JP4237777B2

JP4237777B2 - 半導体装置

Info

Publication number: JP4237777B2
Application number: JP2006108401A
Authority: JP
Inventors: 昭弘矢口; 亮春田; 昌弘一谷
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2006-04-11
Filing date: 2006-04-11
Publication date: 2009-03-11
Anticipated expiration: 2019-03-17
Also published as: JP2006229245A

Description

本発明は，半導体素子と外部端子とを電気的に接続するための導電性配線を備えた絶縁性テープによって構成された半導体装置に係り，特に外部端子を球状はんだなどから形成したボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型半導体装置に関する。

半導体装置の高密度実装化に対応するため，多ピン化，小型化および高速化に適したボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型の半導体装置が実用化されている。ＢＧＡ型半導体装置は，半導体装置の面内にはんだバンプなどからなる外部端子をアレイ状に２次元配置した構造となっている。ＢＧＡ型半導体装置では，半導体素子と外部端子との電気的接続のため，表面，あるいは表面および内部に導電性配線が形成されているインターポーザと呼ばれる部材が用いられている。インターポーザにはガラス／エポキシなどを基材とするプリント配線基板や，ポリイミドなどを基材として表面などに導電性配線を形成した絶縁性テープなどが使用されている。

導電性配線が形成された絶縁性テープによって半導体装置を構成した例が日経マイクロデバイス，１９９８年２月号「構造を改良したＣＳＰで接続信頼性をクリア」（４８ページ〜５５ページ）に示されている（非特許文献１）。図１０に示すような従来のＢＧＡ型半導体装置では，インターポーザとして導電性配線４，ボンディングパッド３およびランド５と絶縁膜６とが形成された絶縁性テープ２が用いられている。半導体素子１は，その下面１ｂが絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａに接着部材８によって接着されている。絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａに形成されているボンディングパッド３部分は絶縁膜６に開口部１２が設けられており，図示されていない半導体素子上面１ａに形成されている電極とボンディングパッド３それぞれに金属細線７を接合することによって両者は電気的に接続されている。封止材９は導電性テープ２の半導体素子搭載面２ａ側に設けられ，半導体素子１と金属細線７を封止している。外部端子１０は絶縁性テープ２の実装面２ｂ側に設けられており，絶縁性テープ２の開口部１１内部においてランド５に接合している。半導体素子１と外部端子１０は，金属細線７，ボンディングパッド３，導電性配線４，ランド５を経由して電気的に接続されている。

日経マイクロデバイス，１９９８年２月号「構造を改良したＣＳＰで接続信頼性をクリア」、４８ページ〜５５ページ

図１０に示した従来の半導体装置では，半導体素子１の材料として線膨張係数が２〜３×１０~⁶／℃程度であるシリコン（Ｓｉ）が用いられている。絶縁性テープ２にはポリイミド樹脂あるいはガラス／エポキシ樹脂を基材とする材料が用いられており，これらの線膨張係数は１０×１０~⁶／℃程度である。また，封止材９にはシリカ粒子が充てんされたエポキシ樹脂が主に用いられており，線膨張係数は８〜１４×１０~⁶／℃である。

半導体装置は通常ガラス／エポキシ樹脂（例えばＦＲ−４）などを基材とする線膨張係数が１５〜１６×１０~⁶／℃程度のプリント配線基板に外部端子１０によって実装される。また上記した従来の半導体装置全体の線膨張係数は，半導体装置内で占める半導体素子１の割合が大きいため半導体素子１の線膨張係数に近い値になっている。

上記プリント配線基板に実装された状態の半導体装置に，信頼性試験として実施する温度サイクル試験などの温度変化が加わると，半導体装置とプリント配線基板の線膨張係数差に起因したひずみが，主にはんだ材料（Ｐｂ−Ｓｎ系共晶はんだ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだなど）が用いられている外部端子１０に発生する。

