JP4245265B2 - Multilayer wiring board having a plurality of filters - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数のフィルタを有する多層配線基板、特にトリプレート構造積層フィルタと弾性表面波フィルタとの複合フィルタを有する多層配線基板に属する。
【0002】
【従来の技術】
近年の移動体通信の発達により、使用周波数帯が準マイクロ波の領域へ上がっており、例えば米国の「PCS」、欧州の「DCS」などのシステムでは、従来の800MHz帯と準マイクロ波の1.8〜1.9GHz帯のデュアルバンドで使用されつつある。
【0003】
これらのデュアルバンドの移動体通信機には各周波数帯域のフィルタとは別に2つの周波数帯域を分波する分波器が用いられている。分波器としては積層型誘電体フィルタを組み合わせたものが一般的である。一方、各周波数帯域のフィルタには誘電体フィルタの他、弾性表面波フィルタ(以下、SAWフィルタという)も用いられている。
【0004】
図8は、従来の移動体通信機のフィルタ構成を示すブロック図であり、分波器21の後に800MHz帯のフィルタ22a、22b、1.8〜1.9GHz帯のフィルタ23a、23bが各別体の部品として配置されている。各周波数帯のフィルタは、積層型誘電体フィルタ、又は積層型誘電体フィルタとSAWフィルタとの複合フィルタである。
【0005】
このうち分波器21とフィルタ23a、23bの配置例を斜視図として図9に示す。図9には、エポキシ樹脂等からなるプリント基板100上に図8の分波器21に対応する分波器115と誘電体ブロック101が搭載されている。分波器115は、その一つの端子121が図略のアンテナに接続され、他の一つの端子123bが誘電体ブロック101内でフィルタ23aとなる積層型誘電体フィルタの端子123aに接続され、残る端子122が図略の別のフィルタ(図8の22)に接続されている。
【0006】
誘電体ブロック101は、複数の誘電体層を積層し、層間にストリップライン、内部配線、内部電極などを形成し、主面及び端面のほぼ全体にアース電極102、103を形成し、所定の箇所にキャビティ112を設けたものである。図8との関係では、誘電体ブロック101の内部の入出力電極109、110と結合電極108との間に複数(図示は5つ)のストリップライン105が並べて形成され、図8のフィルタ23aに対応する積層型誘電体フィルタとし、キャビティ112の底面に図8のフィルタ23bとなるSAWフィルタ113が搭載されている。入出力端子124、125は、図略の受信回路に接続されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来の通信機では、上記のように分波器と各周波数帯のフィルタとが各別の部品であって、プリント基板上で接続されていた。このため、それぞれの接続部分でインピーダンスの不整合による反射が発生し、分波器及びフィルタのトータルとしての伝送損失が大きくなるという問題があった。又、デュアルバンドになることでフィルタ数が多くなり、フィルタの占有面積の増大にともなって通信機全体を阻害していた。
【0008】
それ故、この発明の課題は、小型で低損失、高減衰量の複数のフィルタを有する多層配線基板、特に分波器と各周波数帯のフィルタとを備えた多層配線基板を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、この発明は、
複数の誘電体層が積層された誘電体ブロックと、電子部品を搭載するために前記誘電体ブロックの主面側の一部から前記誘電体層の積層方向に形成されたキャビティとを有する多層配線基板において、
前記キャビティを形成しない誘電体層の層間であって前記キャビティの下部誘電体層間に、ストリップラインと容量成分とを含むローパスフィルタであって前記容量成分の一方の電極が前記ストリップラインに接続され、間に前記下部誘電体層を介して他方の電極がアース電位に接続されたローパスフィルタ
前記キャビティを形成する誘電体層の層間であって前記キャビティに隣接する隣接誘電体層間に前記ローパスフィルタの前記ストリップラインよりもく一端がアース電位に接続されたストリップラインと容量成分とを含むハイパスフィルタであって前記容量成分の一方の電極がその短いストリップラインに接続され、間に前記隣接誘電体層を介して他方の電極が入力回路に接続されたハイパスフィルタ
備えることを特徴とする。
【0010】
誘電体層の層間のうちキャビティの下部やキャビティに隣接する箇所は、従来はキャビティを形成するために存在するデッドスペースであった。一方、フィルタを構成するストリップラインの導体長は、周波数帯によって異なる。そこで、この発明によれば、比較的広い面積を確保できるキャビティ下部に長いストリップラインと所定の容量成分を必要とするローパスフィルタ、面積の狭いキャビティ隣接箇所に短いストリップラインと所定の容量成分で構成できるハイパスフィルタを形成して、デッドスペースの有効利用を図った。従って、フィルタ数が増えることに伴う通信機器全体の大型化を避けることができる。
