JP4238525B2 - 樹脂組成物、半導体装置用接着剤付きフィルム、金属箔付き積層フィルム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は絶縁性の樹脂組成物であり、中でも特に優れた電気特性や機械特性が要求される半導体装置用途の樹脂組成物として用いられる。さらに詳しくは、半導体装置の接着剤である。より具体的には、半導体装置の実装方法であるテープオートメーテッドボンディング(TAB)方式に用いられる半導体装置用接着剤フィルム、チップ−オン−フィルム(COF)実装方式に用いられる金属箔付き積層フィルム、ならびに半導体集積回路をワイヤーボンディング方式で半導体集積回路接続用基板(インターポーザー)に接続してパッケージ化する際に、基板と半導体集積回路を接着する半導体用接着剤シート、およびそれらを用いた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
通常、樹脂組成物は周囲の温度が高くなると樹脂の分子運動が高まり長さや体積が大きくなる現象や弾性率が低下する現象を有している。従来、このような寸法変化や弾性率変化をもつ樹脂組成物を用いて精密な加工をすることは困難であった。また金属やセラミックスなどの異種材料と積層した場合、サーマルサイクル試験のような加熱や冷却の繰り返しによる環境の変化から樹脂組成物と異種材料との熱膨張係数差に基づく内部応力の発生および弾性率の低下によって接着力が低下し、ひどい場合は剥離が生じてしまう問題を有していた。さらに半導体装置周辺の接着剤として樹脂組成物を用いる場合、サーマルサイクル試験や半田リフロー条件においても高い接着性を有することが必要である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来、樹脂組成物は弾性率を低下させることで接着力の向上を図ることができるがこの方法では熱膨張係数が大きく、さらに高温での弾性率が大きく低下するため、接着力の低下や耐リフロー性に問題を有していた。
【0004】
一方、低熱膨張係数化と高弾性率化のために樹脂組成物の架橋密度を高める方法やベンゼン環などの硬い構造を導入する方法が採られたが、高弾性率化には有効だが低熱膨張係数化には十分でなく、硬化収縮による内部応力の増加や高弾性率化によって接着剤が脆性破壊しやすく、結果として接着力が低下する問題を有している。また他の手法として室温付近の弾性率が小さな材料にガラスファイバーやシリカなどの無機微粒子を充填し、低熱膨張係数化および高温時の弾性率を高める方法があるが、この方法は充填量が非常に多く必要であり、靱性を司る有機樹脂成分が少なくなるため前記同様脆い性質を有しており接着力が大きく低下するといった問題を有していた。このため高接着力で耐リフロー性に優れ、低熱膨張係数で高弾性率な樹脂組成物が求められている。
【0005】
さらに半導体装置周辺で発生しうる現象として、TABテープにワイヤーボンディングを行う場合、または金属箔付き積層フィルムにCOF実装をACF(異方性導電性フィルム)接合する場合、弾性率の低い接着剤層であるとボンダーで生じた熱により接着剤層が軟化し、配線パターンが凹んだり、ワイヤーまたはチップと配線パターン間の接合不良が生じる。これに対し硬化後の接着剤の弾性率を高くすると配線パターンの凹み、接合不良は改善されるが、TABテープおよび金属箔付き積層フィルムに反りが生じる。
【0006】
一般に接着剤は未硬化の状態から硬化に伴い収縮する特性を有している。硬化後の接着剤層の弾性率が小さい場合、反りは小さく、一方弾性率が大きくなるほど反りが大きくなる傾向がある。TABテープが反ってしまうとTABテープの搬送時や組み付け時のハンドリング操作を容易に出来ない。さらに、反ったTABテープに均一の厚さになるようにレジストを塗布することは困難であり、得られるレジスト層の厚みは不均一になる。このようなレジスト層にマスクを当て、露光、現像すると精度の悪いパターンしか得られず、結果として精度の悪い配線パターンを得ることになる。同様に金属箔付き積層フィルムでは弾性率の大きな接着剤を用いるとフレキシブル性が低下する問題、反ったフィルム上にチップをACF接合する場合の位置あわせが困難であり、接合不良となる問題を有していた。したがって、硬化した接着剤の高温弾性率が大きく、かつ反りが小さくなる接着剤層が必要とされていた。
【0007】
【発明を解決するための手段】
すなわち本発明は、(1)少なくともポリアミド樹脂およびエポキシ樹脂を含み、2相以上の相分離構造と平均一次粒子径0.1μm以下の無機微粒子を含有する樹脂組成物であって、相分離構造が少なくともマトリックス相および分散相を有し、無機微粒子が、マトリックス相と分散相の界面に多く存在することを特徴とする樹脂組成物であり、
(2)無機微粒子の含有量が5重量%以上50重量%以下である上記(1)記載の樹脂組成物、
(3)マトリックス相または分散相の少なくともいずれかの相が、鎖状の構造である上記(1)記載の樹脂組成物、
(4)マトリックス相の構成面積比が50以上95以下、分散相の構成面積比が5以上50以下である上記(1)記載の樹脂組成物、
(5)硬化後の150℃における弾性率が25MPa以上である上記(1)記載の樹脂組成物、
(6)硬化後の30℃と150℃の弾性率の比率(30℃での弾性率/150℃での弾性率)が30以下である上記(1)記載の樹脂組成物、
(7)有機絶縁フィルムの少なくとも片面に、上記(1)記載の樹脂組成物を接着剤層として有する半導体装置用接着剤付きフィルム、
(8)前記接着剤付きフィルムが、剥離可能な保護フィルム層を有する上記(7)記載の半導体装置用接着剤付きフィルム、
(9)上記(7)記載の半導体装置用接着剤付きフィルムの接着剤層上に金属箔を積層した金属箔付き積層フィルム、
(10)上記(9)記載の金属箔付き積層フィルムを用いた半導体装置である。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明は、2相以上の相分離構造と平均一次粒子径0.1μm以下の無機微粒子を含有する樹脂組成物である。
【0009】
