JP4195732B2 - 希土類珪酸塩単結晶の育成方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 51
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- -1 rare earth silicate Chemical class 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 claims description 8
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000000921 Gadolinium Chemical class 0.000 claims description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シンチレ−タ等に用いられる希土類珪酸塩単結晶の育成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
珪酸ガドリニウム単結晶等の希土類珪酸塩単結晶は、シンチレ−タ、蛍光体等として広く用いられている。
この珪酸ガドリニウム単結晶等は、希土類酸化物の酸化ガドリニウムと珪素酸化物の２酸化珪素を原料として、チョクラルスキ−法等の原料融液から単結晶を育成する方法によって育成される。
一般に、蛍光出力等のシンチレ−タ特性には、構成元素以外の希土類元素及び遷移金属等の不純物が悪影響を与えると考えられ、それらの不純物元素を低減した４Ｎ以上（９９．９９重量％以上）の高純度原料（Ｇｄ2Ｏ3、ＳｉＯ2等）を 使用して結晶育成が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の原料を使用した場合、結晶が黄色に着色したりすることによって、安定して良好なシンチレ−タ特性が得られないという問題があった。
本発明は、希土類珪酸塩単結晶を育成する場合に、結晶の着色の無い良好なシンチレ−タ性能を有する希土類珪酸塩単結晶が安定して得られる希土類珪酸塩単結晶の育成方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、希土類珪酸塩単結晶を育成する場合に、特定の不純物元素を低減した希土類酸化物等の原料を使用するものであり、希土類酸化物、珪素酸化物を含む原料の融液から希土類珪酸塩単結晶を育成する方法において、Ｆｅの不純物濃度が０．１ｐｐｍ以下の原料を用いることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶の育成方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、希土類珪酸塩単結晶の着色及びシンチレ−タ特性と、その原料である希土類酸化物等中の不純物濃度係について検討した。その結果、特定の不純物元素の含有量の差が、育成した単結晶の特性に影響することを見いだすことによって、本発明はなされたものである。
珪酸ガドリニウム単結晶を育成する場合において、Ｆｅの不純物濃度が少ない希土類酸化物を原料として使用することによって、結晶の着色が無くなり、シンチレ−タ特性を向上できることがわかった。すなわち結晶の着色が無くなると、結晶にγ線等の放射線を照射することにより結晶中で生じた蛍光が結晶の一面に接して設けられている光電子増倍管に効率良く到達するため、蛍光出力、エネルギ−分解能が向上し、結果としてシンチレ−タ特性が向上する。
Ｆｅの不純物濃度が０．１ｐｐｍ以下の原料を用いる場合、Ｆｅの不純物濃度が０．１ｐｐｍ以下の希土類酸化物を使用することが好ましい。
【０００６】
珪酸ガドリニウム単結晶以外の、一般式
Ｒ2ＳｉＯ5
但しＲ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
で示される希土類珪酸塩単結晶についても、原料中の不純物の影響は同様であり、同様の結果となる。
更に、一般には希土類珪酸塩単結晶に蛍光中心としてＣｅ等の添加物をド−プするが、その場合も効果は同様である。
以上の希土類珪酸塩単結晶は、珪酸ガドリニウム単結晶の結晶構造と同じ結晶構造を持ち、その構造は空間群Ｐ２1／ｃに属する。
【０００７】
【実施例】
比較例
セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶（Ｃｅ：Ｇｄ2ＳｉＯ5、Ｃｅ濃度０．５ｍｏｌ％）の場合の例を説明する。原料として酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）４Ｎ（Ａ種）、２酸化珪素（ＳｉＯ2）４Ｎ及び酸化セリウム（ＣｅＯ2）４Ｎを使用して、チョクラルスキ−法によって単結晶を育成した。酸化ガドリニウムを２５７３．５ｇ、２酸化珪素を４２６．５ｇ、そして酸化セリウムを５．９ｇを秤量して混合し、１２００℃で焼成した後直径１００ｍｍのＩｒるつぼにチャ−ジし、原料融液１９５０℃、種結晶の回転数３０ｒｐｍ，引き上げ速度２ｍｍ／ｈの条件で、原料の８０重量％が結晶化した段階で引き上げを完了し、直径５０ｍｍの単結晶を育成した。
育成した単結晶は、黄色に着色していた。育成結晶から１０×１０×３０ｍｍ3の試料を採取して、γ線を照射したときのシンチレ−タ特性について測定した 結果を表１に示すが、良好な結果が得られなかった。酸化ガドリニウム、２酸化珪素、酸化セリウム中のＦｅ不純物測定を行った結果、各々１．３ｐｐｍ、０．０００５ｐｐｍ、３．５ｐｐｍ未満であった。原料のＦｅ不純物は１．１ｐｐｍを越えている。
【０００８】
実施例
比較例と同様に、セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶（Ｃｅ：Ｇｄ2ＳｉＯ5、Ｃｅ濃度０．５ｍｏｌ％）の場合の例を説明する。原料として酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ5)４Ｎ（Ｂ種）と、比較例で使用したものと全く同じ（精製ロット番号も同じ）２酸化珪素（ＳｉＯ2）４Ｎ及び酸化セリウム（ＣｅＯ2）４Ｎを使用して、チョクラルスキ−法によって単結晶を育成した。酸化ガドリニウムを２５７３．５ｇ、２酸化珪素を４２６．５ｇ、そして酸化セリウムを５．９ｇを秤量して混合し、１２００℃で焼成した後Ｉｒるつぼにチャ−ジして比較例と同様にして単結晶を育成した。
育成の結果、安定して着色の無い結晶が得られた。育成結晶から１０×１０×３０ｍｍ3の試料を採取して、γ線を照射したときのシンチレ−タ特性について 測定した結果を同様に表１に示すが、安定して良好なシンチレ−タ特性を示した。Ｆｅ不純物の低減により、結晶特性の改善が明確に観測された。
酸化ガドリニウム中のＦｅ不純物測定を行った結果、０．１ｐｐｍであり、比較例で使用した酸化ガドリニウム原料に比べ、Ｆｅ不純物量が大幅に少ない結果であった。原料のＦｅ不純物は０．０９３ｐｐｍ未満となる。
【０００９】
【表１】
【００１０】
蛍光出力（ｃｈ）、エネルギ−分解能（％）の測定法
試料の１０ｍｍ×１０ｍｍの一面を鏡面にし、前記鏡面にした面以外の部分に反射材を被覆し、試料を前記鏡面を下にして光電子増倍管（浜松フォトニクス工業（株）製、商品名Ｒ８７８）の受光ヘッド上に載せる。光電子増倍管に印加電圧８００Ｖをかけ、試料の上方１００ｍｍの位置のＣｓ−１３７線源からγ線を照射する。光電子増倍管でエネルギ−スペクトルを測定し、蛍光出力（ｃｈ）、エネルギ−分解能（％）を測定する。
【００１１】
【発明の効果】
本発明の希土類珪酸塩単結晶の育成方法により、結晶の着色の無い安定して良好なシンチレ−タ性能を有する希土類珪酸塩単結晶を育成することができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、シンチレ−タ等に用いられる希土類珪酸塩単結晶の育成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
珪酸ガドリニウム単結晶等の希土類珪酸塩単結晶は、シンチレ−タ、蛍光体等として広く用いられている。
この珪酸ガドリニウム単結晶等は、希土類酸化物の酸化ガドリニウムと珪素酸化物の２酸化珪素を原料として、チョクラルスキ−法等の原料融液から単結晶を育成する方法によって育成される。
一般に、蛍光出力等のシンチレ−タ特性には、構成元素以外の希土類元素及び遷移金属等の不純物が悪影響を与えると考えられ、それらの不純物元素を低減した４Ｎ以上（９９．９９重量％以上）の高純度原料（Ｇｄ2Ｏ3、ＳｉＯ2等）を 使用して結晶育成が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の原料を使用した場合、結晶が黄色に着色したりすることによって、安定して良好なシンチレ−タ特性が得られないという問題があった。
本発明は、希土類珪酸塩単結晶を育成する場合に、結晶の着色の無い良好なシンチレ−タ性能を有する希土類珪酸塩単結晶が安定して得られる希土類珪酸塩単結晶の育成方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、希土類珪酸塩単結晶を育成する場合に、特定の不純物元素を低減した希土類酸化物等の原料を使用するものであり、希土類酸化物、珪素酸化物を含む原料の融液から希土類珪酸塩単結晶を育成する方法において、Ｆｅの不純物濃度が０．１ｐｐｍ以下の原料を用いることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶の育成方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、希土類珪酸塩単結晶の着色及びシンチレ−タ特性と、その原料である希土類酸化物等中の不純物濃度係について検討した。その結果、特定の不純物元素の含有量の差が、育成した単結晶の特性に影響することを見いだすことによって、本発明はなされたものである。