【0011】
この発明の多層配線基板において、前記キャビティの上方から見た平面視で前記ローパスフィルタおよび前記ハイパスフィルタを一部で重なるように配置しており、前記キャビティの底面を含む面のうち、前記ローパスフィルタと前記ハイパスフィルタとが重なる領域のほぼ全面に接地導体を形成したものは、好ましい一つの構成である。
【0012】
ローパスフィルタとハイパスフィルタとの重なり領域の余地全体に電子部品に必要な接地導体を形成することで、上下のフィルタを分離して相互干渉を無くするシールド構造を兼ねることができる。更に又、電子部品をキャビティに配置することで、その破損を防止することもできる。
【0013】
別の好ましい構成は、前記誘電体層の層間であってキャビティの上方から見た平面視で前記2種のローパスフィルタとハイパスフィルタのいずれとも重ならない位置に、積層型誘電体フィルタとなる複数のストリップラインを形成したものである。これにより、分波器に接続される各周波数帯のフィルタと分波器との接続間距離が短くなり、伝送損失が著しく減少するからである。
【0014】
【発明の実施の形態】
この発明の多層配線基板を分波器及び各周波数帯のフィルタに適用した実施形態を図面と共に説明する。図1は、ローパスフィルタ17及びハイパスフィルタ18からなる分波器21と各周波数帯のフィルタ22a、22b、23a、23bの構成を示したブロック図である。フィルタ22a、22bは800MHz帯のフィルタであり、フィルタ23は1.8〜1.9GHz帯のフィルタであり、従来と異なり、いずれも分波器21と一体の部品である。
【0015】
図2はこれらのうち分波器21とフィルタ23a、23bの部分を示す斜視図、図3は同じく平面図、図4は図3のAA’断面図、図5は同じくBB’断面図である。
分波器21及びフィルタ23aは、以下に詳述するように単一の誘電体ブロック1の中で構成され、フィルタ23bは誘電体ブロック1の一方の側の主面に設けたキャビティ12内にSAWフィルタ13として収納されている。
【0016】
誘電体ブロック1は、主面に所定の導体を形成した9つの誘電体層1a〜1iを積層したもので、所定の層間であってキャビティ12の一方の側に隣接する広い面積部分には各々共振器となり全体でフィルタ23aとなる5本のストリップライン5a、5b・・5eが並べて形成されている。尚、ストリップライン5a〜5e全てと対面する誘電体ブロックの両主面の領域には、図示しないがアース電極が形成されており、ストリップライン5a〜5bの一端がアース電極に短絡し、他端が開放されている。
【0017】
キャビティ12と反対側の端に位置するストリップライン5aの上方にはそれらストリップラインと捻れの配置で入出力電極が形成されて誘電体ブロック1の端面にまで延びている。又、キャビティ12側の端に位置するストリップラインeの上方には同じく捻れの配置で内部配線10が形成され、後述の接続点27を介してハイパスフィルタ18と接続している。他方、5本のストリップライン5a〜5eの下方には共振器間結合電極8がそれらストリップラインと垂直方向に形成されている。そして、誘電体ブロック1の端子部分を除くほぼ全部の主面及び端面にそれぞれアース電極2及びアース電極3が形成され、ストリップライン5a〜5eの一端はアース電極3と短絡している。但し、ストリップライン5a〜5eの一端は、アース電極3との短絡に代えて図示しないビアホール導体を介してアース電極2と短絡させても良い。
【0018】
誘電体ブロック1のキャビティ12の下部及びキャビティ12の別の側に隣接する狭い面積部分には、図6に分解斜視図、図7に等価回路図として示すローパスフィルタ17及びハイパスフィルタ18が配置している。ローパスフィルタ17は800MHz帯、ハイパスフィルタ18は1.8〜1.9GHz帯を通過させるように設計されている。
【0019】
即ち、キャビティ12は誘電体層1a〜1fを打ち抜かれた方形の貫通孔と誘電体層1gとで囲まれる空間であり、キャビティ12に隣接する部分のうち、誘電体層1a、1b間に容量電極33a、誘電体層1b、1c間に容量電極33b、誘電体層1c、1d間に一端がアース電極3に接続し比較的短く鉤状に折れ曲がったストリップライン34、誘電体層1d、1e間に容量電極35a、誘電体層1e、1f間に容量電極35bが各々形成されている。
【0020】
そして、ストリップライン34はハイパスフィルタ18のインダクタ成分となり、容量電極33a、33bとこれら電極によって挟まれる誘電体層1bにより、所定の容量成分が発生し、ハイパスフィルタ18内でストリップライン34の開放端とアンテナ接続端子25との結合コンデンサ33となる。また、容量電極35a、35bとこれら電極によって挟まれる誘電体層1eとが、同様にストリップライン34の開放端とフィルタ接続端子27との結合コンデンサ35となる。そして、容量電極33b、ストリップライン34及び容量電極35aは、ストリップライン34の開放端に近い位置のビアホール導体36を介して接続している。
