JP4282460B2 - データ書き換え装置 - Google Patents
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図2には、第1の実施の形態に係るデータ書き換え装置の構成例を示し説明する。
図10には、第2の実施の形態に係るデータ書き換え装置の構成例を示し説明する。
Claims (6)
- 内蔵電源からの電源供給又は外部電源からの電源供給により不揮発性メモリの書き換え動作を実行するデータ書き換え装置であって、
所定のファームウェアを格納する第1メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納する第2メモリ領域とを有する上記不揮発性メモリと、
上記第1メモリ領域のデータの書き換えの場合は上記内蔵電源に基づく書き換え動作を許容し、上記第2メモリ領域のデータの書き換えのときは上記外部電源に基づく書き換えを許容するとともに上記内蔵電源に基づく書き換え動作を禁止する書き換え制御手段と、
を備えたことを特徴とするデータ書き換え装置。 - 内蔵電源からの電源供給、または外部電源からの電源供給により不揮発性半導体メモリの書き換え動作を実行するデータ書き換え装置であって、
外部電源電圧を検出する電源電圧検出手段と、
所定のファームウェアを格納する第1メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納する第2メモリ領域とを有する上記不揮発性半導体メモリと、
上記第1のメモリ領域のデータの書き換えの場合は上記外部電源電圧が第1の所定電圧では書き換えを許可し、上記第2のメモリ領域のデータの書き換えの場合は上記外部電源電圧が上記第1の所定電圧では書き換えを禁止し、上記外部電源電圧が第2の所定電圧では書き換えを許可する書き換え制御手段と、
を備えたことを特徴とするデータ書き換え装置。 - 上記第1の所定電圧は、外部電源が接続されていないことを示す電圧であることを特徴とする請求項2に記載のデータ書き換え装置。
- 上記第2の所定電圧は、外部電源が接続されたことを示す電圧であることを特徴とする請求項2に記載のデータ書き換え装置。
- 第1電圧レベル又は上記第1電圧レベルより高い第2電圧レベルを基準に電源電圧のレベルを判定する電源電圧判定手段と、
所定のファームウェアを格納する第1メモリ領域と、上記ファームウェアの書き換えを制御するためのプログラムを格納する第2メモリ領域とを有する上記不揮発性メモリと、
上記第1メモリ領域のデータの書き換えのときは電源電圧が上記第1電圧レベルより低いときはデータの書き換えを禁止し、上記第2メモリ領域のデータの書き換えのときは電源電圧が上記第2電圧レベルより低いときは書き換えを禁止する書き換え制御手段と、
を備えたことを特徴とするデータ書き換え装置。 - 上記不揮発性メモリの上記第1メモリ領域にはカメラ又はそのアクセサリを制御するファームウェア又はデータが格納されることを特徴とする請求項1、2、5のいずれかに記載のデータ書き換え装置。
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