JP4264705B2

JP4264705B2 - 有機ｅｌパネルの製造方法

Info

Publication number: JP4264705B2
Application number: JP2003024032A
Authority: JP
Inventors: 貴池田; 来英張; 哲也片桐
Original assignee: Nippon Seiki Co Ltd
Current assignee: Nippon Seiki Co Ltd
Priority date: 2003-01-31
Filing date: 2003-01-31
Publication date: 2009-05-20
Anticipated expiration: 2023-01-31
Also published as: JP2004235078A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の電極間に発光層を挟持した有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３に示すように、有機ＥＬパネルＡとしては、ガラス材料からなる透光性の支持基板Ｂ上に、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等によってなる透明導電膜Ｃと、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層及び電子注入層からなる有機層Ｄと、陰極となるアルミニウム（Ａｌ）等の非透光性の背面電極Ｅと、背面電極Ｅと透明導電膜Ｃとが短絡しないように、または発光形状を区画するために絶縁層Ｆとを順次積層して積層体Ｇを形成し、この積層体Ｇを覆うガラス材料からなる凹部形状の封止部材Ｈを前記支持基板Ｂ上に接着部材（紫外線硬化性接着剤）Ｉを介して気密的に配設するものが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
透明導電膜Ｃは、陰極リード部（配線部）Ｊ，陽極部（第１の電極）Ｋ，および陽極リード部Ｌを有している。背面電極Ｅは、陰極リード部Ｊに接するように形成されており、陰極リード部Ｊに導通している。有機層Ｄは、陽極部Ｋと背面電極Ｅに挟持されており、有機ＥＬパネルＡは、陽極リード部Ｌと陰極リード部Ｊに電源を接続することにより発光する。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−３５０４２９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、陰極リード部Ｊと背面電極Ｅの界面におけるコンタクト抵抗が高いため、陽極部Ｊと背面電極Ｅの間の有機層Ｄに印加される電圧が低くなり、所望の発光輝度が得られないという問題を有していた。
【０００６】
そこで本発明は、この問題に着目してなされたものであり、陰極リード部Ｊと背面電極Ｅとの間の電気抵抗を低くすることにより、高輝度で発光することができる有機ＥＬパネルの製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するため、請求項１に記載したように、支持基板上に透光性の第１の電極と有機層と金属性の導電性材料からなる第２の電極とが順次積層されてなる積層体と、前記第２の電極と接続しＩＴＯを用いて形成される透光性の配線部と、前記支持基板とで前記積層体を収納するための気密空間を形成する封止部材と、を備えてなる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記気密空間に収納された前記第２の電極と前記配線部との間を通電させるとともに、加熱することによって、前記第２の電極と前記配線部との間に発生する酸化膜を除去するための低抵抗化工程を備えたことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【０００９】
また、請求項２に記載したように、請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法において、前記低抵抗化工程は、前記第２の電極と前記配線部との接続箇所を局所的に加熱してなることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３に記載したように、請求項２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法において、前記低抵抗化工程は、前記第２の電極と前記配線部との接続箇所における抵抗値が半分以下になるまで行われることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づき説明する。
【００１２】
