JP4213735B2

JP4213735B2 - 光ピックアップ装置及び光ビーム出射制御方法等

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Publication number: JP4213735B2
Application number: JP2006188300A
Authority: JP
Inventors: 潔立石; 淳一古川
Original assignee: Pioneer Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2006-07-07
Filing date: 2006-07-07
Publication date: 2009-01-21
Anticipated expiration: 2023-01-10
Also published as: JP2006323999A

Description

本発明は、光ディスクなどの光記録媒体の記録再生に用いる光ピックアップ装置に関する。

近年、ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤディスク（Digital Versatile Disc）が広く普
及するとともに、これらの光記録媒体の情報再生に用いる記録再生装置の開発が進み、安定的にデータを光記録媒体に記録する技術、および、それに伴い、光記録媒体から記録されたデータを再生する技術が望まれている。

特に、光ディスク装置において、データの記録再生に用いられる半導体レーザは、光通信システム、画像形成装置等その他の各分野においても光源として用いられるようになっており、これらの各装置で当該半導体レーザを用いる場合に、各装置には、一般に、そのレーザ出力を適正に制御するためにレーザ出力制御装置を備えるようになっている。

従来、このようなレーザ出力制御装置において、その代表的な制御方法の一つに、レーザ光出力の平均値に基づいて当該レーザ光の出力を負帰還制御するAverage APC（Automatic Power Control）方式が知られている。

例えば、ＤＶＤディスクの記録・再生にレーザ光の出力制御行う場合に、このAverage APC方式は、ＤＶＤディスクに書き込む、書き込みデータに基づいて半導体レーザから出
射されたレーザ光をモニター用のフォトディテクタによって検出し、当該検出されたレーザ光の光強度に基づいて一定期間内における光強度の平均値を算出するようになっており、この算出された光強度の平均値と予め設定されたレーザ光の光強度の目標値とに基づいてＤＶＤディスクに出射するレーザ光の出力レベルに対して負帰還制御を行うようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
特開平９−６３０９３号公報

しかしながら、上述のAverage APC方式では、上述のような負帰還制御を行う場合には
、レーザ光の強度レベルおよび照射時間を設定すること、例えば、光ディスクに対するスペース形成時に出力される消去用のレーザ光の強度レベルおよび照射時間を設定することができないという問題を有していた。

本発明は、上記の各問題点に鑑みて為されたもので、その課題の一例としては、半導体レーザから出力されるレーザ光（例えば、消去用の光ビーム）の強度レベルが変調される場合に、変調される強度レベルまたは照射時間などを容易に変更することができる光ピックアップ装置を提供することである。

上記の課題を解決するために、請求項１に記載の光ピックアップ装置の発明は、データの書き換えが可能な光記録媒体に対して、前記データに対応した消去用の光ビーム及び書き込み用の光ビームを照射し、前記光記録媒体に対する前記データの記録を行う光ピックアップ装置であって、前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射する出射手段と、前記出射手段から出射された前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを検出する検出手段と、前記消去用の光ビームを出射させるために必要な消去用電流を生成する消去用電流生成手段と、前記書き込み用の光ビームを出射させるために必要な書き込み用電流を生成する書き込み用電流生成手段と、前記消去用電流又は前記書き込み用電流に加算すべき基準制御電流を生成する基準制御電流生成手段と、前記消去用電流と前記基準制御電流を加算、又は前記書き込み用電流と前記基準制御電流とを加算する加算処理手段と、前記出射手段を制御して前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射させる制御手段であって、前記消去用の光ビームを出射させる際には、前記消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、当該加算された電流に基づいて前記出射手段を制御する一方、前記書き込み用の光ビームを出射させる際には、前記書き込み用電流を前記書き込み用電流生成手段に生成させ、当該生成された書き込み用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、当該加算された電流に基づいて前記出射手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記消去用の光ビームを出射させる際に、（ａ）予め定められた期間中、単一のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを単一のパルス光からなる単一パルスビームとして出射させる一方、（ｂ）前記予め定められた期間を除く期間中、複数のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを複数のパルス光から構成されるマルチパルスビームとして出射させ、前記基準制御電流生成手段は、前記予め定められた期間に前記検出手段により検出された単一パルスビームの光強度レベルを標本値として取得し、前記光ビームの目標となる光強度レベルを目標標本値として格納された格納手段から当該目標標本値を取得し、当該標本値と当該目標標本値との誤差を算出し、当該誤差に基づいて前記基準制御電流を生成することを特徴とする。

請求項９に記載の光ビーム出射制御方法の発明は、データの書き換えが可能な光記録媒体に対して、前記データに対応した消去用の光ビーム及び書き込み用の光ビームを照射し、前記光記録媒体に対する前記データの記録を行う光ビーム出射制御方法であって、前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射する出射工程と、前記出射された前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを検出する検出工程と、前記消去用の光ビームを出射させるために必要な消去用電流を生成する消去用電流生成工程と、前記書き込み用の光ビームを出射させるために必要な書き込み用電流を生成する書き込み用電流生成工程と、前記消去用電流又は前記書き込み用電流に加算すべき基準制御電流を生成する基準制御電流生成工程と、前記消去用電流と前記基準制御電流を加算、又は前記書き込み用電流と前記基準制御電流とを加算する加算処理工程と、前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射させる制御工程であって、前記消去用の光ビームを出射させる際には、前記消去用電流を前記消去用電流生成工程により生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理工程により加算させ、当該加算された電流に基づいて当該消去用の光ビームを出射させる一方、前記書き込み用の光ビームを出射させる際には、前記書き込み用電流を前記書き込み用電流生成工程により生成させ、当該生成された書き込み用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理工程により加算させ、当該加算された電流に基づいて当該書き込み用の光ビームを出射させる制御工程と、を備え、前記制御工程においては、前記消去用の光ビームを出射させる際に、（ａ）予め定められた期間中、単一のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成工程により生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理工程により加算させ、前記消去用の光ビームを単一のパルス光からなる単一パルスビームとして出射させる一方、（ｂ）前記予め定められた期間を除く期間中、複数のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成工程により生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理工程により加算させ、前記消去用の光ビームを複数のパルス光から構成されるマルチパルスビームとして出射させ、前記基準制御電流生成工程においては、前記予め定められた期間に前記検出工程において検出された単一パルスビームの光強度レベルを標本値として取得し、前記光ビームの目標となる光強度レベルを目標標本値として格納された格納手段から当該目標標本値を取得し、当該標本値と当該目標標本値との誤差を算出し、当該誤差に基づいて前記基準制御電流を生成することを特徴とする。

請求項１０に記載の光ビーム出射制御プログラムの発明は、データの書き換えが可能な光記録媒体に対して、前記データに対応した消去用の光ビーム及び書き込み用の光ビームを照射し、前記光記録媒体に対する前記データの記録を行うコンピュータを、前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射する出射手段、前記出射手段から出射された前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを検出する検出手段、前記消去用の光ビームを出射させるために必要な消去用電流を生成する消去用電流生成手段、前記書き込み用の光ビームを出射させるために必要な書き込み用電流を生成する書き込み用電流生成手段、前記消去用電流又は前記書き込み用電流に加算すべき基準制御電流を生成する基準制御電流生成手段、前記消去用電流と前記基準制御電流を加算、又は前記書き込み用電流と前記基準制御電流とを加算する加算処理手段、及び、前記出射手段を制御して前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射させる制御手段であって、前記消去用の光ビームを出射させる際には、前記消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、当該加算された電流に基づいて前記出射手段を制御する一方、前記書き込み用の光ビームを出射させる際には、前記書き込み用電流を前記書き込み用電流生成手段に生成させ、当該生成された書き込み用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、当該加算された電流に基づいて前記出射手段を制御する制御手段として機能させ、前記制御手段が、前記消去用の光ビームを出射させる際に、（ａ）予め定められた期間中、単一のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを単一のパルス光からなる単一パルスビームとして出射させる一方、（ｂ）前記予め定められた期間を除く期間中、複数のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを複数のパルス光から構成されるマルチパルスビームとして出射させ、前記基準制御電流生成手段が、前記予め定められた期間に前記検出手段により検出された単一パルスビームの光強度レベルを標本値として取得し、前記光ビームの目標となる光強度レベルを目標標本値として格納された格納手段から当該目標標本値を取得し、当該標本値と当該目標標本値との誤差を算出し、当該誤差に基づいて前記基準制御電流を生成するように機能させることを特徴とする。

請求項１１に記載の記録媒体の発明は、請求項１０に記載の光ビーム出射制御プログラムをコンピュータに読み取り可能に記録したことを特徴とする。

次に、本願に好適な実施の形態について、図面に基づいて説明する。

なお、以下に説明する実施の形態は、本願に係る光ピックアップ装置を、レーザ光（光ビーム）を用いて光記録媒体の記録再生を行うための光ピックアップ装置に適用した場合の実施形態であり、光記録媒体としては書き込み用の光ディスク（以下、単に、光ディスクという。）を用いて説明をする。

〔第１実施形態〕
図１〜図８を用いて光ピックアップ装置の第１実施形態について説明する。

まず、図１を用いて本実施形態の光ピックアップ装置の構成について説明する。

なお、図１は、本実施形態の光ピックアップ装置の機器構成を示す機器構成図である。

図１に示す光ピックアップ装置１００は、データの記録・再生を行うためのレーザ光を光ディスクに対して出射する半導体レーザ出力制御部１１０と、この出射されたレーザ光の一部を検出し、検出されたレーザ光に基づいて電流（以下、検出電流という。）を出力するフォトディテクタ１２０と、この検出電流を電圧（以下、検出電圧という。）に変換する第１変換部１３０と、当該検出電圧に対してサンプル処理を行うサンプル処理部１４０と、サンプル処理された電圧を電流に変換する第２変換部１５０と、後述する消去電流パルス、書き込み電流パルスおよび読み出し電流パルスを生成するパルス電流生成部１６０と、生成された各電流パルスと第２変換部１５０によって変換された電流とを加算する加算処理部１７０と、上記各部を制御する制御部１８０と、を有している。

なお、例えば、半導体レーザ出力制御部１１０は、本発明に係る出射手段および出射制御手段を構成し、フォトディテクタ１２０は、本発明に係る検出手段を構成する。

また、例えば、サンプル処理部１４０は、本発明に係る取得手段、誤差算出手段、情報取得手段および設定手段を構成し、制御部１８０は、本発明に係る制御手段、期間設定手段およびレベル制御手段を構成する。

