JP2000286365A - 極薄ｂｇａタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板 - Google Patents

極薄ｂｇａタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板

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JP2000286365A JP11089783A JP8978399A JP2000286365A JP 2000286365 A JP2000286365 A JP 2000286365A JP 11089783 A JP11089783 A JP 11089783A JP 8978399 A JP8978399 A JP 8978399A JP 2000286365 A JP2000286365 A JP 2000286365A
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glass cloth
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Hidenori Kanehara
秀憲 金原
Nobuyuki Ikeguchi
信之 池口
Katsuji Komatsu
勝次 小松
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 極薄で反りが殆どなく、耐熱性、吸湿後
の電気絶縁性、耐マイグレーション性などに優れたBGA
タイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板
を作成する。 【解決手段】 半導体プラスチックパッケージのサブス
トレートとして、厚さ0.04〜0.15mmのガラス布基材片面
面銅張積層板を用いて回路板を作成し、表面処理したも
のの片面に同一厚みのガラス布基材熱硬化性樹脂組成物
のプリプレグを積層成形し、サンドブラスト法にてボン
ディングパッド、ボールパッドの部分を除去後、貴金属
メッキを施し、プリント配線板とする。更には銅張積層
板及びプリプレグの樹脂として、多官能性シアン酸エス
テル樹脂組成物を用いる。 【効果】 プリント配線板及び半導体プラスチックパ
ッケージは反りが非常に小さく、耐熱性、プレッシャー
クッカー処理後の電気絶縁性、耐マイグレーション性な
どに優れ、量産性にも適したものが得られた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを１
個、ほぼ同じ大きさの小型プリント配線板に搭載した形
態の、チップスケールパッケージ（CSP）用プリント配
線板に関する。得られたプリント配線板は、半導体チッ
プを搭載し、マイクロコントローラ、ASIC、メモリー等
の用途に使用される。本パッケージはハンダボールを用
いてマザーボードプリント配線板に接続され、電子機器
等として使用される。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップスケールパッケージ（CSP)
の基材としては、ガラスエポキシ材、ポリイミドフィル
ム材、セラミック材等の薄い板が主に使用されている。
これらのパッケージ類は、ハンダボール間隔が０．８ｍ
ｍ以上であるが、薄型、小型、軽量化を図るために近年
ますますハンダボールピッチ及び回路のライン／スペー
スが狭くなって来ており、基板の耐熱性、多層板とした
時の吸湿後の電気絶縁性、耐マイグレーション性等が問
題となっていた。また、従来のプラスチックボールグリ
ッドアレイ(P-BGA)、CSP等のハンダボールの基材への密
着性は、ハンダボールパッドの大きさが小さくなるに従
い、弱くなって、不良の原因となっていた。更には、基
板が薄いため表裏のソルダーレジストの厚みのばらつき
や銅箔の残存率の違いにより反りの発生は避けられない
ものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を改善したCSP用プリント配線板を提供するものであ
る。
【０００４】
【発明が解決するための手段】本発明は、半導体チップ
スケールパッケージのサブストレートとして、厚さ150
μmから50μmの範囲のガラス布基材片面銅張積層板を用
い、少なくとも半導体チップボンディング用端子、ハン
ダボール接続用パッド及びボンディング端子と該パッド
を接続する銅箔回路を配置してなる回路板を作成した
後、回路形成側全面に、好ましくは同一の、ガラス布基
材を用いた熱硬化性樹脂プリプレグを重ね、加熱、加
圧、好ましくは真空下に積層成形した後、少なくともボ
ンディング用端子の表面の一部及びハンダボール接続用
パッドの一部のガラス布基材熱硬化性樹脂を除去してか
ら、ニッケルメッキ、金メッキを施して得られるプリン
ト配線板を提供する。更には、プリプレグ、片面銅張積
層板に使用する樹脂として、多官能性シアン酸エステ
ル、該シアン酸エステルプレポリマーを必須成分とする
熱硬化性樹脂組成物を使用することにより、耐熱性、吸
湿後の電気絶縁性、耐マイグレーション性等の特性に優
れたCSP用プリント配線板を得ることができた。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体チップスケール
パッケージ用サブストレートとして、厚さ150μm以下、
50μm以上のガラス布基材片面銅張積層板を用い、少な
くとも半導体ボンディング用端子、ハンダボール接続用
パッド及びボンディング端子と該パッドを配置してなる
回路板を作成後、回路形成側の全面にガラス布基材熱硬
化性樹脂プリプレグを重ねて加熱、加圧、好ましくは真
空下に積層成形してから、少なくともボンディング用端
子の表面の一部及びハンダボール接続用パッド表面の一
部のガラス布熱硬化性樹脂を除去して回路を露出させ、
この端子銅箔表面を必要により前処理し、ニッケルメッ
キ、金メッキを施したプリント配線板である。
