JP4178860B2

JP4178860B2 - Electronic component and surface acoustic wave device

Info

Publication number: JP4178860B2
Application number: JP2002208590A
Authority: JP
Inventors: 正志大村; 俊行馬場; 浩司山本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-07-17
Filing date: 2002-07-17
Publication date: 2008-11-12
Anticipated expiration: 2022-07-17
Also published as: JP2004056296A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品素子がケース基板にフェースダウン方式で接合されている構造を有する電子部品及び弾性表面波装置に関し、より詳細には、電子部品素子の機能面への樹脂の流入を防止するための構造が備えられた電子部品及び弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、弾性表面波装置などの電子部品では、電子部品素子をフェースダウン方式でケース基板上に接合し、電子部品素子の機能部分を樹脂により封止した構造が種々提案されている。
【０００３】
図７及び図８はこの種の電子部品の一例としての弾性表面波装置を説明するための略図的正面断面図である。
弾性表面波装置１０１では、ケース基板１０２上に、フェースダウン方式で弾性表面波素子１０３が接合されている。弾性表面波素子１０３では、圧電基板１０４の片面にＩＤＴ電極などの機能電極１０５及び配線電極（図示されず）が形成されている。また、機能電極１０５及び配線電極が形成されている部分の周囲を囲むように枠状のダム部材１０６が形成されている。製造に際しては、弾性表面波素子１０３が、フェースダウン方式でケース基板１０２に接合される。すなわち、図示されていない部分において、配線電極が金属バンプによりケース基板１０２上の電極（図示せず）に接合される。しかる後、紫外線硬化型樹脂を付与し、硬化させることにより、ケース基板１０２と弾性表面波素子１０３との間の空隙Ａが樹脂封止層１０７により封止される。
【０００４】
ところで、上記樹脂封止層１０７を構成する樹脂が、硬化に先立ち機能電極１０５に至ると、弾性表面波素子１０３の特性が劣化する。そこで、図７に示すように、弾性表面波素子１０３に枠状のダム部材１０６が設けられている。このようなダム部材１０６を有する構成は、例えば、特開平５−５５３０３号公報に開示されている。ダム部材１０６を設けることにより、樹脂封止層１０７を構成する樹脂が硬化前に機能電極１０５側に流れることが抑制される。
【０００５】
しかしながら、ダム部材１０６を設けた場合においても、樹脂封止層１０７を構成する樹脂の溶融粘度、ケース基板１０２と弾性表面波素子１０３との間の間隔等によっては、ダム部材１０６を越えて硬化前の樹脂が機能電極１０５側に流入することがあった。
【０００６】
すなわち、樹脂封止層１０７を形成する場合、硬化前は樹脂の粘度が低いため、ダム部材１０６を越えて機能電極１０５側に流延しがちであった。その結果、図７に示すように、樹脂封止層１０７の一部が機能電極１０５側に至ったり、甚だしき場合には、図８に示すようにダム部材１０６を越えて樹脂が大量に流入することもあった。
【０００７】
他方、弾性表面波素子１０３では、機能電極１０５と配線電極とが設けられているが、配線電極は機能電極１０５に一端が連ねられており、他端が外側に延ばされている。従って、図９に略図的部分拡大斜視図で示すように、配線電極１０８の端縁１０８ａ，１０８ｂに沿って、樹脂１０７ａが機能電極側に流延しがちであった。
【０００８】
