JP4254666B2 - タグリーダ - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施例について図1乃至図3を参照して説明する。図1は、非接触通信タグ及びリーダライタの構成を示す機能ブロック図である。リーダライタ(タグリーダ)11は、マイクロコンピュータで構成される制御回路12,送信回路13,アンテナ(受信手段)14,波形整形回路(非線形増幅手段)15及び受信回路16などで構成されている。
図2は、波形整形回路15の具体的な構成を示すものである。波形整形回路15は、アノードが共通に接続されているダイオード33及びツェナーダイオード34の直列回路を、2組逆並列接続して構成されている。尚、受信信号極性の正側,負側に対応するものについて、符号の添え字を夫々「p」,「m」として示している。また、以下の説明において、正側,負側を特に区別する必要がない場合には、符号の添え字を省略する。
(VF+VZ)≦(VR−VT)/2
即ち、受信信号の極性に応じて、当該信号の電圧範囲より、受信回路16の入力電圧許容範囲を減じた値の1/2以下に相当するレベルで搬送波成分を減衰させるようにする。例えばVF=0.7V,VR=20V,VT=3Vであれば、ツェナー電圧VZは、
VZ≦(20−3)/2−0.7=7.8(V)
となるように設定すれば良い。すると、波形整形回路15より出力される電圧波形は、受信信号電圧波形の包絡線に影響を及ぼすことなく、受信可能電圧範囲を超える搬送波成分の振幅を減衰させた波形となる。
図4は本発明の第2実施例を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。第2実施例は、波形整形回路15に替えて、図4に示す波形整形回路(非線形増幅手段)41を用いる部分だけが第1実施例と相違している。波形整形回路41の信号入力端子と信号出力端子との間には、コンデンサ(第1コンデンサ)42p,ダイオード43p,コンデンサ44p(第2コンデンサ)の直列回路が接続されている。そして、ダイオード43pのアノードとグランドとの間には抵抗45p(第1抵抗)が接続され、ダイオード43pのカソードと電圧V1を与える電圧源(波形整形用電圧源)46との間には抵抗47p(第2抵抗)が接続されている。尚、コンデンサ42p,44pは、電位安定用のカップリングコンデンサである。
以上は受信信号の正半波側に対応する回路であり、受信信号の負半波側に対応する回路は、上記と同様の構成を、ダイオード43が逆方向となるようにして、信号入力端子と信号出力端子との間に並列に接続したものとなっている。
図5は本発明の第3実施例を示すものであり、第2実施例と異なる部分についてのみ説明する。第3実施例の波形整形回路(非線形増幅手段)48は、波形整形回路41における抵抗45pに対して並列に、アノードがグランド側となるようにダイオード49pを接続し、また、抵抗47mに対して並列に、カソードが電圧源46側となるようにダイオード49mを接続したものである。
図6及び図7は本発明の第4実施例を示すものであり、第1実施例と異なる部分についてのみ説明する。第4実施例の波形整形回路(非線形増幅手段)51は、プッシュプル接続されたPNPトランジスタ52p,NPNトランジスタ52mを出力段に配置して構成されている。トランジスタ52p,52mのエミッタは、何れも抵抗53p,53mを介して信号入力端子に接続されており、コレクタは信号出力端子に共通に接続されている。また、信号入力端子とトランジスタ52pのベースとの間には、抵抗54p,ダイオード55pの直列回路が接続されている。トランジスタ52pのベースとグランドとの間には、抵抗56p及びコンデンサ57pの並列回路が接続されている。一方、トランジスタ52m側についても、上記と略対称に構成される回路が接続されているが、ダイオード55mの方向はダイオード55pと逆になっている。
Vp=Vin−VR−VF
となる。そして、トランジスタ52pのエミッタ電位は、検波電圧Vpにベース−エミッタ間Vbeを加えたものとなるので、エミッタ抵抗53pには、入力電圧Vinと、(Vp+Vbe)との差に応じた電流が流れる。従って、信号出力端子であるトランジスタ52pのコレクタには、(Vin−Vp−Vbe)を増幅した電圧が出力される。即ち、受信信号に含まれる搬送波成分は(Vp+Vbe)だけ減衰される。