【０００６】半導体チップを上記プリント配線板の上に
熱伝導性接着剤で接着固定してワイヤボンディングで接
続し、表面を封止樹脂で封止するか、またはフリップチ
ップボンディングにより半導体下面のバンプをプリント
配線板の端子に溶融接合し、アンダーフィルレジンで半
導体チップ下面を接着固定した後、裏面にハンダボール
を溶融接合し、半導体プラスチックパッケージを得る。
また、プリプレグ、片面銅張積層板の熱硬化性樹脂組成
物としては、多官能性シアン酸エステル樹脂組成物を使
用することにより、耐熱性、プレッシャークッカー後の
電気絶縁性、耐マイグレーション性などに優れたプリン
ト配線板が得られる。
【０００７】本発明のプリプレグ、片面銅張積層板とし
ては、一般に公知のガラス織布に熱硬化性樹脂を含浸、
乾燥して得られた片面銅張板が挙げられ、その多層板も
挙げられる。ガラス繊維としては、一般に公知のガラス
繊維、例えばE、S、D、Q、A、Cガラス繊維などの織布が
挙げられ、厚みは一般に30〜150μmが使用される。また
これらの糸を用いた混抄も使用し得る。基材では、薄い
ものは密度の高いものが好ましい。好適には、厚み５０
±１０μｍ、重量３５〜６０g/m2でかつ通気度５〜２５
cm3/cm2・sec.の織布を１枚以上使用する。この厚みよ
り薄いものも使用可能である。又厚さ６０〜１５０μｍ
のガラス織布を１枚使用することも可能である。織り方
についても特に限定はしないが、平織りが好ましい。
【０００８】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の
樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用され
る。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エス
テル樹脂、 多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニ
レンエーテル樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類以上が
組み合わせて使用される。耐熱性、耐マイグレーション
性、吸湿後の電気的特性等の点から多官能性シアン酸エ
ステル樹脂組成物が好適である。
【０００９】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。
【００１０】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いら得る。また、これら多官能性シ
アン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって形
成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000 のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。
【００１１】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。
【００１２】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂は、単独でも使用されるが、特性のバランス
を考え、適宜組み合わせて使用するのが良い。
【００１３】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体ポリクロロプレン、ブタジエ
ン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴム、
フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量のel
asticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブ
テン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、AS樹
脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴム、ポ
リエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチレン-6-
フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、ポリフ
ェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポリ
フェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若し
くはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、適宜使用
される。また、その他、公知の有機の充填剤、染料、顔
料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、光
増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ性付与剤
等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わせて用い
られる。必要により、反応基を有する化合物は硬化剤、
触媒が適宜配合される。本発明の熱硬化性樹脂組成物
は、それ自体は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、
作業性、経済性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対
して公知の熱硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性
樹脂100重量部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.
01〜5重量部である。無機の絶縁性充填剤としては、一
般に公知のものが使用できる。具体的には、天然シリ
カ、焼成シリカ、アモルファスシリカ等のシリカ類や、
ホワイトカーボン、チタンホワイト、アエロジル、クレ
ー、タルク、ウォラストナイト、天然マイカ、合成マイ
カ、カオリン、アルミナ、パーライト、水酸化アルミニ
ウム、水酸化マグネシウム等が挙げられる。添加量は、
全組成物中の１０〜８０重量％、好適には、２０〜７０
重量％である。粒子径は１μｍ以下が好ましい。本発明
においては、水酸化アルミニウムと水酸化マグネシウム
の混合物が、耐燃性付与、炭酸ガスレーザー孔あけ用等
として特に好ましい。
【００１４】ガラス基材補強銅張積層板は、まず上記補
強基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてBステ
ージとし、プリプレグを作成する。次に、このプリプレ
グの片面に銅箔を配置し、反対面には離型フィルムを配
置し、加熱、加圧、好適には真空下に積層成形し、銅張
積層板とする。片面の銅箔の厚みは、特に限定はない
が、好適には18〜200μmである。
【００１５】厚さ0.04〜0.15mmのガラス布基材銅張積層
板は、薄いために腰がなく、上下のソルダーレジストの
厚みバラツキにより、更には銅箔残存率の差異により、
反りが発生する確率が高く、プリント配線板として作業
性に劣り、不良発生率が高いものであった。本発明は、
このソルダーレジストの代わりに、回路が形成され、ス
ルーホールが形成されたプリント基板の回路側に、ガラ
ス布基材熱硬化性樹脂プリプレグを配置し、その外側に
離型フィルムを配置し、加熱、加圧、好ましくは真空下
に積層成形して一体化することにより、反りが大幅に改
善されたものが得られた。このボンディング用端子の表
面の一部及び裏面のハンダボール接続用パッド表層のガ
ガラス布基材熱硬化性樹脂層を、好適にはサンドブラス
ト法にて除去し、その後、必要により銅箔表面をソフト
エッチングなどの処理を行い、定法にてニッケルメッ
キ、金メッキを行う。
【００１６】
【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。
【００１７】実施例１ 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃に熔融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ＜株＞
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業＜株＞製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合してワニスAを得た。これに無機充
填剤(商品名:焼成タルク、日本タルク＜株＞製)500部、
及び黒色顔料8部を加え、均一撹拌混合してワニスBを得
た。このワニスを厚さ50μm(重量：53ｇ／ｍ2）のガラ
ス織布に含浸し150℃で乾燥して、ゲル化時間(at170℃)
120秒、樹脂組成物含有量が51wt%のプリプレグC1及びゲ
ル化時間103秒、樹脂組成物含有量60wt%のプリプレグC2
を作成した。
【００１８】厚さ70μmの電解銅箔を、上記プリプレグC
1(図１、b)の2枚の片面に配置し、200℃、20kgf/cm2、3
0mmHg以下の真空下で2時間積層成形し、 片面銅張積層
板を得た。この銅箔に回路を形成し、黒色酸化銅処理を
施し、片面プリント配線板D（a）とした。このプリント
配線板Dの回路を形成した面に上記プリプレグC2(c)を１
枚、その外側にプリプレグC1(b)を１枚置き、その外側
に離型フィルムを配置し、同様に積層成形してから離型
フィルムを剥離し、その後表裏全面に液状UV選択熱硬化
型塗料を塗布、乾燥してから、表面のボンディングパッ
ド部分(e)、裏面のボールパッド部分(f)以外をUV照射し
て硬化させてからアルカリ水溶液で現像してボンディン
グパッド部分及びボールパッド部分のレジストを除去
し、サンドブラスト法にてガラス布基材と熱硬化性樹脂
組成物を研削除去してボンディングパッド及びハンダボ
ールパッドを露出させた。その後、レジストを除去し、
露出した銅箔表面をソフトエッチングし、定法にてニッ
ケルメッキ、金メッキを施して２５mm角のプリント配線
板Eとした。このプリント配線板Eの評価結果を表１に示
す。このプリント配線板Eの表面に15mm角の半導体チッ
プ(k)を銀ペースト(i)で接着し、エポキシ樹脂コンパウ
ンド(g)で全面を樹脂封止し、半導体プラスチックパッ
ケージFとした。
【００１９】実施例２ 実施例１のワニスAに水酸化アルミニウムと水酸化マグ
ネシウム（平均粒径１０．８μｍ）をそれぞれ２１００
部、９００部の混合物とトリフェニルアンチモン１０部
を加え、よく撹拌混合してワニスGとした。これを実施
例１のガラス織布に含侵、乾燥し、ゲル化時間１４８
秒、樹脂組成物含量７０重量％のプリプレグHを得た。
又ゲル化時間１４０秒、樹脂組成物含量６１重量％のプ