図１及び図２において、有機ＥＬパネルは、ガラス基板（支持基板）１と、透明導電膜２と、絶縁層３と、有機層４と、背面電極（第２の電極）５と、封止部材６と、接着部材７と、吸湿部材８とから主に構成されている。
【００１３】
ガラス基板１は、長方形形状からなる透光性の支持基板である。
【００１４】
透明導電膜２は、ガラス基板１上にＩＴＯ等の導電性材料を蒸着法やスパッタリング法等の手段によって形成されるもので、日の字型の表示セグメント部（第１の電極）２ａと、個々のセグメントからそれぞれ引き出し形成されたリード部２ｂと、リード部２ｂの終端部に設けられる端子部２ｃとを備えている。なお、端子部２ｃは、ガラス基板１の一辺に集中的に配設されている。
【００１５】
絶縁層３は、例えば、ポリイミド系等の絶縁材料からなり、例えばフォトリソグラフィー法等の手段によって形成される。絶縁層３は、表示セグメント部２ａに対応した窓部３ａと、背面電極５の後述する端子部に対応する切り欠き部３ｂとを有し、発光領域の輪郭を鮮明に表示するため、透明導電膜２の表示セグメント部２ａの周縁部と若干重なるように窓部３ａが形成され、また、透明導電膜２と背面電極５との絶縁を確保するためにリード部２ｂ上を覆うように配設される。
【００１６】
有機層４は、少なくとも発光層を有するものであれば良いが、本発明の実施の形態においては正孔注入層，正孔輸送層，発光層及び電子輸送層を蒸着法等の手段によって順次積層形成してなるものである。有機層４は、絶縁層３における窓部３ａの形成箇所に対応するように所定の大きさをもって配設される。
【００１７】
背面電極５は、アルミ（Al）やアルミリチウム（Al:Li），マグネシウム銀（Mg:Ag）等の金属性の導電性材料を蒸着法やスパッタリング法等の手段によって形成されるものであり、有機層４上に配設される。背面電極５は、透明導電膜２における各端子部２ｃと隣接するようにガラス基板１の一辺に設けられるリード部（配線部）５ａと電気的に接続される。なお、リード部５ａの終端部には、端子部５ｂが設けられ、リード部５ａ及び端子部５ｂは透明導電膜２と同材料により形成される。
【００１８】
以上のように、ガラス基板１上に透明導電膜２と絶縁層３と有機層４と背面電極５とを順次積層し積層体９が得られる。
【００１９】
封止部材６は、例えばガラス材料からなる平板部材に凹部６ａを形成してなるものである。封止部材６は、凹部６ａを取り囲むように形成されガラス基板１に対して所定間隔（例えば、０．５ｍｍ）を保持するための支持部６ｂを、接着部材７を介しガラス基板１上に気密的に配設することで、封止部材６とガラス基板１とで積層体９を収納する気密空間１０を構成する。封止部材６は、透明導電膜２の端子部２ｃ及び背面電極５の端子部５ｂが外部に露出するようにガラス基板１よりも若干小さ目に構成されている。
【００２０】
接着部材７は、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤からなる速硬性のものが用いられる。また、接着部材７は、封止部材６の支持部６ｂ面（封止部材６のガラス基板１に接触する部分）に線形状に配設されつつ、ガラス基板１と封止部材６とを接着固定するものである。また、接着部材７によって、封止部材６とガラス基板１とが気密的に接着されることにより、気密空間１０と外部とを隔離することになる。
【００２１】
吸湿部材８は、封止部材６の積層体９との対向面の周縁付近（支持部６ｂ近傍箇所）に配設される。吸湿部材８は、活性アルミナ，モレキュラシーブス，酸化カリウム及び酸化バリウム等の物理的あるいは化学的に水分を吸着する吸着剤を有するもので、吸着剤が流動しない程度の粘性を有するクリーム状あるいはゲル状の部材である。
【００２２】
以上の各部によって有機ＥＬパネルが構成される。かかる有機ＥＬパネルは、低抵抗化工程がなされる。
【００２３】
低抵抗化工程は、背面電極５とリード部５ａとの間を通電させながら、背面電極５とリード部５ａとの接続箇所１１を加熱処理することによってなされる。この場合、各端子部５ｂ，２ｃに電源が接続された有機ＥＬパネルを高熱雰囲気（例えば、１００℃）中に置くことで加熱し、この状態で電圧を加えて、所定時間（例えば、２時間）静置する。
【００２４】
なお、各端子部５ｂ，２ｃ間に電圧を加える際には、直流定電流（電圧）、定電流（電圧）パルス、交流、階段状電流（電圧）、漸増電流（電圧）、漸減電流（電圧）、等が考えられる。また、電圧値は、有機ＥＬパネルを製品の仕様として通常の発光表示させるため値、もしくはそれ以下の電流，電圧値を加えても酸化膜を除去する効果がある。
【００２５】
また、背面電極５とリード部５ａとの接続箇所１１を加熱する際には、有機ＥＬパネルを所定温度に調温されたオーブン等の高温雰囲気中に静置することによってなすことができるが、雰囲気の温度は、５０℃〜１５０℃の間であれば、酸化膜を除去する効果がある。
【００２６】
また、本発明は、低抵抗化工程の処理時間は、背面電極５とリード部５ａとの接続箇所における抵抗値が半分以下になるまで行われれば効果的な酸化膜除去効果を満たすが、背面電極５とリード部５ａとの間の抵抗値が安定状態になった時をもって終了することが望ましく、電圧値や加熱する温度に応じて調整するとよい。
【００２７】
かかる有機ＥＬパネルの製造方法によれば、ガラス基板１上に透光性の表示セグメント部２ａと有機層４と背面電極５とが順次積層されてなる積層体９と、背面電極５と接続して形成される透光性のリード部５ａと、を備えてなる有機ＥＬパネルの製造方法であって、背面電極５とリード部５ａとの間に発生する酸化膜を除去するための低抵抗化工程を備えてなる。したがって、背面電極５とリード部５ａとの接続部分１１における合金化を促進させ、背面電極５とリード部５ａとの間の酸化膜の除去を促すことができ、背面電極５とリード部５ａとの間における抵抗を抑制することになる。したがって、有機層４に印可される印可電力に対して高い発光効率が得られる、すなわち高輝度で発光することができる有機ＥＬパネルの製造方法を提供することになる。
【００２８】
また、低抵抗化工程は、少なくとも背面電極５とリード部５ａとの間を通電させるとともに、加熱処理してなることによって、より確実に酸化膜を除去することができるため、安定して高輝度で発光することができる有機ＥＬパネルの製造方法となる。また、短時間で酸化膜の除去を促すことができるため、生産性の良好な有機ＥＬパネルの製造方法となる。
【００２９】
なお、本発明の実施の形態では、有機ＥＬパネル全体を加熱することによって、背面電極５とリード部５ａとの接続位置も加熱されるようにしたが、ホットエアの吹き付けや遠赤外線、レーザー光の照射によって、背面電極５とリード部５ａとの接続箇所を局所的に加熱することもでき、効率的に加熱処理することができるため、低抵抗化工程の処理時間を短くでき、生産性の良好な有機ＥＬパネルの製造方法となる。特にレーザー光を照射する処理は、より確実で短時間に高輝度で発光する有機ＥＬパネルを得るための低抵抗化工程となる。
【００３０】
また、図４に示すように、導電性を考慮してリード部５０ａと背面電極５０との間に補助配線１２０がある場合であっても、リード部５０ａと補助配線１２０との間の接続箇所１１０ａ、および補助配線１２０と背面電極５０との間における接続箇所１１０ｂに対して、上述した実施の形態と同様の低抵抗化工程を行うことよって、各接続箇所１１０ａ，１１０ｂの酸化膜を除去できる。したがって、背面電極５と表示セグメント部２０ａとの間の有機層４０に印加される電圧を高め、高輝度で発光する有機ＥＬパネルを得るための低抵抗化工程となる。なお、補助電極１２０は、例えば、クロム（Cr），チタン（Ti），マンガン(Mn)，ニッケル(Ni)，金(Au)，マンガン−アルミ（MN-Al）合金等の透明導電膜（ＩＴＯ）よりも導電率の高い難腐食性金属材料からなるものである。
【００３１】
【発明の効果】
本発明は、複数の電極間に発光層を挟持した有機ＥＬパネルの製造方法に関し、高輝度で発光することができる有機ＥＬパネルの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の有機ＥＬパネルを示す斜視図。
【図２】同上実施の形態の有機ＥＬパネルの断面図。
【図３】同上実施の形態の別例を示す断面図。
【図４】有機ＥＬパネルの構成を示す断面図。
【符号の説明】
１ガラス基板（支持部材）
２透明導電膜
２ａ表示セグメント部（第１の電極）
４有機層
５背面電極（第２の電極）
５ａリード部（配線部）
９積層体
１１接続箇所

Claims

支持基板上に透光性の第１の電極と有機層と金属性の導電性材料からなる第２の電極とが順次積層されてなる積層体と、
前記第２の電極と接続しＩＴＯを用いて形成される透光性の配線部と、
前記支持基板とで前記積層体を収納するための気密空間を形成する封止部材と、
を備えてなる有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記気密空間に収納された前記第２の電極と前記配線部との間を通電させるとともに、加熱することによって、前記第２の電極と前記配線部との間に発生する酸化膜を除去するための低抵抗化工程を備えたことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
前記低抵抗化工程は、前記第２の電極と前記配線部との接続箇所を局所的に加熱してなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
前記低抵抗化工程は、前記第２の電極と前記配線部との接続箇所における抵抗値が半分以下になるまで行われることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。