そして、トランジスタ52の増幅作用の結果、応答信号によって搬送波が振幅変調されることで包絡線に落差がある部分は、その落差がより大きくなるように増幅されるため、図7(a)に示すように、入力信号に含まれているRFタグ24の応答信号成分は増幅される(包絡線の変化分がより大きくなっている。つまり、第2の増幅率が「1」を超えていることになる)。即ち、図7(b)に示すように、受信信号に含まれる搬送波信号成分のレベルが低下するのに対し、応答信号成分のレベルは上昇するようになる。
図8は本発明の第5実施例を示すものであり、第4実施例と異なる部分についてのみ説明する。第5実施例の波形整形回路(非線形増幅手段)61は、第5実施例の波形整形回路51における抵抗54(p,m)をダイオード62(p,m)に置き換え、ピークホールド回路63(p,m)を構成したものである。第4実施例においては、抵抗54の端子電圧VRは、当該抵抗54を介して流れる電流に依存して変動する。これに対して、第5実施例の波形整形回路61では、抵抗54をダイオード62に置き換えたことで、端子電圧VRは一定の順方向電圧VFとなる。従って、入力信号振幅が変化する場合でも、出力信号の振幅変化を抑制することができる。
第1実施例において、ダイオード33及びツェナーダイオード34を、カソードを共通に接続しても良い。
第4,第5実施例において、バイポーラトランジスタに替えてFETを使用しても良い。
変調方式は振幅変調に限ることなく、位相変調であっても良い。
リーダライタに限ることなく、データの読取り機能だけを備えたタグリーダに適用しても良い。
Claims (4)
- 非接触通信タグに搬送波を送信し、前記搬送波が前記非接触通信タグ内おいて応答信号により変調され、送信された前記搬送波の成分及び前記応答信号の成分を含む応答波を受信する受信手段と、送信した搬送波を混合して同期検波を行う同期検波手段とを具えたタグリーダにおいて、
前記応答波に含まれる前記搬送波の成分に対する第1の増幅率に対して、前記応答信号の成分に対する第2の増幅率が大きくなるように設定された非線形増幅手段を具え、
前記非線形増幅手段は、
プッシュプル接続されたPNPトランジスタ,NPNトランジスタを出力段に配置し、前記トランジスタの各エミッタは、何れも抵抗を介して信号入力端子に接続され、前記トランジスタの各コレクタは信号出力端子に共通に接続され、
前記信号入力端子と前記トランジスタの各ベースとの間に接続されるピークホールド回路を備えて構成されており、
前記非線形増幅手段は、前記受信手段によって受信された応答波を増幅して前記同期検波手段に出力することを特徴とするタグリーダ。 - 前記ピークホールド回路は、
前記信号入力端子と前記PNPトランジスタのベースとの間に接続される抵抗及び順方向のダイオードの直列回路と、
前記信号入力端子と前記NPNトランジスタのベースとの間に接続される抵抗及び逆方向のダイオードの直列回路と、
前記トランジスタの各ベースとグランドとの間に接続される抵抗及びコンデンサの並列回路とで構成されることを特徴とする請求項1記載のタグリーダ。 - 前記ピークホールド回路は、
前記信号入力端子と前記PNPトランジスタのベースとの間に接続される2つの順方向ダイオードの直列回路と、
前記信号入力端子と前記NPNトランジスタのベースとの間に接続される2つの逆方向ダイオードの直列回路と、
前記トランジスタの各ベースとグランドとの間に接続される抵抗及びコンデンサの並列回路とで構成されることを特徴とする請求項1記載のタグリーダ。 - 前記非線形増幅手段が有する前記第1の増幅率は、所定の振幅以下の入力信号に対して実質的に出力振幅を発生しない「1」未満となる増幅率であり、前記第2の増幅率は、前記所定の振幅を超える入力信号に対しては「1」を超える増幅率であるように設定されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のタグリーダ。
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