珪酸ガドリニウム単結晶を育成する場合において、Ｆｅの不純物濃度が少ない希土類酸化物を原料として使用することによって、結晶の着色が無くなり、シンチレ−タ特性を向上できることがわかった。すなわち結晶の着色が無くなると、結晶にγ線等の放射線を照射することにより結晶中で生じた蛍光が結晶の一面に接して設けられている光電子増倍管に効率良く到達するため、蛍光出力、エネルギ−分解能が向上し、結果としてシンチレ−タ特性が向上する。
Ｆｅの不純物濃度が０．１ｐｐｍ以下の原料を用いる場合、Ｆｅの不純物濃度が０．１ｐｐｍ以下の希土類酸化物を使用することが好ましい。
【０００６】
珪酸ガドリニウム単結晶以外の、一般式
Ｒ2ＳｉＯ5
但しＲ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
で示される希土類珪酸塩単結晶についても、原料中の不純物の影響は同様であり、同様の結果となる。
更に、一般には希土類珪酸塩単結晶に蛍光中心としてＣｅ等の添加物をド−プするが、その場合も効果は同様である。
以上の希土類珪酸塩単結晶は、珪酸ガドリニウム単結晶の結晶構造と同じ結晶構造を持ち、その構造は空間群Ｐ２1／ｃに属する。
【０００７】
【実施例】
比較例
セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶（Ｃｅ：Ｇｄ2ＳｉＯ5、Ｃｅ濃度０．５ｍｏｌ％）の場合の例を説明する。原料として酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）４Ｎ（Ａ種）、２酸化珪素（ＳｉＯ2）４Ｎ及び酸化セリウム（ＣｅＯ2）４Ｎを使用して、チョクラルスキ−法によって単結晶を育成した。酸化ガドリニウムを２５７３．５ｇ、２酸化珪素を４２６．５ｇ、そして酸化セリウムを５．９ｇを秤量して混合し、１２００℃で焼成した後直径１００ｍｍのＩｒるつぼにチャ−ジし、原料融液１９５０℃、種結晶の回転数３０ｒｐｍ，引き上げ速度２ｍｍ／ｈの条件で、原料の８０重量％が結晶化した段階で引き上げを完了し、直径５０ｍｍの単結晶を育成した。
育成した単結晶は、黄色に着色していた。育成結晶から１０×１０×３０ｍｍ3の試料を採取して、γ線を照射したときのシンチレ−タ特性について測定した 結果を表１に示すが、良好な結果が得られなかった。酸化ガドリニウム、２酸化珪素、酸化セリウム中のＦｅ不純物測定を行った結果、各々１．３ｐｐｍ、０．０００５ｐｐｍ、３．５ｐｐｍ未満であった。原料のＦｅ不純物は１．１ｐｐｍを越えている。
【０００８】
実施例
比較例と同様に、セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶（Ｃｅ：Ｇｄ2ＳｉＯ5、Ｃｅ濃度０．５ｍｏｌ％）の場合の例を説明する。原料として酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ5)４Ｎ（Ｂ種）と、比較例で使用したものと全く同じ（精製ロット番号も同じ）２酸化珪素（ＳｉＯ2）４Ｎ及び酸化セリウム（ＣｅＯ2）４Ｎを使用して、チョクラルスキ−法によって単結晶を育成した。酸化ガドリニウムを２５７３．５ｇ、２酸化珪素を４２６．５ｇ、そして酸化セリウムを５．９ｇを秤量して混合し、１２００℃で焼成した後Ｉｒるつぼにチャ−ジして比較例と同様にして単結晶を育成した。
育成の結果、安定して着色の無い結晶が得られた。育成結晶から１０×１０×３０ｍｍ3の試料を採取して、γ線を照射したときのシンチレ−タ特性について 測定した結果を同様に表１に示すが、安定して良好なシンチレ−タ特性を示した。Ｆｅ不純物の低減により、結晶特性の改善が明確に観測された。
酸化ガドリニウム中のＦｅ不純物測定を行った結果、０．１ｐｐｍであり、比較例で使用した酸化ガドリニウム原料に比べ、Ｆｅ不純物量が大幅に少ない結果であった。原料のＦｅ不純物は０．０９３ｐｐｍ未満となる。
【０００９】
【表１】
蛍光出力（ｃｈ）、エネルギ−分解能（％）の測定法
試料の１０ｍｍ×１０ｍｍの一面を鏡面にし、前記鏡面にした面以外の部分に反射材を被覆し、試料を前記鏡面を下にして光電子増倍管（浜松フォトニクス工業（株）製、商品名Ｒ８７８）の受光ヘッド上に載せる。光電子増倍管に印加電圧８００Ｖをかけ、試料の上方１００ｍｍの位置のＣｓ−１３７線源からγ線を照射する。光電子増倍管でエネルギ−スペクトルを測定し、蛍光出力（ｃｈ）、エネルギ−分解能（％）を測定する。