半導体レーザ出力制御部１１０は、半導体レーザ回路を有し、第２変換部１５０から出力された制御電流に基づいて、出力するレーザ光の光強度レベルの制御および出力されるレーザ光のパルス形式の制御を行うようになっており、当該制御されたレーザ光を光ディスクに対して出射するようになっている。

この半導体レーザ出力制御部１１０は、レーザ光を出射することにより、光ディスク上に設けられた記録膜である相変化膜にマークを形成、または、光ディスク上の相変化膜に既に形成されたマークを消去して当該相変化膜にスペースを形成させるとともに、光ディスク上の相変化膜に既に形成されたマークおよびスペースのデータを読み出すようレーザ光を出射するようになっている。

なお、相変化膜に形成された振幅ピットをマークといい、当該振幅ピットを形成するため、または、光ディスク上に形成された振幅ピットのデータ区間をマーク区間という。また、相変化膜に既に形成されたマークを消去して空白を形成された部分をスペースといい、当該スペースを形成するためのデータ区間、または、スペースが形成されたデータ区間を消去区間という。

半導体レーザ出力制御部１１０は、具体的には、光ディスクに書き込みデータを書き込む場合に、加算処理部１７０から出力された制御電流に基づいて、光ディスク上にマークを形成するための強度レベル（以下、書き込みレベルという。）と、光ディスク上にスペースを形成するための強度レベル（以下、消去レベルという。）と、光ディスクからデータを読み出すための強度レベル（以下、読み出しレベルという。）と、を切り換えて光ディスクにレーザ光を出射するようになっている。

具体的には、この半導体レーザ出力制御部１１０は、光ディスクに書き込みデータを書き込む場合に、加算処理部１７０から出力された制御電流に基づいて、書き込みレベルによって生成されるパルス（以下、書き込みパルスという。）と、レーザ光の消去レベルによって生成されるパルス（以下、消去パルスという。）と、を切り換えて光ディスク上にレーザ光を出射するようになっている。

この書き込みパルスは、書き込みレベルと当該書き込みレベルに比べ極端に低い強度レベル（以下、書き込み基準レベルという。）とを繰り返す複数のパルス（以下、マルチパルスという。）によって生成されるようになっており、また、この消去パルスは、消去レベルと当該消去レベルに比べ低い強度レベル（以下、消去基準レベルという。）とを繰り返すマルチパルス、または、単一の強度レベルによって生成されるパルス（以下、単一パルスという。）によって生成されるようになっている。

ここで、図２を用いて半導体レーザ出力制御部１１０から出力されるレーザ光のパルス形式について説明する。

なお、図２は、マルチパルスと単一パルスにおける熱蓄積の関係を示すための図である。

本実施形態では、図２（ａ）に示すように、レーザ光の照射による光ディスク上に蓄積される熱の関係上、通常、書き込みパルスおよび消去パルスはマルチパルスによって出射されるようになっており、後述するサンプル処理を行う場合にのみ、消去パルスが単一パルスによって出射されるようになっている。

例えば、常に当該消去パルスが単一パルスによって出射されると、図２（ｂ）に示すように、上記光ディスクには常にレーザが照射されるようになるので、消去区間中、当該光ディスク上に熱が蓄積され、光ディスク上に設けられた記録膜の温度が上昇するようになる。しかしながら、消去パルスがマルチパルスによって出射されると、図２（ｃ）に示すように、消去区間中、光ディスク上に蓄積される熱は、出射レベルの高低によって上昇しないようになる。したがって、本実施形態では、通常、マルチパルスによってレーザ光を出射するようになっており、光ディスクの記録膜の保護、および、データ記録によって生ずるエラーを回避することができるようになっている。

一方、後述するように、サンプル処理を行う場合に、レーザ光がマルチパルスの消去パルスによって出射されると、サンプル値を取得するときの光強度レベルが安定しないため、的確にサンプル処理を行うことができないこととなる。このため、本実施形態の半導体レーザ出力制御部１１０は、後述するサンプル処理を行う場合にのみマルチパルスを単一パルスに切り換えてレーザ光を出射するようになっている。

なお、図２において、マーク区間および消去区間のＴは、光ディスクの再生時に、マークおよびスペースの情報を読み出すときのラン長の基準となる周期を示し、ＷＲＣは、書き込みクーリングレベルであり、マークの終端を整えるために光ディスク面を急冷するためのレベルである。

また、この半導体レーザ出力制御部１１０は、後述するように、前記各種類毎の部分データ（以下に示す変調データ）に基づいて生成された制御電流に基づいて、生成された光ビームの強度変調を行い、前記光記録媒体に前記強度変調した光ビームを出射するようになっている。

このように、本実施形態の半導体レーザ出力制御部１１０は、制御部１８０の指示により生成された制御電流および各パルス電流に基づいて、読み出しパルス、書き込みパルスおよび消去パルスの切換、マルチパルスおよび単一パルスの切換制御、並びに、変調データによるレーザ光の強度変調制御を行うようになっている。

フォトディテクタ１２０は、半導体レーザ出力制御部１１０から出力されたレーザ光の一部、例えば、数％のレーザ光を検出するようになっており、この検出されたレーザ光に基づいて検出電流を生成し、この生成した検出電流を第１変換部１３０に出力するようになっている。

第１変換部１３０には、フォトディテクタ１２０において生成された検出電流が入力されるようになっており、入力された検出電流を検出電圧に変換し、この検出電圧をサンプル処理部１４０に出力するようになっている。

サンプル処理部１４０には、第１変換部１３０から変換された検出電圧が入力されるようになっており、サンプル処理部１４０は、制御部１８０の指示に基づいて、この入力された検出電圧に対してサンプル処理を行い、レーザ光における負帰還制御を行う制御電圧を生成するとともに、この制御電圧を第２変換部１５０に出力するようになっている。

なお、本実施形態のサンプル処理部１４０の詳細及びサンプル処理の詳細については、後述する。

第２変換部１５０には、サンプル処理部１４０から出力された制御電圧が入力されるようになっており、入力された制御電圧を電流に変換し、加算処理部１７０に出力するようになっている。

パルス電流生成部１６０は、制御部１８０の制御に基づいて、消去パルス、書き込みパルスおよび読み出しパルスを生成するようになっており、この各パルスを制御電流に変換し、加算処理部１７０を介して半導体レーザ出力制御１１０に出力するようになっている。

具体的には、パルス電流生成部１６０は、データの読み込み動作（以下、読み込みモードという。）時には、単一パルスの読み出しパルスを生成するようになっており、また、データの書き込み動作（以下、書き込みモードという。）時には、マルチパルスの消去パルスおよび書き込みパルスを生成するとともに、後述するように、ＡＰＣタイミング期間中に、消去パルスを単一パルスとして生成するようになっている。

このパルス電流生成部１６０は、図１に示すように、消去電圧パルスを発生させる消去電圧パルス発生部１６１と、制御部１８０の制御に基づいて書き込み電圧パルスを発生させる書き込み電圧パルス発生部１６２と、制御部１８０の制御に基づいて読み出し電圧パルスを発生させる読み出し電圧パルス発生部１６３と、各電圧パルスを電流パルスに変換する第１パルス変換部１６４、第２パルス変換部１６５および第３パルス変換部１６６と、を有し、制御部１８０の指示に基づいて各パルスを生成するようになっている。

各パルス発生部１６１、１６２、１６３は、制御部１８０からの書き込みモードおよび読み出しモードの動作指示、および、制御部１８０によって予め設定されたデューティー比に基づいて消去電圧パルス、書き込み電圧パルスまたは読み出し電圧パルスを発生させ、生成した消去電圧パルス、書き込み電圧パルスまたは読み出し電圧パルスを各パルス変換部に出力するようになっている。

第１パルス変換部１６４には、消去電圧パルス発生部１６１から出力された消去電圧パルスが入力されるようになっており、この第１パルス変換部１６４は、入力された消去電圧パルスを消去電流パルスに変換し、加算処理部１７０に出力するようになっている。

第２パルス変換部１６５には、書き込み電圧パルス発生部１６２から出力された書き込み電圧パルスが入力されるようになっており、この第２パルス変換部１６５は、入力された書き込み電圧パルスを書き込み電流パルスに変換し、加算処理部１７０に出力するようになっている。

第３パルス変換部１６６には、読み出し電圧パルス発生部１６３から出力された読み出し電圧パルスが入力されるようになっており、この第３パルス変換部１６６は、入力された読み出し電圧パルスを読み出し電流パルスに変換し、加算処理部１７０に出力するようになっている。

加算処理部１７０には、第２変換部１５０において制御電圧から変換された制御電流、パルス電流生成部１６０から出力された消去電流パルス、書き込み電流パルスおよび読み出し電流パルスの各電流パルスが入力されるようになっており、この各入力された電流パルスおよび制御電流を加算して半導体レーザ出力制御部１１０に出力するようになっている。

制御部１８０は、パルス電流生成部１６０による各電流パルスの生成制御、サンプル処理制御、および、上述のように、半導体レーザ出力制御部１１０のレーザ光の出力制御を行うようになっており、半導体レーザ出力制御部１１０を介して半導体レーザのレーザ光出力を負帰還制御するようになっている。

ここで、図３を用いて本実施形態の光ピックアップ装置１００における負帰還制御の原理について説明する。

なお、図３は、負帰還動作の原理を説明するための図であり、負帰還制御を行うレーザ光のＩＰ特性と温度の関係を示すグラフである。

通常、書き込み用光ディスクにデータを書き込む場合に、スペースを生成する消去レベルおよびマークを生成する書き込みレベルに対応する光パワーＰを一定とすると、図３に示すように、半導体レーザ自体の温度の経時変化により各電流値Ｉが変化する。したがって、半導体レーザの出力される光強度レベルに対して制御を行わないと、的確にマークの形成およびスペースの形成を行うことができない。

その一方、当該温度変化により、レーザのＩＰ（電流対光パワー）特性が変化したとしても、基準となる光強度レベル（以下、単に、基準レベルという。）からの消去レベルおよび書き込みレベルに対する電流の割合は、基準制御電流に比較して小さく、また、ＩＰ特性の傾き（微分量子化効率）は、図３に示したように温度による変化は小さいので、基準レベルが定まってしまえば、それに加算されるデータの書き込みレベルの電流およびデータの消去レベルの電流を制御しなくてもよい。

