JP4243050B2 - 積層型太陽電池装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、高効率な積層型太陽電池装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
積層型の太陽電池装置においては、光入射側より各発電に寄与する活性層(発電層)を禁制帯幅(バンドギャップ)の広い順に積層している。これは狭いバンドギャップを持つ発電層がより長波長の光も吸収して発電できるため、各層の光感度を考慮してのことである。
【0003】
例えば、微結晶シリコン系の材料においては、微結晶シリコン(Si)と微結晶シリコンゲルマニウム(SiGe)の組み合わせを考える。微結晶シリコンゲルマニウムの光吸収係数は微結晶シリコンに比べて高く、より薄膜で同等の電流が得られるが、低い出力電圧を補うために、積層型太陽電池装置への応用が必須である。
【0004】
従来の考え方では光入射側より微結晶シリコン太陽電池セル、微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池セル、もしくは非晶質シリコン太陽電池セルとの組み合わせを加えて、非晶質シリコン層、微結晶シリコン層、微結晶シリコンゲルマニウム層と積層することが一般的であった。
【0005】
図2に従来の積層型太陽電池装置の構造を示す。図2に示すように、ガラス基板21上に、透明電極膜22として酸化錫(SnO2)層が形成される。この透明電極膜22は酸化錫の形成条件により表面に光閉じ込め効果に適した凹凸が形成されている。この透明電極膜22上に第1の発電層として、非晶質シリコン(a−Si)を発電層とする非晶質シリコン太陽電池セル23が形成されている。そして、この非晶質シリコン(a−Si)太陽電池セル23上に第2の発電層として、微結晶シリコン(μc−Si)を発電層(i層)とする微結晶シリコン(μc−Si)太陽電池セル24が形成されている。この微結晶シリコン(μc−Si)セル24上に第3の発電層として微結晶シリコンゲルマニウム(μc−SiGe)を発電層(i層)としてする微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池セル25が形成される。この微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池セル25上に裏面電極26として銀がスパッタ法により形成され、積層型太陽電池装置が構成されている。
【0006】
上記したように、光入射側の非晶質シリコン層23は凹凸を有する透明電極膜22上に成膜されるが、成膜と同時に透明電極膜22に存在する凹凸は平坦化される。また、第2層として微結晶シリコン層24を形成するが、平坦に近い非晶質シリコン層22上に形成された微結晶シリコン層24は凹凸度を増大しながら成膜される。しかし、第3層で微結晶シリコンゲルマニウム層25を形成することで、再度平坦化される。この結果、裏面側での光閉じ込め効果は小さく、裏面で反射される光は第1層の非晶質シリコン23まで指数関数的に低下することになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記したような光入射側より発電層のバンドギャップの広い順で積層して効果があるのは、あくまでも各層界面が平面もしくは、表面形状が維持される場合であって、現実の太陽電池装置においては膜堆積と共に、凹凸が平坦化される場合や、逆に凹凸の度合いが増すような場合に必ずしも該当しない。
【0008】
また、上記したように、微結晶シリコン系材料の場合、微結晶シリコン層は堆積が進むと凹凸度が増大する傾向があり、微結晶シリコンゲルマニウム層は平坦化する方向に堆積される傾向にある。凹凸基板上に堆積される太陽電池装置においては、太陽電池装置内の光吸収は一部分に偏ることがわかっているので、各層の形状が平坦か、凹凸かで、各層内での光吸収のされ方が異なる。したがって、より効果的に最大の電流が得られるような太陽電池装置の設計は、これらの形状の違いを考慮した設計をしなければならず、従来のように、単に、光入射側より各発電層のバンドギャップの広い順に積層する考え方は当てはまらない。
【0009】
この発明は、上記した事情に鑑みなされたものにして、微結晶シリコン系材料を用いた場合に、より効率的に電流を得るための積層型太陽電池構造を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明は、ガラス基板上に透明電極膜と、前記透明電極膜上に順次積層された3層の太陽電池セルと、前記太陽電池セル上に形成された裏面電極と、を有する積層型光起電力装置において、前記3層の太陽電池セルのうち前記裏面電極側に位置する太陽電池セルにおける活性層は、微結晶シリコンで形成され、この微結晶シリコンを含む太陽電池セルの前段の光入射側に位置する太陽電池セルの活性層は、前記微結晶シリコンよりも狭い禁制帯幅を有する非晶質シリコン系材料もしくは微結晶シリコンアロイで形成され、前記微結晶シリコンの前記裏面電極側の表面の凹凸度は、前記前段の太陽電池セルの前記裏面側電極側の表面の凹凸度に比べ大きいことを特徴とする。
【0011】
発電に寄与する活性層の積層順序が光入射側より非晶質シリコン系層、微結晶シリコンアロイ層、微結晶シリコン層で構成され、前記微結晶シリコンアロイ層の禁制帯幅は、微結晶シリコン層よりも狭いことを特徴とする。
【0012】
前記非晶質シリコン系層は非晶質シリコン、微結晶シリコンアロイ層は微結晶シリコンゲルマニウムを用いればよい。
【0013】
