JP4278463B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
これによって、プロセスガスの流通を確実に確保できるとともに、電極の上流側および下流側の両面でリーク放電を防止できる。
このガス導入部材と前記上流側プレートとの間には、薄板状の絶縁樹脂製の第3パッキン(第3ガスケット)が、前記ガス導入部材と前記上流側プレートとが対向する部分の全体にわたって介在するように設けられ、この第3パッキンに、前記ガス導入通路と前記導入路を連ねる第3連通路が形成されていることが望ましい。
これによって、ガス導入部材とホルダの上流側プレートとの間のガス漏れを確実に防止でき、処理効率を向上できるとともに、電流が上流側プレートを介して金属製ガス導入部材へリークするのを確実に防止できる。
これによって、被プラズマガスのみを電界印加により励起・プラズマ化させた後、電極群より下流側においてソースガスと接触させて成膜を行なうことができ、電極に膜が付くのを防止することができ、メンテナンスの手間を省くことができる。
これによって、被プラズマガスのみを確実に電界印加して励起・プラズマ化でき、ソースガスに電界が印加されないようにすることができる。
前記非孔質絶縁樹脂は、非孔質のポリテトラフルオロエチレンであることが望ましい。これによって、リーク放電を一層確実に防止できる。
前記パッキン(第1パッキン、第2パッキン、第3パッキンを含む)が、多孔質(繊維質)のポリテトラフルオロエチレンからなる中身を非孔質のポリテトラフルオロエチレンからなる表皮で一体に包んでなり、前記表皮が、前記通気阻止部となっていることがより望ましい。これによって、リーク放電をより一層確実に防止できるとともに、セラミック製プレートがシール圧で損傷するのを防止することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る常圧プラズマCVD装置M1(プラズマ処理装置)を示したものである。常圧プラズマCVD装置M1は、架台(図示せず)に支持されたノズルヘッド1と、このノズルヘッド1に接続されたガス供給源2A,2B,2Cと、パルス電源3とを備えている。ノズルヘッド1の下方には、シリコンウェハーなどの薄板状ワーク(被処理物)Wが配置される。ワークWは、搬送手段6によって図1の矢印にて示す前後方向に搬送される。勿論、ワークWが固定され、ノズルヘッド1が移動されるようになっていてもよい。プラズマCVD装置M1は、このワークWの上面にアモルファスシリコンなどを常圧下で気相成長させ成膜するようになっている。
ドーパンソースとしては、例えばTEOP、TMOPなどのリン酸エステル、TMP、TEPなどの亜リン酸エステル、TEB、TMBなどのアルキルボレート、TMGe、TEGeなどのアルコキシゲルマニウムなどが用いられる。
キャリアガスとしては、例えばO2、N2、N2Oが用いられる。
被プラズマガスとしては、例えばO2、N2O、NO2、NO、H2O、O3の何れか1つ、またはこれらの中から複数選んで混合したものが用いられる。
なお、カーテンガスとソースのキャリアガスが同一物質の場合には、それらのガスタンクを共有させてもよい。
図1に示すように、ノズルヘッド1は、ガス導入ユニット10と、放電処理ユニット20と、外筐40とを有し、図1の紙面と直交する左右方向に長く延びている(図2参照)。
ウムやステンレス等からなる複数の金属平板(ガス導入部材)を上下に積層することによって構成されている。各金属平板には、左右に分散配置された多数の小孔や左右に延びるスリット状チャンバー等が前後に3列ずつ並んで形成されている。上下に重ねられた金属平板どうしの小孔やチャンバー等が各列ごとに互いに連なることにより、ガス導入通路10f,10m,10rが構成されている。各供給管2d,2eからのガスは、上記小孔やチャンバー等からなるガス導入通路10f,10m,10rによってそれぞれ左右方向に均一化されるようになっている。上記金属平板どうしの積層面間には、後記ガスケット51〜53と同構成のガスケットが挟まれている。
図1および図2に示すように、放電処理ユニット20は、4つ(複数)の電極31,32からなる電極群と、これら電極31,32を絶縁しつつ収容保持するホルダ21と、このホルダ21の前後左右を囲む金属フレーム26を有している。
なっている。