また、光ディスクに記録されたデータを読み出す場合に、あまりにも強度の高いレーザ光を出力すると、光ディスク上に形成されたマークが消去されてしまうので、制御部１８０は、光ディスクからデータを読み出す場合には、マークおよびスペースによる反射レベルを感知できる程度の強度レベルでレーザ光を出射させる必要がある。

このように、本実施形態では、制御部１８０は、温度変化による基準レベルを制御するため、すなわち、レーザ光の光強度レベルを制御する制御電流の基準レベルを制御するため、経時温度変化により、温度に対応して半導体レーザを駆動する駆動電流に対して負帰還制御を行うとともに、データを的確に読み出すために、レーザ光の光強度の出力制御を行うようになっている。

具体的には、この制御部１８０は、光ディスクからデータを読み出す場合に、光ディスクにデータを記録する場合に、または、光ディスクに既に記録されたデータを消去する場合に、半導体レーザ出力制御部１１０およびパルス電流生成部１６０を制御することにより、当該半導体レーザ出力制御部１１０から出射されるレーザ光の光強度レベルの制御、および、レーザ光のパルス形式の制御を行うようになっている。

また、制御部１８０は、各種類毎の部分データに基づいて光ビームの強度変調を行い、前記光記録媒体に前記強度変調した光ビームを出射するようになっている。

具体的には、本実施形態では、８ビット毎に構成される書き込みデータを１６ビット毎に変調して記録するようになっており、制御部１８０は、このビットコードが変調された異なるラン長を有する複数種類の部分データ（以下、変調データという。）に基づいてレーザ光の強度変調を行うようになっている。

例えば、本実施形態では、光ディスク上に記録膜として相変化膜が設けられ、各変調データに基づいて出射されたレーザ光によって、相変化膜にラン長の異なるマークおよびスペースが形成されるようになっており、当該各変調データによってデータビットのパルス幅および時間長が異なるビット列を現すようになっている。

また、本実施形態の制御部１８０は、光ディスクにある映像または音声等のコンテンツ情報が書き込まれる領域（以下、データ書き込み領域という。）に設けられたレーザ光の出力強度レベルを調整するための領域（以下、ＡＰＣ（automatic Power Control）領域
という。）において当該レーザ光の出力強度レベルのレベル制御を行うようになっている。

具体的には、制御部１８０は、当該制御部１８０の内部において独自に一定期間毎にＡＰＣ領域を示すタイミング（以下、ＡＰＣタイミングという。）であるパルス（以下、ＡＰＣタイミングパルスという）を発生させ、当該ＡＰＣタイミングにレーザ光の出力強度レベルのレベル制御を行うとともに、後述するように、ＡＰＣタイミング中に入力された変調データに基づいてサンプルパルスを発生させてサンプル処理部１４０その他の各部を制御するようになっている。

なお、本実施形態では、制御部１８０において、例えば、独自に設定されるＡＰＣタイミングパルスの周期を１０ｋＨｚと設定し、当該ＡＰＣタイミングパルスのパルス幅を数μｓｅｃ程度に設定するか、または、当該独自に設定されるＡＰＣタイミングパルスの周期を図示しないスピンドルモータの回転数によって検出されるＦＧ（Frequency Generator）パルスの周期によって所定の値に設定し、当該ＡＰＣタイミングパルスに基づいてパルス幅を設定するようになっている。

また、本実施形態において、制御部１８０は、コンテンツ情報を記録する光ディスクに予め記録されている制御情報に基づいて指定されたＡＰＣ領域において、当該レーザ光の出力強度レベルのレベル制御を行うようにしてもよい。

具体的に上述の場合には、制御部１８０は、データを書き込む光ディスクのリードイン領域などに予め記録されたプリアドレス情報、ランドプリピット・ＣＡＰＡ（Complimentary Allocated Pit Addressing）によるプリピットによるアドレス情報、または、ウォブル信号によるアドレス情報を取得し、当該取得した情報に基づいてＡＰＣ領域のディスク上の位置を把握するようになっており、把握した光ディスク上のＡＰＣ領域の位置に併せてＡＰＣタイミングパルスを発生させるようになる。

すなわち、制御部１８０は、プリアドレス情報その他の光ディスク上に設けられたＡＰＣ領域の位置に基づいてＡＰＣ領域が設けられている周期を決定し、当該決定された周期に基づいてタイミングパルスを発生させるとともに、当該ＡＰＣタイミングにレーザ光の出力強度レベルのレベル制御を行い、ＡＰＣタイミング中に入力された変調データに基づいてサンプルパルスを発生させてサンプル処理部１４０その他の各部を制御するようになる。

また、制御部１８０は、この生成したＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスをサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０に出力するようになっている。

なお、光ディスクに設けられたＡＰＣ領域に記録されるデータは、再生時には、光ディスクに記録されるべきコンテンツ情報とは無関係のデータとして扱うようになっている。

また、本実施形態の制御部１８０は、光ディスクにデータを書き込む当初に、試し書きによって個々の光記録媒体の書き込みにおける最適条件を決定するＯＰＣ（Optimized Power Control）の際に、書き込みレベルまたは消去レベルの基準レベルおよびデューティ
ー比、並びに、後述する目標サンプル値を各光ディスク毎に決定するようになっており、この決定された各値を内部に格納し、サンプル処理部１４０および電流パルス生成部１６０に出力するようになっている。

次に、図４を用いて本実施形態のサンプル処理部１４０およびサンプル処理について説明する。

なお、図４は、本実施形態のサンプル処理部１４０におけるサンプル処理を説明するための図である。

本実施形態のサンプル処理は、予め定められたタイミングに半導体レーザ出力制御部１１０から消去レベルによって出射された単一パルスの強度レベルを示す電圧値が入力され、この入力された単一パルスの電圧値をサンプル値として取得するようになっており、この取得したサンプル値と予め設定された目標値との誤差を算出し、この誤差に基づいてレーザ光に対して負帰還制御を行う制御電圧を生成するようになっている。

通常、マルチパルスは、書き込みレベルまたは消去レベルとこれらより低い強度レベルとの繰り返しによって生成される複数のパルスであるため、安定した強度レベルにおけるサンプル値を取得することができない。また、単一パルスであっても、マルチパルスから変換された直後は、フォトディテクタ１２０や電流電圧変換の際の周波数特性や伝送経路の不具合によってパルス波形は安定しないので、この期間の値をサンプル値として取得するには適さない。したがって、サンプル処理を行う期間としては、単一パルスの波形が十分安定した期間を抽出することが望ましい。

例えば、消去パルスによってサンプル処理を行う場合に、図４（ａ）に示すように、消去パルスがマルチパルスであると、サンプル処理部１４０に入力された検出電圧における電圧レベルが安定しない。このため、サンプル処理部１４０がサンプル値を取得する前後では、サンプル処理部１４０から出力する制御電圧において誤差が発生し、的確にサンプル処理を行うことができない。

一方、消去パルスが単一パルスである場合には、図４（ｂ）に示すように、サンプル処理部１４０に入力された検出電圧における電圧レベルが安定するため、サンプル値を取得する前後においても、サンプル処理部１４０から出力する制御電圧は一定になり、的確にサンプル処理を行うことができるようになる。

このようなことから、本実施形態では、制御部１８０によって電流パルス生成部１６０を制御して消去パルスを単一パルスに変更した場合に、単一パルスによって生成された消去パルスの立ち下げ時間より一定時間前のタイミングにおいてサンプルパルスを発生させ、それに連動させて、そのときのサンプル処理部１４０に入力された検出電圧レベルをサンプル値としてサンプリングさせるようになっている。

具体的には、制御部１８０は、ＡＰＣタイミング期間中に、この消去パルスの立ち下げ時間より前に一定時間の時間長を有する期間におけるパルスレベルをサンプル値としてサンプリングするようサンプルパルスを生成して、サンプル処理部１４０に出力するようになっている。

本実施形態のサンプル処理部１４０は、図１に示すように、入力された検出電圧に対して予め定められた期間の検出電圧をサンプリングして固定（ホールド）するサンプルホールド回路１４１と、レーザ光の目標となる消去レベルの電圧値（以下、サンプル目標消去電圧という。）を予め格納するサンプル電圧格納部１４２と、誤差を算出するために、各サンプル目標電圧からサンプルホールドされた検出電圧（以下、サンプルホールド電圧という。）を減算する減算処理部１４３と、減算された電圧を積分する積分処理部１４４と、制御部１８０から出力されたＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスに基づいて、サンプルホールド回路１４１を制御するサンプルホールド制御部１４５と、から構成されている。

なお、例えば、本実施形態のサンプル電圧格納部１４２は、本発明に係る格納手段を構成する。

サンプルホールド回路１４１には、第１変換部１３０から出力された検出電圧が入力されるようになっており、このサンプルホールド回路１４１は、入力された検出電圧に対してサンプルホールド制御部１４５によって指定されたタイミングの電圧値を固定（ホールド）し、この固定した値（サンプル値）を減算処理部１４３に出力するようになっている。

なお、このサンプルホールド回路１４１は、サンプルホールド制御部１４５によって指示されたタイミング、すなわち、次のサンプルパルスが入力されるまで、サンプル値を保持し、減算処理部１４３に出力するようになっている。

サンプル電圧格納部１４２には、レーザ光の目標となる消去レベルの電圧値（以下、サンプル目標消去電圧という。）が格納されており、このサンプル電圧格納部１４２は、格納している目標消去電圧をサンプルホールド制御部１４５による指示に基づいて減算処理部１４３に出力するようになっている。

例えば、サンプル電圧格納部１４２は、予め設定された目標値となるサンプル値（以下、目標サンプル値という。）を生成するようになっており、光ディスクにデータを書き込む当初に、試し書きによって個々の光記録媒体の書き込みにおける最適条件を決定するＯＰＣ（Optimized Power Control）の際に制御部１８０の指示に基づいて目標消去電圧を
生成し、内部に格納するようになっている。

減算処理部１４３には、サンプルホールド回路１４１から出力されたサンプル値およびサンプル電圧格納部１４２から出力された目標サンプル値が入力されるようになっており、減算処理部１４３は、入力された目標サンプル値から入力されたサンプル値を減算し、当該減算した電圧値を積分処理部１４４に出力するようになっている。

積分処理部１４４には、減算処理部１４３から出力された電圧値が入力されるようになっており、入力された電圧値を積分することによって低域成分を抽出、すなわち、入力された電圧値を平均化し、第２変換部１５０を介して加算処理部１７０に出力するようになっている。

サンプルホールド制御部１４５には、制御部１８０から出力されたＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスが入力されるようになっており、入力されたＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスに基づいてサンプルホールド回路１４１およびサンプル電圧格納部１４２を制御するようになっている。

次に、図５〜図７を用いて本実施形態の光ピックアップ装置１００の書き込み用の光ディスクのデータ書き込み中におけるＡＰＣ領域での負帰還制御動作について説明する。

なお、図５は、本実施形態のデータ書き込み中における負帰還動作を説明するための図、図６は、本実施形態のレーザ光の出力切換制御の動作を示すフローチャート、および、図７は、本実施形態のサンプル処理の動作を示すフローチャートである。

図５に示すように、本実施形態では、光ディスクに書き込みデータを記録している書き込みモードのときに、ＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスに基づいて、ＡＰＣタイミング期間中に消去パルスを単一パルスとして発生させるとともに、サンプルパルスのタイミングにこの単一パルスの消去パルスによって出射されたレーザ光を検出させて上述のサンプル処理を行うようになっている。

なお、本実施形態の光ピックアップ装置１００は、上述のように、光ディスクのリードイン領域に、ＡＰＣ領域が設けてあることを示す予め記録されたアドレスの情報と、光ディスクに予め記録されているアドレス情報と、に基づいて一定周期毎にＡＰＣタイミングを設定し、このタイミングでＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスを生成するようになっている。

本実施形態では、負帰還制御動作は、制御部１８０によってレーザ光のパルス形式を切り換えるレーザ光の出力切換制御の動作（以下、出力切換制御動作という。）と、それと平行してサンプル処理の動作を行うことによって実行されるようになっている。

まず、図６を用いて本実施形態の出力切換制御動作について説明する。

まず、制御部１８０は、アドレス情報など予め光ディスクのリードイン領域に記録されたデータを読み出すため、または、ステップＳ１２から戻ってきた場合には、光ディスク領域のデータ書き込み領域に予め記録されているアドレス情報を読み出すためなど、パルス電流生成部１６０および半導体レーザ出力制御部１１０を制御し、読み出しレベルによって単一パルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ１１（読み出しモード））。

なお、このとき、光ピックアップ装置１００全体としては、図示しないスピンドルモータを制御するスピンドルモータ制御部および読み出したデータの復号を行う復号化部などを制御して光ディスクに記録されたデータを読み出し、ＡＰＣタイミングのデータまたは予め記録されているアドレス情報などを図示しないメモリに格納するようになっている。

次に、制御部１８０は、光ピックアップ装置１００全体を制御する図示しない中央制御処理部の指示に基づいて書き込みモードであるか否かを判断する（ステップＳ１２）。

具体的には、制御部１８０は、現時点の光ピックアップ装置１００の状態が読み出しモードの場合に、読み出しモードから書き込みモードに切り換えるか否かの判断を行い、または、現時点の光ピックアップ装置１００の状態が書き込みモードの場合に、書き込みモードから読み出しモードに切り換わった否かの判断、若しくは、書き込みモードの継続の判断を行う。

例えば、中央制御処理部に光ディスクにコンテンツ情報を録画する旨若しくは当該録画を終了する旨などのユーザの指示が入力された場合、または、中央制御処理部がタイマ動作により所定の時間になったときに光ディスクにコンテンツ情報を録画する旨若しくは当該録画を終了する旨を検出した場合に、当該中央制御処理部は、制御部１８０に対して書き込みモードまたは読み出しモードであることを指示し、制御部１８０は、この指示に基づいて書き込みモードであるか否かを判断する。

制御部１８０が、未だ読み出しモードを継続すると判断した場合には、または、書き込みモードから読み出しモードに切り換わることを判断した場合には、ステップＳ１１に戻り、パルス電流生成部１６０および半導体レーザ出力制御部１１０を制御して読み出しレベルによってレーザ光を出射させる。

一方、制御部１８０が、図示しない中央制御処理部の指示に基づいて、読み出しモードから書き込みモードに切り換わったこと、または、依然、書き込みモードを継続することを判断した場合には、以下の動作を行う。

まず、制御部１８０は、半導体レーザ制御部１１０および電流パルス生成部１６０を制御して変調データに基づいてマルチパルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ１３）。

具体的には、制御部１８０は、半導体レーザ制御部１１０およびパルス電流生成部１６０を制御して、光ディスク上にマークを形成させる変調データが入力された場合には、当該変調データに対応させてマルチパルスを構成する書き込みパルスのレーザ光を出射させ、または、光ディスク上にスペースを形成させる変調データが入力された場合には、当該変調データに対応させてマルチパルスを構成する消去パルスのレーザ光を出射させる。

なお、ステップＳ１３の動作は、非ＡＰＣタイミング期間であるが、このように非ＡＰＣタイミング期間である場合でも、サンプル処理部１４０では、保持されているサンプル値に対して減算処理および積分処理を行わせて制御電圧を生成させ、制御電流を出力するようになるので、半導体レーザ出力制御部１１０では、パルス電流生成部１６０によって生成された各電流に制御電流が加算され、当該加算された制御電流に基づいてレーザ光の光強度レベルが制御される。

次いで、制御部１８０は、一定期間内に内部によって生成されたＡＰＣタイミングパルスを検出したか否かを判断し（ステップＳ１４）、ＡＰＣタイミングパルスを検出しない場合には、ステップＳ１２に戻る。

一方、一定期間内に制御部１８０がＡＰＣタイミングパルスを検出した場合には、制御部１８０は、ＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスを、サンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０に出力し、ＡＰＣタイミングの期間中、消去パルスのみ単一パルスによって生成させるとともに、マルチパルスを構成する書き込みパルスおよび単一パルスを構成する消去パルスを切り換えてレーザ光を出射させる（ステップＳ１５）。

具体的には、制御部１８０は、半導体レーザ出力制御部１１０およびパルス電流生成部１６０を制御し、書き込みパルスをマルチパルスによって生成させるとともに、消去パルスを単一パルスによって生成させ、単一パルスおよびマルチパルスのレーザ光を出射させる。

次いで、制御部１８０がＡＰＣタイミングパルスを検出してＡＰＣタイミング期間が終了したか否かを判断し（ステップＳ１６）、ＡＰＣタイミングが未だ終了していない場合にはステップＳ１５に戻り、ＡＰＣタイミングが終了しているときは、ステップＳ１２に戻る。

なお、サンプル処理部１４０の動作およびそれに伴う各部の動作の詳細については、後述する。

このように、本実施形態では、光ディスクにデータを書き込む場合に、半導体レーザ出力制御部１１０から出力されるレーザ光の光強度レベルの制御およびパルス形式の切換制御を行うようになっている。

次に、図７を用いて本実施形態のサンプル処理部１４０の動作およびそれに伴う各部の動作について説明する。

まず、光ピックアップ装置１００の動作が開始されると（ステップＳ２１）、フォトディテクタ１２０は、半導体レーザ出力制御部１１０から出力されたレーザ光を検出し、第１変換部１３０を介して検出したレーザ光の強度レベルをサンプル処理部１４０に出力する（ステップＳ２２）。

なお、フォトディテクタ１２０は、半導体レーザ出力制御部１１０からレーザ光が出力される限り、出射されたレーザ光を検出する。

次いで、制御部１８０が、図示しない中央制御処理部の指示に基づいて、光ピックアップ装置１００の動作状態が書き込みモードであるか否かを判断する（ステップＳ２３）。

具体的には、制御部１８０は、レーザ光出力切換制御動作のステップＳ１２の動作と同様に、図示しない中央制御処理部の指示に基づいて読み出しモードから書き込みモードに切り換わった否かの判断、中央制御処理部の指示に基づいて書き込みモードから読み出しモードに切り換わった否かの判断、または、既に書き込みモードの場合には書き込みモードを継続するか否かの判断を行う。

制御部１８０が、光ピックアップ装置１００の動作状態が書き込みモードであると判断すると、制御部１８０は、サンプル処理部１４０にその旨を指示し、サンプル処理部１４０は、以下のサンプル処理の動作を行う。

なお、制御部１８０は、書き込みモードになると、生成したＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスを、そのタイミングに、サンプル処理部１４０に出力する。

まず、サンプルホールド制御部１４５は、一定期間内に、ＡＰＣタイミングパルスが入力されたか否か、または、継続してＡＰＣタイミングパルスを検出しているか否かを判断し（ステップＳ２４）、当該サンプルホールド制御部１４５が、一定期間内にＡＰＣタイミングパルスを検出しないと、または、既にＡＰＣタイミングパルスを検出していないと、サンプルホールド回路１４１を制御して既に保持しているサンプル値を減算処理部１４３に出力させ（ステップＳ２５）、ステップＳ２７に行く。

なお、本実施形態では、サンプルホールド回路１４１に保持されているサンプル値の初期値は「０」とする。

一方、サンプルホールド制御部１４５が一定期間内にＡＰＣタイミングパルスを検出すると、または、継続してＡＰＣタイミングパルスを検出すると、サンプルホールド制御部１４５は、制御部１８０から出力されたサンプルパルスに基づいてサンプルホールド回路１４１に入力された検出電圧の電圧レベルをサンプル値としてサンプリングするとともに、当該サンプルされた値を減算処理部１４３に出力させる（ステップＳ２６）。

なお、サンプルホールド回路１４１は、サンプルホールド制御部１４５から新たにサンプル値をサンプリングする指示を受けるまで、当該サンプル値を保持する。

次いで、サンプルホールド制御部１４５は、サンプル電圧格納部１４２を制御して予め格納されている目標サンプル値を減算処理部１４２に出力させる（ステップＳ２７）。

次いで、減算処理部１４３は、サンプル値および目標サンプル値が入力されると、当該入力された目標サンプル値から入力されたサンプル値を減算して、減算した電圧値を積分処理部１４４に出力する（ステップＳ２８）。

次いで、積分処理部１４４は、減算された電圧値が入力されると、当該入力された電圧値の積分を行い、制御電圧を生成し、当該生成した制御電圧を、第２変換部１５０を介して加算処理部１７０に出力し（ステップＳ２９）、ステップＳ２３に戻る。

本実施形態では、このようにサンプル処理が行われると、加算処理部１７０では、制御電流と各パルス電流が加算されるので、半導体レーザ出力制御部１１０では、レーザ光の光出力強度に対して負帰還制御を行うことができるようになっている。