上記の構成によれば、裏面電極との界面付近で凹凸度の増大により、効果的に光の散乱、反射が起こる。この微結晶シリコン層の中では、シリコン側から電極方向を見て凹凸の凸部分で光が閉じ込められ、光の吸収量は指数関数で予想されるよりも多く吸収される。この結果、より高い電流値を薄い膜厚で得られることができるので、性能と生産性の両面から改善することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態につき図1を参照して説明する。図1は、この発明による積層型太陽電池装置の構造を示す模式的断面図である。
【0015】
ガラス基板上1に透明電極膜2として酸化錫(SnO2)層あるいは酸化亜鉛(ZnO)層が堆積されている。この透明電極膜2は表面に凹凸が形成されている。この透明電極膜2上に第1の発電層としてi型非晶質シリコン(a−Si)層を有する非晶質シリコン系太陽電池セル層3が形成される。非晶質シリコン層は、成膜と同時に透明電極膜2に存在する凹凸は平坦化される。
【0016】
この平坦に近い非晶質シリコン系太陽電池セル層3上に第2の発電層としてi型微結晶シリコンゲルマニウム(μc−SiGe)を有する微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池セル層4が設けられる。
【0017】
この微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池セル層4上に第3の発電層としてi型微結晶シリコン(μc−Si)を有する微結晶シリコン太陽電池セル層5が設けられる。この微結晶シリコン層は凹凸度を増大しながら成膜される。
【0018】
この微結晶シリコン太陽電池セル層5上に銀(Ag)などの裏面電極6がスパッタ法により形成される。この微結晶シリコン層5と裏面電極6との界面付近は凹凸度の増大により、効果的に光の散乱、反射が起こる。この結果、この層5の中では、シリコン側から電極方向を見て凹凸の凸部分で光が閉じ込められる。
【0019】
図1に示すように、光入射側の非晶質シリコン系太陽電池セル層3を構成する非晶質シリコン膜は凹凸を有する透明電極膜2上に成膜されるが、成膜と同時に透明電極膜2に存在する凹凸は平坦化される。
【0020】
上述したように、光入射側での凹凸は応用物理第69巻第7号684ページに示されるように、短波長側での反射の低減に効果があるが、光閉じ込めにはあまり効果はないことがわかっており、光の吸収の分布はほぼ指数関数で近似してよい。その次に、第2層として微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池セル層4を構成する微結晶シリコンゲルマニウム膜を形成するが、平坦に近い非晶質シリコン層3上に形成された微結晶シリコンゲルマニウム層4中では光の吸収は光の進行方向に指数関数的に減少する。
【0021】
微結晶シリコンゲルマニウムは第3層の微結晶シリコンに比べ吸収係数が大きく、しかも長波長側に高い感度特性を有するので、微結晶シリコンを第2層に使用する場合よりも小さな膜厚で所望の電流が得られる。したがって、第3層の微結晶シリコン層5へ透過される光の絶対量が大きくできる。微結晶シリコン太陽電池セル層5を構成する微結晶シリコン層は凹凸度を増大しながら成膜される。そして、裏面電極6との界面付近で凹凸度の増大により、効果的に光の散乱、反射が起こる結果、この微結晶シリコン層5の中では、シリコン側から電極方向を見て凹凸の凸部分で光が閉じ込められる。したがって、光の吸収量は指数関数で予想されるよりも多く吸収される。
【0022】
上述したように、従来の方法で順次堆積した場合には、図2に示すように、微結晶シリコン層24が凹凸化されても、第3層で微結晶シリコンゲルマニウム層25を形成することで、再度平坦化され、裏面側での光閉じ込め効果は小さく、裏面で反射される光は第1層の非晶質シリコン層22まで指数関数的に低下する。したがって、第2層の膜厚、第3層の膜厚共に大きくしないと第1層との電流バランスがとれない。また、厚くすることで、太陽電池装置の生産性が悪くなるばかりか、各層内でのキャリア再結合の絶対量が増えるので、太陽電池特性も低くなる。第1層を薄くして電流バランスをとったとしても、電流は潜在的な能力として得られる期待値よりも小さな値となる。
【0023】
このように、この発明の構造を採用することにより、より高い電流値を薄い膜厚で得られることができるので、性能と生産性の両面から改善することができる。
【0024】
図1を用いて、この発明の具体的実施の形態について以下に説明する。
【0025】
ガラス基板上1に透明電極膜2として酸化錫層あるいは酸化亜鉛層を堆積した上に第1の発電層として非晶質シリコン太陽電池セル層1を形成した。この実施形態では、透明電極膜2として酸化錫層を用いた。酸化錫は、形成条件により表面に光閉じ込め効果に適した凹凸が形成される。非晶質シリコン太陽電池セル層3の形成条件を表1に示す。
【0026】
【表1】
【0027】
次に、微結晶シリコンゲルマニウムを発電層に持つ微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池セル層4を形成した。形成条件を表2に示す。
【0028】
【表2】
【0029】
次に、微結晶シリコンを発電層に持つ微結晶シリコン太陽電池セル層5を形成した。形成条件を表3に示す。
【0030】
【表3】
【0031】
最後に裏面電極6として銀をスパッタ法にて形成し、太陽電池装置を完成させた。上記条件を用いて各太陽電池セル層の膜厚を最適化させたときの太陽電池特性を表4に示す。
【0032】
【表4】
【0033】
この時の微結晶シリコン及び微結晶シリコンゲルマニウム層の膜厚は従来例では1.5μm、0.6μmであり、この発明では1.3μm、0.5μmであった。この発明構造により、堆積時間を律速する微結晶シリコン及びシリコンゲルマニウム層の膜厚を小さくしてかつ、より高い変換効率が得られることが確認された。