中央のガス通路23mは、中央の電極31間のガス通路30mに連なり、ソースガスの吹出し孔となっている。
後側のガス通路23rは、後側の電極31,32間のガス通路30rに連なり、被プラズマガスの吹出し孔となっている。
図1に示すように、ホルダ21の上側プレート22の下面と電極31,32の上面との間には、第1ガスケット51(第1パッキン)が介在されている。ガスケット51は、例えばポリテトラフルオロエチレンなどの絶縁樹脂にて構成されている。図1および図4に示すように、ガスケット51は、左右細長の薄板状をなし、プレート22と電極31,32とが対向する部分の全体に渡って介在するように設けられている。ガスケット51の厚さは、1mmより大きく2mm程度が好ましい。1mm以下では、後記リーク放電防止の作用が期待できない。
中央の連通路51mは、上側プレート22の中央の通路22mと中央の電極間通路30mとを連ねている。
後側の連通路51rは、上側プレート22の後側の通路22rと後側の電極間通路30rとを連ねている。
中央の連通路52mは、中央の電極通路30mと下端プレート23の中央の通路23mとを連ねている。
後側の連通路52rは、後側の電極間通路30rと下端プレート23の後側の通路23rとを連ねている
中央の連通路53mは、ガス導入ユニット10の中央の通路10mとプレート22の中央の通路22mとを連ねている。
後側の連通路53rは、ガス導入ユニット10の後側の通路10rとプレート22の後側の通路22rとを連ねている
供給源2Bからの被プラズマガスが、管2eを経て導入ユニット10のガス導入通路10f,10rにて左右に均一化された後、ガスケット53の第3連通路53f,53r、プレート22のガス通路22f,22r、ガスケット51の第1連通路51f,51rを順次通り、前後の電極間通路30f,30rに導入される。
その後、ガスは、排気ダクト41に吸込まれ、排気ポンプ4にて排気される。
すなわち、電極31,32と上側プレート22の間においては、絶縁樹脂製の第1ガスケット51によってプロセスガスのリークを防止でき、リーク放電を防止できる。
同様に、電極31,32と下側プレート23間においては、絶縁樹脂製の第2ガスケット52によってプロセスガスのリークを防止でき、リーク放電を防止できる。
また、上側プレート22とガス導入ユニット10の間においては、絶縁樹脂製の第3ガスケット53によってプロセスガスのリークを防止でき、リーク放電を防止できる。
ガスケット51〜53を、絶縁樹脂の中でも特にポリテトラフルオロエチレンにて構成することによって、リーク放電を一層確実に防止することができる。
これによって、電極群内において常圧下で安定したグロー放電を得ることができ、ひいては、良好な膜質を安定して得ることができ、歩留まりを一層向上させることができる。
この実施形態では、常圧プラズマCVD装置M1の第1〜第3ガスケットとして、図5に示す構造のものを用いている。
図5(a)に示すように、上側プレート22と電極群との間に挟まれた第1ガスケット51X(第1パッキン)は、中身51aと、この中身51aの表面(上下両面、周端面、及び通路51f,51m,51r側の内周面)の全体を覆う表皮51b(通気阻止部)とで構成されている。中身51aは、多孔質のポリテトラフルオロエチレンにて構成されている。一方、表皮51bは、非孔質のポリテトラフルオロエチレンにて構成されている。表皮51bは、中身51aの表面に一体に積層されている。
なお、図5(a)〜(c)において、ガスケット51X,53X,53Xの厚さは誇張されている。
例えば、各パッキンの全体を、完全充実構造のポリテトラフルオロエチレンにて構成してもよい。(パッキン全体が、非孔質の通気阻止部であってもよい。)
最低限、第1、第2パッキンが有れば、リーク放電を大部分防止できる。装置構成によっては、ガス導入部材と上流側プレートとの間に介在されるパッキンについては、本発明に係る第3パッキンに代えて、ガス漏れを防止可能なだけのパッキンとすることにしてもよい。
下端のプレート23においてソースガス用の通路23mと被プラズマガス用の通路23f,23rを合流させ、ソースガスと被プラズマガスが混ざり合いながら単一の吹出し口から吹出されるようにしてもよい。
本発明は、グロー放電に限らず、コロナ放電や沿面放電によるプラズマ処理にも適用でき、略常圧下に限らず、減圧下でのプラズマ処理にも適用でき、CVDに限らず、洗浄、表面改質、エッチング、アッシングなどの種々のプラズマ処理にあまねく適用できる。