【0021】
次にキャビティ12の底面となる誘電体層1gの主面には、SAWフィルタ13の接続電極14、15及びこれら電極形成部分を除くほぼ全面にアース電極16が形成されている。従って、SAWフィルタ13の図略の入出力端子が接続電極14、15に接続され、アース端子がアース電極16に接続されている。
【0022】
続いて誘電体層1g、1h間にはアンテナ接続端子25からフィルタ接続端子26に至るまで比較的に長く蛇行したストリップライン31、誘電体層1h、1i間には容量電極32aが各々形成され、ストリップライン31はローパスフィルタ17のインダクタ成分となり、容量電極32a及び誘電体層1i裏面にあるアース電極2と誘電体層1iにより、結合コンデンサ32となる容量成分が発生する。ストリップライン31と容量電極32aとはフィルタ接続端子26に近い位置のビアホール導体37を介して接続している。
【0023】
このようにキャビティ12に隣接する相対的に狭い部分にハイパスフィルタ18、キャビティ12の下部の相対的に広い部分にローパスフィルタ17を形成したのは、次の理由による。ローパスフィルタ17は、図7で示すようにインダクタ成分となるストリップライン31及びコンデンサ32からなっており、周波数が低いため、インダクタ成分及び容量成分をいずれも大きくしなければならず、広い面積を必要とする。一方、ハイパスフィルタ18は、コンデンサ33、35及びストリップライン34からなり、周波数が高いため、高周波の技術を用いる場合は、インダクタ成分及び容量成分が小さくてすみ、狭い面積で足りるからである。
【0024】
尚、フィルタ22a、22bは、図2以下では示していないが、これらはいずれも積層型誘電体フィルタを用いることができるので、フィルタ23aと同様に誘電体ブロック1内に収めることができる。
【0025】
誘電体層1a〜1iは、誘電体セラミック材料と低温焼成を可能とする酸化物や低融点ガラス材料とからなる。誘電体セラミック材料の例としては、BaO−TiO2系、Ca−TiO2系、MgO−TiO2系等があり、低温焼成を可能とするための酸化物の例としては、BiVO4、CuO、Li2O、B23等がある。誘電体層1a〜1iは、1層あたり50〜300μm程度の厚みを有する。
【0026】
各ストリップライン、各容量電極、ビアホール導体、層間のアース電極は、誘電体層1a〜1iとなる各グリーンシートにAg、Ag−Pd、Cuなどを主成分とする導体材料を所定形状にスクリーン印刷し、誘電体層と同時に焼成することにより形成される。又、アース電極2及びアース電極3は、その焼成体にAg、Cuなどを主成分とする導体材料(Ag単体もしくはAg−Pd、Ag−PtなどのAg合金、又はCu単体もしくはCu合金)を所定形状にスクリーン印刷し、再度焼成することにより形成される。尚、これらの導体材料には、金属成分の他に必要に応じてガラス成分が添加される。
【0027】
この実施形態では、分波器21、フィルタ23a(積層型誘電体フィルタ)及びフィルタ23b(SAWフィルタ)が単一の誘電体ブロック1に収められているので、各周波数帯のフィルタと別体の分波器を使用した従来の構成に比べて小型化することができる。特に、SAWフィルタ13を配置するために設けられたキャビティ12の下部及び隣接位置のデッドスペースを分波器21のローパスフィルタ17及びハイパスフィルタ18として活用しているので、誘電体ブロック1の体積をほとんど変える必要がない。
【0028】
又、分波器と各周波数帯のフィルタとの接続距離が短いので、プリント基板上で分波器と各周波数帯のフィルタとをストリップラインを介して接続する従来構成に比べて反射損失が少なく、全体として性能の良い複合フィルタが得られる。更に、SAWフィルタ13に必要なアース電極16でローパスフィルタ17とハイパスフィルタ18とを完全に分離できるので、フィルタ間の相互干渉がなく性能の良い分波器を形成できることとなる。
【0029】
【発明の効果】
以上の通り、この発明の多層配線基板においては、デッドスペースとされていたキャビティの下部及び隣接位置の各々に各周波数帯のフィルタを形成したので、別部品としてのフィルタ数を減らして全体を小型化することができ、且つ反射損失の少ない性能の良い複合フィルタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態の多層配線基板のフィルタ構成を示すブロック図である。
【図2】実施形態の多層配線基板を示す斜視図である。
【図3】同じく平面図である。
【図4】図3のAA’断面図である。
【図5】同BB’断面図である。
【図6】上記多層配線基板の分波器を構成するローパスフィルタ17及びハイパスフィルタ18の部分を示す分解斜視図である。
【図7】上記分波器の等価回路図である。
【図8】従来の分波器の等価回路図である。
