JP4195388B2 - シリコンオン絶縁体構造上に形成され,減少されたパワーアップドリフトを有するセンサ - Google Patents
シリコンオン絶縁体構造上に形成され,減少されたパワーアップドリフトを有するセンサ Download PDFInfo
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Description
例1:
ブリッジの中間点60での電圧は図3に示すようにepi層に結合され得る。
例2:
ブリッジ励起電圧とグランドの間の値である一定の電圧(Vepi)をn−epi層に
印加する。電圧(Vepi)は、ブリッジ電圧(Vbridge)に、1からn−epiがブリッジ励起電圧(PUD@Vbridge)の場合のドリフトの大きさを、n−epiがブリッジ励起電圧(PUD@Vbridge)の場合のドリフトの大きさとn−epiがパワーグランド(PUD@ground)の場合のドリフトの大きさとの加算値で除算した比率を減算した値を乗算したものに等しい。
である。
従って、R2=10(1−3/5)=4KオームでR1=10K−R2=6Kオームになる。
例3:
図5に示すように、n−epi層を、ハイ状態がVbridge電圧、例えば5ボルトの直流電流に等しく、ロー状態がグランドに等しいソース54からの低周波数パルス幅変調電圧信号56で操作する。ソース54は、方形波電圧56を提供し、調整可能なパルス幅を有している。全周期に対するパルス幅の比率、つまりデューティサイクルは、上述した例1と同様に決定される。例えば、|PUD@Vbridge|=3ユニットで、|PUD@ground|=2ユニットの場合、パルス幅率は(1−3/5)=.40である。
Claims (8)
- 第一の導電率タイプのシリコン基盤と、
前記シリコン基盤上に形成される第二の導電率タイプのシリコン層と、
前記シリコン層内にあり、前記シリコン層を上層および低層に分割する絶縁体層と、
シリコンの前記上層に形成され、出力を持つブリッジ配置に相互接続された複数の抵抗と、
第一の電圧を前記ブリッジ配置に提供する第1の電源を、前記ブリッジ配置に結合するように作動する少なくとも1つの第1のコンタクトと、
第二の電圧をシリコンの前記低層に提供する第2の電源を、シリコンの前記低層に結合するように作動する少なくとも1つの第2のコンタクトと、
を有し、
前記第二の電圧の値がパワーアップドリフトを減少させるように作動することを特徴とする、センサ。 - 前記複数のピエゾ抵抗が上部、底部、中間点を有するホイートストン・ブリッジを形成し、前記第一の電圧は前記ブリッジの前記上部及び前記底部に印加され、前記第二の電圧が前記ブリッジの前記中間点の電圧にほぼ等しいことを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 前記第ニの電圧が前記第一の電圧に等しいときに観測されるドリフトと、前記第ニの電圧がグランドに等しいときに観測されるドリフトの関数として、前記第二の電圧が決定されることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 前記第ニの電圧が、前記第一の電圧に、1から前記第ニの層が前記第一の電圧に結合された場合の第一のドリフト値を前記第一の値と前記第二の層がグランドに結合された場合の第二のドリフト値の加算値で除算した率を減算した量を乗算した値に等しいことを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 前記第二の電圧は、第一の時間周期の間に前記第一の電圧に等しいハイの状態を有し、第二の時間周期の間にグランドに等しいローの状態を有し、前記第一の時間周期の全サイクル時間に対する比率が、1から前記第二の電圧がハイレベルにある場合の第一のドリフト値を第一のドリフト値と前記第二の電圧がグランドに等しい場合の第ニのドリフト値との加算値で除算した値であることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 入力として前記第一の電圧を有し、出力として前記第二の電圧を有する抵抗電圧分割器をさらに含む、請求項1に記載のセンサ。
- 半導体材料の第一の層と、
前記第一の層の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成された半導体材料の第二の層と、
前記半導体材料の第二の層内に形成され、出力を有するブリッジ配置内に相互接続される複数の抵抗と、
前記ブリッジ配置へ第一の電圧を提供する第1の電源を、前記ブリッジ配置に結合するように作動する少なくとも1つの第1のコンタクトと、
前記第一の層へ第二の電圧を提供する第2の電源を、前記第1の層に結合するように作 動する少なくとも1つの第2のコンタクトと、を有し、
前記第二の電圧の値が前記第一の電圧の結合直後の時間周期の間に前記出力におけるパワーアップドリフトを減少させるように作動することを特徴とする、センサ。
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