まず、実施例1について説明する。
図1の装置を用いてプラズマCVDを行なった。ソースガスのシリコンソースは、TMOS 0.25g/minを用い、ドーパンソースは、TMOP 0.1g/minを用い、キャリアガスは、N2 10slmを用いた。被プラズマガスは、O2 20slmを用いた。ワークWとして8インチのシリコンウェハーを用い、その設定温度は、350℃とした。ガス導入ユニット10の設定温度は、150℃とし、電極31,32の設定温度は、130℃とした。パルス電源3による印加パルスの立上り時間は、6μsとし、電界強度は、25kV/cmとし、周波数は、5kHzとし、パルス継続時間は、8μsとした。ポリテトラフルオロエチレン製ガスケット51〜53の厚さは、共に2mmとした。ホルダ21のプレート22〜24を構成するセラミックには、Al2O3を用いた。
膜厚均一性=(最大膜厚−最小膜厚)/(平均膜厚)×100(%)
ガス導入ユニット10とプレート22との間の第3ガスケット53を省き、他は実施例1と同一にしてプラズマCVDを行なった。
その結果、実施例1と同様、リーク放電の発生は確認されなかった。成膜速度は、実施例1より低下し、2000Å/minであった。これは、ガス導入ユニット10とプレート22との間でのガス漏れのためと考えられる。
〔比較例1〕
ホルダ21の上側プレート22と電極31,32間の第1ガスケット51を省き、他は実施例1と同一にしてプラズマCVDを行なった。
その結果、プレート22を介して電極31,32間でリーク放電が発生した。そのため、グロー放電が安定せず、十分な成膜ができなかった。
電極31,32とホルダ21の下端プレート23との間の第2ガスケット52を省き、他は実施例1と同一にしてプラズマCVDを行なった。
その結果、プレート23を介して電極31,32間でリーク放電が発生した。そのため、グロー放電が安定せず、十分な成膜ができなかった。
ホルダ21の上側プレートをセラミック製プレート22に代えてアルミニウム製にし、他は実施例1と同一にしてプラズマCVDを行なった。
その結果、リーク放電が発生し、グロー放電が安定せず、十分な成膜ができなかった。
ホルダ21の前後のプレートをセラミック製プレート24に代えてポリテトラフルオロエチレン製にし、他は実施例1と同一にしてプラズマCVDを行なった。
その結果、リーク放電の発生は無かったが、成膜速度は、2400Å/min、膜厚均一性は、±10%であり、共に実施例1より低下した。これは、ポリテトラフルオロエチレン製プレートが耐熱性の面でセラミックより劣り、変形を来たしたためと思われる。
ホルダ21の下端プレートをセラミック製プレート23に代えてアルミニウム製にし、他は実施例1と同一にしてプラズマCVDを行なった。
その結果、リーク放電が発生し、グロー放電が安定せず、十分な成膜ができなかった。
ホルダ21の下端プレートをセラミック製プレート23に代えてポリテトラフルオロエチレン製にし、他は実施例1と同一にしてプラズマCVDを行なった。
その結果、リーク放電の発生は無かったが、成膜速度は、2400Å/min、膜厚均一性は、±10%であり、共に実施例1より低下した。比較例4と同様の理由によるものと考えられる。
10 ガス導入ユニット
10f,10r ガス導入ユニットの被プラズマガス用のガス導入通路
10m ガス導入部材のソースガス用のガス導入通路
20 放電処理ユニット
21 ホルダ
22 上側プレート(上流側プレート)
22f,22r 上側プレートの被プラズマガス用のガス通路(導入路)
22m 上側プレートのソースガス用のガス通路(導入路)
23 下端プレート(下流側プレート)
23f,23r 下端プレートの被プラズマガス用のガス通路(吹出し口)
23m 下端プレートのソースガス用のガス通路(吹出し口)
24 サイドプレート
30f,30r 異極電極間の被プラズマガス用のガス通路(プラズマ化空間)
30m 同極電極間のソースガス用のガス通路
31 電界印加電極
32 接地電極
51,51X 第1ガスケット(第1パッキン)
51f,51r 第1ガスケットの被プラズマガス用の第1連通路
51m 第1ガスケットのソースガス用の第1連通路
52,52X 第2ガスケット(第2パッキン)