以上のように本実施形態によれば、マルチパルスのレーザ光と単一パルスのレーザ光とを切り換えて光ディスクに当該レーザ光を出射する半導体レーザ出力制御部１１０と、この出射されたレーザ光を検出するフォトディテクタ１２０と、各目標電圧を格納するサンプル電圧格納部１４２と、ＡＰＣタイミング期間中に消去パルスの変調データを記録するときに、検出されたレーザ光の光強度レベルをサンプル値として取得し、格納された各目標電圧と前記取得したサンプル値との誤差を算出するサンプル処理部１４０と、この算出された誤差に基づいて半導体レーザ出力制御部１１０から出射されるレーザ光の出力強度レベルを制御する制御部１８０と、を備え、制御部１８０は、半導体レーザ出力制御部１１０から消去パルスを出射させる際に、（ａ）ＡＰＣタイミング期間中、消去パルスとして単一パルスを出射させる一方、（ｂ）ＡＰＣタイミング期間を除く期間中、消去パルスとしてマルチパルスビームを出射させる構成を有している。

この構成により、本実施形態では、半導体レーザから出力されるレーザ光の強度レベルが変調されて光ディスクに書き込みデータを記録する場合に、マルチパルスのレーザ光を用いることができるとともに、波形の安定したレーザ光によってサンプル値を取得することができるので、レーザ光の光強度レベルを的確に把握することができるサンプル値に基づいて当該レーザ光を出射する半導体レーザ出力制御部１１０を制御することができ、変調される各強度レベルまたは照射時間などの容易に、かつ、独立的にレーザ光の光強度を変更することができる。

すなわち、上述したAverage APC方式では、マルチパルスの平均値を用いて出射するレーザ光の負帰還制御を行う場合には、光ディスクの製造上のばらつき、データの書き込み条件など個々の光ディスク毎に半導体レーザからの出射されるレーザ光の消去レベルおよび書き込みレベルの強度レベルを変える必要があるので、負帰還制御の基となる目標値として、一定期間内の光強度レベルの平均値を用いる当該Average APCでは、目標値を一定値に固定にしたまま一方の強度レベルを変更すると、他方の値における強度レベルも変更されてしまう。

具体的には、図８（ａ）に示すように、書き換え用の光ディスクにデータを書き込む場合に、半導体レーザのレーザ光の出力レベルにおいて、負帰還制御の目標値を一定にしたまま、消去パルスのレベル（または、書き込みパルスのレベル）だけを変更しても書き込みパルスのレベル（または、消去パルスのレベル）も変化してしまう。

また、通常、光ディスク上に情報を書き込む際に、例えば、書き込みパルスまたは消去パルスをマルチパルスにした場合に、個々の光ディスク毎に光ディスク上の熱蓄積の関係上、マルチパルスのデューティー比（レーザ光の照射時間）を変更する必要がある。

しかしながら、このAverage APC方式では、図８（ｂ）に示すように負帰還制御の基準となる目標値を一定値に固定にしたまま書き込みパルスのデューティー比を変更すると、目標値に一定期間の平均値を用いているため、当該書き込みパルスにおけるマルチパルスのピークパワーが変更されてしまう。

一方、上述したように、本実施形態では、光強度レベルおよびデューティー比を書き込みパルスおよび消去パルスにおいて独自に変更したとしても、他のパルスの強度レベルなどには影響を与えないので、変調される各強度レベルまたは照射時間などの容易に、かつ、独立的にレーザ光の光強度を変更することができ、ＯＰＣ動作の精度を向上させることができる。

また、本実施形態では、制御部１８０が光ディスクに記録されたアドレス情報によるかまたは独自にＡＰＣタイミングを設定したとしても、的確にＡＰＣタイミング期間中に負帰還制御動作の基準となるサンプル処理を行うことができるので、サンプル処理の周期を短くなるようＡＰＣタイミングを設定すれば、負帰還制御の精度を向上させることができる。

また、本実施形態では、ＡＰＣタイミングを独自に設定かつ変更することによって、常に定まった光ディスク上の位置に、サンプル処理を行うときのレーザ光の照射を行わず、データを記録する毎にレーザ光が照射される位置をランダムに異ならしめることが可能となるので、光ディスク上に設けられた記録膜の耐久性も向上させることができる。

すなわち、サンプル処理を行うためには、レーザ光を単一パルスによって出射する必要があり、光ディスクにデータを書き込む毎に当該光ディスクの同じ位置に熱蓄積が高い単一パルスのレーザ光が出射されると、記録膜は著しく劣化するようになる。しかしながら、本実施形態では、ＡＰＣタイミングを独自に設定することができるので、データを書き込む毎に、単一パルスのレーザ光によって出射される位置を変更すれば、光ディスク上に設けられた記録膜の耐久性も向上させることができる。

なお、本実施形態では、光ディスクに予め記録されたプリアドレスの情報に基づいてＡＰＣタイミングパルスを生成するようになっているが、制御部１８０内部にタイマや図示しないスピンドルモータの回転数をカウントするカウンタを備え、タイマによって一定の期間毎に、または、一定の回転数毎にＡＰＣタイミングパルスを生成するようにしてもよい。

また、本実施形態では、上述の光ピックアップ装置１００によって、光ディスクに書き込みデータを記録する場合に、レーザ光の出射制御を行うようになっているが、フォトディテクタ１２０と半導体レーザ回路とを有する光ピックアップ装置１００にコンピュータおよび記録媒体を備え、この記録媒体に上述の負帰還制御動作を行う制御プログラムを格納し、このコンピュータで当該制御プログラムを読み込むことによって上述と同様の負帰還制御動作を行うようにしてもよい。

〔第２実施形態〕
図９〜図１２を用いて光ピックアップ装置の第２実施形態について説明する。

なお、本実施形態では、第１実施形態において、ＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスに基づいて負帰還制御を行う点に代えて、特定の種類のビットデータに基づいて負帰還制御行う点に特徴があり、この他の構成については第１実施形態と同様であるため、同一部材には同一番号を付して説明を省略する。

また、図９は、本実施形態のデータ書き込み中における負帰還動作を説明するための図、図１０は、本実施形態のレーザ光の出力切換制御の動作を示すフローチャート、および、図１１は、本実施形態のサンプル処理の動作を示すフローチャートである。

本実施形態では、光ディスクに書き込みデータを記録している書き込みモードのときに、この入力されたビットデータを構成する特定の種類の変調データ（以下、特定変調データという。）に基づいて、サンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０を制御するようになっている。

具体的には、制御部１８０には、第１実施形態と同様に、書き込みデータが入力されるようになっており、この入力された特定変調データに基づいてサンプルパルスを発生させ、当該サンプルパルスに基づいてサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０を制御するようになっている。

通常、書き込みデータは、光ディスクに記録されるときに、スクランブルなどの暗号化が施されることにより、同種類の変調データが長期間継続されることがないため、同種の変調データは、ある程度分散されて配列されるようになっている。したがって、特定変調データによってサンプルパルスを発生させ、サンプル処理を行ったとしても、的確に一定期間毎にサンプル処理を行うことができるようになっている。

本実施形態では、特定変調データには、５Ｔのラン長を有する変調データを用いるようになっている。例えば、光ディスクの再生・記録を行う場合、同期信号を１４Ｔのラン長を有する変調データとし、その同期周波数１７ｋＨｚとすると、５Ｔの変調データは同期周波数の数倍程度の確率で出現するようになるので、本実施形態において、特定変調データを５Ｔの変調データを用いると、ＡＰＣタイミングの周期を短くすることができるので、サンプル処理を行う周期が短くなり、負帰還制御の精度を向上させることができるようになっている。

次に、図９〜図１１を用いて本実施形態の負帰還動作制御について説明する。

本実施形態の制御部１８０は、図９に示すように、当該制御部１８０に５Ｔの変調データが入力され、かつ、当該５Ｔの変調データが消去パルスを発生させる変調データである場合に、サンプルパルスを発生させて、当該サンプルパルスをサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０に出力するようになっており、サンプル処理部１４０は、入力されたサンプルパルスに基づいてサンプル処理を行うとともに、パルス電流生成部１６０は、このサンプルパルスに基づいて消去パルスを単一パルスとして発生させるようになっている。

なお、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、負帰還制御動作は、制御部１８０によってレーザ光のパルス形式を切り換えるレーザ光の出力切換制御動作と、それと平行してサンプル処理の動作を行うことによって実行されるようになっている。

まず、図１０を用いて本実施形態の出力切換制御動作について説明する。

まず、制御部１８０は、パルス電流生成部１６０および半導体レーザ出力制御部１１０を制御し、読み出しレベルによって単一パルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ３１（読み出しモード））。

次に、制御部１８０は、光ピックアップ装置１００全体を制御する図示しない中央制御処理部の指示に基づいて書き込みモードであるか否かを判断する（ステップＳ３２）。

制御部１８０が、未だ読み出しモードを継続すると判断した場合には、または
書き込みモードから読み出しモードに切り換わることを判断した場合には、ステップＳ３１に戻り、パルス電流生成部１６０および半導体レーザ出力制御部１１０を制御して読み出しレベルによってレーザ光を出射させる。

まず、制御部１８０は、半導体レーザ制御部１１０および電流パルス生成部１６０を制御して変調データに基づいてマルチパルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ３３）。

なお、ステップＳ３３の動作は、サンプルパルスが発生していない期間では、サンプル処理部１４０では、保持されているサンプル値に対して減算処理および積分処理を行わせて制御電圧を生成させて制御電流を出力するようになるので、半導体レーザ出力制御部１１０では、パルス電流生成部１６０によって生成された各電流に制御電流が加算され、当該加算された制御電流に基づいてレーザ光の光強度レベルが制御される。

次いで、制御部１８０は、一定期間内に、５Ｔの特定変調データであって、消去パルスのデータが入力されたか否かを検出し（ステップＳ３４）、当該データを検出しない場合には、ステップＳ３２に戻る。

一方、一定期間内に制御部１８０が５Ｔの特定変調データであって、消去パルスのデータが入力されたことを検出した場合には、制御部１８０は、サンプルパルスをサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０に出力し、当該変調データを単一パルスによって生成させるとともに、当該単一パルスのレーザ光を出射させ（ステップＳ３５）、ステップＳ３２に戻る。

次に、図１１を用いて本実施形態のサンプル処理部１４０の動作およびそれに伴う各部の動作について説明する。

まず、光ピックアップ装置１００の動作が開始されると（ステップＳ４１）、フォトディテクタ１２０は、半導体レーザ出力制御部１１０から出力されたレーザ光を検出し、第１変換部１３０を介して検出したレーザ光の強度レベルをサンプル処理部１４０に出力する（ステップＳ４２）。

次いで、制御部１８０が、図示しない中央制御処理部の指示に基づいて、光ピックアップ装置１００の動作状態が書き込みモードであるか否かを判断する（ステップＳ４３）。

なお、制御部１８０は、書き込みモードになると、生成したサンプルパルスを、そのタイミングに、サンプル処理部１４０に出力する。

まず、サンプルホールド制御部１４５は、一定期間内に、サンプルパルスが入力されたか否かを検出し（ステップＳ４４）、当該サンプルホールド制御部１４５が、一定期間内にサンプルパルスを検出しないと、サンプルホールド回路１４１を制御して既に保持しているサンプル値を減算処理部１４３に出力させ（ステップＳ４５）、ステップＳ４７に行く。

一方、サンプルホールド制御部１４５が一定期間内にサンプルパルスを検出すると、サンプルホールド制御部１４５は、制御部１８０から出力されたサンプルパルスに基づいてサンプルホールド回路１４１に入力された検出電圧の電圧レベルをサンプル値としてサンプリングするとともに、当該保持させたサンプル値を減算処理部１４３に出力させる（ステップＳ４６）。

次いで、サンプルホールド制御部１４５は、サンプル電圧格納部１４２を制御して予め格納されている目標サンプル値を減算処理部１４２に出力させる（ステップＳ４７）。

次いで、減算処理部１４３は、サンプル値および目標サンプル値が入力されると、当該入力された目標サンプル値から入力されたサンプル値を減算して、減算した電圧値を積分処理部１４４に出力する（ステップＳ４８）。

次いで、積分処理部１４４は、減算された電圧値が入力されると、当該入力された電圧値の積分を行い、制御電圧を生成し、当該生成した制御電圧を、第２変換部１５０を介して加算処理部１７０に出力し（ステップＳ４９）、ステップＳ４３に戻る。

以上のように本実施形態によれば、マルチパルスのレーザ光と単一パルスのレーザ光とを切り換えて光ディスクに当該レーザ光を出射するとともに、特定変調データを光ディスクに記録するときに、単一パルスを出射する半導体レーザ出力制御部１１０と、この出射されたレーザ光を検出するフォトディテクタ１２０と、各目標電圧を格納するサンプル電圧格納部１４２と、特定変調データを記録するときに、検出されたレーザ光の光強度レベルをサンプル値として取得し、格納された各目標電圧と前記取得したサンプル値との誤差を算出するサンプル処理部１４０と、この算出された誤差に基づいて半導体レーザ出力制御部１１０から出射されるレーザ光の出力強度レベルを制御する制御部１８０と、を備えた構成を有している。

この構成により、本実施形態では、第１実施形態と同様に、半導体レーザから出力されるレーザ光の強度レベルが変調されて光ディスクに書き込みデータを記録する場合に、マルチパルスのレーザ光を用いることができるとともに、波形の安定したレーザ光によってサンプル値を取得することできるので、レーザ光の光強度レベルを的確に把握することができるサンプル値に基づいて当該レーザ光を出射する半導体レーザ出力制御部１１０を制御することができ、変調される各強度レベルまたは照射時間などを容易に、かつ、独立的にレーザ光の光強度を変更することができる。

また、本実施形態では、特定のラン長を有する変調データに基づいてサンプル処理を行うようになっているので、サンプル処理を行う周期を的確に確保することができるとともに、サンプル処理の周期を短くなるよう特定変調データを設定すれば、負帰還制御の精度を向上させることができる。

また、本実施形態では、特定変調データに基づいて単一パルスのレーザ光を光ディスクに照射するので、常に定まった光ディスク上の位置に熱蓄積の高い単一パルスのレーザ光の照射を行わず、データを記録する毎に当該単一パルスのレーザ光が照射される位置が異なるので、光ディスク上に設けられた記録膜の耐久性も向上させることができる。

なお、本実施形態では、当該変調データが消去パルス（消去区間）である５Ｔの変調データを記録する場合に、消去パルスを単一パルスにして出射するようになっているが、このラン長を有する変調データに限らず、これより短いラン長または長いラン長を有する変調データを用いてもよい。

この場合、図１２に示すように、２Ｔや３Ｔなど短いラン長の場合には、ＡＰＣタイミングにおける出現回数が多くなるので、比較的頻繁にサンプル値をホールドすることができ、短い間隔でレーザ光の光強度の出力制御を行うことができるようになっている。また、１０Ｔや１１Ｔなど長いラン長の場合には、ＡＰＣタイミングにおける出現回数は少なくなるものの、単一パルスが比較的長くなるので、さらに安定したサンプル値を得ることができるようになる。

なお、１０Ｔや１１Ｔと言った比較的に長いラン長の変調データを用いる場合には、異なるラン長を有する２種以上の変調データのときに単一パルスを出射するようにしてもよい。これによって、サンプルにおける出現回数を確保することができる。

また、本実施形態では、上述の光ピックアップ装置１００によって、光ディスクに書き込みデータを記録する場合に、レーザ光の出射制御行うようになっているが、フォトディテクタ１２０と半導体レーザ回路とを有する光ピックアップ装置１００にコンピュータおよび記録媒体を備え、この記録媒体に上述の負帰還制御動作を行う制御プログラムを格納し、このコンピュータで当該制御プログラムを読み込むことによって上述と同様の負帰還制御動作を行うようにしてもよい。

〔第３実施形態〕
図１３〜図１５を用いて光ピックアップ装置の第３実施形態について説明する。

なお、本実施形態では、第１実施形態において、ＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスに基づいて負帰還制御を行う点に加えて、ＡＰＣタイミング期間中に特定変調データにのみ基づいてサンプルパルスを生成させて負帰還制御行う点に特徴があり、この他の構成については第１実施形態と同様であるため、同一部材には同一番号を付して説明を省略する。

また、図１３は、本実施形態のデータ書き込み中における負帰還動作を説明するための図、図１４は、本実施形態のレーザ光の出力切換制御の動作を示すフローチャート、および、図１５は、本実施形態のサンプル処理の動作を示すフローチャートである。

本実施形態では、光ディスクに書き込みデータを記録している書き込みモードのときに、ＡＰＣタイミング期間中に、入力された書き込みデータを構成する特定変調データに基づいてサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０を制御するようになっている。

具体的には、制御部１８０には、第１実施形態に示すように、変調データが入力されるようになっており、ＡＰＣタイミング期間中に入力された特定変調データのみに基づいてサンプルパルスを発生させ、当該サンプルパルスに基づいてサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０を制御するようになっている。

なお、本実施形態では、特定変調データには、５Ｔの変調データを用いるようになっている。

次に、図１３〜図１５を用いて本実施形態の負帰還動作制御について説明する。

本実施形態の制御部１８０は、図１３に示すように、ＡＰＣタイミング期間中に、当該制御部１８０に５Ｔの変調データが入力され、かつ、当該５Ｔの変調データが消去パルスを発生させる変調データである場合に、サンプルパルスを発生させて、当該サンプルパルスをサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０に出力するようになっており、サンプル処理部１４０は、入力されたサンプルパルスに基づいてサンプル処理を行うとともに、パルス電流生成部１６０は、このサンプルパルスに基づいて消去パルスを単一パルスとして発生させるようになっている。

まず、図１４を用いて本実施形態の出力切換制御動作について説明する。

まず、制御部１８０は、パルス電流生成部１６０および半導体レーザ出力制御部１１０を制御し、読み出しレベルによって単一パルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ５１（読み出しモード））。

次に、制御部１８０は、光ピックアップ装置１００全体を制御する図示しない中央制御処理部の指示に基づいて書き込みモードであるか否かを判断する（ステップＳ５２）。

まず、制御部１８０は、半導体レーザ制御部１１０および電流パルス生成部１６０を制御して変調データに基づいてマルチパルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ５３）。

なお、ステップＳ５３の動作は、非ＡＰＣタイミング期間、または、ＡＰＣタイミング期間中であってもサンプルパルスが発生していない期間では、サンプル処理部１４０では、保持されているサンプル値に対して減算処理および積分処理を行わせて制御電圧を生成させて制御電流を出力するようになるので、半導体レーザ出力制御部１１０では、パルス電流生成部１６０によって生成された各電流に制御電流が加算され、当該加算された制御電流に基づいてレーザ光の光強度レベルが制御される。

次いで、制御部１８０は、一定期間内に、ＡＰＣタイミングパルスを検出し（ステップＳ５４）、当該ＡＰＣタイミングパルスを検出しない場合には、ステップＳ５２に戻る。

一方、一定期間内に制御部１８０がＡＰＣタイミングパルスを検出した場合には、制御部１８０は、入力された変調データが、５Ｔの特定変調データであって、消去パルスのデータであるか否かを検出し（ステップＳ５５）、入力された変調データが５Ｔの特定変調データでない場合、または、５Ｔの特定変調データであっても書き込みパルスのデータである場合は、ステップＳ５７に行く。

一方、制御部１８０が５Ｔの特定変調データであって、消去パルスのデータが入力されたことを検出すると、制御部１８０は、サンプルパルスをサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０に出力し、当該変調データを単一パルスによって生成させるとともに、当該単一パルスレーザ光を出射させる（ステップＳ５６）。

次いで、制御部１８０がＡＰＣタイミングパルスを検出してＡＰＣタイミング期間が終了したか否かを判断し（ステップＳ５７）、ＡＰＣタイミングが未だ終了していない場合にはステップＳ５５に戻り、ＡＰＣタイミングが終了しているときは、ステップＳ５２に戻る。

次に、図１５を用いて本実施形態のサンプル処理部１４０の動作およびそれに伴う各部の動作について説明する。

まず、光ピックアップ装置１００の動作が開始されると（ステップＳ６１）、フォトディテクタ１２０は、半導体レーザ出力制御部１１０から出力されたレーザ光を検出し、第１変換部１３０を介して検出したレーザ光の強度レベルをサンプル処理部１４０に出力する（ステップＳ６２）。

次いで、制御部１８０が、図示しない中央制御処理部の指示に基づいて、光ピックアップ装置１００の動作状態が書き込みモードであるか否かを判断する（ステップＳ６３）。

まず、サンプルホールド制御部１４５は、一定期間内に、ＡＰＣタイミングパルスが入力されたか否かを検出し（ステップＳ６４）、当該サンプルホールド制御部１４５が、一定期間内にＡＰＣタイミングパルスを検出しないと、サンプルホールド回路１４１を制御して既に保持しているサンプル値を減算処理部１４３に出力させ（ステップＳ６５）、ステップＳ６８に行く。