上記のような問題を解決するには、ダム部材１０６と、機能電極１０５及び配線電極が設けられている領域との間の距離を大きくしたり、ダム部材１０６の幅方向寸法を広げたりすればよい。しかしながら、これらの対策を構じた場合には、弾性表面波装置１０１全体の寸法が大きくなり、かつコストが高くつくという問題があった。
【０００９】
他方、特開平１２−１２４７６７号公報には、図１０に示す弾性表面波装置１１１が開示されている。弾性表面波装置１１１では、弾性表面波素子１１２が、ケース基板１１３に樹脂封止層１１４を介して接合されている。ここでは、弾性表面波素子１１２の機能電極１１５が設けられている領域を覆うように枠状の封止壁１１６が予め弾性表面波素子１１２に接合されている。そして、封止壁１１６により樹脂封止層１１４を構成する樹脂の内部への侵入が防止されている。
【００１０】
他方、特開平１０−２１５１４２号公報には、図１１に示す弾性表面波装置１２１が開示されている。弾性表面波装置１２１では、ケース基板１２２の上面に凹部１２２ａが形成されている。弾性表面波素子１２３は、フェースダウン方式でケース基板１２２に接合されている。上記凹部１２２ａにより、機能電極１２４が望む空隙Ａが形成されている。従って、図１１に示されているように、樹脂封止層１２５を、弾性表面波素子１２３の側面及び上面を被覆するように設けることにより、空隙Ａの熱硬化性樹脂の流入が防止される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のダム部材１０６を設けた構成では、樹脂封止層１０７を構成する樹脂の機能電極１０５側への流入を確実に防止することができなかった。
【００１２】
また、弾性表面波装置１１１のように、封止壁１１６を設けた場合には、大量生産に際しマザーの弾性表面波素子用ウエハー上に多数の封止壁１１６を接合しなければならなかった。従って、製造工程が複雑化する。加えて、マザーのウエハーの平坦性が十分でない場合には、あるいはケース基板１１３の平坦性が十分でない場合には、樹脂封止層１１４により安定に空隙Ａを封止することができないことがあった。さらに、フェースダウン方式で弾性表面波素子１１２の配線電極とケース基板１１３の電極とをバンプにより接合した場合、枠状封止壁１１６が先にケース基板１１３に当接し、バンプによる接合を確実に行い得ないことがあった。
【００１３】
さらに、弾性表面波装置１２１のように、凹部１２２ａを形成した場合には、樹脂の空隙Ａへの流入を抑制することができるものの、ケース基板１２２を構成するウエハー上に多数の凹部を形成しなければならなかった。従って、製造工程が煩雑となり、かつコストが高くつかざるを得なかった。
【００１４】
他方、従来のこの種の電子部品の製造に際しては、紫外線硬化型の樹脂や熱硬化型の樹脂により樹脂封止層が設けられていたが、弾性表面波素子やケース基板に設けられた電極パターンの存在により、紫外線照射による硬化が十分でないこともあった。加えて、高粘度の樹脂を用いた場合には、上述した流入量を制御できず、作業性が十分でないという問題もあった。他方、常温で低粘度の樹脂を用いた場合には、図８に示したように、ダム部材１０６を受けたとしても、機能電極１０５側へ多量の樹脂が流入しがちであるという問題があった。
【００１５】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、電子部品素子がケース基板にフェースダウン方式で接合されており、かつ電子部品素子とケース基板との間の空間が樹脂封止層で封止されている電子部品において、樹脂封止層を構成する樹脂の機能電極側への流入を確実に防止することができる電子部品及び弾性表面波装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子部品は、第１，第２の主面を有し、第１の主面が、機能面となるように、第１の主面に機能電極と、機能電極に接続された配線電極とが設けられた電子部品素子と、前記電子部品素子が第１の主面側からフェースダウン方式で接合されているケース基板と、前記ケース基板と電子部品素子の第１の主面との間の空間を封止するように設けられた樹脂封止層と、前記樹脂封止層を構成している樹脂が前記電子部品素子の機能電極側への流入を防止するために、前記機能電極の外側において電子部品素子に設けられており、かつ枠状の第１のダム部材とを備える電子部品において、前記第１のダム部材の内側であって、かつ前記機能電極の周囲において電子部品素子に設けられた枠状の第２のダム部材をさらに備え、前記第１のダム部材の延びる方向に延びるスリットが該第１のダム部材に少なくとも１つ以上形成されており、前記ダム部材と前記ケース基板との間隔が１５μｍ以下であることを特徴とする。