【００１１】
【発明の効果】
本発明の希土類珪酸塩単結晶の育成方法により、結晶の着色の無い安定して良好なシンチレ−タ性能を有する希土類珪酸塩単結晶を育成することができる。
Claims (6)
- 希土類酸化物、珪素酸化物を含む原料の融液から希土類珪酸塩単結晶を育成する方法において、４Ｎ以上の純度を有し、かつＦｅの不純物濃度が０．１ｐｐｍ以下の原料を用いることを特徴とするシンチレータ用希土類珪酸塩単結晶の育成方法。
- Ｆｅの不純物濃度が０．１ｐｐｍ以下の希土類酸化物を使用する請求項１記載のシンチレータ用希土類珪酸塩単結晶の育成方法。
- 希土類酸化物が酸化ガドリニウムである請求項１記載のシンチレータ用希土類珪酸塩単結晶の育成方法。
- 請求項１〜３のいずれか１項記載の方法により製造されたシンチレータ用希土類珪酸塩単結晶。
- Ｆｅ不純物濃度が０．０９３ｐｐｍ未満の原料を用いて得られるエネルギー分解能が８．５％以下のセリウム賦活珪酸ガドリニウム単結晶シンチレータ。
- Ｆｅ不純物濃度が０．０９３ｐｐｍ未満の原料を用いて得られる４３０ｎｍの光透過率が８０％以上のセリウム賦活珪酸ガドリニウム単結晶シンチレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23022396A JP4195732B2 (ja) | 1995-08-31 | 1996-08-30 | 希土類珪酸塩単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22344295 | 1995-08-31 | ||
| JP7-223442 | 1995-08-31 | ||
| JP23022396A JP4195732B2 (ja) | 1995-08-31 | 1996-08-30 | 希土類珪酸塩単結晶の育成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09142993A JPH09142993A (ja) | 1997-06-03 |
| JP4195732B2 true JP4195732B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=26525476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23022396A Expired - Lifetime JP4195732B2 (ja) | 1995-08-31 | 1996-08-30 | 希土類珪酸塩単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4195732B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4839634B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-12-21 | 日立化成工業株式会社 | シンチレータの製造方法及びシンチレータ |
| EP2128222B1 (en) * | 2007-02-02 | 2014-08-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator using the fluorescent material, and radiation detector |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23022396A patent/JP4195732B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09142993A (ja) | 1997-06-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050401 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050516 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050921 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080807 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080929 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |