適宜設定することができる。
【0048】
一般式(1)で表される繰り返し単位の含有量は10〜90モル%であり、好ましくは15〜70モル%、さらに好ましくは20〜50モル%である。また、繰り返し単位(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位の含有量は、5〜50モル%であり、好ましくは10〜40%である。
繰り返し単位(3)の含有量は、10〜90モル%であり、好ましくは15〜70モル%、さらに好ましくは20〜60%である。
【0049】
次に一般式(4)について説明する。
一般式(4)において、R0はY2と同義である。
L21は2〜4価の連結基を表すが、具体的には、置換基を有していてもよいアルキレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、アリーレン基、アラルキレン基、またはこれらの基を組合せた基を表し、さらに、連結基の途中に−O−構造、−COO−構造、−O(CO)−構造を含んでいてもよい。
上記置換基としては、たとえばCl、Br等のハロゲン原子、−CN基、−OH基、アミノ基、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜8のシクロアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜14のアラルキル基等が挙げられる。
【0050】
L21が2価の連結基の場合、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキレン基、フェニレン基、またはこれらの基を組合せた基であり、特に好ましくは炭素数1〜6のアルキレン基(メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、−C(CH3)2−CH2−基、−C(CH3)2−CH2CH2−基等)である。
【0051】
L21が3価の連結基の場合、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキレン基、フェニレン基、またはこれらの基を組合せた基であり、特に好ましくは、下記に示す3価の基である。
【0052】
【化22】
【0053】
L21が4価の連結基の場合、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキレン基、フェニレン基、またはこれらの基を組み合せた基であり、特に好ましくは、下記に示す4価の基である。
【0054】
【化23】
【0055】
lは1〜3の整数を表す。
一般式(4)で表される繰り返し単位において、シリコン原子が繰り返し単位中におけるエステル基のエーテル酸素のβ-位にある場合は、本繰り返し単位のみで酸分解性基としても機能する。この場合、(a)成分のポリマーはこれ以外に酸分解性基を含むポリマー成分を含有してもよいし、しなくてもよい。
また、シリコン原子が繰り返し単位中におけるエステル基のエーテル酸素のβ-位以外にある場合は、(a)成分のポリマーはこれ以外に酸分解性基を含むポリマー成分を含有する。これらの酸分解性基含有ポリマー成分としては、上記一般式(2a)、(2b)の説明で挙げたものと同じものがあげられる。
【0056】
一般式(4)で表される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【0057】
【化24】
【0058】
一般式(4)で表される繰り返し単位が酸分解性基として機能する場合、(a)成分のポリマー中における一般式(4)で表される繰り返し単位の含有量は、レジストの酸素プラズマエッチング耐性、基板密着性等や、感度、プロファイル、解像力等のレジスト性能を勘案して適宜設定することができる。
一般式(4)で表される繰り返し単位の含有量は好ましくは10〜100%であり、さらに好ましくは20〜90%であり、特に好ましくは25〜80%である。
【0059】
また、一般式(4)で表される繰り返し単位が酸分解性基として機能しない場合も同様に一般式(4)のポリマー中の含有量は適宜設定されるが、好ましくは10〜90モル%であり、好ましくは15〜70モル%、さらに好ましくは20〜50モル%である。
また繰り返し単位(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位単位の含有量は、10〜90モル%であり、さらに好ましくは25〜50モル%である。
【0060】
本発明に用いられる(a)成分のポリマーは、一般式(1)、(2a)、(2b)、(3)、(4)で表される繰り返し単位のほかにも製膜性、密着性、現像性等を向上させる目的でさらに他の繰り返し単位を含有する共重合体であってもよい。
【0061】
このような他の繰り返し単位に相当する単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物が挙げられる。
【0062】
具体的にはたとえば、アクリル酸エステル類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好ましい)アクリレート(例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、べンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等);
【0063】
メタクリル酸エステル類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好ましい。)メタクリレート(例えばメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート等);
【0064】
アクリルアミド類、例えばアクリルアミド、N−アルキルアクリルアミド(アルキル基としては炭素原子数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基等がある。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アルキル基としては炭素原子数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基等がある。)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルアクリルアミド、N−2−アセトアミドエチル−N−アセチルアクリルアミド等;
【0065】
メタクリルアミド類、例えばメタクリルアミド、N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基としては炭素原子数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基等がある。)、N,N−ジアルキルメタクリルアミド(アルキル基としてはエチル基、プロピル基、ブチル基等がある。)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメタクリルアミド等;
【0066】
アリル化合物、例えばアリルエステル類(例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル等)、アリルオキシエタノール等;
【0067】
ビニルエーテル類、例えばアルキルビニルエーテル(例えばヘキシルビニエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルニーテル等);
【0068】
ビニルエステル類、例えばビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレート等;
【0069】
イタコン酸ジアルキル類(例えばイタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等);フマール酸のジアルキルエステル類(例えばジブチルフマレート等)又はモノアルキルエステル類;
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリル等がある。その他にも、上記種々の繰り返し単位と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であればよい。
【0070】
本発明に用いられる(a)成分のポリマーの重量平均分子量は、特に制限はないが、(b)成分及び/又は(c)成分の光酸発生剤やその他の添加剤との相溶性、有機溶剤性、製膜性等から、1000〜100万が好ましく、さらには2000〜10万が好ましい。
また、本発明に用いられる(a)成分のポリマーは、単独で用いてもよいし、2種類以上混合して用いてもよい。(a)成分のポリマーの使用量は、感光性組成物の全重量(溶媒を除く)を基準として40〜99重量%、好ましくは60〜98重量%である。
【0071】
以下に本発明の用いられる(a)成分のポリマーの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。括弧に付されている数字はモル分率である。
【0072】
【化25】
【0073】
【化26】
【0074】
【化27】
【0075】
【化28】
【0076】
【化29】
【0077】
【化30】
【0078】
【化31】
【0079】
次に(b)成分の、活性光線もしくは放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物について説明する。この化合物は、好ましくは下記一般式(PAG7)、(PAG8)で表されるものが用いられる。
【0080】
【化32】
【0081】
ここでAr11、Ar12はそれぞれ後述のAr1、Ar2と同義である。R303、R304、R305はそれぞれ後述のR203、R204、R205と同義である。
Zl-はカルボン酸アニオンを表し、好ましくはパーフルオロアルカンカルボン酸アニオン(CF3SO3 -、C4F9SO3 -、C8F17SO3 -など)、置換基を有していてもよいアルカンスルホン酸アニオン、置換基を有していてもよいベンゼンカルボン酸アニオン、ナフタレン−1−カルボン酸アニオン等の縮合多核芳香族アニオン、アントラキノンカルボン酸アニオン等を挙げる事ができる。
ここでの置換基の種類としては、後述のZ-の説明で述べた置換基と同じものが挙げられる。
Zl-として特に好ましくはパーフルオロアルカンカルボン酸アニオン、置換基を有していてもよいアルカンスルホン酸アニオン、置換基を有していてもよいベンゼンカルボン酸アニオンである。
【0082】
一般式(PAG7)及び(PAG8)で表される化合物の好ましい例としては、以下に示す化合物が挙げられる。
【0083】
【化33】
【0084】
【化34】
【0085】
次に(c)成分の、活性光線もしくは放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物について説明する。この化合物は、下記一般式(PAG3)、(PAG4)、(PAG5)、(PAG6)で表されるものが用いられる。
【0086】
【化35】
【0087】
【化36】
【0088】
ここで式中、Ar1、Ar2は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカプト基およびハロゲン原子が挙げられる。
【0089】
R203、R204、R205は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。
【0090】
またR203、R204、R205のうちの2つおよびAr1、Ar2はそれぞれの単結合または置換基を介して結合してもよい。
【0091】
Z-はスルホン酸アニオンを表し、好ましくはパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン(CF3SO3-、C4F9SO3-、C8F17SO3-など)、置換基を有していてもよいベンゼンスルホン酸アニオン(置換基の種類としては、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子(F、Br、Clなどが挙げられる)、ナフタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン等を挙げる事ができる。
Z-として特に好ましくはパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、置換基を有していてもよいベンゼンスルホン酸アニオンである。
【0092】
式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。
R206は置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。
具体例として以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0093】
一般式(PAG3)及び(PAG4)で表される化合物の好ましい例としては、以下に示す化合物が挙げられる。
【0094】
【化37】
【0095】
【化38】
【0096】
【化39】
【0097】
【化40】
【0098】
【化41】
【0099】
【化42】
【0100】
【化43】
【0101】
【化44】
【0102】
【化45】
【0103】
【化46】
【0104】
一般式(PAG3)、(PAG4)で示される上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok etal, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bull.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.Ame.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Polym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の方法により合成することができる。
【0105】
一般式(PAG5)及び(PAG6)で表される化合物の好ましい例としては、以下に示す化合物が挙げられる。
【0106】
【化47】
【0107】
【化48】
【0108】
【化49】
【0109】
【化50】
【0110】
【化51】
【0111】
【化52】
【0112】
本発明においては、上記の、(b)成分の活性光線もしくは放射線の照射により分解してカルボン酸を発生する化合物は単独で用いてもよいし、(c)成分の活性光線もしくは放射線の照射により分解してスルホン酸を発生する化合物とを混合して用いてもよい。
これらの化合物の添加量は(b)成分の化合物単独、又は(b)成分と(c)成分の化合物両者を合わせた量としてレジスト組成物の全重量(塗布溶媒を除く)を基準として、0.001〜40重量%の範囲で用いられ、好ましくは0.01〜20重量%、特に好ましくは0.1〜15重量%の範囲で用いられる。
また両者を混合して用いる場合、(b)成分の化合物の添加割合は(c)成分の化合物に対して、0.5〜90重量%が好ましく、より好ましくは1〜80重量%であり、特に好ましくは5〜70重量%である。
(b)成分の化合物、(c)成分の化合物はそれぞれ独立に1種づつ用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
【0113】
また本発明のポジ型シリコーン含有感光性組成物は、さらに有機塩基性化合物を酸補足剤として含有することが好ましい。本発明で用いる有機塩基性化合物としては、フェノールよりも塩基性の強い化合物が好ましい。特に、下記(A)〜(E)の構造を有する含窒素塩基性化合物が好ましく用いられる。
この含窒素塩基性化合物を用いることにより、露光から後加熱までの経時による性能変化を小さくできるという効果を有する。
【0114】
【化53】
【0115】
ここで、R250、R251およびR252は、同一または異なり、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基または炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリール基であり、ここでR251とR252は互いに結合して環を形成してもよい。
【0116】
【化54】
【0117】
(式中、R253、R254、R255およびR256は、同一または異なり、炭素数1〜6のアルキル基を示す)
【0118】
更に好ましい化合物は、窒素含有環状化合物あるいは一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を2個以上有する塩基性含窒素化合物である。
窒素含有環状化合物としては、多環構造であることがより好ましい。窒素含有多環環状化合物の好ましい具体例としては、下記一般式(VI)で表される化合物が挙げられる。
【0119】
【化55】
【0120】
式(VI)中、Y、Wは、各々独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換してもよい直鎖、分岐、環状アルキレン基を表す。
ここで、ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が挙げられる。アルキレン基としては、炭素数2〜10個が好ましく、より好ましくは2〜5個のものである。アルキレン基の置換基としては、炭素数1〜6個のアルキル基、アリール基、アルケニル基の他、ハロゲン原子、ハロゲン置換アルキル基が挙げられる。
更に、一般式(VI)で示される化合物の具体例としては、下記に示す化合物が挙げられる。
【0121】
【化56】
【0122】
上記の中でも、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エンが特に好ましい。
【0123】
一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を2個以上有する塩基性含窒素化合物としては、特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダゾール、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
【0124】
特に好ましい化合物として、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モルフォリン、トリメチルイミダゾール、トリフェニルイミダゾール、メチルジフェニルイミダゾール等が挙げられるがこれに限定されるものではない。
【0125】
本発明で用いられる塩基性含窒素化合物は、単独であるいは2種以上組み合わせて用いることができる。塩基性含窒素化合物の使用量は、感光性組成物の固形分を基準として、通常0.001〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部である。0.001重量部未満では、上記含窒素塩基性化合物の添加効果が得られない。一方、10重量部を超えると感度低下や未露光部の現像性が悪化する傾向がある。
【0126】
次に、(d)成分の溶媒について説明する。本発明の感光性組成物に用いられる好ましい溶媒としては、例えばエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、トルエン、キシレン、酢酸シクロヘキシル、ジアセトンアルコール、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネートなどが挙げられる。
これらの溶剤は単独もしくは組み合わせて用いられる。溶媒の選択は、本発明のポジ型フォトレジスト組成物に対する溶解性や基板への塗布性、保存安定性等に影響するため重要である。また、溶媒に含まれる水分はレジスト諸性能に影響するため少ない方が好ましい。
【0127】
さらに本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、メタル等の金属不純物やクロルイオンなどの不純物成分を100ppb以下に低減しておくことが好ましい。これらの不純物が多く存在すると、半導体デバイスを製造する上で動作不良、欠陥、収率低下を招いたりするので好ましくない。
【0128】
上記ポジ型フォトレジスト組成物の固形分は、上記溶剤に溶解し固形分濃度として、3〜40%溶解することが好ましい。より好ましくは5〜30%、更に好ましくは7〜20%である。
【0129】
また、本発明の感光性組成物は異物等を除去する目的で、(d)成分の溶媒で溶液とて調製した後、通常たとえば口径0.05〜0.2μm程度のフィルターでろ過することによって用いることが好ましい。
【0130】
≪(E)その他の添加剤等≫
本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて更に、界面活性剤、酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、架橋剤、光塩基発生剤、熱塩基発生剤、分光増感剤及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物、露光により塩基性が低下する化合物(フォトべース)、等を含有させることができる。
【0131】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物に使用できる界面活性剤は、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好適に用いられ、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することができる。
これらの界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号、同61-226746号、同61-226745号、同62-170950号、同63-34540号、特開平7-230165号、同8-62834号、同9-54432号、同9-5988号記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS-366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
【0132】
これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分を基準として、通常0.001重量%〜2重量%、好ましくは0.01重量%〜1重量%である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
上記の他に使用することのできる界面活性剤としては、具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。
これらの他の界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下である。
【0133】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物に使用できる酸分解性溶解阻止化合物としては、例えば、特開平5−134415号、特開平6−51519号などに記載の低分子酸分解性溶解阻止化合物を用いることができる。
【0134】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物に使用できる可塑剤としては、特開平4−212960号、特開平8−262720号、欧州特許735422号、欧州特許416873号、欧州特許439371号、米国特許5846690号記載の化合物、具体的にはアジピン酸ジ(2−エチルヘキシル)、安息香酸n−ヘキシル、フタル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジ−n−ブチル、フタル酸ベンジル−n−ブチル、ジヒドロアビエチルフタレート等が挙げられる。
【0135】
本発明で使用できる現像液に対する溶解性を促進させる化合物としては、例えば、特開平4−134345号、特開平4−217251号、特開平7−181680号、特開平8−211597号、米国特許5688628号、同5972559号等記載のポリヒドロキシ化合物が挙げられ、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロキシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等の芳香属ポリヒドロキシ化合物が好適に用いられる。また、サリチル酸、ジフェノール酸、フェノールフタレインなどの有機酸類も用いることができるし、また、特開平5−181263号、同7−92680号記載のスルホンアミド化合物、特開平4−248554号、同5−181279号、同7−92679号記載のカルボン酸やカルボン酸無水物、及び特開平11−153869号記載のポリヒドロキシスチレン樹脂などのアルカリ可溶性樹脂も添加できる。
【0136】
本発明で使用できる好適な染料としては油性染料及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイルイエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレット(CI42535)、ローダミンB(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げることができる。
【0137】
さらに、本発明の組成物には、特開平7−28247号、欧州特許616258号、米国特許5525443号、特開平9−127700号、欧州特許762207号、米国特許5783354号記載のアンモニウム塩、具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、ベタイン等も添加できるし、特開平5−232706号、同6−11835号、同6−242606号、同6−266100号、同7−333851号、同7−333844号、米国特許5663035号、欧州特許677788号に記載の露光により塩基性が低下する化合物(フォトべース)を添加することもできる。
【0138】
更に、下記に挙げるような分光増感剤を添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外より長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成物をi線又はg線に感度を持たせることができる。好適な分光増感剤としては、具体的には、ベンゾフェノン、p,p′−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、p,p′−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、2−クロロチオキサントン、アントロン、9−エトキシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアントラセン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、1,2−ベンズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2−ナフトキノン、3,3′−カルボニル−ビス(5,7−ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等であるがこれらに限定されるものではない。
また、これらの分光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可能である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせることで、定在波を低減できる。
【0139】
本発明の組成物に添加できる光塩基発生剤としては、特開平4−151156号、同4−162040号、同5−197148号、同5−5995号、同6−194834号、同8−146608号、同10−83079号、欧州特許622682号に記載の化合物が挙げられ、具体的には、2−ニトロベンジルカルバメート、2,5−ジニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、N−シクロヘキシル−4−メチルフェニルスルホンアミド、1,1−ジメチル−2−フェニルエチル−N−イソプロピルカーバメート等が好適に用いることができる。これらの光塩基発生剤は、レジスト形状などの改善を目的とし添加される。
【0140】
熱塩基発生剤としては、例えば特開平5−158242号、同5−158239号、米国特許5576143号に記載の化合物を挙げることができる。
【0141】
本発明の感光性組成物は、精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)、ガラス、セラミックス、金属等の基板上に予め塗設されたの下層レジスト上に塗布する2層レジストとして用いられる。本発明の感光性組成物の層形成は、成分(a)〜(c)の化合物を(d)の溶媒に溶解させ、得られた溶液をスピンコート法、スプレー法等により塗布することにより行なわれる。
【0142】
本発明に用いられる第2レジスト層の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤、芳香族水酸基含有化合物等を適当量添加して使用することもできる。中では、特にテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いることが最も好ましい。
【0143】
上記の下層レジストとしては、適当な有機高分子膜が用いられるが、各種公知のフォトレジストを使用してもよい。たとえば、フジフイルムオーリン社製FHシリーズ、FHiシリーズ或いは住友化学社製PFIシリーズの各シリーズを例示することができる。この下層レジスト膜の形成は上記本発明の感光性組成物膜の形成と同様にして行なわれる。下層レジストの膜厚は0.1〜4.0μmであることが好ましく、より好ましくは0.2〜2.0μmである。
0.1μmより薄いと、反射防止や耐ドライエッチング性の観点で好ましくなく、また4.0μmより厚いとアスペクト比が高くなりすぎて、形成した微細パターンが倒れやすいという問題があり、やはり好ましくない。
【0144】
下層レジストは上層レジストを塗布する前に熱処理することが好ましい。熱処理の温度としては、下層レジストの種類にもよるが150〜280℃が好ましく、さらには170〜250℃が好ましく、180〜230℃が特に好ましい。
150℃より温度が低いと、上層レジスト層を塗布する際に、下層レジスト層とインターミキシングを起こしやすく、また280℃より温度が高いと下層レジスト中のポリマー等の分解が起こりやすいのでそれぞれ好ましくない。この熱処理はホットプレートや熱オーブン等の装置を用いて行なうことができる。
【0145】
次いで、上層レジストを下層レジストの上に形成させるが、上層レジストの膜厚は0.03〜0.6μmであることが好ましく、より好ましくは0.04〜0.5μmであり、特に好ましくは0.05〜0.45μmである。
0.03μmより薄いと、下層レジストへのパターン転写性が劣ったり、塗布膜のピンホールが生じ、また0.6μmより厚いとリソグラフィー性能が劣るためそれぞれ好ましくない。
【0146】
得られた2層レジストは次にパターン形成工程に付されるが、その第1段階として、まず第2層のレジスト組成物の膜にパターン形成処理を行う。必要に応じてマスク合わせを行い、このマスクを通して高エネルギー線を照射することにより、照射部分のレジスト組成物をアルカリ水溶液に可溶とし、アルカリ水溶液で現像してパターンを形成する。
次いで、第2段階としてドライエッチングを行うが、この操作は上記レジスト組成物の膜のパターンをマスクとして酸素プラズマエッチングにより実施し、アスペクト比の高い微細なパターンが形成される。この酸素プラズマエッチングによる有機高分子膜のエッチングは、従来のフォトエッチング操作による基板のエッチング加工の終了後に行われるレジスト膜の剥離の際に利用されるプラズマエッチングとまったく同一の技術である。この操作は、例えば円筒形プラズマエッチング装置により、反応性ガス、すなわちエッチングガスとして酸素を使用して実施することができる。酸素ガスに亜硫酸ガス等のガスを混合して用いることもできる。
【0147】
【実施例】
以下、合成例、実施例および比較例を示すが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【0148】
合成例1(樹脂9の合成)
トリメチルアリルシラン10.4g、無水マレイン酸9.8g、t−ブチルアクリレート5.3gを乾燥THF34gに加えた後、窒素気流下65℃に加熱した。反応温度が安定したところで和光純薬(株)製開始剤V−65を前記モノマーの総モル数の10mol%加え、反応を開始させた。6時間反応させた後、反応混合物をTHFで2倍に希釈した後、大量のヘキサン中に投入し、白色粉体を析出させた。次に、残存モノマーおよび低分子成分の低減のため、析出した粉体をアセトンに溶解した後、そこへ少しづつヘキサンを添加するようにしてポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーをヘキサン/アセトン(8/2)にて洗浄、減圧乾燥を行い、樹脂(9)を得た。得られた樹脂(9)の分子量はGPC測定の結果、ポリスチレンを標準サンプルとして重量平均で5600であり、分子量1000以下の成分の含有量はGPCの面積比で4%であった。
上記と同様な方法で樹脂(1)〜(16)を得た。
【0149】
合成例2(樹脂19の合成)
モノマー合成
トリス(トリメチルシリル)−2−ヒドロキシエチルシラン29.1gを下層THF200mlに加え、そこへ4−ジメチルアミノピリジン11.2gを添加した。反応液を0℃に冷却した後、そこへアクリル酸クロリド14.0gを1時間かけて滴下した。反応液を室温に戻しながらさらに5時間反応させた反応液を減圧下、濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより、アクリレートモノマーを得た。
ポリマー合成
このアクリレートモノマー18.0gに無水マレイン酸9.5gおよびメタクリル酸3.8gをTHFに溶解させ、固形分50%の溶液を調整した。これを3つ口フラスコに仕込み、窒素気流下60℃に加熱した。反応温度が安定したところで和光純薬(株)製開始剤V−60を5mol%加え、反応を開始させた。6時間反応させた後、反応混合物をTHFで2倍に希釈し、大量のヘキサン中に投入し、白色固体を析出させた。析出した粉体をろ過して取り出しし、乾燥して、樹脂(19)を得た。得られた侍史(19)の分子量はGPC測定の結果、ポリスチレンを標準サンプルとして重量平均で9800であった。