【図9】従来の分波器とフィルタとの組み合わせを示す斜視図である。
【符号の説明】
1、101 誘電体ブロック
2、3、16、102、103 アース電極
5a〜5e ストリップライン
8、108 共振器結合電極
9、109、10、110 入出力電極
12、112 キャビティ
13、113 SAWフィルタ
21、115 分波器
17 ローパスフィルタ
18 ハイパスフィルタ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to a multilayer wiring board having a plurality of filters, particularly a multilayer wiring board having a composite filter of a triplate structure multilayer filter and a surface acoustic wave filter.
[0002]
[Prior art]
With the recent development of mobile communications, the frequency band used has increased to the quasi-microwave region. For example, in systems such as “PCS” in the United States and “DCS” in Europe, the conventional 800 MHz band and one of the quasi-microwaves are used. .8-1.9 GHz dual band is being used.
[0003]
In these dual-band mobile communication devices, a duplexer that demultiplexes two frequency bands is used in addition to a filter of each frequency band. A duplexer combined with a laminated dielectric filter is generally used. On the other hand, a surface acoustic wave filter (hereinafter referred to as a SAW filter) is used as a filter in each frequency band in addition to a dielectric filter.
[0004]
FIG. 8 is a block diagram showing a filter configuration of a conventional mobile communication device. After the duplexer 21, 800 MHz band filters 22a and 22b and 1.8 to 1.9 GHz band filters 23a and 23b are separately provided. It is arranged as a body part. Each frequency band filter is a multilayer dielectric filter or a composite filter of a multilayer dielectric filter and a SAW filter.
[0005]
Of these, an arrangement example of the duplexer 21 and the filters 23a and 23b is shown as a perspective view in FIG. In FIG. 9, a duplexer 115 and a dielectric block 101 corresponding to the duplexer 21 of FIG. 8 are mounted on a printed circuit board 100 made of epoxy resin or the like. The duplexer 115 has one terminal 121 connected to an unillustrated antenna, and the other terminal 123b connected to the terminal 123a of the laminated dielectric filter that becomes the filter 23a in the dielectric block 101, and remains. The terminal 122 is connected to another filter (22 in FIG. 8) not shown.
[0006]
The dielectric block 101 is formed by laminating a plurality of dielectric layers, forming strip lines, internal wirings, internal electrodes, etc. between the layers, and forming ground electrodes 102, 103 over almost the entire main surface and end surface, and at predetermined locations. A cavity 112 is provided. In relation to FIG. 8, a plurality (five in the figure) strip lines 105 are formed side by side between the input / output electrodes 109 and 110 and the coupling electrode 108 inside the dielectric block 101, and the filter 23a in FIG. A corresponding multilayer dielectric filter is provided, and a SAW filter 113 serving as the filter 23b of FIG. The input / output terminals 124 and 125 are connected to a receiving circuit (not shown).
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional communication device, as described above, the duplexer and the filter of each frequency band are separate components and are connected on the printed circuit board. For this reason, there is a problem that reflection due to impedance mismatch occurs at each connection portion, and transmission loss as a total of the duplexer and the filter increases. In addition, the dual band increases the number of filters, and as the area occupied by the filters increases, the entire communication device is obstructed.
[0008]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multilayer wiring board having a plurality of small, low-loss, high-attenuation filters, particularly a multilayer wiring board having a duplexer and filters for each frequency band. .
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention provides:
Multilayer wiring having a dielectric block having a plurality of dielectric layers are laminated, and a cavity formed in the stacking direction of the dielectric layer from a portion of the principal surface of the dielectric block for mounting the electronic component In the substrate,
The lower dielectric layers of the cavity a interlayer dielectric layer that does not form the cavity, a low-pass filter including a stripline and a capacitor component, connected to one electrode of the capacitive component is in the stripline is a b-pass filter through said lower dielectric layer connected to the other electrode there over the ground potential between,
Between adjacent dielectric layer adjacent to the cavity a interlayer dielectric layer that forms the cavity, and the strip line short rather one end than the strip line is connected to the ground potential and the capacitive component of the low-pass filter a high-pass filter including the capacitor one electrode of the component is connected to the short strip line, through said adjacent dielectric layers other electrode and connected to high-pass filter to the input circuit between < It is characterized by providing .
[0010]
Conventionally, a portion below the cavity or adjacent to the cavity among the layers of the dielectric layer is a dead space that exists to form the cavity. On the other hand, the conductor length of the strip line constituting the filter varies depending on the frequency band. Therefore, according to the present invention, a low-pass filter that requires a long strip line and a predetermined capacitance component at the lower part of the cavity that can secure a relatively large area, and a short strip line and a predetermined capacitance component adjacent to a cavity with a small area are configured. A high-pass filter that can be used was formed to effectively use the dead space. Accordingly, it is possible to avoid an increase in the size of the entire communication device as the number of filters increases.
[0011]
In the multilayer wiring board of the present invention, the in a plan view seen from above the cavity has been arranged so as to overlap a part of the low-pass filter and the high pass filter, among the surfaces including a bottom surface of the cavity, before Symbol lowpass filter as said to form a substantially entire surface ground conductor regions and the high-pass filter overlap is one preferred configuration.
[0012]
By forming a ground conductor necessary for the electronic component over the entire overlap area between the low-pass filter and the high-pass filter, it is possible to separate the upper and lower filters and serve as a shield structure that eliminates mutual interference. Furthermore, it is possible to prevent breakage of the electronic component by disposing it in the cavity.
[0013]
Another preferable configuration is a plurality of dielectric filters that are stacked dielectric filters at positions between the dielectric layers that do not overlap with the two low-pass filters and the high-pass filter in a plan view as viewed from above the cavity . A strip line is formed. This is because the distance between the connection between the filter of each frequency band connected to the duplexer and the duplexer is shortened, and the transmission loss is remarkably reduced.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment in which the multilayer wiring board of the present invention is applied to a duplexer and a filter of each frequency band will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a duplexer 21 including a low-pass filter 17 and a high-pass filter 18 and filters 22a, 22b, 23a, and 23b in each frequency band. The filters 22a and 22b are 800 MHz band filters, and the filter 23 is a 1.8 to 1.9 GHz band filter, which are parts integrated with the duplexer 21 unlike conventional ones.
