JP4225059B2 - 高輝度放電ランプを駆動する装置及び方法 - Google Patents
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Description
(発明の属する技術分野)
本発明は、高輝度放電(HID)ランプを駆動するための装置及び方法に関する。詳細には、本発明は、HIDランプを点灯(起動)するため、及び高周波共振点灯回路による通常動作状態時に出力及び電流制御のために使用するピーク電流検出信号への干渉が最小となる安定した回路動作を維持するために高周波共振点灯電圧を発生することを目的とする。ランプリード線の寄生容量に関連する共振点灯電圧の大きさの変動は、共振点灯コンデンサに直列に接続されるダンピング抵抗器を含むことにより最小限に抑えられる。
【0002】
(背景技術)
電子高輝度放電ランプは、通常、ランプを点灯(起動)するために2つの技術の内の1つを利用している。第1の技術では、ランプはパルス点灯方法を用いて点灯される。第2の技術では、ランプは共振点灯方法を用いて点灯される。共振点灯方法での点灯電圧のピークの大きさは、パルス点灯方法の点灯電圧のピークの大きさより低い。したがって、安全性の見地から、通常、パルス点灯方法より共振点灯法が好まれる。
【0003】
さらに、ランプ点灯後にランプを動作させ続ける方法として2つの特徴的に異なる方法がある。パルス点灯方法では、ランプを典型的にはキロヘルツ(kHz)範囲の高周波信号で作動させる。共振点灯方法では、ランプを典型的には数百ヘルツの範囲で測定される低周波信号で作動させる。高周波動作にまつわる音響共振問題のため、ランプの動作(例えば、照度)を維持するためには、一般的には、低周波動作方法を利用するほうが好まれている。
【0004】
ランプを点灯させるために又は(点灯後に)高周波信号でランプを作動させるために十分なエネルギーを有する高周波電圧を発生するためには、一般的には、図3Aから図3Cに図示されるように、3つの基本的なアプローチが取られる。
【0005】
図3Aに、チョッパ及び高周波インバータを有する放電ランプ駆動回路を示す。スイッチQ1からQ4に適用されるさまざまな制御方式に応じて、この構成は多くの設計目的に役立つ。
【0006】
HIDランプが高周波で作動させるときに音響共振を示すことは周知である。米国特許第4,912,374号は、高周波電流を平滑化されたDC電流で遮る方法を開示する。インダクタL1及びコンデンサC1はバック(buck)共振ネットワークを形成する。変圧器T及びコンデンサC2は、反転共振回路を形成する。トランジスタ対Q1とQ4及びトランジスタ対Q2とQ3が低周波で交互に切り替えられるとき、2つの高周波AC電流がランプを流れる。第1の高周波AC電流は、バック共振ネットワークにより生じる。第2の高周波AC電流は反転共振ネットワークによって生じる。その結果、コンデンサC1、変圧器T及びランプの間でループ電流が形成される。トランジスタQ4が高周波で切り替えられる場合、トランジスタQ1はオンであり、トランジスタQ2とQ3は(チョッパ、もしくはバック構成のために)完全にオフであり、その結果DC電流はランプを左から右へ流れる。トランジスタQ3が高周波で切り替えられる場合、トランジスタQ2はオンであり、トランジスタQ1とQ4は完全にオフであり、その結果DC電流はランプを右から左へ流れる。
【0007】
DC電流を制御するためには、なんらかの種類のバック電流検出が必要とされる。このようなシステムは、米国特許第4,912,374号には詳細に開示されていない。バック電流を検出するための最も簡単な方法は、入力バス電圧V1と直列に検出抵抗器を追加することである。ただし、バックネットワーク電流から反転共振ネットワーク電流を分離するための特別な処理がなされなければ、反転共振ネットワークとバック共振ネットワーク間に結合が生じる可能性がある。米国特許第4,912,374号は、反転高周波動作とバックDCつまり低周波動作の分離は開示していないが、反転高周波動作はランプを起動する(点灯する)ためだけに利用され、DC(つまり低周波)動作はランプ起動後のランプの通常(連続)動作のために利用される。
【0008】