一方、サンプルホールド制御部１４５が一定期間内にＡＰＣタイミングパルスを検出すると、サンプルホールド制御部１４５は、さらに、一定期間内に、サンプルパルスが入力されたか否かを検出し（ステップＳ６６）、当該サンプルホールド制御部１４５が、一定期間内にＡＰＣタイミングパルスを検出しないと、サンプルホールド回路１４１を制御して既に保持しているサンプル値を減算処理部１４３に出力させ（ステップＳ６５）、ステップＳ６８に行く。

一方、サンプルホールド制御部１４５が一定期間内にサンプルパルスを検出すると、制御部１８０から出力されたサンプルパルスに基づいてサンプルホールド回路１４１に入力された検出電圧の電圧レベルをサンプル値としてサンプリングするとともに、当該保持させたサンプル値を減算処理部１４３に出力させる（ステップＳ６７）。

次いで、サンプルホールド制御部１４５は、サンプル電圧格納部１４２を制御して予め格納されている目標サンプル値を減算処理部１４２に出力させる（ステップＳ６８）。

次いで、減算処理部１４３は、サンプル値および目標サンプル値が入力されると、当該入力された目標サンプル値から入力されたサンプル値を減算して、減算した電圧値を積分処理部１４４に出力する（ステップＳ６９）。

次いで、積分処理部１４４は、減算された電圧値が入力されると、当該入力された電圧値の積分を行い、制御電圧を生成し、当該生成した制御電圧を、第２変換部１５０を介して加算処理部１７０に出力し（ステップＳ７０）、ステップＳ６３に戻る。

以上のように本実施形態によれば、マルチパルスのレーザ光と単一パルスのレーザ光とを切り換えて光ディスクに当該レーザ光を出射するとともに、予め定められたＡＰＣタイミング期間中に、特定変調データを光ディスクに記録するときに、単一パルスを出射する半導体レーザ出力制御部１１０と、この出射されたレーザ光を検出するフォトディテクタ１２０と、各目標電圧を格納するサンプル電圧格納部１４２と、当該ＡＰＣタイミング期間中に特定変調データを記録するときに、検出されたレーザ光の光強度レベルをサンプル値として取得し、格納された各目標電圧と前記取得したサンプル値との誤差を算出するサンプル処理部１４０と、この算出された誤差に基づいて半導体レーザ出力制御部１１０から出射されるレーザ光の出力強度レベルを制御する制御部１８０と、を備えた構成を有している。

この構成により、本実施形態では、第１実施形態と同様に、半導体レーザから出力されるレーザ光の強度レベルが変調されて光ディスクに書き込みデータを記録する場合に、マルチパルスのレーザ光を用いることができるとともに、波形の安定したレーザ光によってサンプル値を取得することができるので、レーザ光の光強度レベルを的確に把握することができるサンプル値に基づいて当該レーザ光を出射する半導体レーザ出力制御部１１０を制御することができ、変調される各強度レベルまたは照射時間などを容易に、かつ、独立的にレーザ光の光強度を変更することができる。

また、本実施形態では、予め設定されたＡＰＣタイミング期間中に、特定変調データに基づいて単一パルスのレーザ光を光ディスクに照射するので、常に定まった光ディスク上の位置に熱蓄積の高い単一パルスのレーザ光の照射を行わず、データを記録する毎に当該単一パルスのレーザ光が照射される位置が異なるので、光ディスク上に設けられた記録膜の耐久性も向上させることができる。

なお、本実施形態では、第２実施形態と同様に、当該変調データが消去パルス（消去区間）である５Ｔの変調データを記録する場合に、消去パルスを単一パルスにして出射するようになっているが、このラン長を有する変調データに限らず、これより短いラン長または長いラン長を有する変調データを用いてもよい。

また、特定変調データに１０Ｔや１１Ｔと言った比較的に長いラン長の変調データを用いる場合には、異なるラン長を有する２種以上の変調データのときに単一パルスを出射するようにしてもよい。これによって、サンプルにおける出現回数を確保することができる。

〔第４実施形態〕
図１６、図１７を用いて光ピックアップ装置の第４実施形態について説明する。

なお、本実施形態では、第１実施形態において、ＡＰＣタイミングパルスおよびサンプルパルスに基づいて負帰還制御を行う点に加えて、ＡＰＣタイミング期間中に最初に入力された特定変調データのみに基づいてサンプルパルスを生成させて負帰還制御を行う点に特徴があり、この他の構成については第１実施形態と同様であるため、同一部材には同一番号を付して説明を省略する。

また、図１６は、本実施形態のデータ書き込み中における負帰還動作を説明するための図であり、図１７は、本実施形態のレーザ光の出力切換制御の動作を示すフローチャートである。

本実施形態では、光ディスクに書き込みデータを記録している書き込みモードのときに、ＡＰＣタイミング期間中に、入力された変調データを構成する特定変調データであって、最初に入力された当該変調データに基づいてサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０を制御するようになっている。

具体的には、制御部１８０には、第１実施形態に示すように、書き込みデータが入力されるようになっており、ＡＰＣタイミング期間中に、最初に入力された特定変調データのみに基づいてサンプルパルスを発生させ、当該サンプルパルスに基づいてサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０を制御するようになっている。

次に、図１６、図１７を用いて本実施形態の負帰還動作制御について説明する。

本実施形態の制御部１８０は、図１６に示すように、ＡＰＣタイミング期間中に、当該制御部１８０に５Ｔの変調データが入力され、当該５Ｔの変調データが消去パルスを発生させる変調データあり、かつ、最初に入力された５Ｔの変調データである場合に、サンプルパルスを発生させて、当該サンプルパルスをサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０に出力するようになっており、サンプル処理部１４０は、入力されたサンプルパルスに基づいてサンプル処理を行うとともに、パルス電流生成部１６０は、このサンプルパルスに基づいて消去パルスを単一パルスとして発生させるようになっている。

また、本実施形態のサンプル処理動作は、第３実施形態と同様の構成を示すためその説明を省略する。

以下に、図１７を用いて本実施形態の出力切換制御動作について説明する。

まず、制御部１８０は、パルス電流生成部１６０および半導体レーザ出力制御部１１０を制御し、読み出しレベルによって単一パルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ７１（読み出しモード））。

次に、制御部１８０は、光ピックアップ装置１００全体を制御する図示しない中央制御処理部の指示に基づいて書き込みモードであるか否かを判断する（ステップＳ７２）。

そして、この判断において、（ａ）読み出しモードを継続すると判断した場合、或いは、（ｂ）書き込みモードから読み出しモードに切り換わることを判断した場合（ステップＳ７２「ｎｏ」）、制御部１８０は、処理をステップＳ７１に戻し、パルス電流生成部１６０および半導体レーザ出力制御部１１０を制御して読み出しレベルによってレーザ光を出射させる。

まず、制御部１８０は、半導体レーザ制御部１１０および電流パルス生成部１６０を制御して変調データに基づいてマルチパルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ７３）。

なお、ステップＳ７３の動作は、非ＡＰＣタイミング期間、または、ＡＰＣタイミング期間中であってもサンプルパルスが発生していない期間では、サンプル処理部１４０では、保持されているサンプル値に対して減算処理および積分処理を行わせて制御電圧を生成させて制御電流を出力するようになるので、半導体レーザ出力制御部１１０では、パルス電流生成部１６０によって生成された各電流に制御電流が加算され、当該加算された制御電流に基づいてレーザ光の光強度レベルが制御される。

次いで、制御部１８０は、一定期間内に、ＡＰＣタイミングパルスを検出し（ステップＳ７４）、当該データを検出しない場合には、ステップＳ７２に戻る。

一方、一定期間内に制御部１８０がＡＰＣタイミングパルスを検出した場合には、制御部１８０は、入力された変調データが、５Ｔの特定変調データであって、最初の消去パルスのデータであるか否かを検出し（ステップＳ７５）、入力された変調データが５Ｔの特定変調データでない場合、５Ｔの特定変調データであっても書き込みパルスのデータである場合または最初の消去パルスでない場合は、ステップＳ７７に行く。

一方、制御部１８０が５Ｔの特定変調データであって、最初の消去パルスのデータが入力されたことを検出すると、制御部１８０は、サンプルパルスをサンプル処理部１４０およびパルス電流生成部１６０に出力し、当該変調データを単一パルスによって生成させるとともに、当該単一パルスのレーザ光を出射させる（ステップＳ７６）。

次いで、制御部１８０がＡＰＣタイミングパルスを検出してＡＰＣタイミング期間が終了したか否かを判断し（ステップＳ７７）、ＡＰＣタイミングが未だ終了していない場合にはステップＳ７５に戻り、ＡＰＣタイミングが終了しているときは、ステップＳ７２に戻る。

以上のように本実施形態によれば、マルチパルスのレーザ光と単一パルスのレーザ光とを切り換えて光ディスクに当該レーザ光を出射するとともに、予め定められたＡＰＣタイミング期間中に、最初の特定変調データを光ディスクに記録するときに、単一パルスを出射する半導体レーザ出力制御部１１０と、この出射されたレーザ光を検出するフォトディテクタ１２０と、各目標電圧を格納するサンプル電圧格納部１４２と、当該ＡＰＣタイミング期間中に最初に特定変調データを記録するときに、検出されたレーザ光の光強度レベルをサンプル値として取得し、格納された各目標電圧と前記取得したサンプル値との誤差を算出するサンプル処理部１４０と、この算出された誤差に基づいて半導体レーザ出力制御部１１０から出射されるレーザ光の出力強度レベルを制御する制御部１８０と、を備えた構成を有している。

また、本実施形態では、ＡＰＣタイミング期間中の最初に入力された特定変調データに基づいて単一パルスのレーザ光を光ディスクに照射するので、常に定まった光ディスク上の位置に熱蓄積の高い単一パルスのレーザ光の照射を行わず、データを記録する毎に当該単一パルスのレーザ光が照射される位置が異なるので、光ディスク上に設けられた記録膜の耐久性も向上させることができる。