また，図１０の従来の半導体装置では，絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａの片面のみを封止材９で封止している。このため，温度変化の冷却過程時に封止材９の収縮によって半導体装置に反り変形が発生し，外部端子１０にひずみを生じさせる。この反りによるひずみは，上記プリント配線基板との線膨張係数差に起因して発生するひずみと重畳して，外部端子に発生するひずみをさらに増大させることになる。外部端子１０に大きなひずみが発生すると，温度変化の繰り返しによって外部端子１０にき裂が発生し，いずれは破断に至る。

上記の要因によって発生するひずみは，半導体装置の中で線膨張係数が最も小さい半導体素子１の端部に近接するランド５ａに接合された外部端子１０ａで最も大きくなり，この部分から破断が発生する可能性が高い。特に，図１０のように半導体素子１の端部に近接するランド５ａが半導体素子１の側面端部を横断するように配置されている場合に，大きなひずみが発生する。これは以下の理由による。外部端子１０ａの半導体素子１の投影面内部分に存在する部分は，柔軟な性質を有する接着部材８の変形によってひずみが緩和されるが，上部に半導体素子１が存在しない投影面外部分は封止材９によって拘束されるため，自由に変形することができなくなっている。そのため，半導体素子１の側面端部より外側に存在する外部端子１０ａの端部に大きなひずみが集中するため,破断が発生する可能性が極めて大きくなる。
また，封止材９の線膨張係数があまり大きくない場合には，半導体装置の端部に配置されている外部端子１０ｂに発生するひずみも大きくなることがあり，半導体素子１端部に近接する外部端子１０ａと同様に破断が発生する可能性がある。

外部端子１０に破断が発生すると，電気的接続が損なわれるため半導体装置が正常に機能しなくなり，半導体装置の信頼性を著しく低下させることになる。
本発明は，外部端子の破断を防止・抑制し，信頼性の高い半導体装置，特にボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型の半導体装置を提供することを目的とする。

前記の課題は，例えば下記の(Ａ)〜(Ｈ)に示す構成を備えた半導体装置により解決することができる。

（Ａ）第一の絶縁部材と、前記第一の絶縁部材の一主面に配設された外部端子と
、前記第一の絶縁部材の前記外部端子が配設された面とは反対側に配設された半導体素子と、前記半導体素子と前記外部端子を電気的に接続する導電性部材と、前記第一の絶縁部材の前記外部端子が配設された面とは反対側に配設された封止部材とを備えた半導体装置において、前記半導体素子と前記第一の絶縁部材との間には第二の絶縁部材が介在しており、前記第二の絶縁部材の外縁部が前記半導体素子の外縁部よりも突出していること。

（Ｂ）第一の絶縁部材と、前記第一の絶縁部材の一主面に配設された外部端子と
、前記第一の絶縁部材の前記外部端子が配設された面とは反対側に配設された半導体素子と、前記半導体素子と前記外部端子を電気的に接続する導電性部材と、前記第一の絶縁部材の前記外部端子が配設された面とは反対側に配設された封止部材とを備えた半導体装置において、前記半導体素子と前記第一の絶縁部材との間には第二の絶縁部材が介在しており、前記第二の絶縁部材の外縁部が、前記半導体素子の外縁部よりも外側に位置する外部端子であって最も前記半導体側に存在する外部端子の外縁部に対応する位置まで延在していること。

（Ｃ）複数のボンディングパッドおよびランド，前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと，半導体素子と，前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と，前記半導体素子を接着する少なくとも前記ボンディングパッドの前記導電性部材接合部分を除く前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に設けられた接着部材と，前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と，前記ランドに接合された外部端子と，を備えた半導体装置とすること。

接着部材は本来，半導体素子を絶縁性テープの表面に搭載するために用いられる部材であるため，通常は半導体素子の下面にのみ設けられる。接着部材には，エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などが用いられており，これらの材料は通常絶縁性テープ材料より柔軟な性質を有している。この接着部材を，半導体素子の下面だけでなくボンディングパッド領域を除く絶縁性テープの半導体素子搭載面に設けることによって，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみを，柔軟な接着部材の変形によって緩和することができる。さらに，封止材の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので，反り変形によって外部端子に生じるひずみを低減することもできる。