[0015]
2 is a perspective view showing a part of the duplexer 21 and the filters 23a and 23b, FIG. 3 is a plan view, FIG. 4 is a sectional view taken along line AA 'in FIG. 3, and FIG. .
The duplexer 21 and the filter 23a are configured in a single dielectric block 1 as will be described in detail below, and the filter 23b is disposed in the cavity 12 provided on the main surface on one side of the dielectric block 1. It is housed as a SAW filter 13.
[0016]
The dielectric block 1 is formed by laminating nine dielectric layers 1a to 1i each having a predetermined conductor formed on the main surface. Each of the dielectric blocks 1 is provided on a large area adjacent to one side of the cavity 12 between predetermined layers. Five strip lines 5a, 5b,... 5e are formed side by side as resonators and a filter 23a as a whole. Although not shown, a ground electrode is formed in the regions of both main surfaces of the dielectric block facing all the strip lines 5a to 5e, and one end of each of the strip lines 5a to 5b is short-circuited to the ground electrode. Is open.
[0017]
Above the strip line 5a located at the end opposite to the cavity 12, an input / output electrode 9 is formed in a twisted arrangement with the strip line and extends to the end face of the dielectric block 1. Further, the internal wiring 10 is similarly formed in a twisted arrangement above the strip line e located at the end on the cavity 12 side, and is connected to the high-pass filter 18 via a connection point 27 described later. On the other hand, an inter-resonator coupling electrode 8 is formed below the five strip lines 5a to 5e in a direction perpendicular to the strip lines. The ground electrode 2 and the ground electrode 3 are formed on almost all main surfaces and end surfaces of the dielectric block 1 except for the terminal portions, respectively, and one ends of the strip lines 5 a to 5 e are short-circuited with the ground electrode 3. However, one end of the strip lines 5a to 5e may be short-circuited to the ground electrode 2 via a via-hole conductor (not shown) instead of short-circuiting to the ground electrode 3.
[0018]
A low-pass filter 17 and a high-pass filter 18 shown as an exploded perspective view in FIG. 6 and an equivalent circuit diagram in FIG. 7 are arranged in the narrow area portion adjacent to the lower side of the cavity 12 and the other side of the cavity 12 of the dielectric block 1. ing. The low-pass filter 17 is designed to pass the 800 MHz band, and the high-pass filter 18 is designed to pass the 1.8 to 1.9 GHz band.
[0019]
That is, the cavity 12 is a space surrounded by the rectangular through-holes in which the dielectric layers 1 a to 1 f are punched and the dielectric layer 1 g, and a capacitance between the dielectric layers 1 a and 1 b in a portion adjacent to the cavity 12. Between the electrode 33a and the dielectric layers 1b and 1c, between the capacitive electrode 33b and the dielectric layers 1c and 1d, one end is connected to the ground electrode 3, and the strip line 34 is bent in a relatively short bowl shape and between the dielectric layers 1d and 1e. The capacitor electrode 35a is formed between the capacitor electrode 35a and the dielectric layers 1e and 1f.
[0020]
The strip line 34 becomes an inductor component of the high-pass filter 18, and a predetermined capacitance component is generated by the capacitive electrodes 33 a and 33 b and the dielectric layer 1 b sandwiched between these electrodes, and the open end of the strip line 34 in the high-pass filter 18. And the antenna connection terminal 25. Similarly, the capacitive electrodes 35 a and 35 b and the dielectric layer 1 e sandwiched between these electrodes serve as a coupling capacitor 35 between the open end of the strip line 34 and the filter connection terminal 27. The capacitive electrode 33b, the strip line 34, and the capacitive electrode 35a are connected via a via-hole conductor 36 located near the open end of the strip line 34.
[0021]
Next, a ground electrode 16 is formed on the main surface of the dielectric layer 1g serving as the bottom surface of the cavity 12 over almost the entire surface excluding the connection electrodes 14 and 15 of the SAW filter 13 and these electrode forming portions. Accordingly, the input / output terminals (not shown) of the SAW filter 13 are connected to the connection electrodes 14 and 15, and the ground terminal is connected to the ground electrode 16.
[0022]
Subsequently, a strip line 31 meandering relatively long from the antenna connection terminal 25 to the filter connection terminal 26 is formed between the dielectric layers 1g and 1h, and a capacitive electrode 32a is formed between the dielectric layers 1h and 1i. The strip line 31 becomes an inductor component of the low-pass filter 17, and a capacitance component that becomes the coupling capacitor 32 is generated by the capacitance electrode 32 a and the ground electrode 2 and the dielectric layer 1 i on the back surface of the dielectric layer 1 i. The strip line 31 and the capacitor electrode 32 a are connected via a via-hole conductor 37 located near the filter connection terminal 26.
[0023]
The reason why the high-pass filter 18 is formed in a relatively narrow portion adjacent to the cavity 12 and the low-pass filter 17 is formed in a relatively wide portion below the cavity 12 is as follows. As shown in FIG. 7, the low-pass filter 17 includes a strip line 31 and a capacitor 32, which are inductor components. Since the frequency is low, both the inductor component and the capacitance component must be increased, and a large area is required. And On the other hand, the high-pass filter 18 includes capacitors 33 and 35 and a strip line 34, and has a high frequency. Therefore, when a high-frequency technique is used, the inductor component and the capacitance component are small, and a small area is sufficient.
[0024]
Although the filters 22a and 22b are not shown in FIG. 2 and subsequent figures, a laminated dielectric filter can be used for both of them, so that they can be accommodated in the dielectric block 1 similarly to the filter 23a.
[0025]
The dielectric layers 1a to 1i are made of a dielectric ceramic material and an oxide or low-melting glass material that enables low-temperature firing. Examples of dielectric ceramic materials include BaO—TiO 2 , Ca—TiO 2 , MgO—TiO 2, etc. Examples of oxides that enable low-temperature firing include BiVO 4 , CuO, Examples include Li 2 O and B 2 O 3 . Dielectric layers 1a to 1i have a thickness of about 50 to 300 μm per layer.
[0026]
Each strip line, each capacitor electrode, via-hole conductor, and the ground electrode between layers are screen-printed in a predetermined shape with a conductor material mainly composed of Ag, Ag-Pd, Cu, etc. on each green sheet to be the dielectric layers 1a to 1i. And it is formed by baking simultaneously with a dielectric material layer. The ground electrode 2 and the ground electrode 3 are made of a conductive material mainly composed of Ag, Cu or the like (Ag simple substance or Ag alloy such as Ag-Pd, Ag-Pt, Cu simple substance or Cu alloy) in the fired body. It is formed by screen printing in a predetermined shape and firing again. In addition to the metal component, a glass component is added to these conductor materials as necessary.
[0027]
In this embodiment, since the duplexer 21, the filter 23a (laminated dielectric filter) and the filter 23b (SAW filter) are housed in a single dielectric block 1, the filter of each frequency band is separated from the filter. The size can be reduced as compared with a conventional configuration using a duplexer. In particular, since the dead space at the lower part of the cavity 12 and adjacent position provided for arranging the SAW filter 13 is utilized as the low-pass filter 17 and the high-pass filter 18 of the duplexer 21, the volume of the dielectric block 1 is reduced. There is almost no need to change.
[0028]
In addition, since the connection distance between the duplexer and each frequency band filter is short, there is less reflection loss compared to the conventional configuration in which the duplexer and each frequency band filter are connected via a strip line on the printed circuit board. A composite filter with good performance as a whole can be obtained. Further, since the low-pass filter 17 and the high-pass filter 18 can be completely separated by the ground electrode 16 necessary for the SAW filter 13, a duplexer with good performance can be formed without mutual interference between the filters.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, in the multilayer wiring board according to the present invention, the filters of each frequency band are formed at the lower part of the cavity and the adjacent positions, respectively, which were set as dead spaces, so the number of filters as separate parts is reduced and the whole is reduced in size. Therefore, it is possible to provide a composite filter with good performance and low reflection loss.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a filter configuration of a multilayer wiring board according to an embodiment.