図3Bは、MOSFET・Q5及びダイオードD5が追加される米国特許第4,912,374号の変形例を説明した図である。検出された降圧電流はきれいな三角波からなるが、これらの構成要素を備えることにおり、きれいな方形波からなるランプ電流が生じる。なお、MOSFET・Q5は、ランプ点灯(起動)後の任意の時点で、すなわち、高周波電流がランプ動作に必要とされなくなったときはいつでも、オフにできる。MOSFET・Q5がオフにされると、インダクタL1とコンデンサC1によって形成されるバックネットワークと、変圧器Tと点灯コンデンサC2によって形成される点灯ネットワークとは、完全に減結合される。すなわち、点灯コンデンサC2は、回路から電気的に切断される。トランジスタQ1とQ2のスイッチングにより、点灯コンデンサC2または電流検出抵抗器Rsを流れる充電(または放電)電流はない。さらに、ダイオードD5は、MOSFET・Q5のスイッチング動作中の電圧のオーバーシュートを防止する。
【0009】
この変形例の欠点は、MOSFET・Q5を駆動するために必要な任意の関連する駆動回路構成要素とともに、高圧MOSFET・Q5及び高圧ダイオードD5が必要とされる点である。このため、回路が複雑となり、製造コストが増加する。なお、音響共振を防止するために高周波電流とDC電流の合成波形が必要とされる場合、MOSFET・Q5は高周波期間中にオンにされ、低周波期間中にオフされなければならない。
【0010】
米国特許第6,020,691号の二段出力フィルタが図3Cに示される。高周波共振点灯を用いるチョッパ(バック)電源レギュレータと、不連続な第1共振段インダクタ電流と、連続な第2共振段インダクタ電流とが互いに関連付けられている。
【0011】
米国特許第6,020,691号では、インダクタL1とコンデンサC1によって形成される第1段共振周波数fr1は、インダクタL2とコンデンサC2によって形成される第2段共振周波数fr2より低い。さらに、第1段共振周波数fr1と第2段共振周波数fr2の間の距離は、過剰な共振電流が回路内を循環することを回避するために、選択された最小値より小さくならないようにいくぶん制限される。点灯電圧は、第2段共振周波数fr2の上で周波数を掃引することで生成する。例えば、第2段共振周波数fr2が例えば約40kHzに選択され、最小掃引周波数が例えば約30kHzに選択された場合、第1段共振周波数fr1は約22kHzに選択されてもよい。第1段の共振ネットワークの循環電流は、周波数fr1及び最小掃引周波数にきわめて関係付けられているため、この種の回路配列には、周波数の不正確さ及び構成要素の許容の問題がある。本回路配列の更なる不利な点は、2つの段がともにカスケード接続されることから、第2段のネットワークによっておもに生成される点灯パルスの大きさが、両方の共振周波数の関数となる点である。第2段共振周波数に近い周波数を持つ入力電圧信号は、第1段のネットワークによって減衰され、第2段のネットワークによって増幅される。したがって、第2段のネットワークのQ係数は十分な点灯電圧を発生できるように非常に高くなければならない。
【0012】
(発明の開示)
本発明は、従来の技術において第1共振ネットワーク設計と第2共振ネットワーク設計を電気的に切り離す(遮蔽する)ことができなかった点を解決する。本発明により、点灯コンデンサは回路から遮蔽され、充電電流と放電電流の少なくともいずれかの負荷電流検出回路への干渉を防止する。
【0013】
発明の特徴によれば、相対的に高いスパイク電流が点灯コンデンサに送られる場合であっても、相対的に「きれいな」信号がバックレギュレータの電流検出回路に供給される。
【0014】
本発明の特徴によれば、例えばダンピング抵抗器などの減衰素子が設けられ、それにより、発生するピーク点灯電圧の変動は、出力において、最小寄生容量(例えば、数百ピコファラッド)に制限される。
【0015】
本発明の特徴によれば、バイパスダイオードの経路を流れるもれ電流は、検出抵抗器を流れる電流より著しく少なく、それにより、ダイオードのもれ電流によって電流の検出が影響されない。
【0016】
本発明の第1態様においては、タンク回路及びDC−ACインバータを含む放電ランプを駆動するための装置が設けられる。タンク回路は放電ランプに電力を供給し、第1共振ネットワークと第2共振ネットワークを含む。交流方形波電流が通常動作モード時に第1共振ネットワークによって放電ランプに供給される。起動動作モードにおいて、共振点灯電圧が、直列接続された減衰素子、共振コンデンサ及び共振インダクタを含む第2共振ネットワークによって発生する。DC電圧は、電圧入力とタンク回路の間に配置されたDC−ACインバータによってAC電圧に変換される。減衰素子はダンピング抵抗器でもよい。
【0017】
