JP4275113B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1の主表面上部に形成され、前記回路素子と電気的に接続された複数の外部端子であって、前記封止樹脂の表面から露出する前記外部端子とを備えた半導体装置であって、前記第2の主表面は、前記複数の側面のうちの第1の側面から該第1の側面に対向する第2の側面へと至る所定領域内に形成された第1の段差部を有し、前記外部端子は、複数列に配置された複数個の外部端子群とで構成され、前記第1の段差部は、前記複数列のうちの所定の列に対応する前記第2の主表面に形成されていることを特徴としている。
すなわち、第1の主表面と、前記第1の主表面に実質的に対向する第2の主表面と、複数のスクライブラインによって区画された複数の半導体装置形成部を有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体装置形成部の前記第1の主表面に回路素子を形成する工程と、前記第1の主表面上部に封止樹脂を形成する工程と、前記半導体装置形成部の前記第1の主表面上部に前記回路素子と電気的に接続され、前記封止樹脂の表面から露出する複数列に配置された複数の外部端子を形成する工程と、前記複数のスクライブラインのうちの1つに平行に延在し、前記外部端子の前記複数列のうちの所定の列に対応する前記半導体装置形成部の前記第2の主表面に第1の溝を形成する工程と、
前記スクライブラインを研削し前記各半導体装置形成部を個片化する工程とを実行することを特徴としている。
すなわち、本発明の半導体装置によれば、回路素子が形成された第1の主表面に対向する第2の主表面に段差部(溝)を設けたので、半導体装置の実装方向を容易に判別することができる。また、以上の段差部(溝)は、半導体装置を個片化する工程で形成することができる。よって、段差部(溝)を形成するための特別な工程を実質的に加えることなく、上記の優れた半導体装置を製造することができる。
図1は本発明の実施例1の半導体装置101の裏面を示す平面透視図であり、図2は図1の線2−2についての概略断面図である。
次に本発明の半導体装置の実施例2について図面を参照して以下に説明する。
次に本発明の半導体装置の実施例3について図面を参照して以下に説明する。
次に本発明の半導体装置の実施例4について図面を参照して以下に説明する。
103・・・半導体基板
105・・・裏面
107・・・段差部
109・・・表面
113・・・突起電極
111・・・封止樹脂
Claims (6)
- 回路素子が形成された第1の主表面と、前記第1の主表面に実質的に対向する第2の主表面と、前記第1の主表面と前記第2の主表面との間の複数の側面とを有する半導体基板と、
前記第1の主表面上部に形成された封止樹脂と、
前記第1の主表面上部に形成され、前記回路素子と電気的に接続された複数の外部端子であって、前記封止樹脂の表面から露出する前記外部端子とを備えた半導体装置であって、
前記第2の主表面は、前記複数の側面のうちの第1の側面から該第1の側面に対向する第2の側面へと至る所定領域内に形成された第1の段差部を有し、
前記外部端子は、複数列に配置された複数個の外部端子群とで構成され、前記第1の段差部は、前記複数列のうちの所定の列に対応する前記第2の主表面に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 回路素子が形成された第1の主表面と、前記第1の主表面に実質的に対向する第2の主表面と、前記第1の主表面と前記第2の主表面との間の複数の側面とを有する半導体基板と、
前記第1の主表面上部に形成された封止樹脂と、
前記第1の主表面上部に形成され、前記回路素子と電気的に接続された複数の外部端子であって、前記封止樹脂の表面から露出する前記外部端子とを備えた半導体装置であって、
前記半導体基板は、前記第1の主表面から前記第2の主表面までの距離が第1の距離である第1の部分と、前記複数の側面のうちの第1の側面から該第1の側面に対向する第2の側面へと至る所定領域内に形成された第2の部分であって、前記第1の主表面から前記第2の主表面までの距離が前記第1の距離よりも短い第2の距離である前記第2の部分とを有し、
前記外部端子は、複数列に配置された複数個の外部端子群で構成され、前記第1の部分は、前記複数列のうちの所定の列に対応して形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 回路素子が形成された第1の主表面と、前記第1の主表面に実質的に対向する第2の主表面と、前記第1の主表面と前記第2の主表面との間の複数の側面とを有する半導体基板と、
前記第1の主表面上部に形成された封止樹脂と、
前記第1の主表面上部に形成され、前記回路素子と電気的に接続された複数の外部端子であって、前記封止樹脂の表面から露出する前記外部端子とを備えた半導体装置であって、
前記第2の主表面は、前記複数の側面のうちの第1の側面から該第1の側面に対向する第2の側面へと至る所定領域内に形成された第1の部分であって、該第1の部分を除く前記第2の主表面の粗さよりも粗い第1の部分を有し、
前記外部端子は、複数列に配置された複数個の外部端子群とで構成され、前記第1の部分は、前記複数列のうちの所定の列に対応する前記第2の主表面に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記封止樹脂の側面及び前記半導体基板の側面には、ダイシングブレードにより切断された切断面が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3記載の半導体装置。
- 前記半導体装置の前記第2の主表面は露出していることを特徴とする請求項1乃至3記載の半導体装置。
- 第1の主表面と、前記第1の主表面に実質的に対向する第2の主表面と、複数のスクライブラインによって区画された複数の半導体装置形成部を有する半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体装置形成部の前記第1の主表面に回路素子を形成する工程と、
前記第1の主表面上部に封止樹脂を形成する工程と、
前記半導体装置形成部の前記第1の主表面上部に前記回路素子と電気的に接続され、前記封止樹脂の表面から露出する複数列に配置された複数の外部端子を形成する工程と、
前記複数のスクライブラインのうちの1つに平行に延在し、前記外部端子の前記複数列のうちの所定の列に対応する前記半導体装置形成部の前記第2の主表面に第1の溝を形成する工程と、
前記スクライブラインを研削し前記各半導体装置形成部を個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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US10964681B2 (en) | 2018-08-03 | 2021-03-30 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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