FIG. 2 is a perspective view showing a multilayer wiring board according to the embodiment.
FIG. 3 is a plan view of the same.
4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
FIG. 5 is a sectional view taken along the line BB ′.
6 is an exploded perspective view showing portions of a low-pass filter 17 and a high-pass filter 18 constituting the duplexer of the multilayer wiring board. FIG.
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the duplexer.
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a conventional duplexer.
FIG. 9 is a perspective view showing a combination of a conventional duplexer and a filter.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 Dielectric block 2, 3, 16, 102, 103 Ground electrode 5a-5e Strip line 8, 108 Resonator coupling electrode 9, 109, 10, 110 Input / output electrode 12, 112 Cavity 13, 113 SAW filter 21, 115 Demultiplexer 17 Low-pass filter 18 High-pass filter

Claims (3)

複数の誘電体層が積層された誘電体ブロックと、電子部品を搭載するために前記誘電体ブロックの主面側の一部から前記誘電体層の積層方向に形成されたキャビティとを有する多層配線基板において、
前記キャビティを形成しない誘電体層の層間であって前記キャビティの下部誘電体層間に、ストリップラインと容量成分とを含むローパスフィルタであって前記容量成分の一方の電極が前記ストリップラインに接続され、間に前記下部誘電体層を介して他方の電極がアース電位に接続されたローパスフィルタと、
前記キャビティを形成する誘電体層の層間であって前記キャビティに隣接する隣接誘電体層間に前記ローパスフィルタの前記ストリップラインよりもく一端がアース電位に接続されたストリップラインと容量成分とを含むハイパスフィルタであって前記容量成分の一方の電極がその短いストリップラインに接続され、間に前記隣接誘電体層を介して他方の電極が入力回路に接続されたハイパスフィルタ
備えることを特徴とする多層配線基板。
Multilayer wiring having a dielectric block having a plurality of dielectric layers are laminated, and a cavity formed in the stacking direction of the dielectric layer from a portion of the principal surface of the dielectric block for mounting the electronic component In the substrate,
The lower dielectric layers of the cavity a interlayer dielectric layer that does not form the cavity, a low-pass filter including a stripline and a capacitor component, connected to one electrode of the capacitive component is in the stripline is a b-pass filter through said lower dielectric layer connected to the other electrode there over the ground potential between,
Between adjacent dielectric layer adjacent to the cavity a interlayer dielectric layer that forms the cavity, and the strip line short rather one end than the strip line is connected to the ground potential and the capacitive component of the low-pass filter a high-pass filter including the capacitor one electrode of the component is connected to the short strip line, through said adjacent dielectric layers other electrode and connected to high-pass filter to the input circuit between < multi-layer wiring board, characterized in that it comprises a br />.
前記キャビティの上方から見た平面視で前記ローパスフィルタおよび前記ハイパスフィルタを一部で重なるように配置しており、前記キャビティの底面を含む面のうち、前記ローパスフィルタと前記ハイパスフィルタとが重なる領域のほぼ全面に接地導体を形成した請求項1に記載の多層配線基板。 It is arranged so as to overlap a portion of the low-pass filter and the high pass filter in a plan view seen from above the cavity, of the plane containing the bottom surface of the cavity overlaps the previous SL low pass filter and the high pass filter 2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein a ground conductor is formed on substantially the entire area. 前記誘電体層の層間であって前記キャビティの上方から見た平面視で前記2種のローパスフィルタとハイパスフィルタのいずれとも重ならない位置に、積層型誘電体フィルタとなる複数のストリップラインを形成した請求項1又は2に記載の多層配線基板。A plurality of strip lines serving as a multilayer dielectric filter are formed at a position between the dielectric layers and in a plan view as viewed from above the cavity so as not to overlap any of the two types of low-pass filters and high-pass filters. The multilayer wiring board according to claim 1 or 2.
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