駆動装置において、DC−ACインバータは、相補的にオン、オフする少なくとも1対のスイッチング素子を有するブリッジ回路を含んでもよい。ブリッジ回路はフルブリッジインバータ又はハーフブリッジインバータで構成してもよい。
【0018】
駆動装置はさらに電流の流れを制御するバイパス素子を含んでもよい。この場合、第2共振ネットワークは、ブリッジ回路の1つの出力とバイパス素子の出力とに接続される。そのような駆動装置はさらに第1共振ネットワークを流れる電流を検出する検出素子を含んでもよい。
【0019】
第1共振ネットワークはコンデンサとインダクタを含んでもよい。コンデンサは、ランプと第2共振ネットワーク内の共振インダクタとの直列回路に対して並列に接続されてもよい。
【0020】
上記駆動装置において、検出素子は検出抵抗器を含んでもよい。そのような駆動装置において、検出素子は電圧入力の1つの端子とブリッジ回路の一つの入力端子との間に接続されてもよい。電圧入力の他の端子はブリッジ回路の他の入力端子に接続されてもよい。検出素子はバイパス素子に並列に接続される。
【0021】
そのような駆動装置では、交流方形波電流流の周波数は1kHzより小さくてもよい。共振点灯電圧の周波数は20kHzよりも大きくてもよい。
【0022】
そのような駆動装置では、バイパス素子は直列接続された2つのダイオードを含んでもよい。この場合、直列接続された2つのダイオードの接合部が第2共振ネットワークに接続される。駆動装置はさらに2つの直列接続されたダイオードの少なくとも一方に接続されるもれ防止素子を含んでもよい。その場合、検出素子は検出抵抗器を有し、検出素子の抵抗値はもれ防止素子の抵抗値より小さくてもよい。このとき、もれ防止素子の抵抗値は検出素子の抵抗値の20倍以上の大きさであってもよい。
【0023】
本発明の第2態様においては、放電ランプを駆動する装置を用いて放電ランプを駆動する方法が提供される。
【0024】
その駆動装置はタンク回路及びDC−ACインバータを含む。タンク回路は第1共振ネットワークと第2共振ネットワークを含む。第1共振ネットワークは通常動作モードの間、交流方形波電流を供給する。第2共振ネットワークは、起動動作モードで共振点灯電圧を生成し、直列で接続された、少なくとも1つの減衰素子、少なくとも1つの共振コンデンサ及び少なくとも1つのインダクタを含む。DC−ACインバータは、ブリッジ回路、検出素子及びバイパス素子を含み、電圧入力とタンク回路の間に配置される。ブリッジ回路は、相補的にオン、オフする少なくとも1対のスイッチング素子を有する。検出素子は第1共振ネットワークを流れる電流を検出する。バイパス素子はその電流の流れを制御する。
【0025】
駆動方法は、起動動作モードの間、第2共振ネットワークが放電ランプに共振点灯電圧を供給するようにタンク回路を動作させるステップと、所定時間経過後に、通常動作モード中に第1共振ネットワークが交流方形波電流を放電ランプに供給するようタンク回路を動作させるステップと、検出素子を用いて第1共振ネットワークを流れる電流を検出するステップと、バイパス素子を用いて、第1共振ネットワークを流れる電流と第2共振ネットワークを流れる電流とを減結合するステップとを含む。
【0026】
本発明の上記及び他の目的、特徴及び有利な点は好ましい実施態様の以下のより詳細な説明から明らかとなるであろう。添付図面で示されているように、全ての図面において同じ番号は同じ部分を示している。
【0027】
(発明を実施するための最良の形態)
図1Aは本発明のブロック図である。図1Aに示すように、駆動回路5はDC−ACインバータ8及びタンク回路12を備える。タンク回路12は、例えば高輝度放電ランプLAMP等のランプを作動させる(例えば、ランプに電力を提供する)。
【0028】
DC−ACインバータ8は、ブリッジ回路10、検出素子14及びバイパス素子16を備える。DC−ACインバータ8は、フルブリッジインバータまたはハーフブリッジインバータのどちらかとして形成することが可能である。
【0029】
タンク回路12は第1共振ネットワーク18と、第2共振ネットワーク20とからなる。
【0030】
図1Bは本発明の特定の回路構成を示している。しかしながら、本発明の思想や発明の範囲から逸脱せずに他の変形がなされることが理解できる。
【0031】