また，接着部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため，接着部材の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材の弾性率が小さくなると，接着部材自体の変形が容易になり，外部端子に作用する変形が接着部材の変形で吸収されやすくなるため，外部端子に発生するひずみがより低減するようになる。絶縁性テープの弾性率（縦弾性率）は，３０００〜９０００ＭＰａ程度である。接着部材にはこれより小さい弾性率を有する材料を用いるが，実用的には１０００ＭＰａ程度の材料が用いられる。

（Ｄ）複数のボンディングパッドおよびランド，前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと，半導体素子と，前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と，前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と，前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と，前記半導体素子の投影面内および投影面外の両方に配置された前記ランドに接合される外部端子と，を備えた半導体装置において，前記接着部材は前記半導体素子の投影面外側の少なくとも前記ランドを覆う範囲まで設けたこと。

外部端子を接合するランドが半導体素子の投影面内と面外に設けられている場合，接着部材自体は半導体素子を絶縁性テープ表面に搭載するための部材であるため，接着部材は，通常半導体素子の投影面内すなわち下面に位置するランドのみを覆う範囲に形成される。

絶縁性テープ材料より柔軟な性質を有している接着部材を，半導体素子の投影面内だけでなく投影面外に配置されているランドを覆う範囲まで設けることによって，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみを，柔軟な接着部材の変形によって緩和することができる。さらに，封止材の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので，反り変形によって外部端子に生じるひずみを低減することもできる。

また，接着部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため，接着部材の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。

（Ｅ）複数のボンディングパッドおよびランド，前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと，半導体素子と，前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と，前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と，前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と，前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドに接合される外部端子と，を備えた半導体装置において，前記接着部材は前記半導体素子の投影面外の少なくとも前記ランドを覆う範囲まで設けたこと。

外部端子を接合するランドが半導体素子の投影面外に設けられている場合，接着部材自体は半導体素子を絶縁性テープ表面に搭載するための部材であるため，接着部材は，通常半導体素子の下面にのみ形成され，少なくとも半導体素子の投影面外に配置されているランドを覆うようには構成されない。

絶縁性テープ材料より柔軟な性質を有している接着部材を，半導体素子の投影面外に配置されているランドを覆う範囲まで設けることによって，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみを，柔軟な接着部材の変形によって緩和することができる。さらに，封止材の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので，反り変形によって外部端子に生じるひずみを低減することもできる。

また、接着部材をフィルム状の部材で形成することが望ましい。

半導体素子を絶縁性テープ表面に搭載する方法として，接着部材をあらかじめ絶縁性テープの半導体素子搭載領域に形成しておき，その後半導体素子を接着する方法がある。この場合の接着部材の形成方法には，液状材料を用いる方法とフィルム状材料を用いる方法がある。接着部材によるひずみ低減効果を有効に発揮させるためには，接着部材の低弾性率化とともに，接着部材の厚さをある程度確保することが必要になる。これは半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみは，主にせん断変形によって発生しているためである。

液状材料による接着部材の形成は，スクリーン印刷法，ポッティング法などによって行われる。しかしこれらの方法では，接着部材の厚さの制御が困難であったり，製造プロセスが複雑になるなどの問題が生じる場合がある。
一方フィルム状材料によって接着部材を形成する場合は，フィルムの厚さがほぼ均一となっているため，接着後の接着部材厚さの制御が容易であり，半導体装置の製造も従来と同様のプロセス行うことができる。フィルム状の接着部材では，半導体素子接着後の接着部材の厚さを絶縁性テープの厚さと同等の約５０〜８０μｍにすることができる。これによって，接着部材の変形能力が向上し，外部端子のひずみ低減効果が大きくなる。

（Ｆ）複数のボンディングパッドおよびランド，前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと，半導体素子と，前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と，前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と，前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と，前記ランドに接合される外部端子と，を備えた半導体装置において，前記接着部材が前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドの内，少なくとも前記半導体素子の端部に近接する前記ランドを覆う範囲まで設けたこと。