52f,52r 第2ガスケットの被プラズマガス用の第2連通路
52m 第2ガスケットのソースガス用の第2連通路
53,53X 第3ガスケット(第3パッキン)
53f,53r 第3ガスケットの被プラズマガス用の第3連通路
53m 第3ガスケットのソースガス用の第3連通路
51a,52a,53a 中身
51b,52b,53b 表皮
Claims (8)
- プラズマ処理のための複数の電極からなり、これら電極が並び方向に間隔を置いて並べられた電極群と、
この電極群を構成する前記複数の電極の前記並び方向と直交する直交方向の一側部どうし間に跨るセラミック製のプレートを有して電極群を絶縁しつつ収容保持するホルダと、
を備えたプラズマ処理装置において、
前記電極群とプレートの間には、薄板状の絶縁樹脂製のパッキンが、前記複数の電極と前記プレートとが対向する部分の全体にわたって介在するように設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極群の隣り合う電極間にプロセスガスを前記直交方向に通すガス通路が形成され、この電極群の前記直交方向すなわち前記プロセスガスを通す方向の上流側部と下流側部に前記プレートがそれぞれ前記複数の電極間に跨るように配置され、これら上流側及び下流側のプレートにもガス通路が形成され、上流側プレートのガス通路は、プロセスガスを前記電極群のガス通路へ導入する導入路となり、下流側プレートのガス通路は、プロセスガスを前記電極群のガス通路から導出して吹き出す吹出し口となっており、
前記パッキンとして、上流側プレートと電極群の間には第1パッキンが、電極群と下流側プレートの間には第2パッキンが、それぞれ介在され、前記第1パッキンには、前記導入路と前記電極群のガス通路を連ねる第1連通路が形成され、前記第2パッキンには、前記電極群のガス通路と前記吹出し口を連ねる第2連通路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記上流側プレートの電極群とは逆側には金属製のガス導入部材が設けられ、このガス導入部材には、プロセスガスの供給源に連なるガス導入通路が形成されており、
このガス導入部材と前記上流側プレートとの間には、薄板状の絶縁樹脂製の第3パッキンが、前記ガス導入部材と前記上流側プレートとが対向する部分の全体にわたって介在するように設けられ、この第3パッキンに、前記ガス導入通路と前記導入路を連ねる第3連通路が形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 成膜のための装置であって、プロセスガスの供給源が、膜の原料を含むソースガスの供給源と、電界印加によって前記原料を膜化可能に励起される被プラズマガスの供給源とからなり、前記電極群が、電界印加手段に接続された複数の電界印加電極と、接地された複数の接地電極を有し、前記電極群のうち2つの電界印加電極または2つの接地電極が、互いに隣り合い、かつ互いの間のガス通路が前記ソースガス供給源に連なり、前記電極群の
うち1つの電界印加電極及び1つの接地電極が、互いに隣り合い、かつ互いの間のガス通路が前記被プラズマガス供給源に連なり、前記電極群において前記ソースガス供給源に連なるガス通路と前記被プラズマガス供給源に連なるガス通路のうち前記被プラズマガスに連なるガス通路にのみ電界が印加されることを特徴とする請求項2又は3に記載のプラズマ処理装置。 - 前記絶縁樹脂が、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記パッキンが、非孔質の絶縁樹脂からなり内部通気を阻止する通気阻止部を有していることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記非孔質絶縁樹脂が、非孔質のポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記パッキンが、多孔質のポリテトラフルオロエチレンからなる中身を非孔質のポリテトラフルオロエチレンからなる表皮で一体に包んでなり、前記表皮が、前記通気阻止部となっていることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
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