ブリッジ回路10はフルブリッジ配列で構成される複数のMOSFETトランジスタQ1からQ4を備える。タンク回路12の第1共振ネットワーク18は、コンデンサC1及びインダクタL1を備える。タンク回路12の第2共振ネットワーク20は、点灯コンデンサC2、ダンピング抵抗器R1及び誘導素子Tを備える。検出素子14は検出抵抗器Rsを備え、バイパス素子16は抵抗器R2を介して直列接続されるダイオードD1とD2を備える。
【0032】
高輝度放電(HID)ランプLAMPのリード線の一方は、コンデンサC1とインダクタL1の接合部に接続され、HIDランプLAMPのリード線の他方は誘導素子Tの接合部Bに接続される。図1Bは、タンク回路12におけるランプの電気的接続を示している。しかしながら、ランプの記載は、タンク回路12の第1共振ネットワークと第2共振ネットワーク18、20に対するランプの電気的接続を伝えるためであり、タンク回路12とは別個のものである(タンク回路の一部ではない)ことが理解される。
【0033】
第1共振ネットワーク18のインダクタL1及びコンデンサC1は、チョッパ(つまり、バック)フィルタネットワークを形成する。第2共振ネットワーク20の誘電素子T及び点灯コンデンサC2は高周波共振ネットワークを形成し、ダンピング抵抗器R1は品質係数(quality factor)を低減し、高周波共振ネットワークの帯域幅を広げるように機能する。
【0034】
バイパス素子16のバイパスダイオードD1とD2は、点灯コンデンサC2からの検出抵抗器Rsを流れる電流の流れを制御し、抵抗器R2はMOSFET・Q2とMOSFET・Q4の少なくともいずれかからの電流がバイパスダイオードD1とD2を流れることを防止する(又は低減する)ように動作する。好ましくは、抵抗器R2は検出抵抗器Rsの抵抗値よりはるかに高い(大きい)抵抗値を有する。抵抗器R1と直列に電気的に設置される抵抗器R2もダンピング抵抗器として機能する。
【0035】
図1Cに示す変形例によれば、抵抗器R2は、等しい値(または値が異なる)複数の(例えば、図1Cの2つの)抵抗器を備える。この変形例では、1つの抵抗器がバイパスダイオードD2と直列に接続され、他の抵抗器がバイパスダイオードD1と直列に接続される。
【0036】
起動(点灯)動作時において、(誘導素子T、コンデンサC2、抵抗器R1及び抵抗器R2によって形成される)点灯ネットワークは、電圧供給ラインVbus、MOSFET・Q1及びMOSFET・Q2に供給される周波数が変化する電源、及びデューティサイクルが変化する電源によって電圧が供給される。MOSFET・Q1とMOSFET・Q2のスイッチング速度(例えば、システムがオン・オフする周波数)を制御することにより、各高周波サイクルでの周波数とデューティサイクルの少なくともいずれかを、例えば約200kHzの第1(高)周波数から例えば約100kHzの第2(例えば低)周波数へ、線形に掃引することができる。
【0037】
以下の説明は、図2に示される誘導素子Tが図1Bの回路で使用されるという仮定に基づいている。上記の動作周波数が仮定された場合、第1のインダクタT’は約750uHであり、コンデンサC2は約1.5nFであり、寄生容量がある場合はその値は約0pFから最大約150pFまでの範囲内の値になる。寄生容量は、コンデンサC2とともに共振ネットワークの容量性素子の一部を形成するインダクタT’に対し反射される。その反射のため、共振周波数が変化する。シミュレーションを実行したところ、約0pF、50pF、100pF、及び150pFの寄生容量に対して、その共振周波数はそれぞれ約143kHz、135kHz、127kHz、及び121kHzとなった。
【0038】
共振周波数はダンピング抵抗器の存在の有無により影響(変更)されないことに注意すべきである。ただし、寄生容量に関する回路利得の変動は発生する。また、(寄生容量に関する)回路利得の変動はダンピング抵抗器を設けることにより低減されることに注意すべきである。例えば、ダンピング抵抗器がない場合、ピーク利得は、0pFから150pFの寄生容量範囲において約16.7パーセント減少する。しかし、回路が約30オームのダンピング抵抗器R1を備えた場合、ピーク利得は同じ0pFから150pFの範囲で約6.3パーセントしか減少しない。
【0039】
上記のことから、ダンピング抵抗器を設けたことが利得の安定化において役割を果たしていることは明らかである。所定の駆動電源及び周波数掃引パターンについて、点灯電圧のピークの大きさは共振ネットワークの利得に比例する。前述のように、ダンピング抵抗器を設けることにより利得は約6.3パーセントだけ変化し、これにより、寄生容量値が0pFから150pFに変化する場合でも点灯電圧は所定の制限内に留まる。ランプリード線が最高約15フィートになる用途においては等価容量が約150pFであることが測定されたことに注意すべきである。