図１０に示した従来の半導体装置をプリント配線基板に実装した場合，外部端子に発生するひずみは，半導体装置の中でも線膨張係数が最も小さい半導体素子の端部に近接する外部端子１０ａで最も大きくなる。すなわち，この外部端子１０ａが最も破断が発生しやすい外部端子である。

そこで，半導体素子の端部に近接し，かつ半導体素子の投影面外に配置されているランドを覆う範囲まで柔軟な接着部材を形成することによって，このランドに接合された外部端子に生じるひずみを，柔軟な接着部材の変形によって緩和することができる。

（Ｇ）複数のボンディングパッドおよびランド，前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと，半導体素子と，前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と，前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と，前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と，前記半導体素子の投影面内および投影面外の両方に配置された前記ランドに接合される外部端子と，を備えた半導体装置において，前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドを覆う前記絶縁性テープより低弾性の部材を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に設けたこと。

（Ｈ）複数のボンディングパッドおよびランド，前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと，半導体素子と，前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と，前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と，前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と，前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドに接合される外部端子と，を備えたボールグリッドアレイ型半導体装置において，前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドを覆う前記絶縁性テープより低弾性の部材を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に設けたこと。

半導体素子の投影面外に配置されているランドを覆うように柔軟な低弾性部材を形成することによって、半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみを、柔軟な低弾性部材の変形によって緩和することができる。さらに、封止材の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので、反り変形によって外部端子に生じるひずみを低減することもできる。

半導体素子の投影面内に配置されているランドは，柔軟な接着部材で覆われているため，接着部材の変形によるひずみ緩和作用によって面内のランドに接合されている外部端子に発生するひずみが低減する。

また，接着部材および低弾性部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため，両者の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材および低弾性部材の弾性率が小さくなると，これら自体の変形が容易になり，外部端子に作用する変形が接着部材および低弾性部材の変形で吸収されやすくなるため，外部端子に発生するひずみがより低減するようになる。

本願発明者は，下記に示す構造の半導体装置をプリント配線基板に実装し，１２５℃→−５５℃の温度変化を与えた場合に，外部端子であるはんだ材に発生するひずみを有限要素法により調べた。その結果，接着部材を半導体素子の投影面内にのみ設けた場合の半導体素子端部に近接する外部端子に発生するひずみが１．５％であるのに対して，接着部材を半導体素子の投影面内と投影面外の両方に設けた場合は，ひずみが１．１％まで低減することを確認した。解析を行った半導体装置の仕様を以下に示す。
・半導体装置外形：１３ｍｍ×１３ｍｍ
・半導体素子外形：８．８ｍｍ×８．８ｍｍ
・外部端子数：１７６個
・外部端子間隔：０．８ｍｍ

本発明によれば，半導体装置をプリント配線基板に実装した後に，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差および半導体装置の反り変形とによって外部端子に生じるひずみを低減することができるので，外部端子の破断発生を防止することができる。これによって，信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

以下，本発明の実施例を，図面を用いて説明する。
図１は，本発明の第１参考例に係る半導体装置の断面図であり，図２は封止材を取り除いた状態での平面図である。

図１および図２に示すように，本参考例の半導体装置は，半導体素子１と，ボンディングパッド３，導電性配線４およびランド５とが形成された絶縁性テープ２と，接着部材５と，半導体素子１とボンディングパッド３を電気的に接続する金属細線７と，半導体素子１と金属細線７を覆う封止材７と，外部端子１０とから構成されている。

絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａには，金属細線７が接合されるボンディングパッド３と，外部端子１０が接合されるランド５と，ボンディングパッド３とランド５を電気的に接続する導電性配線４が設けられている。また，導電性配線４とランド５は絶縁膜３で覆われている。半導体素子１はその下面１ｂが絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａ側に接着部材８によって接着されている。接着部材８は半導体素子１の面内だけでなく面外の領域にも設けられており，半導体素子１の面内および面外に配置されているランド５を，絶縁膜６を介して覆うように形成されている。ボンディングパッド３が形成されている領域では，絶縁膜６および接着部材８に開口部１２が形成されており，金属細線７の一方の端とボンディングパッド３とが，この開口部１２内にて接合されている。金属細線７の他方の端は半導体素子上面１ａに形成されている図示されていない電極と接合されている。絶縁性テープ２の実装面２ｂ側にはランド５まで貫通したテープ開口部１１が形成されており，ランド５に外部端子１０が接合されている。