リプレグIを作成した。プリプレグIを２枚使用し、この
片面に１０５μｍの電解銅箔を配置し、実施例１と同様
に積層成形して絶縁層の厚みが１２０μｍの片面銅張積
層板Jを作成した。この銅箔に回路を形成し、黒色酸化
銅処理を施した面に上記プリプレグHを１枚、その上に
プリプレグIを１枚配置し、その外側に離型フィルムを
置き、積層成形した後、離型フィルムを剥離し、プリン
ト配線板Kを作成した。このプリント配線板Kの回路形成
面に、同様にUVレジストを塗布、乾燥し、表面の半導体
フリップチップバンプ部分、裏面のボールパッド部分以
外をUV照射し、同様にアルカリ水溶液で現像し、サンド
ブラスト法でガラス布基材及び熱硬化性樹脂組成物を除
去してからレジストを剥離除去し、同様にニッケルメッ
キ、金メッキを施し、プリント配線板Lとした。この評
価結果を表１に示す。
【００２０】この１６mm角のプリント配線板Lの上にフ
リップチップボンディング法にて15mm角の半導体チップ
を搭載し、半導体下側をアンダーフィルレジンで充填固
定し、裏面にハンダボールを溶融固定して半導体プラス
チックパッケージMとした。
【００２１】比較例１ 実施例１において、プリント配線板Cの回路が形成され
た表面にUV選択熱硬化レジストを50μmとなるように２
回塗布、乾燥を繰り返して、露光後に半導体チップボン
ディングパッド及び裏面のハンダボールパッド部分を現
像除去し、熱硬化後、ニッケルメッキ、金メッキを施し
てプリント配線板Nとした。これに同様に半導体チップ
を搭載、ワイヤボンディング、樹脂封止し、半導体プラ
スチックパッケージOとした。評価結果を表１に示す。
【００２２】比較例２ 実施例１において、熱硬化性樹脂組成物として、エポキ
シ樹脂（商品名：エピコート5045)700部、及びエポキシ
樹脂（商品名：ESCN-220F)300部、ジシアンジアミド35
部、2-エチル-4-メチルイミダゾール1部をメチルエチル
ケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解し、均
一に攪拌、混合したものを使用した。これを厚み５１μ
ｍ、重量４８g/m2でかつ通気度５０cm3/cm2・sec以上の
糸の隙間の多いガラスクロスに含浸させ、乾燥して、ゲ
ル化時間150秒のプリプレグPを作成した。このプリプレ
グPを2枚使用し、片面に70μmの電解銅箔を配置し、反
対面には離型フィルムを配置し、190℃、20kgf/cm2、30
mmHg以下の真空下で積層成形し片面銅張積層板を作成し
た。後は比較例１と同様に加工してプリント配線板Qを
作成し、表面は半導体チップ搭載、ワイヤボンディン
グ、樹脂封止を行い、裏面はハンダボールを接合し、半
導体プラスチックパッケージRとした。評価結果を表１
に示す。
【００２３】 表１ 項 目 実 施 例 比 較 例 1 2 1 2 ガラス転移温度（℃） 235 235 235 160 粘弾性 (10x1010dyne/cm2) 2.0 1.9 ー 1.2 プレッシャークッカー 処理後の絶縁抵抗(Ω) 常態 4x1014 ー ー 6x1014 200hrs.処理後 7x1012 2x1011 500hrs.処理後 5x1011 <1x108 700hrs.処理後 4x1010 ー 1,000hrs.処理後 1x1010 ー 耐マイグレーション性(Ω） 常態 6x1013 ー ー 2x1013 200hrs.処理後 6x1011 7x109 300hrs.処理後 4x1011 <1x108 500hrs.処理後 1x1011 ー 1,000hrs.処理後 8x1010 ー 耐燃性（UL94） ー V-0 ー ー
【００２４】 表１（続） 項 目 実 施 例 比 較 例 1 2 1 2 反り(250x250mm) プリント配線板(mm) E 0.9 L 0.8 N ＞50 Q ＞50 半導体プラスチックパッケージ(μm) F 200 M 200 O ＞5000 R ＞5000
【００２５】＜測定方法＞ 1)ガラス転移温度：DMA法にて測定した。 2)粘弾性：銅箔をエッチング除去した積層板を用いて、
DMAにて測定した。 3)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値 ライン／スペース＝50/50μmの櫛形パターンを作成し、
この上に、それぞれ使用したプリプレグを配置し、積層
成形したものを、121℃・2気圧で所定時間処理した後、
25℃・60%RHで2時間後処理を行い、500VDCを印加60秒後
に、その端子間の絶縁抵抗値を測定した。 4)耐マイグレーション性 上記3)の試験片を85℃・85%RH、50VDC印加して端子間の
絶縁抵抗値を測定した。 5)反り ・プリント配線板 ワークサイズの250x250mmを定盤上に置いて、反りの最
大値を測定した。 ・半導体プラスチックパッケージ 半導体チップ15mm角を16mmのプリント配線板に搭載した
場合の最大反りを測定した。 ６）耐燃性 銅箔をエッチング除去し、UL94に準じて測定した。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップスケール
パッケージのサブストレートとして、厚さ0.15mm以下、
0.05mm以上のガラス布基材片面銅張積層板を用いて、少
なくとも半導体チップボンディング用端子、ハンダボー
ル接続用パッド及びボンディング端子と該パッドを接続
する銅箔回路を配置してなる回路板を作成した後、回路
形成側の全面にガラス布基材プリプレグを重ねて加熱、
加圧、好ましくは真空下に積層成形した後、少なくと
も、ボンディング用端子の表面の一部、及びハンダボー
ル接続用パッドと表面の一部のガラス布、熱硬化性樹脂
組成物をサンドブラスト法などで除去し、極薄ＢＧＡタ
イプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板が
提供される。、貴金属メッキを行なった極薄ＢＧＡタイ
プ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板が提
供される。得られたプリント配線板は、プリント配線板
の反りが少なく、ワイヤボンディングまたはフリップチ
ップボンディングで半導体チップを搭載した半導体プラ
スチックパッケージも反りが少ないものが得られる。更
には熱硬化性樹脂組成物として多官能性シアン酸エステ
ル、該シアン酸エステルプレポリマーを必須成分として
用いることにより、耐熱性、プレッシャークッカー処理
後の電気絶縁性、耐マイグレーション性などに優れたも
のを得ることができ、且つ大量生産にも適したプリント
配線板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のプリント配線板及び半導体プラスチ
ックパッケージの製造工程図である。
【符号の説明】
ａ 片面プリント配線板Q ｂ プリプレグC1 ｃ プリプレグC2 ｄ 回路 ｅ ワイヤボンディングパッド部分 ｆ ハンダボールパッド部分 ｇ 封止樹脂 ｈ ボンディングワイヤ ｉ 銀ペースト ｊ ハンダボール ｋ 半導体チップ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 厚さ１５０μｍから４０μｍのガラス布
    基材片面銅張積層板を用いて、少なくとも半導体チップ
    ボンディング用端子、ハンダボール接続用パッド及びボ
    ンディング端子と該パッドを接続する銅箔回路を配置し
    た回路板を作成した後、回路側全面にガラス布基材プリ
    プレグを重ねて加圧、加熱下に積層成形した後、少なく
    とも、ボンディング用端子の表面の一部、及びハンダボ
    ール接続用パッドと表面の一部のガラス布、熱硬化性樹
    脂組成物を除去することを特徴とする極薄BGAタイプ半
    導体プラスチックパッケージ用プリント配線板。
  2. 【請求項２】 ガラス布基材両面銅張積層板に使用する
    ガラス布が、厚み５０±１０μｍ、重量３５〜６０g/m2
    でかつ通気度５〜２５cm3/cm2・sec.の織布を１枚以上
    組み合わせた請求項１記載の極薄BGAタイプ半導体プラ
    スチックパッケージ用プリント配線板。
  3. 【請求項３】 ガラス布、熱硬化性樹脂組成物をサンド
    ブラスト法にて除去して製造される請求項１又は２記載
    の極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリ
    ント配線板。
  4. 【請求項４】 ガラス布基材片面銅張板の熱硬化性樹脂
    組成物が、多官能性シアン酸エステル、該シアン酸エス
    テルプレポリマーを必須成分とする熱硬化性樹脂組成物
    である請求項１又は３記載の極薄BGAタイプ半導体プラ
    スチックパッケージ用プリント配線板。
  5. 【請求項５】 銅張積層板の樹脂組成物が、絶縁性無機
    充填剤を１０〜８０重量％含有する請求項１、３又は４
    記載の極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用
    プリント配線板。
  6. 【請求項６】 絶縁性無機充填剤が、水酸化アルミニウ
    ムと水酸化マグネシウムとの混合物からなる請求項５記
    載の極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プ
    リント配線板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101699618B (zh) * 2009-11-03 2012-01-04 陕西华经微电子股份有限公司 厚膜bga防硫化工艺方法
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CN106564002A (zh) * 2016-11-09 2017-04-19 北京时代民芯科技有限公司 一种控制ccga器件焊柱共面性、位置度及垂直度的工装及方法

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