上記と同様な方法で樹脂(17)〜(30)を得た。
【0150】
実施例1
(1)下層レジスト層の形成
シリコンウェハにFHi−028Dレジスト(富士フイルムオーリン社製i線用レジスト)を東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用い塗布し、90℃、90秒ベークして膜厚0.65μmの均一膜を得た。
これをさらに200℃、3分加熱したところ膜厚0.50μmの下層レジスト層を得た。
【0151】
(2)上層レジスト層の形成
成分(a):樹脂(2) 0.9g、
成分(b):PAG7−5 0.05g、
さらに有機塩基性化合物として1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン(以下DBNと略す)0.005gを、成分(d)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート9gに溶解し、得られた溶液を0.1μm口径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト組成物を得た。
上記の下層レジスト層の上に、上層レジスト層を同様に塗布し、120℃、90秒加熱して膜厚0.20μmの第2レジスト層を得た。
【0152】
こうして得られたウェハをISI製ArFエキシマレーザーステッパー9300に解像力マスクを装填して露光量を変化させながら露光した。
その後、120℃、90秒加熱した後、テトラヒドロアンモニウムヒドロキシド現像液(2.38%)で60秒間現像し、蒸留水でリンス、乾燥してパターンを得た(上層パターン)。さらにアルバック製平行平板型リアクティブイオンエッチング装置を用い、上記上層のパターンを有するウェハをエッチング(ドライ現像)し、下層にパターン形成した。
エッチングガスは酸素、圧力は20ミリトール、印加パワー100mW/cm2、エッチング時間は15分間とした。形成されたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。
【0153】
下記の方法により、解像力、疎密依存性、露光マージンについて評価した。
(1)解像力:マスクの0.15μmのライン/スペース(比率=1:1)が再現されるときの露光量のときの、下層においてライン/スペースが分離解像する最小寸法で評価した。
【0154】
(2)疎密依存性:上記解像力評価の露光量における0.15μmの密パターンのライン/スペース(比率=1:1)の線幅に対する疎パターンのライン/スペース(比率=1:10)の線幅の比率で評価した。
【0155】
(3)露光マージン:0.15μmのライン/スペースが再現されるときの露光量を基準とし、露光量を少ない方向(露光アンダー側)に変化させていったときに解像しなくなる露光量の割合(パーセント)で評価した。
実施例1の結果は、解像力0.130μm、露光マージンは4.5%、疎密依存性は0.95であり、良好であった。
【0156】
実施例2〜15
実施例1の上層レジスト層の成分(a)、(b)、(d)に代えて、表1−1に記載の成分(a)、(b)、(d)を用い、実施例1と同様にして露光現像、エッチング処理し、それを走査型電子顕微鏡で観察し、評価を実施例1と同様に行なった。成分(b)ついては使用量を表1−1に併せて示した。
その結果を表1−2に示す。
【0157】
実施例16
実施例1の上層レジスト層の成分(b)に代えて、表1−1に記載の成分(b)及び(c)を用い、実施例1と同様にして露光現像、エッチング処理し、それを走査型電子顕微鏡で観察し、評価を実施例1と同様に行なった。
【0158】
実施例17〜30
実施例16の上層レジスト層の成分(a)、(b)、(c)、(d)に代えて、表1−1に記載の成分(a)、(b)、(c)、(d)を用い、実施例16と同様にして露光現像、エッチング処理し、それを走査型電子顕微鏡で観察し、評価を実施例1と同様に行なった。
その結果を表1−2に示す。
【0159】
比較例1〜5
実施例1の(b)成分に代え、(c)を用い、実施例1と同様にして露光現像、エッチング処理し、それを走査型電子顕微鏡で観察し、評価を実施例1と同様に行なった。
その結果を表1−2に併せて示した。
【0160】
実施例31
実施例1のISI製ArFステッパー9300に代えて、キャノン製KrFステッパーFPA3000EX5を用い、さらに実施例1〜30の上層レジスト層の成分(a)、(b)、(c)、(d)に代えて、表2−1に記載の成分(a)、(b)、(c)、(d)を用い、実施例1と同様にして露光現像、エッチング処理し、それを走査型電子顕微鏡で観察し、評価を実施例1と同様に行なった。
【0161】
解像力については、マスクの0.17μmのライン/スペースが再現されるときの露光量のときの、下層においてライン/スペースが分離解像する最小寸法で評価した。
疎密依存性については、0.17μmのライン/スペースにて、実施例1と同様に評価した。
露光マージンについては、0.17μmのライン/スペースが再現されるときの露光量を基準とし、露光量をアンダー側に変化させていったときに解像しなくなる露光量の割合(パーセント)で評価した。
その結果を表2−2に示す。
【0162】
実施例31の結果は、解像力0.150μm、露光マージンは5.5%、疎密依存性は0.97あり、良好であった。
【0163】
実施例32〜40
実施例31の上層レジスト層の成分(a)、(b)、(c)、(d)に代えて、表2−1に記載の成分(a)、(b)、(c)、(d)を用い、実施例31と同様にして露光現像、エッチング処理し、それを走査型電子顕微鏡で観察し、評価を実施例31と同様に行なった。