上記において使用する無機微粒子の形状は、球状に限らず、楕円状、扁平状、ロッド状、または繊維状であっても良い。無機微粒子の平均一次粒子径は0.1μm以下であり、好ましくは1nm以上〜0.08μm以下の範囲から選択される。平均一次粒子径が0.1μmより大きいと必要な樹脂組成物の低熱膨張係数化と高弾性率化が得難くなる。なお、本発明の平均一次粒子径とは無機微粒子が単独で存在した場合の粒子径を示し、最も頻度の高い粒子径を示すものをいう。形状が球状の場合はその直径を表し、楕円状及び扁平状の場合は形状の最大長さを表す。さらにロッド状または繊維状の場合は長手方向の最大長さを表す。粉体状の無機粒子の平均一次粒子径はレーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置、動的光散乱式粒径分布測定装置などを用いて測定することができる。ただし、無機微粒子分散体の粒子形状、作製方法、分散媒、分散方法により最適な方法が選ばれる。
【0010】
無機微粒子の添加量としては、樹脂組成物の固形分中の5重量%以上50重量%以下、より好ましくは7重量%以上30重量%以下である。無機微粒子の含有量が5重量%より少ないと必要な樹脂組成物層の低熱膨張係数化と高弾性率化が困難となる。また、50重量%より大きいと接着性が漸次低下する。
【0011】
本発明で用いる無機微粒子としては特に限定されず、セラミックスなどの無機微粒子を用いることができる。セラミックス粉体としてはセラミックス粉体単独、ガラス−セラミックス複合系、結晶化ガラスなどが挙げられる。
【0012】
セラミックス粉体単独で用いる場合の例としては、アルミナ(Al2O3)、ジルコニア(ZrO2)、マグネシア(MgO)、ベリリア(BeO)、ムライト(3Al2O3・2SiO2)、コーディライト(5SiO2・2Al2O3・2MgO)、スピネル(MgO・Al2O3)、フォルステライト(2MgO・SiO2)、アノーサイト(CaO・Al2O3・2SiO2)、セルジアン(BaO・Al2O3・2SiO2)、シリカ(SiO2)、クエノエンスタタイト(MgO・SiO2)、窒化アルミニウム(AlN)などの粉体が挙げられる。これらのセラミックス粉体の純度は90重量%以上であることが好ましい。窒化アルミニウム粉体を単独で使用する場合には、窒化アルミニウム(AlN)に添加剤であるカルシウム系化合物(例えばCaC2、CaVO3、CaCN2、CaF2、CaO)やイットリウム系化合物(例えばY2O3)を0.5〜20重量%加えた粉末を用いることができる。また、イットリウム、希土類元素、アルカリ土類元素や炭素などの添加物を金属元素換算で0.01〜15重量%加えた混合粉末、MgC2、ZrC、VC、NbCなどの炭化物を1〜5重量%添加した粉末、BeOなどの酸化物を添加した混合粉末なども使用できる。より好ましい添加量は、Y2O3およびBeOの場合、1〜10重量%、酸化カルシウムの場合、1〜5重量%、炭素の場合は1重量%以下である。これらの添加物は単独あるいは2種類以上混合して使用することができる。
【0013】
ガラス−セラミックス複合系の例としては、例えばSiO2、Al2O3、CaO、B2O3、および必要に応じてMgOおよびTiO2などを含むガラス組成粉末、具体的にはSiO2−B2O3系ガラス、PbO−SiO2−Al2O3−B2O3系ガラス、CaO−SiO2−Al2O3−B2O3系ガラスなどにアルミナ、ジルコニア、マグネシア、ベリリア、ムライト、コーディライト、スピネル、フォルステライト、アノーサイト、セルジアン、シリカおよび窒化アルミニウムの群から選ばれる少なくとも1種のセラミックス成分との原料混合物が挙げられる。
【0014】
結晶化ガラスの具体例としては、MgO−Al2O3−SiO2系やLi2O−Al2O3−SiO2系の結晶化ガラスなどが用いられる。結晶化ガラスは例えばMgO−Al2O3−SiO2にB2O3と核形成物質を加えて900〜1000℃に焼成し、コーディライト結晶を析出させ高強度化を図ったものやLi2O−Al2O3−SiO2と核形成物質を加え、スポジュウメンを析出させ、同じく高強度化を図ったものも使用できる。
【0015】
他に珪藻土、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、マイカ、フッ素樹脂粉体、ダイヤモンド粉などが使用される。
【0016】
これらの無機微粒子には、必要に応じて表面処理を施しても良い。表面処理の具体的な例としては、シリコーンオイル等を用いた撥水処理、シランカップリング剤などの表面処理剤を用いた疎水化処理、親水化処理、あるいは微粒子表面への水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、アクリル基、ビニル基、アルキル基、アリール基などの有機官能基の導入などが挙げられ、これらは使用する樹脂との親和性や、界面の密着性あるいは分散性などを向上させるために適宜選択される。
【0017】
本発明でいう相分離構造とは、樹脂の有機成分中に複数の相が存在することを指し、分散相/マトリックス相や、交差積層状(ラメラ状)などいずれの形態でも良い。より好ましくはマトリックス相と分散相を有する形態である。マトリックス相とは硬化後の樹脂組成物における有機成分が相分離構造を有している場合に主体となる相のことを言い、分散相とはマトリックス相中に存在する相で、その形態は球状、シリンダ状、不定形状などのいずれでもよい。それら分散相は、鎖状構造をとることがより好ましい。分散相の鎖状構造とは個々の独立した分散相が2個以上連なったものであり、鎖状構造は直線、櫛形、樹枝状、星状のいずれかの構造をもちこれら構造により高次の網目構造を形成する。
【0018】
マトリックス相と分散相の比率は、マトリックス相の構成面積比が50以上95以下、分散相の構成面積比が5以上50以下であることが好ましい。
【0019】
本発明の樹脂組成物に含まれる無機微粒子の含有量は、5重量%以上50重量%以下であることが好ましい。樹脂組成物の相分離構造中における無機微粒子の存在形態は、全体に均一に存在するのではなくマトリックス相または分散相に多く存在することが好ましい。あるいはマトリックス相と分散相の界面に多く存在することが好ましく、マトリックス相中のマトリックス相/分散相界面近傍に多く存在することがより好ましい。最も好ましいのは個々の分散相が2個以上つながった鎖状構造をとり、かつ無機微粒子がマトリックス相中でマトリックス相/分散相界面に多く存在するか、あるいは、個々の分散相が2個以上連なった鎖状構造をとりかつ無機微粒子が分散相中に多く存在することである。
【0020】