【0040】
図8Aと図8Bは、ランプリード線がそれぞれ0フィートと15フィートの長さの場合の点灯電圧の包絡線を示している。この点に関し、図2Aの誘導素子Tが利用されたこと、さらに、図示されている非常に高い周波数リンギングのいくらかを削減(フィルタリング)するために、端子B点とC点(図2Aを参照すること)間に値の小さいコンデンサ(例えば、約150pF)を追加できることに注意すべきである。
【0041】
起動(点灯)動作時において、MOSFET・Q3とMOSFET・Q4は、それぞれMOSFET・Q2とMOSFET・Q1と同相で切り替えられる。(インダクタL1及びコンデンサC1によって形成される)チョッパ(バック)フィルタネットワークの共振周波数は、約100kHzから200kHzの掃引周波数よりはるかに低いため、インダクタL1またはコンデンサC1に小さな共振電圧が発生するにすぎない。起動動作中に一旦ランプが点灯すると、ランプ電流は、高周波サイクルの半サイクルの一方でMOSFET対Q1とQ4を流れ、高周波サイクルの他方の半サイクルの間、高周波サイクルの半分でMOSFET対Q2とQ3を流れる。
【0042】
ランプの通常動作中(例えば、ランプが点灯/起動後)は、MOSFET・Q1とMOSFET・Q2は例えば約170Hzという低周波で動作し、MOSFET・Q3とMOSFET・Q4は例えば約50kHzという高周波で動作する。または、MOSFET対Q1とQ4は、例えば約170Hzという低周波サイクルの一の半サイクルの間、例えば約50kHzという高周波で駆動され、MOSFET対Q2とQ3は、低周波サイクル(例えば、約170Hz)の他の半サイクルの間、高周波(約50kHz)で駆動される。低いランプ電圧での通常動作時において、すべてのスイッチは高周波で動作できる。どちらの場合でも、MOSFET・Q1とMOSFET・Q2の接合部(例えば、図1B中のA点)の電圧は、MOSFET・Q1がON(オン)であるときにはHIGH(高)であり、MOSFET・Q2がON(オン)であるときにはLOW(低)である。高い電圧から低い電圧へ遷移する(または低い電圧から高い電圧へ遷移する)間、点灯コンデンサC2を流れる電流が充電(または放電)される。
【0043】
低いランプ電圧の場合の動作について詳細な説明を行なう。図4は、図2Bの誘導素子Tを含む図1Bの回路を表し、図5Aから図5Eは図4の回路の種々の位置での波形を表す。コンデンサC1とインダクタL1によって形成されるチョッパ(バックフィルタ)ネットワークの共振周波数は、通常動作では、例えば約50kHzの高周波より低い。コンデンサC2、抵抗器R1、及び誘導素子T’によって形成されるインバータネットワーク(点灯ネットワーク)の共振周波数は、通常動作中、高周波(例えば、約50kHz)より高い。コンデンサC1の両端電圧は1つの高周波サイクルの間一定と見なすことができる。誘導素子T’とT”の電圧は1つの高周波サイクルの間、ゼロであると見なすことができる。
【0044】
ランプ電圧V(lamp)はコンデンサC1上の電圧に等しい。したがって、図4のC点での電圧は電圧V(1)に等しい。時間tが0のとき、MOSFETトランジスタQ2とQ3はON(オン)であり、MOSFETトランジスタQ1とQ4はOFF(オフ)である。チョッパ電流V(Rs)は、急上昇し、所定のピークレベルに達し、そこで、MOSFET・Q3がOFF(オフ)し、フリーホイール電流が、時間tがt1になるまで、インダクタL1、コンデンサC1、ランプ及びMOSFETトランジスタQ2とQ4の内部ダイオードを流れ始める。時間tがt1のとき、MOSFET・Q2がOFF(オフ)する。時間tがt2で電流がゼロに達するまで、フリーホイール電流はMOSFET・Q1の内部ダイオードを流れ続け、母線(bus line)に戻る。時間tがt2に等しくなると、新しいサイクルが開始する。
【0045】
時間tが0のとき、及び時間tがt1のとき、電圧V(1)は突然HIGH(高)からLOW(低)に(またはLOWからHIGHに)切り替わる。C点での電圧V(1)とコンデンサC2を通って流れる電流I(C2)の関係は以下の式で表すことができる。
I(C2)=C2*dV(1)/dt
寄生インダクタンス及びダンピング抵抗器R1とR2は無視している。
【0046】
コンデンサの電圧は瞬時に変化しない。したがって、スパイク状の容量電流I(22)が図5Eに示されるように発生する。コンデンサC2のスパイク状の充電(または放電)電流I(C2)は、電圧V(1)の上昇(または下降)する傾き、寄生インダクタンス、寄生抵抗、及び抵抗器R1とR2の値によってのみ制限される。電流I(C2)のピークの大きさが非常に高くなる場合があることに注意すべきである。この電流が検出抵抗器Rsを流れ、バイパスダイオードD1とD2によって迂回されない場合、検出抵抗器Rs上の総電圧は、電流I(C2)と、一部のチョッパ電流I(Q2)との組み合わせである。このような状況では、検出電圧は大幅に歪められ、チョッパ動作の制御に影響を与える。
【0047】
バイパスダイオードD1とD2を使用する場合と使用しない場合の実際の波形をそれぞれ図6Aと図6Bに示す。これらの図から分かるように、電流I(C2)の正の部分はI(D2)を流れ、I(C2)は、I(C2)が0より大きい場合にI(D2)と等しくなる。電流I(C2)の負の部分はバイパスダイオードD1を流れ、図6Aと図6Bには示されていないことに注意すべきである。図6Aの真中のトレースによって示される制御検出電圧は、三角チョッパ電流と比較すると最小の歪みを示す三角波を含む。バイパスダイオードを省略したときは、図6Bに図示されるように、電流I(C2)全体が、電流I(Rs)と結合し、V(Rs)を生成する。検出電圧の負の部分は、それが電流I(C2)の正の部分と結合するためにほとんど消滅する。検出電圧は、チョッパ電流に比して大幅に歪められ、検出電圧の上部は平らになる。検出抵抗器で反射されると考えられるチョッパ電流のピークは、検出抵抗器の電圧と同じではない。なお、チョッパ動作のピーク電流を制御することは不可能である(あるいは、少なくとも非常に困難である)。
【0048】
検出されたチョッパ電流、つまりインダクタL1を流れる電流は、チョッパスイッチQ3とQ4のON(オン)時間を制御するために帰還される。さらに、DC電源Vbusは、力率補正回路によって、あるいは力率の補正を行わずに整流され、フィルタリングされたACラインから直接的に供給されることに注意すべきである。
【0049】
図7Aは、図1Bに図示される回路の一部を示す。抵抗器R2は最初に検出抵抗器Rsに関する高インピーダンス経路として機能して、バイパスダイオードD1とD2を流れるチョッパ電流を制限する。チョッパネットワークとともに使用されるフルブリッジインバータは、図7Bと図7Cに示されるように、三角電流源を形成する。通常動作中、動作周波数は点灯ネットワークよりはるかに低く、これにより、コンデンサC2は実質的には解放される(回路の外にある)。抵抗器R2の値がゼロであるとき、検出抵抗器R2の最大電圧は、バイパスダイオードD1とD2の伝導性により約1.4ボルトにクランプされる。
【0050】
図7Bに示されるように、検出電圧V(Rs)はその正の波形で平らな上部を示し、波形が歪められていることを示す。バイアスダイオードD1とD2はそれらに順方向バイパスがかけられると常に導通を開始し、もれ電流を流す。ピーク検出電圧V(Rs)は、通常、約1Vpkから約2Vpkの間の範囲にある。ピーク電流を正確に制御することは困難であることに注意すべきである。
【0051】
抵抗器R2の値が検出抵抗器Rsの値より著しく大きい場合、バイパスダイオードD1とD2、及び抵抗器R2からの電流の漏れは無視できる。検出抵抗器Rs上の電圧V(Rs)は、図7Cに示されるように、真のチョッパ電流を反映する。例えば、検出抵抗器Rsの抵抗は、約1.3アンペアの起動電流及び約2アンペアのピークチョッパ電流で約70ワットのHIDランプに対して、0.8オームである。電流に抵抗を乗算すると電圧に等しくなるという公式(V=I*R)に基づき、ピーク検出電圧V(Rs)は2アンペア*0.8オーム、つまり1.6ボルトとなり、バイパスダイオードD1とD2の1.4ボルトの制限電圧より大きくなる。したがって、抵抗器R2の値は、検出抵抗器よりはるかに大きく(すなわち、検出抵抗器Rsの約20倍、つまり約15オーム)なるように選ばれる。
【0052】
抵抗器R2は、HIDランプが起動(点灯)されるときに、抵抗器R1と直列のダンピング抵抗器としても機能する。抵抗器R2は、抵抗器R2が図1Bに示される構成で接続されるときのMOSFET・Q1がONであるときに、ピーク共振電圧の正の部分を減衰させる。ピーク共振電圧の正の部分と負の部分の双方(あるいはピーク共振電圧の負の部分だけ)を減衰させるために、図1Cに示されている接続が適用されなければならない。
【0053】
本発明は特にその好ましい実施形態に関して図示され、説明されてきたが、下記請求項に定められているように、本発明の思想と範囲の少なくともいずれか一方から逸脱することなく、形式と詳細の少なくともいずれか一方において多様な改変が加えられることは当業者によって理解される。例えば、音響共振は、HIDランプの通常動作時に平滑化されたDC電流により干渉される高周波電流を使用するように本発明を変更することにより回避できる。または、ブリッジ回路10は、ハーフブリッジ回路として構成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 本発明のランプ駆動回路のブロック図である。
【図1B】 図1Aに示す本発明の実施形態の概略図である。
【図1C】 図1Bに示す回路のハイインピーダンス経路接続を示した図である。
【図2A】 図1Bの本発明で利用される誘導素子の例を示した図である。
【図2B】 図1Bの本発明で利用される誘導素子の例を示した図である。
【図2C】 図1Bの本発明で利用される誘導素子の例を示した図である。
【図3A】 従来技術における、バック共振ネットワークから分離された点灯共振ネットワークを有する出力ネットワークのブロック図である。
【図3B】 図3Aの回路の変型を示した図である(点灯共振ネットワークはバック共振ネットワークから分離され、点灯コンデンサはランプ点灯後にオフに切り替えられる。)。
【図3C】 従来技術における2段のLC出力フィルタを示した図である。
【図4】 図2Bの誘導素子を含んだ図1Aの回路を示した図である。
【図5A】 図4に示す回路の所定のノードでの理想的な波形を示した図である。
【図5B】 図4に示す回路の所定のノードでの理想的な波形を示した図である。
【図5C】 図4に示す回路の所定のノードでの理想的な波形を示した図である。
【図5D】 図4に示す回路の所定のノードでの理想的な波形を示した図である。
【図5E】 図4に示す回路の所定のノードでの理想的な波形を示した図である。
【図6A】 所定の負荷電圧での点灯コンデンサC2を流れる電流、バイパスダイオードD2を流れる電流、及び検出抵抗器Rs両端の検出電圧を示した図である。各素子は図4の回路に使用されている。
【図6B】 点灯コンデンサC2を流れる電流、及びバイパスダイオードがないときの検出抵抗器の電圧を示した図である。
【図7A】 バイパスダイオードを流れるもれ電流を防止する等価回路を示した図である。
【図7B】 図7Aの回路の波形を示した図である。
【図7C】 図7Aの回路の波形を示した図である。
【図8A】 リード線のないランプ端での点灯電圧の包絡線を示した図である。
【図8B】 15フィートのランプリード線を有したランプ端での点灯電圧の包絡線を示した図である。
Claims (15)
- 放電ランプの駆動装置であって、
DC電圧をAC電圧に変換する、電圧入力とタンク回路の間に配置されたDC−ACインバータと、
前記DC−ACインバータの出力に接続され、前記放電ランプに電力を供給し、第1共振ネットワーク及び第2共振ネットワークを含むタンク回路とを備え、
前記第1共振ネットワークはインダクタとコンデンサとの直列回路を有し、前記第1共振ネットワークは、前記DC−ACインバータの両出力端の間に接続されるとともに、放電ランプの一端は前記インダクタと前記コンデンサとの接続点に接続され、放電ランプの他端は第2共振ネットワークの一端に接続されて、前記DC−ACインバータからのAC電圧を受けて、通常動作モード時に前記放電ランプに交流方形波電流を供給し、
前記第2共振ネットワークは、直列に接続された減衰素子と、共振コンデンサ及び共振インダクタとを有し、前記第2共振ネットワークの他端は、電圧入力の一の端子に接続されるとともに、前記共振インダクタの一端が前記DC−ACインバータの出力に接続され、前記DC−ACインバータからのAC電圧を受けて、起動動作モード時に前記第2共振ネットワークの共振周波数を通過する態様で共振点灯電圧を発生させ、
前記減衰素子が電圧入力の一の端子に接続された
ことを特徴とする装置。 - 前記DC−ACインバータが、相補的にオン、オフする少なくとも1対のスイッチング素子を含むブリッジ回路を備えたことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記減衰素子がダンピング抵抗器であることを特徴とする請求項1または2記載の装置。
- 前記ブリッジ回路がフルブリッジインバータであることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記ブリッジ回路がハーフブリッジインバータであることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- ダイオードの直列回路を有し、電流の流れを制御するバイパス素子をさらに備え、
前記第2共振ネットワークが、前記ブリッジ回路の一の出力及び前記バイパス素子の出力に接続され、前記バイパス素子の入力が前記ブリッジ回路の一の入力端子に接続され、前記バイパス素子の出力が回路グランドに接続されることを特徴とする請求項2に記載の装置。 - 前記第1共振ネットワーク内を流れる電流を検出する検出素子をさらに備え、前記検出素子は検出抵抗器であることを特徴とする請求項6記載の装置。
- 前記第1共振ネットワーク内を流れる電流を検出する検出素子をさらに備え、前記検出素子はブリッジ回路の入力端子と回路グランドとの間に接続されるとともに、ブリッジ回路の入力端子と前記検出素子との接続点に前記バイパス素子の入力が接続され、前記検出素子が該バイパス素子に並列に接続されることを特徴とする請求項6記載の装置。
- 前記バイパス素子が、直列に接続される2つのダイオードを含むことを特徴とする請求項6、7または8に記載の装置。
- 前記交流方形波電流の周波数は1kHzより小さく、共振点灯電圧の周波数が20kH zより大きいことを特徴とする請求項7または8に記載の装置。
- 2つの直列接続されたダイオードの接合部が第2共振ネットワークに接続されたことを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 前記2つの直列接続されたダイオードの少なくとも1つに接続される、前記バイパス素子からの電流の漏れを防止するためのもれ防止素子をさらに備えたことを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 前記検出素子が前記検出抵抗器を有し、該検出素子の抵抗値が前記もれ防止素子の抵抗値より小さい値であることを特徴とする請求項12に記載の装置。
- 前記もれ防止素子の抵抗値は、前記検出抵抗器の抵抗値の約20倍以上の大きさであることを特徴とする請求項13に記載の装置。
- 放電ランプ駆動装置により放電ランプを駆動する方法であって、
該駆動装置はDC−ACインバータと、前記DC−ACインバータの出力に接続され、第1共振ネットワーク及び第2共振ネットワークを含むタンク回路を備え、前記第1共振ネットワークはインダクタとコンデンサとの直列回路を有し、前記第1共振ネットワークは、前記DC−ACインバータの両出力端の間に接続されるとともに、放電ランプの一端は前記インダクタと前記コンデンサとの接続点に接続され、放電ランプの他端は第2共振ネットワークの一端に接続されて、前記DC−ACインバータからのAC電圧を受けて、通常動作モード時に前記放電ランプに交流方形波電流を供給し、前記第2共振ネットワークは、直列に接続された減衰素子と、共振コンデンサ及び共振インダクタとを有し、前記第2共振ネットワークの他端は、電圧入力の一の端子に接続されるとともに、前記共振インダクタの一端が前記DC−ACインバータの出力に接続され、前記DC−ACインバータからのAC電圧を受けて、起動動作モード時に前記第2共振ネットワークの共振周波数を通過する態様で共振点灯電圧を発生させ、前記減衰素子が電圧入力の一の端子に接続され、前記DC−ACインバータはブリッジ回路、検出素子及びバイパス素子を含み、電圧入力とタンク回路の間に配置され、前記ブリッジ回路は相補的にオン、オフする少なくとも1対のスイッチング素子を有し、前記検出素子は第1共振ネットワークを流れる電流を検出し、前記バイパス素子はその電流の流れを制御し、
前記駆動方法は、
起動動作モード時に第2共振ネットワークが共振点灯電圧を放電ランプに供給するように前記タンク回路を動作させるステップと、
所定時間経過後、通常動作モード時に、第1共振ネットワークが交流方形波電流を放電ランプに供給するように前記タンク回路を動作させるステップと、
前記検出素子により第1共振ネットワークを流れる電流を検出するステップと、
前記バイパス素子を用いて第1共振ネットワークを流れる電流を第2共振ネットワークを流れる電流から減結合するステップと
を含むことを特徴とする駆動方法。
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