その結果を表2−2に示す。
【0164】
比較例6〜8
実施例31の(b)成分に代え、(c)を用い、実施例31と同様にして露光現像、エッチング処理し、それを走査型電子顕微鏡で観察し、評価を実施例31と同様に行なった。
その結果を表2−2に併せて示した。
【0165】
【表1】
【0166】
【表2】
【0167】
【表3】
【0168】
【表4】
【0169】
実施例1〜30および比較例1〜3の評価結果、及び実施例31〜40および比較例6〜8の評価結果から、以下のことが明らかである。
すなわち、本発明のポジ型シリコーン含有感光性組成物の実施例は、比較例に比べて解像力が高く、疎密依存性に優れ、露光マージンにも優れたレジストパターンを形成することができる。
【0170】
【発明の効果】
本発明のポジ型レジストポジ型シリコーン含有感光性組成物は、KrF、ArF等を光源とした遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有する。また、疎密依存性に優れ、露光マージンにも優れた良好なレジストパターンを形成することができる。
従って、本発明の組成物は、超微細な回路を有する半導体基板の量産製造用に極めて好適に用いられる。
Claims (6)
- (a)側鎖にシリコン原子を有し、かつ水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマー、
(b)下記一般式(PAG7)または(PAG8)で表される構造を有する活性光線もしくは放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物、
(d)溶媒
とを含有することを特徴とする、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用のポジ型シリコーン含有レジスト組成物。
Ar11、Ar12は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。
R303、R304、R305は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、または置換もしくは未置換のアリール基を示す。
Zl-はカルボン酸アニオンを表す。 - 前記レジスト組成物が、
(c)活性光線もしくは放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物
を更に含有することを特徴とする請求項1に記載の、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用の用ポジ型シリコーン含有レジスト組成物。 - 前記(a)側鎖にシリコン原子を有し、かつ水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマーが、下記一般式(1)で表される繰り返し単位、及び一般式(2a)と(2b)のうち少なくとも一つの繰り返し単位を有するポリマーであることを特徴とする請求項1に記載の、基板上に予め塗設された下層レジスト上に塗布する上層レジスト用のポジ型シリコーン含有レジスト組成物。
- 基板上に予め塗設された下層レジスト上に請求項1〜5のいずれかに記載の上層レジスト用の用ポジ型シリコーン含有レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000164640A JP4287982B2 (ja) | 2000-04-06 | 2000-06-01 | 2層レジスト上層用ポジ型シリコーン含有レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-105102 | 2000-04-06 | ||
JP2000105102 | 2000-04-06 | ||
JP2000164640A JP4287982B2 (ja) | 2000-04-06 | 2000-06-01 | 2層レジスト上層用ポジ型シリコーン含有レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001350262A JP2001350262A (ja) | 2001-12-21 |
JP2001350262A5 JP2001350262A5 (ja) | 2006-01-12 |
JP4287982B2 true JP4287982B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=26589594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000164640A Expired - Fee Related JP4287982B2 (ja) | 2000-04-06 | 2000-06-01 | 2層レジスト上層用ポジ型シリコーン含有レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4287982B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI485064B (zh) * | 2006-03-10 | 2015-05-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於光微影之組成物及製程 |
-
2000
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001350262A (ja) | 2001-12-21 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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