マトリックス相/分散相の構成面積比、分散相の形状および分散相の鎖状の高次構造の形成や、それら相分離構造中における無機微粒子の存在形態は、樹脂組成の変更や無機微粒子の分散方法を変更することにより自由に選択することができる。
【0021】
マトリックス相/分散相の相分離構造や無機微粒子の分散状態および鎖状の高次構造を観察するには、樹脂組成物を必要に応じオスミウム酸、酸化ルテニウム、リンタングステン酸などを用いて染色しTEM(超薄膜切片法による透過型電子顕微鏡)観察により行うことができる。マトリックス相/分散相の構成面積比はTEM写真を画像解析装置等を用いて算出することができる。このTEM写真に厚みと比重が均一で透明性のあるフィルムなどを重ねマトリックス相、分散相の部分を描きそれぞれの部分を切り抜き、得られたフィルムの重量比からマトリックス相/分散相の相分離構造の構成面積比を算出することができる。
【0022】
本発明の樹脂組成物の弾性率は、硬化後、150℃において25MPa以上であることが好ましい。本発明の樹脂組成物の硬化後の30℃と150℃の弾性率の比率(30℃での弾性率/150℃での弾性率)は30以下であることが好ましい。最も好ましいのは、150℃における弾性率が25MPa以上であり、さらに30℃と150℃の弾性率の比率(30℃での弾性率/150℃での弾性率)が30以下である。150℃における弾性率が25MPa未満であるとボンダーで生じた熱により接着剤層が軟化し、配線パターンが凹んだり、ワイヤーまたはチップと配線パターン間の接合不良が生じやすくなる。さらに30℃と150℃の弾性率の比率(30℃での弾性率/150℃での弾性率)が30より大きいと反りが大きくなる傾向がある。
【0023】
より好ましい150℃における弾性率の値は50MPa以上であり、さらに好ましくは80MPa以上である。またより好ましい30℃と150℃における弾性率の比率は20以下、さらに好ましくは10以下である。
【0024】
このような構成の樹脂組成物は従来にはなく、少ない無機微粒子の存在で低熱膨張係数化と高弾性率化が容易に行うことができ高接着性の樹脂組成物となる。この低熱膨張係数化と高弾性率化はマトリックス相と分散相界面に集中した無機微粒子および分散相中に存在した無機微粒子によって分散相が鎖状の高次構造をとり加熱や冷却時の樹脂組成物の長さ膨張および体積膨張を低減し低熱膨張係数化を図ることができ、樹脂組成物の高温時の流動化を抑制することにより高弾性率化を図ることができたと考えられる。
【0025】
本発明で用いられる相分離構造を持つ樹脂組成物は複数の樹脂成分からなり、熱可塑性樹脂およびまたは熱硬化性樹脂を含むものである。
【0026】
本発明で使用される熱可塑性樹脂は80℃から200℃の温度範囲で可塑性を示すものであれば特に限定されず、このような樹脂にはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン共重合樹脂等のポリオレフィン、ポリスチレン、ABS樹脂等のスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクリレート樹脂、ポリオキシベンゾイル、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリフェニレンエーテル、ポリイミドなどがある。なかでも高温時の劣化性、電気特性がよいことからポリアミド樹脂が好ましく用いられる。ポリアミド樹脂は、種々のものが使用できるが、特に、樹脂組成物に可撓性を持たせ、かつ低吸水の炭素数が36であるジカルボン酸(いわゆるダイマー酸)を必須成分として含むものが好適である。ダイマー酸を含むポリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン、等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から2種以上の混合でもよい。
【0027】
熱可塑性樹脂の樹脂組成物に含まれる割合は1〜90重量%の範囲が好ましい。1重量%より小さいと柔軟性に問題を生じ、本発明の樹脂組成物を半導体装置用接着剤層として用いたとき、接着剤層が割れるおそれがある。また90重量%より大きいと柔軟性が大きすぎて半導体接合時に荷重がかかり、接着剤層に凹みが大きくなりすぎて接合不良が生じる。さらに好ましくは20〜70重量%の範囲が好ましい。
【0028】
本発明で用いられる熱硬化性樹脂は、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、チオジフェノール、フェノール、ナフトール類のキシリレン結合によるアラルキル樹脂のエポキシ化合物、フェノール−ジシクロペンタジエン樹脂のエポキシ化合物、環式脂肪族エポキシ化合物、複素環式エポキシ化合物、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロロヒドリンとの反応によって得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロロヒドリンの反応によって得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、臭素化エポキシ化合物、ε−カプロラクトン変性3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチルカプロラクトン変性3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、β−メチルδバレロラクトン変性3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートなどのシクロヘキセンオキサイド構造を有するエポキシ化合物等を使用することができる。さらに、グリシジル基を有するオルガノポリシロキサンや上述のエポキシ化合物とカルボキシル基含有オルガノシロキサンとを反応させて得られるシリコン変性エポキシ化合物を使用することができる。また、これらのエポキシ化合物またはシリコン変性エポキシ化合物の少なくとも2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【0029】