また、本実施形態では、ＡＰＣタイミング期間中に最初に入力された特定変調データのみに基づいてサンプルパルスを生成させて負帰還制御行うようになっているが、最初に入力された特定変調データに限らず、２回目以上の複数回目に特定変調データが入力された場合に、サンプルパルスを生成させて負帰還制御を行うようにしてもよいし、複数回、例えば、奇数回目に特定変調データが入力された場合に負帰還制御を行うようにしてもよい。

また、本実施形態では、第２実施形態と同様に、当該変調データが消去パルス（消去区間）である５Ｔの変調データを記録する場合に、消去パルスを単一パルスにして出射するようになっているが、このラン長を有する変調データに限らず、これより短いラン長または長いラン長を有する変調データを用いてもよい。

本願に係る光ピックアップ装置の第１実施形態における機器構成を示す機器構成図である。マルチパルスと単一パルスにおける熱蓄積の関係を示すための図である。光ピックアップ装置における負帰還動作を説明するための図である。第１実施形態のサンプル処理を説明するための図である。第１実施形態の負帰還制御動作を説明するためのタイミングチャートである。第１実施形態の負帰還動作（出力切換制御）を示すフローチャートである。第１実施形態の負帰還動作（サンプル処理）を示すフローチャートである。第１実施形態の効果を説明するための図である。第２実施形態の負帰還制御動作を説明するためのタイミングチャートである。第２実施形態の負帰還動作（出力切換制御）を示すフローチャートである。第２実施形態の負帰還動作（サンプル処理）を示すフローチャートである。変調データの種類と出現回数を示すグラフである。第３実施形態の負帰還制御動作を説明するためのタイミングチャートである。第３実施形態の負帰還動作（出力切換制御）を示すフローチャートである。第３実施形態の負帰還動作（サンプル処理）を示すフローチャートである。第４実施形態の負帰還制御動作を説明するためのタイミングチャートである。第４実施形態の負帰還動作（出力切換制御）を示すフローチャートである。

符号の説明

１００ … 光ピックアップ装置
１１０ … 半導体レーザ出力制御回路
１２０ … フォトディテクタ
１３０ … 第１変換部
１４０ … サンプル処理部
１５０ … 第２変換部
１６０ … パルス電流生成部
１７０ … 加算処理部
１８０ … 制御部

Claims

データの書き換えが可能な光記録媒体に対して、前記データに対応した消去用の光ビーム及び書き込み用の光ビームを照射し、前記光記録媒体に対する前記データの記録を行う光ピックアップ装置であって、
前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射する出射手段と、
前記出射手段から出射された前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを検出する検出手段と、
前記消去用の光ビームを出射させるために必要な消去用電流を生成する消去用電流生成手段と、
前記書き込み用の光ビームを出射させるために必要な書き込み用電流を生成する書き込み用電流生成手段と、
前記消去用電流又は前記書き込み用電流に加算すべき基準制御電流を生成する基準制御電流生成手段と、
前記消去用電流と前記基準制御電流を加算、又は前記書き込み用電流と前記基準制御電流とを加算する加算処理手段と、
前記出射手段を制御して前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射させる制御手段であって、前記消去用の光ビームを出射させる際には、前記消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、当該加算された電流に基づいて前記出射手段を制御する一方、前記書き込み用の光ビームを出射させる際には、前記書き込み用電流を前記書き込み用電流生成手段に生成させ、当該生成された書き込み用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、当該加算された電流に基づいて前記出射手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記消去用の光ビームを出射させる際に、
（ａ）予め定められた期間中、単一のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを単一のパルス光からなる単一パルスビームとして出射させる一方、
（ｂ）前記予め定められた期間を除く期間中、複数のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを複数のパルス光から構成されるマルチパルスビームとして出射させ、
前記基準制御電流生成手段は、前記予め定められた期間に前記検出手段により検出された単一パルスビームの光強度レベルを標本値として取得し、前記光ビームの目標となる光強度レベルを目標標本値として格納された格納手段から当該目標標本値を取得し、当該標本値と当該目標標本値との誤差を算出し、当該誤差に基づいて前記基準制御電流を生成することを特徴とする光ピックアップ装置。
請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
前記光ビームの出力強度レベルを調整するために前記光記録媒体に設けられたコントロール領域を特定する領域特定手段と、
当該特定されたコントロール領域に対するデータの記録期間を前記予め定められた期間として設定する期間設定手段を設けたことを特徴とする光ピックアップ装置。
請求項２に記載の光ピックアップ装置において、
前記領域特定手段は、前記光記録媒体に記録されたアドレス情報に基づいて前記コントロール領域を特定することを特徴とする光ピックアップ装置。
請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
前記データは、複数種類の異なる部分データによって構成され、
前記制御手段は、前記消去用の光ビームを出射させる際に、
（ａ）前記予め定められた期間内であって、前記複数種類の異なる部分データのうち、予め定められた種類の部分データの記録期間中、単一のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを単一のパルス光からなる単一パルスビームとして出射させる一方、
（ｂ）前記予め定められた種類の部分データの記録期間を除く期間中、複数のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを複数のパルス光から構成されるマルチパルスビームとして出射させ、
前記基準制御電流生成手段は、前記予め定められた種類の部分データの記録期間中、前記標本値を取得することを特徴とする光ピックアップ装置。
請求項４に記載の光ピックアップ装置において、
前記予め定められた種類の前記部分データを予め定められたタイミングに記録するときに、前記基準制御電流生成手段は、当該タイミングにて前記標本値を取得することを特徴とする光ピックアップ装置。
請求項４または５に記載の光ピックアップ装置において、
予め定められた２種類以上の前記部分データをそれぞれ記録するときに、前記基準制御電流生成手段は、前記標本値を取得することを特徴とする光ピックアップ装置。
請求項６に記載の光ピックアップ装置において、
前記基準制御電流生成手段が前記標本値を取得するときのみ、前記制御手段は、前記前記消去用の光ビームを単一のパルス光からなる単一パルスビームとして出射させることを特徴とする光ピックアップ装置。
請求項４乃至７の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、
前記複数種類の部分データが当該部分データのデータ長によって識別される場合であって、予め定められた前記データ長を有する前記部分データを記録するときに、前記基準制御電流生成手段は、前記予め定められたデータ長を有する前記部分データの記録時に、前記標本値を取得することを特徴とする光ピックアップ装置。
データの書き換えが可能な光記録媒体に対して、前記データに対応した消去用の光ビーム及び書き込み用の光ビームを照射し、前記光記録媒体に対する前記データの記録を行う光ビーム出射制御方法であって、
前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射する出射工程と、
前記出射された前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを検出する検出工程と、
前記消去用の光ビームを出射させるために必要な消去用電流を生成する消去用電流生成工程と、
前記書き込み用の光ビームを出射させるために必要な書き込み用電流を生成する書き込み用電流生成工程と、
前記消去用電流又は前記書き込み用電流に加算すべき基準制御電流を生成する基準制御電流生成工程と、
前記消去用電流と前記基準制御電流を加算、又は前記書き込み用電流と前記基準制御電流とを加算する加算処理工程と、
前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射させる制御工程であって、前記消去用の光ビームを出射させる際には、前記消去用電流を前記消去用電流生成工程により生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理工程により加算させ、当該加算された電流に基づいて当該消去用の光ビームを出射させる一方、前記書き込み用の光ビームを出射させる際には、前記書き込み用電流を前記書き込み用電流生成工程により生成させ、当該生成された書き込み用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理工程により加算させ、当該加算された電流に基づいて当該書き込み用の光ビームを出射させる制御工程と、を備え、
前記制御工程においては、前記消去用の光ビームを出射させる際に、
（ａ）予め定められた期間中、単一のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成工程により生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理工程により加算させ、前記消去用の光ビームを単一のパルス光からなる単一パルスビームとして出射させる一方、
（ｂ）前記予め定められた期間を除く期間中、複数のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成工程により生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理工程により加算させ、前記消去用の光ビームを複数のパルス光から構成されるマルチパルスビームとして出射させ、
前記基準制御電流生成工程においては、前記予め定められた期間に前記検出工程において検出された単一パルスビームの光強度レベルを標本値として取得し、前記光ビームの目標となる光強度レベルを目標標本値として格納された格納手段から当該目標標本値を取得し、当該標本値と当該目標標本値との誤差を算出し、当該誤差に基づいて前記基準制御電流を生成することを特徴とする光ビーム出射制御方法。
データの書き換えが可能な光記録媒体に対して、前記データに対応した消去用の光ビーム及び書き込み用の光ビームを照射し、前記光記録媒体に対する前記データの記録を行うコンピュータを、
前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射する出射手段、
前記出射手段から出射された前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを検出する検出手段、
前記消去用の光ビームを出射させるために必要な消去用電流を生成する消去用電流生成手段、
前記書き込み用の光ビームを出射させるために必要な書き込み用電流を生成する書き込み用電流生成手段、
前記消去用電流又は前記書き込み用電流に加算すべき基準制御電流を生成する基準制御電流生成手段、
前記消去用電流と前記基準制御電流を加算、又は前記書き込み用電流と前記基準制御電流とを加算する加算処理手段、及び、
前記出射手段を制御して前記消去用の光ビーム又は前記書き込み用の光ビームを出射させる制御手段であって、前記消去用の光ビームを出射させる際には、前記消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、当該加算された電流に基づいて前記出射手段を制御する一方、前記書き込み用の光ビームを出射させる際には、前記書き込み用電流を前記書き込み用電流生成手段に生成させ、当該生成された書き込み用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、当該加算された電流に基づいて前記出射手段を制御する制御手段として機能させ、
前記制御手段が、前記消去用の光ビームを出射させる際に、
（ａ）予め定められた期間中、単一のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを単一のパルス光からなる単一パルスビームとして出射させる一方、
（ｂ）前記予め定められた期間を除く期間中、複数のパルスからなる消去用電流を前記消去用電流生成手段に生成させ、当該生成された消去用電流と前記生成された基準制御電流を前記加算処理手段に加算させ、前記消去用の光ビームを複数のパルス光から構成されるマルチパルスビームとして出射させ、
前記基準制御電流生成手段が、前記予め定められた期間に前記検出手段により検出された単一パルスビームの光強度レベルを標本値として取得し、前記光ビームの目標となる光強度レベルを目標標本値として格納された格納手段から当該目標標本値を取得し、当該標本値と当該目標標本値との誤差を算出し、当該誤差に基づいて前記基準制御電流を生成するように機能させることを特徴とする光ビーム出射制御プログラム。
請求項１０に記載の光ビーム出射制御プログラムをコンピュータに読み取り可能に記録したことを特徴とする記録媒体。