導電性配線４には，銅（Ｃｕ）箔あるいは表面に金（Ａｕ），ニッケル（Ｎｉ）などのメッキを施した銅箔などが用いられる。導電性配線４に連なるボンディングパッド３およびランド５も同じ材料で形成されるが，接合性を高めるなどのため各個所に応じたメッキなどを施す場合がある。

外部端子１０には，はんだ材料（例えばＰｂ−Ｓｎ系共晶はんだ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ）などを使用し，球状のはんだ材もしくはペースト状のはんだ材を開口部１１に載置した後，はんだを溶融させてランド５と接合させる。

接着部材８は単一材料からなる単層構造の材料，あるいはテープ状の基材表面に接着材料を形成した三層構造もしくはそれ以上の層構成の材料を用いる。単層構造の材料としては，エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，エホキシ＋ポリイミド系樹脂，エポキシ樹脂とアクリル系ゴムから構成される樹脂，アクリル系樹脂，多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂およびシリコーン系樹脂などを使用する。単層構造の接着部材８は，絶縁性テープ２表面にスクリーン印刷法，ポッティング法あるいはフィルム状にした状態での貼り付けによって形成しても良いし，半導体素子１の下面１ｂに形成されたものでも良い。三層構造の接着部材８は，ポリイミド樹脂などからなるテープ状基材表面に上記単層構造の材料として挙げたものを接着剤として形成した部材より構成する。

金属細線７には，金（Ａｕ），銀（Ａｇ）あるいはアルミ（Ａｌ）などの材料を用いる。絶縁膜６はソルダーレジストとも呼ばれており，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，ポリブタジエン樹脂などの材料が用いられる。

封止材９には熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂にシリカ粒子を充てんした材料などが用いられ，トランスファモールド法あるいはポッティング法によって形成される。

上記したように，本参考例の半導体装置では，柔軟な性質を有する接着部材８を半導体素子１の面内に配置されているランド５だけでなく，一部あるいは全部が半導体素子１の面外に配置されているランド５をも覆うように形成する。これによって，半導体装置を外部端子１０によってプリント配線基板に実装した後に，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子１０に生じるひずみを，柔軟な接着部材８の変形によって緩和することができる。さらに，封止材９の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので，この反り変形によって外部端子１０に生じるひずみも低減することができる。

これによって，プリント配線基板への半導体装置実装後に発生する外部端子１０の断線を防止することが可能となり，信頼性の高い半導体装置を実現することができる。

また，接着部材８の柔軟な性質を十分に発揮させるため，接着部材８の弾性率は絶縁性テープ２の弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材８の弾性率が小さくなると，接着部材８自体の変形がより容易になり，外部端子１０に作用する変形が接着部材８の変形で吸収されやすくなるため，外部端子１０に発生するひずみがさらに低減するようになる。

なお，図１，図２に示した第１実施例は，絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａに絶縁膜６を設けてある。絶縁膜６は導電性配線４やランド５を保護するとともに，半導体素子１と接触して発生する短絡不良を防止するために設けられている。本実施例のように接着部材８がランド５および導電性配線４を覆うように形成されている場合は，接着部材８自体が絶縁性を有しているので，絶縁膜６を設けない構成であっても半導体装置の機能を損なうことはない。

また，図１および図２に示した第１の参考例では，絶縁性テープ２の表面に形成されたランド５すべてを接着部材８で覆う例を示した。半導体装置をプリント配線基板に実装した場合，外部端子に発生するひずみは，半導体装置の構成部材のうち最も線膨張係数が小さい半導体素子１の端部に近接するランド５ａに接合された外部端子１０ａで最大となる。すなわち，この外部端子１０ａが最も破断が発生しやすい外部端子である。

そこで，図３に示すように半導体素子１の端部に近接し，かつ半導体素子１の面外にすくなくともその一部が配置されているランド５ａを覆う範囲まで柔軟な接着部材８を形成することによって，このランド５ａに接合された外部端子１０ａに生じるひずみを，柔軟な接着部材８の変形によって緩和することができる。

図４は本発明に関連する第２参考例に係る半導体装置の断面図である。

本参考例による半導体装置の基本的な構成は，前述した第１参考例と同じであるが，第１参考例と異なるのは，ランド５が半導体素子１の面外に配置されており，柔軟な性質を有する接着部材８が半導体素子１の面外に配置されている半導体装置端部のランド５ｂを覆う範囲まで設けられている点である。

図４のようにランド５が半導体素子１の面外に配置されている半導体装置は，半導体素子１の面内にランド５が配置されている場合より半導体装置のサイズが大きくなる。そのため，半導体装置をプリント配線基板に実装した後に外部端子１０に発生するひずみは，半導体素子１に近接している外部端子１０ａとともに，半導体装置の端部に配置された外部端子１０ｂも大きくなる場合がある。これは，封止材９に線膨張係数の小さい材料を用いた場合などに生じる。本実施例に示したように半導体装置の端部に配置された外部端子１０ｂを接合するランド５ｂを覆う範囲まで接着部材８を設けることによって，半導体素子１に近接した外部端子１０ａと半導体装置端部の外部端子１０ｂの両方に発生するひずみを低減することが可能となる。

本参考例によれば，半導体装置を外部端子１０によってプリント配線基板に実装した後に，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子１０に生じるひずみを，柔軟な接着部材８の変形によって緩和することができる。さらに，封止材９の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので，この反り変形によって外部端子１０に生じるひずみも低減することができる。

また，接着部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため，接着部材の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材の弾性率が小さくなると，接着部材自体の変形がより容易になり，外部端子に作用する変形が接着部材の変形で吸収されやすくなるため，外部端子に発生するひずみが低減するようになる。

また，図４に示した第２の実施例では，絶縁性テープ２の表面に形成されたランド５すべてを接着部材８で覆う例を示した。半導体装置をプリント配線基板に実装した場合，外部端子に発生するひずみは，半導体装置の構成部材のうち最も線膨張係数が小さい半導体素子の端部に近接する外部端子１０ａで最大となる。すなわち，この外部端子１０ａが最も破断が発生しやすい外部端子である。

そこで，図５に示すように半導体素子１の端部に近接して配置されているランド５ａを少なくとも覆う範囲まで柔軟な接着部材８を形成することによって，このランド５ａに接合された外部端子１０ａに生じるひずみを，柔軟な接着部材８の変形によって緩和することができる。

図６は本発明の実施例に係る半導体装置の断面図であり，図７は図６に示した半導体装置の封止材を取り除いた平面図である。

本実施例による半導体装置の基本的な構成は，前述した第１参考例と同じであるが，第１参考例と異なるのは，ボンディングパッド３より中央側に配置されているランド５は絶縁膜６を介して接着部材８が覆うように形成されており，ボンディングパッド３より外側に配置されているランド５は絶縁膜６を介して低弾性部材１３で覆われている点である。

低弾性部材１３は，接着部材と同様に柔軟な性質を有する材料で形成する。例えば，単一材料からなる単層構造の材料，あるいはテープ状の基材表面に接着材料を形成した三層構造もしくはそれ以上の層構成の材料を用いる。単層構造の材料としては，エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，エホキシ＋ポリイミド系樹脂，エポキシ樹脂とアクリル系ゴムから構成される樹脂，アクリル系樹脂，多孔質ポリテトラフルオロエチレンおよびシリコーン系樹脂などを使用する。単層構造の低弾性部材１３は，絶縁性テープ２表面にスクリーン印刷法，ポッティング法あるいはフィルム状態での貼り付けによって形成しても良いし，半導体素子１の下面１ｂに形成されたものでも良い。三層構造の低弾性部材１３は，ポリイミド樹脂からなるテープ状基材表面に上記単層構造の材料として挙げたものを接着剤として形成した部材より構成する。

本実施例によれば，ランド５が柔軟な性質を有する接着部材８あるいは低弾性部材１３で覆われているので，半導体装置を外部端子１０によってプリント配線基板に実装した後に，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子１０に生じるひずみを，柔軟な接着部材８と低弾性部材１３の変形によって緩和することができる。さらに，封止材９の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので，この反り変形によって外部端子１０に生じるひずみも低減することができる。

また，接着部材と低弾性部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため，これらの弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材と低弾性部材の弾性率が小さくなると，これら自体の変形がより容易になり，外部端子に作用する変形が吸収されやすくなるため，外部端子に発生するひずみがさらに低減するようになる。

図８は図６に示した半導体装置の他の様態を示す断面図である。

図８において，ランド５は半導体素子１の面外に配置されており，これらのランド５のうち，ボンディングパッド３より中央側に配置されているランド５は絶縁膜６を介して接着部材８が覆うように形成されており，ボンディングパッド３より外側に配置されているランド５は絶縁膜６を介して低弾性部材１３で覆われている。

本実施例によれば，半導体素子１の面外に配置されているランド５が柔軟な性質を有する接着部材８あるいは低弾性部材１３で覆われているので，半導体装置を外部端子１０によってプリント配線基板に実装した後に，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子１０に生じるひずみを，柔軟な接着部材８と低弾性部材１３の変形によって緩和することができる。さらに，封止材９の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので，この反り変形によって外部端子１０に生じるひずみも低減することができる。

なお，本実施例では，ボンディングパッド３より中央側に配置されているランド５は絶縁膜６を介して接着部材８が覆うように形成してある。しかし，本実施例のように半導体素子１の面外にランド５が配置されている構成では，すべてのランド５を低弾性部材１３で覆うように形成しても差し支えはない。

図９は本発明の第３参考例に係る半導体装置の断面図である。

図９に示すように，本参考例の半導体装置は，半導体素子１と，ボンディングパッド３，導電性配線４およびランド５とが形成された絶縁性テープ２と，充てん材１５と，半導体素子１とボンディングパッド３を電気的に接続するバンプ１４と，半導体素子１を覆う封止材７と，外部端子１０とから構成されている。

絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａには，バンプ１４が接合されるボンディングパッド３と，外部端子１０が接合されるランド５と，ボンディングパッド３とランド５を電気的に接続する導電性配線４が設けられている。また，ランド５は半導体素子１の面外に配置されており，ランド５と導電性配線４の一部とが絶縁膜３で覆われている。半導体素子１はその上面１ａを絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａ側に向けて搭載されている。半導体素子１の上面１ａに形成されている図示されていない電極とボンディングパッド３はバンプ１４をそれぞれに接合することによって電気的に接続されている。半導体素子上面１ａと絶縁性テープ２の間には接着部材１５が設けられており，半導体素子上面１ａとバンプ１４およびバンプ１４の接合個所を保護している。絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａには，絶縁膜６を介してランド５を覆うように低弾性部材１３が形成されている。封止材９は半導体素子１の周囲を覆い，絶縁性テープ２の半導体素子搭載面２ａ側に設けられている。絶縁性テープ２の実装面２ｂ側にはランド５まで貫通したテープ開口部１１が形成されており，ランド５に外部端子１０が接合されている。

導電性配線４には，銅（Ｃｕ）箔あるいは表面に金（Ａｕ），ニッケル（Ｎｉ）などのメッキを施した銅箔などが用いられる。導電性配線４に連なるボンディングパッド３およびランド５も同じ材料で形成されるが，バンプ１４および外部端子１０との接合性を高めるなどのため各個所に応じたメッキなどを施す場合がある。

低弾性部材１３は単一材料からなる単層構造の材料，あるいはテープ状の基材表面に接着材料を形成した三層構造もしくはそれ以上の層構成の材料を用いる。単層構造の材料としては，エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，エホキシ＋ポリイミド系樹脂，エポキシ樹脂とアクリル系ゴムから構成される樹脂，アクリル系樹脂，多孔質ポリテトラフルオロエチレンおよびシリコーン系樹脂などを使用する。単層構造の低弾性部材１３は，絶縁性テープ２表面にスクリーン印刷法，ポッティング法あるいはフィルム状態での貼り付けによって形成しても良いし，半導体素子１の下面１ｂに形成されたものでも良い。三層構造の低弾性部材１３は，ポリイミド樹脂からなるテープ状基材表面に上記単層構造の材料として挙げたものを接着剤として形成した部材より構成する。

接着部材１５はアンダーフィルとも呼ばれており，例えばエポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，シリコーン樹脂系などを基材とする柔軟な性質を有する材料を用いる。

バンプ１４には，金（Ａｕ），銀（Ａｇ）あるいはアルミ（Ａｌ），もしくは
はんだ（例えばＰｂ−Ｓｎ系共晶はんだ）などの材料を用いる。絶縁膜６はソルダーレジストとも呼ばれており，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，ポリブタジエン樹脂などの材料が用いられる。

封止材７には熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂にシリカ粒子を充てんした材料などが用いられ，トランスファモールド法あるいはポッティング法によって形成される。

本参考例によれば，半導体素子１の面外に配置されているランド５が柔軟な性質を有する低弾性部材１３で覆われているので，半導体装置を外部端子１０によってプリント配線基板に実装した後に，半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子１０に生じるひずみを，柔軟な低弾性部材１３の変形によって緩和することができる。さらに，封止材９の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので，この反り変形によって外部端子１０に生じるひずみも低減することができる。

また，本参考例のように，半導体素子１とボンディングパッド３とをバンプ１４によって接合することによって，電気的な経路を短くすることができ，半導体装置の高速化にも対応することができる。

本発明の第１参考例に係る半導体装置の断面図である。本発明の第１参考例に係る半導体装置の封止材を取り除いた状態での平面図である。本発明の第１参考例に係る半導体装置の他の様態を示す断面図である。本発明の第２参考例に係る半導体装置の断面図である。本発明の第２参考例に係る半導体装置の他の様態を示す断面図である。本発明の実施例に係る半導体装置の断面図である。本発明の実施例に係る半導体装置の封止材を取り除いた状態での平面図である。本発明の実施例に係る半導体装置の他の様態を示す断面図である。本発明の第３参考例に係る半導体装置の断面図である。従来の半導体装置の例を示す断面図である。

符号の説明

１…半導体素子，１ａ…半導体素子上面，１ｂ…半導体素子下面，２…絶縁性テープ，２ａ…絶縁性テープの素子搭載面，２ｂ…絶縁性テープの実装面，３…ボンディングパッド，４…導電性配線，５…ランド，５ａ…半導体素子端部に近接したランド，５ｂ…半導体装置端部に位置するランド，６…絶縁膜，７…金属細線，８…接着部材，９…封止材，１０…外部端子，１０ａ…半導体素子の端部に近接した外部端子，１０ｂ…半導体装置端部に位置する外部端子，１１…絶縁性テープの開口部，１２…絶縁膜および接着部材の開口部，１３…低弾性部材，１４…バンプ，１５…接着部材。

Claims

複数のボンディングパッド及びランド、前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと、半導体素子と、前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と、前記絶縁性テープの前記半導体素子搭載面で前記導電性配線を覆う絶縁膜と、前記半導体素子を前記絶縁膜の半導体素子搭載面に接着する接着部材と、前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と、前記ランドに接合される外部端子と、を備え、
前記複数のランドのうち、前記ボンディングパッドより中央側に配置されるランドは前記絶縁膜を介して前記接着部材により覆われ、前記ボンディングパッドより外側に配置されるランドは前記絶縁膜を介して低弾性部材により覆われ、前記接着部材及び前記低弾性部材を前記絶縁性テープより低弾性率の材料で形成したことを特徴とする半導体装置。