より好ましい熱硬化性樹脂としては、前述したエポキシ樹脂に加えて、エポキシ樹脂と反応する硬化剤を含むものである。硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応する物であれば特に限定されずジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン等のポリアミン類、ダイマー酸ポリアミド等のポリアミド、無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水メチルナジック酸等の酸無水物、3−アミノフェノール、レゾルシノール、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、3−ヒドロキシ安息香酸、3−シアノフェノール、2,3−ジアミノフェノール、2−アミノ−3−ヒドロキシ安息香酸、3−ヒドロキシフェニルアセトアミド、3−ヒドロキシイソフタル酸、3−ヒドロキシフェニル酢酸および3−フェノールスルホン酸、フェノールノボラック、フェノールアラルキル、ビスフェノールA、ビスフェノールF等のフェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリメルカプタン、2−エチル−4−メチルイミダゾール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、等の第3級アミン類、3フッ化ホウ素・エチルアミン錯体等のルイス酸錯体があげられる。
【0030】
なかでも熱硬化性樹脂、またはエポキシ樹脂の硬化剤としてフェノール樹脂が好ましく用いられる。フェノール樹脂はポリアミドと相溶性が良好であり、かつ熱硬化により、ポリアミドに適度な耐熱性と破壊強度を付与するために好適なブレンド材料である。このような耐熱性と破壊強度が、最終的に絶縁性と接着性のバランスに重要となる。
【0031】
熱硬化性樹脂の添加量は接着剤層に占める割合が0.1から80重量%がよく、好ましくは20から70重量%がよい。0.1重量%を下回ると耐熱性が低下し、80重量%を越えると接着剤層の可撓性が損なわれ、接着剤層が割れる。
【0032】
さらに、硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、2−アルキル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィン等公知のものが使用できる。硬化促進剤の添加量は接着剤層に占める割合が10重量%以下の範囲がよい。
【0033】
以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【0034】
本発明の樹脂組成物は、樹脂基板、繊維、無延伸フィルム、延伸フィルム材料、加熱加圧成型材料、積層基板材料、金属箔付き基板材料、塗料、接着剤等に用いることができる。中でも本発明の樹脂組成物は高い絶縁性を有していることから半導体装置周辺の接着剤として好ましく用いられる。半導体装置周辺の接着剤として特に積層基板材料、接着剤付きフィルム、半導体と配線基板を接着する接着剤シート、金属箔付き基板材料に使用される。
【0035】
本発明で用いる保護フィルム層とは、樹脂組成物にゴミ、油、水などから汚染の防止、また樹脂組成物が非常に薄い場合などの取り扱い性向上のために設ける。保護フィルムは樹脂組成物の形態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられる。また、樹脂組成物の両面に保護フィルムを設ける場合、上面と下面の保護フィルムの剥離抵抗力に差を持たせることが取り扱い上好ましい。保護フィルムの厚みは任意に選ぶことができるが通常10〜125μmのものを用いる。
【0036】
次に半導体装置用接着剤付きフィルムおよび金属箔付き積層フィルムの製造方法について説明する。
【0037】
通常、TAB用テープは、(1)スプロケットおよびデバイス孔の穿孔、(2)銅箔との熱ラミネート、(3)接着剤層のキュア、(4)パターン形成(レジスト塗布、エッチング、レジスト除去)、(5)スズまたは金−メッキ処理などの加工工程を経てTABテープ(パターンテープ)に加工される。図1にパターンテープの形状を示す。有機絶縁性フィルム1上に接着剤2、導体パターン5があり、フィルムを送るためのスプロケット孔3、デバイスを設置するデバイス孔4がある。図2に本発明の半導体装置の一態様の断面図を示す。パターンテープのインナーリード部6を、保護膜11を有する半導体集積回路8の金バンプ10に熱圧着(インナーリードボンディング)し、半導体集積回路を搭載する。次いで、封止樹脂9による樹脂封止工程を経て半導体装置が作成される。またインナーリード部を有さず、パターンテープの導体と半導体集積回路の金バンプとの間をワイヤーボンディングで接続する方式も採用されている。このような半導体装置をテープキャリアパッケージ(TCP)型半導体装置と称する。最後に、TCP型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウターリード7を介して接続(アウターリードボンディング)され、電子機器への実装がなされる。
【0038】
一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来の接続端子(アウターリード)をパッケージ側面に配列していたQFP(クワッド・フラット・パッケージ)、SOP(スモール・アウトライン・パッケージ)に代わり、パッケージの裏面に接続端子を配列するBGA(ボール・グリッド・アレイ)、CSP(チップ・スケール・パッケージ)が携帯機器を中心として用いられてきた。BGA、CSPがQFP、SOPと構造的に最も大きく異なる点は、前者は、インターポーザーと称される基板を必要とするのに対し、後者は金属製のリードフレームを用いることにより必ずしも基板を必要としない点にある。ここでいうインターポーザーは、ガラスエポキシ基板やポリイミド等の有機絶縁性フィルムの接着剤上に金属箔の付いた積層フィルムが一般的に用いられる。
【0039】
なお、本発明の半導体装置用接着剤付きフィルムおよび金属箔付き積層フィルムの形状は特に限定されず、テープ状、シート状のいずれになっていても構わない。これらの基板となるフィルムはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなる厚さ20〜125μmのフィルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理を施すことができる。またフィルムの剛性が小さいなど取り扱い性で困難となる場合には、フィルム裏面に後工程で剥離可能な剛性のあるフィルムや基板を張り付けて使用することができる。