【0034】
また、本実施形態では形成温度が基板側より徐々に高温になっていっているが、そのことによる最も低い温度で作成した非晶質シリコン太陽電池層への悪影響が懸念される。形成温度の最適化をすることで更に高い値も期待できる。
【0035】
また、裏面側の微結晶シリコン太陽電池層から順に、微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池層、非晶質シリコン太陽電池層と堆積するいわゆる逆タイプの太陽電池構造としても、微結晶シリコンゲルマニウムの凹凸形状が以降の成膜の際に影響を及ぼし、良好な同様の結果が得られる。
【0036】
さらに、この発明における、微結晶シリコンよりも狭い禁制帯幅を持つ材料は、微結晶シリコンゲルマニウムに限定されるものではなく、SiSnなど微結晶シリコンアロイ系材料を用いてもよい。
【0037】
また、上記した実施形態においては、光入射側の1層目の太陽電池セルに非晶質シリコンからなる発電層を用いたが、非晶質シリコンカーバイドを発電層に用いることもできる。また、非晶質シリコンカーバイトを第1層目の発電層として用いた場合、第2層目の発電層として非晶質シリコンを用いることもできる。
【0038】
【発明の効果】
上記したように、この発明によれば、裏面電極との界面付近で凹凸度の増大により、効果的に光の散乱、反射が起こり、この層の中では、シリコン側から電極方向を見て凹凸の凸部分で光が閉じ込められ、光の吸収量は指数関数で予想されるよりも多く吸収される。この結果、より高い電流値を薄い膜厚で得られることができるので、性能と生産性の両面から改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明による積層型太陽電池装置の構造を示す模式的断面図である。
【図2】従来の積層型太陽電池装置の構造を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 透明電極膜
3 非晶質シリコン系太陽電池セル層
4 微結晶シリコンゲルマニウム太陽電池セル層
5 微結晶シリコン太陽電池セル層
6 裏面電極
Claims (3)
- ガラス基板上に透明電極膜と、前記透明電極膜上に順次積層された3層の太陽電池セルと、前記太陽電池セル上に形成された裏面電極と、を有する積層型光起電力装置において、
前記3層の太陽電池セルのうち前記裏面電極側に位置する太陽電池セルにおける活性層は、微結晶シリコンで形成され、この微結晶シリコンを含む太陽電池セルの前段の光入射側に位置する太陽電池セルの活性層は、前記微結晶シリコンよりも狭い禁制帯幅を有する非晶質シリコン系材料もしくは微結晶シリコンアロイで形成され、
前記微結晶シリコンの前記裏面電極側の表面の凹凸度は、前記前段の太陽電池セルの前記裏面側電極側の表面の凹凸度に比べ大きいことを特徴とする積層型太陽電池装置。 - 前記活性層の積層順序が光入射側より非晶質シリコン系層、微結晶シリコンアロイ層、微結晶シリコン層で構成され、前記微結晶シリコンアロイ層の禁制帯幅は、微結晶シリコン層よりも狭いことを特徴とする請求項1に記載の積層型太陽電池装置。
- 非晶質シリコン系層は非晶質シリコン、微結晶シリコンアロイ層は微結晶シリコンゲルマニウムからなることを特徴とする請求項2に記載の積層型太陽電池装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001296226A JP4243050B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 積層型太陽電池装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001296226A JP4243050B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 積層型太陽電池装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003101047A JP2003101047A (ja) | 2003-04-04 |
JP4243050B2 true JP4243050B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=19117510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001296226A Expired - Fee Related JP4243050B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 積層型太陽電池装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4243050B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4663664B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-04-06 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP2010135636A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001296226A patent/JP4243050B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003101047A (ja) | 2003-04-04 |
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