【0040】
本発明において無機微粒子を樹脂組成物に分散させる方法としては、ニーダー等を用い樹脂組成物に無機微粒子を分散させても良いし、あらかじめ無機微粒子と溶剤もしくは無機微粒子、溶剤、樹脂成分からなる組成物をロールミルやボールミル等の分散機にてペースト状あるいはスラリー状の無機微粒子分散体を作製後必要な樹脂成分を混合しても良い。
【0041】
樹脂組成物の配合工程の例を挙げると、例えば以下のような方法にて調製できる。無機微粒子、樹脂成分、溶媒を混合する。溶媒としては樹脂を溶解するものを適宜選択すればよいが、例えばメチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ベンジルアルコール、イソホロン、メトキシメチルブタノール、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよびそのアセテート、N−メチルピロリドン、水などやこれらのうちの1種以上含有する溶媒が用いられる。さらに必要に応じて、安定化剤、分散剤、沈殿防止剤、可塑剤、酸化防止剤など添加しても良い。これらの混合物をボールミル、アトライター、ロールミル、ニーダー、サンドミルなどの手法で混合する。得られた樹脂組成物は必要に応じて無機微粒子の粒径以上のフィルターを用いて未分散物やゲル化物を除去する。
【0042】
可撓性を有する絶縁性フィルムや導電性フィルムに、上記樹脂組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接着剤層の膜厚は0.5μm以上100μm未満となるように塗布することが好ましい。より好ましくは2μm以上25μm未満である。乾燥条件は、100〜200℃、1〜5分である。半導体装置用接着剤付きテープは、このようにして得られたフィルムに保護フィルムをラミネートし、最後に35〜158mm程度の幅にスリットして得られる。金属箔付き積層フィルムは、前記した塗布乾燥後の接着剤付きフィルムに銅箔などの金属箔をラミネートし、必要に応じ硬化し得られる。
【0043】
このようにして得られた半導体装置用接着剤付きフィルムおよび金属箔付き積層フィルムを用いて、半導体接続用基板が製造できる。さらに半導体接続用基板を用いて半導体装置が製造できる。
【0044】
本発明の樹脂組成物により半導体装置用接着剤シート、およびそれを用いた半導体装置を作製する製造方法の例について説明する。本発明の樹脂組成物を溶剤に溶解した塗料を離型性を有するポリエステルフィルムに塗布、乾燥する。その上に、上記よりさらに剥離力の弱いポリエステルまたはポリオレフィンの保護フィルム層をラミネートして接着剤シートを得る。このようにして得られた接着剤シートを、配線形成された銅箔付きTABテープに加熱圧着し、さらに接着剤シートの反対面にICを加熱圧着、この状態で120℃〜180℃の加熱硬化を行う。ICと配線基板をワイヤボンディングで接合した後、樹脂封止する。最後に半田ボールをリフローにより形成し、半導体装置を得る。
【0045】
このようにして半導体装置用接着剤付きフィルム、金属箔付き積層フィルム、半導体接続用基板、半導体装置用接着剤シート、半導体装置が製造できる。さらに半導体接続用基板を用いて半導体装置が製造できる。なお、上記に挙げたBGA、CSPなどの半導体装置にも本発明の半導体装置用接着剤付きテープ、金属箔付き積層フィルムを使用することができ、得られたBGA、CSPも本発明の半導体装置に含まれる。
【0046】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
【0047】
評価方法
1.接着強度
35mm幅の接着剤(本発明の樹脂組成物)付きテープサンプルに18μmの電解銅箔を、130℃、0.1MPaの条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で、80℃、3時間、100℃、5時間、160℃、5時間の順次加熱処理を行ない、銅箔付き積層フィルムを作製した。銅エッチングにより2mm幅の銅配線パターニングを行い引っ張り強度を測定した。測定はテンシロン(UTM−4−100、オリエンテックコーポレーション(株)製)を用いて、引っ張り速度50mm/minで90度接着強度(N/m)を測定した。
【0048】
2.半田耐熱性試験
35mm幅の接着剤(本発明の樹脂組成物)付きテープサンプルに18μmの電解銅箔を、130℃、0.1MPaの条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で、80℃、3時間、100℃、5時間、160℃、5時間の順次加熱処理を行ない、銅箔付き積層フィルムを作製した。これを30mm角に切り取り、85℃、85%RHの雰囲気下で48時間調湿した後、すみやかに半田浴上に銅箔面が上向きになるよう60秒間浮かべ、膨れや剥がれのない最高温度を測定した。
【0049】
3.熱膨張係数測定
接着剤層(本発明の樹脂組成物)のみの膜をラミネーターを用いて積層し所定の厚さとした後、80℃、3時間、100℃、5時間、160℃、5時間の順次加熱処理を行ない硬化させた。ついで、所定の形状に切り出し、熱線膨張係数を測定した。測定は、セイコーインスツルメント(株)製TMA/SS6000を用い30℃から160℃の範囲をサンプル昇温速度5℃/分で測定し30℃のサンプル長をリファレンスとして30℃から160℃間の平均熱膨張係数(ppm/℃)を測定した。
【0050】
4.弾性率測定
接着剤層(本発明の樹脂組成物)のみの膜をラミネーターを用いて積層し所定の厚さとした後、80℃、3時間、100℃、5時間、160℃、5時間の順次加熱処理を行ない硬化させた。ついで、所定の形状に切り出し、弾性率を測定した。測定は、セイコーインスツルメンツ(株)製DMS6100を用い室温から260℃の範囲を振動周波数1Hz、サンプル昇温速度5℃/分で測定した。
【0051】
5.TEM観察
接着剤層(本発明の樹脂組成物)のみの膜を80℃、3時間、100℃、5時間、160℃、5時間の順次加熱処理を行ない硬化させた。TEM写真観察を行い接着剤層中の相分離構造を観察し、接着剤層中有機成分のマトリックス相/分散相の構成面積比および分散相の形状、大きさと無機微粒子の分散状況を測定した。マトリックス相/分散相の構成面積比は写真倍率一万倍の15cm四方のTEM写真に厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製“ルミラー”)を重ねマトリックス相、分散相の部分をそれぞれ切り取りその重量を測定しマトリックス相/分散相の相分離構造の構成面積比を算出した。この構成面積比の測定は別のTEM写真を用いて3回行い平均値を算出した。
【0052】
6.反り
35mm幅の接着剤付きテープサンプルに18μmの電解銅箔を、130℃、0.1MPaの条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で、80℃、3時間、100℃、5時間、160℃、5時間の順次加熱処理を行ない、銅箔付き積層フィルムを作製した。得られたフィルムを40×35mmの大きさに切り出し、銅箔を全面エッチングし、反り測定サンプルとした。反りは、接着剤層を上面にしてサンプルの4角の平均高さ(mm)を求めた。
【0053】
7.ワイヤーボンディング性
前記(1)の加熱処理後の銅箔付き積層フィルムをボンダーにて、ワイヤーボンディングを100カ所行い、位置ずれ、リードパターンの接着剤層への沈み込みによる凹みなどを起因とする接合不良率(%)を求めた。
【0054】
8.ACF接合性
前記(1)の加熱処理後の銅箔付き積層フィルムを公知の方法により配線をパターニングした。このフィルム上にチップをACF接合ボンダーにて、100カ所接合を行い、位置ずれ、リードパターンの接着剤層への沈み込みによる凹みなどを起因とする接合不良率(%)を求めた。
【0055】
参考例1(ポリアミド樹脂の合成)
酸としてダイマー酸PRIPOL1009(ユニケマ社製)およびアジピン酸を用い、酸/アミン比をほぼ等量の範囲で、酸/アミン反応物、消泡剤および1%以下のリン酸触媒を加え、反応体を調製した。この反応体を、140℃、1時間撹拌加熱後、205℃まで昇温し、約1.5時間撹拌した。約2kPaの真空下で、0.5時間保持し、温度を低下させた。最後に、酸化防止剤を添加し、重量平均分子量20000、酸価10のポリアミド樹脂を取り出した。
【0056】
実施例1
無機微粒子の分散体の作製
球状無機微粒子として平均一次粒子径40nmの“アエロジル”OX−50(日本アエロジル(株)製)を用い、以下の組成のシリカスラリーを1kg調合した。
無機微粒子(平均一次粒子径40nmの“アエロジル”OX−50(日本アエロジル(株)製):90重量部、参考例1のポリアミド樹脂:10重量部、ベンジルアルコール:350重量部、イソプロピルアルコール:350重量部。
【0057】
この調合後の液を予備分散としてホモミキサーで1000rpm、30分行い、主分散として強制攪拌式ボールミル(DYNO−MILL Typ KDL A、WILLY A.BACHOFEN AG MASCHINENNFABRIK BASEL SCHWEIZ製)を用い、分散条件として0.3mmのジルコニアビーズをミル容量充填率85%、ディスク回転数3000rpm、送液速度400ml/分の条件で1時間分散しシリカスラリー(a)を作製した。
【0058】
半導体用接着剤付きテープの作製
参考例1で示した熱可塑性樹脂であるポリアミド樹脂と硬化剤としてHP4032(大日本インキ化学(株)製)および“ショウノール”BKS−316(昭和高分子(株)製)、“ショウノール”CKM−908(昭和高分子(株)製)とシリカスラリー(a)からなる原料を表1、表2に示した接着剤組成となるようそれぞれ調合した。なお調合した原料を濃度23重量%となるようにイソプロピルアルコール/ベンジルアルコール/モノクロルベンゼン混合溶媒に30℃で攪拌し接着剤溶液を作製した。この接着剤をバーコータで、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製“ルミラー”)に約12μmの乾燥厚さとなるように塗布し、100℃、1分および160℃で2分間の乾燥を行ない接着剤シートを作製した。さらに、得られた接着剤シートを厚さ75μmのポリイミドフィルム(宇部興産(株)製“ユーピレックス”75S)に120℃、0.1MPaの条件でラミネートして半導体装置用接着剤付きテープを作製した。作製したテープを用いて前記した評価方法で評価した結果を表1に示す。
【0059】
接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は70/30で無機微粒子はマトリックス相およびマトリックス相と分散相の界面に存在し、分散相が鎖状の高次構造を有していることが観察された(図3)。
【0060】
実施例2
実施例1のシリカスラリー(a)の分散時間の1時間を3時間に変更した以外は実施例1と同様に行い、樹脂組成物および半導体装置用接着剤付きテープを作製した。評価した結果を表1に示す。接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は70/30で無機微粒子はマトリックス相と分散相の界面に集中して存在し、分散相が無機微粒子により鎖状の高次構造を有していることが観察された(図4)。
【0061】
実施例3
無機微粒子の分散体の作製
球状無機微粒子として平均一次粒子径40nmの“アエロジル”OX−50(日本アエロジル(株)製)を用い以下の組成のシリカスラリーを1kg調合した。
無機微粒子(平均一次粒子径40nmの“アエロジル”OX−50(日本アエロジル(株)製):90重量部、HP4032(大日本インキ化学(株)製):10重量部、ベンジルアルコール:700重量部。
【0062】
この調合後の液を用い、実施例1の分散時間の1時間を3時間に変更した以外は実施例1と同様にして、シリカスラリー(b)を作製した。
【0063】
半導体用接着剤付きテープの作製
参考例1で示した熱可塑性樹脂であるポリアミド樹脂と硬化剤としてHP4032(大日本インキ化学(株)製)および“ショウノール”BKS−316(昭和高分子(株)製)、“ショウノール”CKM−908(昭和高分子(株)製)とシリカスラリー(b)からなる原料を表1、表2に示した接着剤組成となるようそれぞれ調合し、実施例1と同様にして樹脂組成物および半導体装置用接着剤付きテープを作製した。作製したテープの評価結果を表1に示す。
【0064】
接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は65/35で無機微粒子は分散相中および分散相周囲に存在し、分散相が鎖状の高次構造を有していることが観察された。
【0065】
実施例4
球状無機微粒子として平均一次粒子径20nmの“アエロジル”90G(日本アエロジル(株)製)に変更した以外は実施例2と同様に行い、樹脂組成物および半導体装置用接着剤付きテープを作製した。
【0066】
接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は70/30で無機微粒子はマトリックス相と分散相の界面に集中して存在し、分散相が無機微粒子により鎖状の高次構造を有していることが観察された(図5)。
【0067】
実施例5、参考例1
実施例4の球状無機微粒子として平均一次粒子径20nmの“アエロジル”90G(日本アエロジル(株)製)を用い表1の樹脂組成物および半導体用接着剤付きテープを作製した。それぞれの接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は70/30で無機微粒子はマトリックス相と分散相の界面に集中して存在し、分散相が無機微粒子により鎖状の高次構造を有していることが観察された。
【0068】
実施例6
球状無機微粒子として平均一次粒子径16nmの“アエロジル”R972(日本アエロジル(株)製)を用い、表1に示した接着剤組成に変更した以外は実施例2と同様に行った。接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は65/35で無機微粒子はマトリックス相およびマトリックス相と分散相の界面に集中して存在し、分散相が無機微粒子により鎖状の高次構造を有していることが観察された。
【0069】
実施例7
球状無機微粒子として平均一次粒子径20nmの“アエロジル”90G(日本アエロジル(株)製)を用い、以下の組成のシリカスラリーを1kg調合した。
【0070】
無機微粒子(平均一次粒子径20nmの“アエロジル”90G(日本アエロジル(株)製):90重量部、HP4032(大日本インキ化学(株)製):10重量部、ベンジルアルコール:700重量部。
【0071】
この調合後の液を予備分散としてホモミキサーで1000rpm、30分行い、主分散として強制攪拌式ボールミル(DYNO−MILL Typ KDL A、WILLY A.BACHOFEN AG MASCHINENNFABRIK BASEL SCHWEIZ製)を用い、分散条件として0.3mmのジルコニアビーズをミル容量充填率85%、ディスク回転数3000rpm、送液速度400ml/分の条件で3時間分散しシリカスラリー(c)を作製した。
このシリカスラリーを用いて実施例4と同組成となるよう接着剤を配合し、実施例4と同様の方法で接着剤付きテープを作製し評価した。結果は表1に示す。
【0072】
接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は70/30で、無機微粒子は分散相に多く存在し、特に分散相中のマトリックス相/分散相界面近くに偏って多く存在していた。分散相は球状の相が強く集合して高次構造を形成し、ほぼ連続した鎖状となっていた(図6)。
【0073】
比較例1
球状無機微粒子として平均一次粒子径40nmの“アエロジル”OX−50(日本アエロジル(株)製)を用い、以下の組成のシリカペーストを1kg調合した。
【0074】
無機微粒子(平均一次粒子径40nmの“アエロジル”OX−50(日本アエロジル(株)製):35重量部、参考例1のポリアミド樹脂:65重量部、ベンジルアルコール:200重量部。
【0075】
この調合後の液を予備分散としてホモミキサーで1000rpm、30分行い、主分散として3本ロールミル(EXACT M−80)を10回通して分散した。このシリカペーストを用いて実施例1と同組成となるよう接着剤を配合し、実施例1と同様の方法で接着剤付きテープを作製し評価した。結果は表1に示す。
【0076】
接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は70/30で無機微粒子はマトリックス相に多く存在し、分散相は独立した球状であった(図7)。
【0077】
実施例8
接着剤シートの作製
実施例1で作製したシリカスラリー含有接着剤溶液を、バーコーターでシリコーン離型剤付きの厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(藤森工業(株)製“フィルムバイナ”GT)に約50μmの乾燥厚さになるように塗布し、120℃で5分間乾燥し、本発明の半導体装置用接着シートを作製した。
【0078】
半導体装置の作製
TAB用接着剤付きテープ(東レ(株)製、タイプ#7100)に18μmの電解銅箔を140℃、0.1MPaでラミネートした。続いてエアオーブンで80℃、3時間、100℃、5時間、150℃、5時間の順次加熱キュア処理を行い銅箔付きTAB用テープを作製した。得られた銅箔付きTAB用テープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、電解ニッケルメッキ、電解金メッキ、フォトソルダーレジスト加工をそれぞれ行い、パターンテープを作製した。ニッケルメッキ厚は3μm、金メッキ厚は1μmとした。続いてパターンテープの裏面に、130℃、0.1MPaで本発明の接着剤シートをラミネートした後、アルミ電極パッドを有するICを170℃、0.3MPaの条件で接着剤シートに加熱圧着した。次にエアオーブン中で170℃、2時間加熱処理を行った。続いてこれに25μmの金ワイヤーを150℃、110kHzでボンディングした。さらに液状封止樹脂(ナミックス(株)製“チップコート”8118)で封止した。最後に半田ボールを搭載し、半導体装置を作成した。作製した半導体装置はワイヤーボンディング強度が高く、熱サイクル試験信頼性、耐ハンダリフロー性に優れていた。
【0079】
比較例2
実施例1の無機微粒子分散体を用いなかった以外は実施例1と同様に行った。接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は70/30で分散相による高次構造は観察されず、独立した球状の分散相が散在していた(図8)。
【0080】
比較例3
実施例1の球状無機微粒子として平均一次粒子径0.2〜0.3μmの“アドマファイン”SO−C1(アドマテックス(株)製)に変更した以外は実施例1と同様に行った。接着剤をTEM観察した結果、マトリックス相/分散相の構成面積比は70/30で無機微粒子はマトリックス相に存在し、分散相の高次構造は観察されなかった。
【0081】
比較例4
実施例2の球状無機微粒子として平均一次粒子径0.2〜0.3μmの“アドマファイン”SO−C1(アドマテックス(株)製)に変更した以外は実施例2と同様に行った。
【0082】
接着剤層に無機微粒子が入っていないもの(比較例2)および無機微粒子の粒径の大きいもの(比較例3、4)は分散相の高次構造は観察されず高温時の弾性率が小さく、熱線膨張係数が大きく、これに起因した耐リフロー性が悪かった。
【0083】
【表1】
【0084】
【表2】
【0085】
実施例9
半導体用接着剤付きテープの作製
参考例1で示した熱可塑性樹脂であるポリアミド樹脂と硬化剤として“エピコート”828(油化シェルエポキシ(株)製)および“ショウノール”BKS−316(昭和高分子(株)製)と無機微粒子として平均一次粒子径40nmの“アエロジル”OX−50(日本アエロジル(株)製)からなる原料を表3、表2、表4に示した接着剤組成となるようそれぞれ調合した。調合した原料を濃度25重量%となるようにメタノール/モノクロルベンゼン混合溶媒に30℃で攪拌した後、ボールミルを用いて分散混合して接着剤溶液を作製した。この接着剤をバーコータで、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製“ルミラー”)に約12μmの乾燥厚さとなるように塗布し、100℃、1分および160℃で2分間の乾燥を行ない接着剤シートを作製した。さらに、得られた接着剤シートを厚さ75μmのポリイミドフィルム(宇部興産(株)製“ユーピレックス”75S)に120℃、0.1MPaの条件でラミネートしてTAB用接着剤付きテープを作製した。作製したテープを用いて前記した評価方法で評価した結果を表1に示す。
【0086】
実施例10
実施例9の球状無機微粒子として平均一次粒子径20nmの“アエロジル”90G(日本アエロジル(株)製)に変更した以外は実施例9と同様に行った。
【0087】
実施例11
実施例9の球状無機微粒子として平均一次粒子径16nmの“アエロジル”130(日本アエロジル(株)製)に変更した以外は実施例9と同様に行った。
【0088】
実施例12
表2の球状無機微粒子として平均一次粒子径16nmの“アエロジル”R972(日本アエロジル(株)製)を用い、表3に示した接着剤組成に変更した以外は実施例9と同様に行った。
【0089】
実施例13
実施例9の球状無機微粒子として平均一次粒子径13nmの“アエロジル”酸化アルミニウムC(日本アエロジル(株)製)に変更した以外は実施例9と同様に行った。
【0090】
実施例14
表4の多面体無機微粒子として平均一次粒子径31nmの“NanoTek”ZnO(シーアイ化成(株)製)を用い、表3に示した接着剤組成に変更した以外は実施例9と同様に行った。
【0091】
比較例5
実施例9の無機微粒子を用いなかった以外は実施例9と同様に行った。
【0092】
比較例6
実施例9の球状無機微粒子として平均一次粒子径0.2〜0.3μmの“アドマファイン”SO−C1(アドマテックス(株)製)に変更した以外は実施例9と同様に行った。
【0093】
比較例7
高温時の弾性率を向上させ、無機微粒子を含まない接着剤組成(表3)とした以外は実施例9と同様に行った。
【0094】
【表3】
【0095】
【表4】
【0096】
接着剤層に無機微粒子が入っていないもの(比較例5)および無機微粒子の粒径の大きいもの(比較例6)は高温時の弾性率が小さく、これに起因したワイヤーボンディングやACF接合ボンダーの接合不良率が高かった。無機微粒子を含まず高温時の弾性率を大きくしたもの(比較例7)は接着性が低下および反りが大きくなった。
【0097】
【発明の効果】
本発明の低熱膨張係数、高弾性率の樹脂組成物は、半導体装置用接着剤に用いた場合、耐リフロー性および接着性に優れる半導体装置用接着剤層を提供できるものである。さらに本発明の半導体装置用接着剤は硬化後の弾性率が大きいうえ、さらに反りが小さく、加工特性に優れたTAB用テープおよび金属箔付き積層フィルムを提供でき、またそれを用いた半導体装置を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置用接着剤シートを用いたパターンテープの一態様
【図2】 本発明の半導体装置の一態様
【図3】 実施例1のTEM写真
【図4】 実施例2のTEM写真
【図5】 実施例4のTEM写真
【図6】 実施例7のTEM写真
【図7】 比較例1のTEM写真
【図8】 比較例2のTEM写真
Claims (11)
- 少なくともポリアミド樹脂およびエポキシ樹脂を含み、2相以上の相分離構造と平均一次粒子径0.1μm以下の無機微粒子を含有する樹脂組成物であって、相分離構造が少なくともマトリックス相および分散相を有し、無機微粒子が、マトリックス相と分散相の界面に多く存在することを特徴とする樹脂組成物。
- 無機微粒子の含有量が5重量%以上50重量%以下である請求項1記載の樹脂組成物。
- マトリックス相または分散相の少なくともいずれかの相が、鎖状の構造である請求項1記載の樹脂組成物。
- マトリックス相の構成面積比が50以上95以下、分散相の構成面積比が5以上50以下である請求項1記載の樹脂組成物。
- 硬化後の150℃における弾性率が25MPa以上である請求項1記載の樹脂組成物。
- 硬化後の30℃と150℃の弾性率の比率(30℃での弾性率/150℃での弾性率)が30以下である請求項1記載の樹脂組成物。
- 有機絶縁フィルムの少なくとも片面に、請求項1記載の樹脂組成物を接着剤層として有する半導体装置用接着剤付きフィルム。
- 剥離可能な保護フィルム層を有する請求項7記載の半導体装置用接着剤付きフィルム。
- 請求項7記載の半導体装置用接着剤付きフィルムの接着剤層上に金属箔を積層した金属箔付き積層フィルム。
- 請求項9記載の金属箔付き積層フィルムを用いた半導体装置。
- 無機微粒子の平均一次粒子径が0.08μm以下である請求項1記載の樹脂組成物。
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