第１のダム部材の内側において、かつ機能電極の周囲に、枠状の第２の部材がさらに設けられているため、樹脂封止層を構成する樹脂が機能電極が設けられている領域へ流入し難くされている。
【００１７】
本発明の電子部品のある特定の局面では、第１のダム部材が第２のダム部材よりも高くされている。
【００２１】
本発明は、様々な電子部品に適用されるが、本発明のある特定の局面では、上記電子部品素子として弾性表面波素子が用いられ、それによって本発明の弾性表面波装置が構成される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置に用いられる弾性表面波素子の底面図であり、図２は、本実施例の弾性表面波装置の部分切欠正面断面図である。
【００２４】
図２に示すように弾性表面波装置１は、ケース基板２と、ケース基板２に接合された弾性表面波素子３とを有する。ケース基板２はアルミナなどの絶縁性セラミックスあるいは合成樹脂などにより形成されている。図２では図示を省略されているが、上面２ａに弾性表面波素子３にバンプにより接続される電極が形成されている。
【００２５】
図１に戻り、弾性表面波素子３は、複数のＩＤＴ電極４，５を有する。ＩＤＴ電極４，５が、本発明における機能電極を構成している。ＩＤＴ電極４に接続されるように配線電極６ａ，６ｂが、ＩＤＴ電極５に電気的に接続されるように配線電極６ｃ，６ｄが形成されている。配線電極６ａ〜６ｄには、破線Ｂで示す位置にバンプが付与され、バンプによりケース基板２上の電極に配線電極６ａ〜６ｄが接合される。
【００２６】
上記機能電極としてのＩＤＴ電極４，５及び配線電極６ａ〜６ｄは、ＬｉＴａＯ₃，ＬｉＮｂＯ₃などの圧電材料からなる圧電基板７の下面７ａに形成されている。
【００２７】
圧電基板７は、下面７ａと上面７ｂ（図２参照）とを第１，第２の主面として有している。
弾性表面波素子３は、図２に示されているように、機能電極としてのＩＤＴ電極４，５が形成されている側の主面、すなわち下面７ａ側からケース基板２にバンプにより接合される。
【００２８】
図１に戻り弾性表面波素子３の下面には、第１，第２のダム部材８，９が形成されている。ダム部材８，９は矩形枠状の形状を有するが、円環状などの他の形状を有していてもよい。
【００２９】
第１，第２のダム部材８，９を構成する材料としては、合成樹脂などの適宜の絶縁性材料を用いることができる。
第１，第２のダム部材８，９は、後述する樹脂封止層を構成する樹脂の機能電極４，５側への流入を抑制するために設けられている。第２のダム部材９は、第１のダム部材８よりも内側に形成されている。また、第２のダム部材９は、ＩＤＴ電極４，５が形成されている領域、すなわち機能領域の外側に位置するように設けられている。
【００３０】
本実施例では、第１のダム部材８の外側から第２のダム部材９の内側に延びるように配線電極６ａ〜６ｄが形成されている。配線電極６ａ〜６ｄの内側端部はＩＤＴ電極４または５に連ねられている。もっとも、第１のダム部材８は、配線電極６ａ〜６ｄの外側に位置するように設けられていてもよい。
【００３１】
また、本実施例では、第１，第２のダム部材８，９が、配線電極６ａ〜６ｄの端縁と交叉するように設けられている。すなわち、配線電極６ａを例に取ると、端縁６ａ₁，６ａ₂に交叉するように第１のダム部材８が設けられており、第２のダム部材９は、端縁６ａ₂，及び端縁６ａ₃に交叉するように設けられている。
【００３２】
図２に戻り、弾性表面波装置１を製造するに際しては、ケース基板２上に、まず弾性表面波素子３をフェースダウン方式で接合する。すなわち、下面７ａがケース基板２と対向するように配置され、図１の矢印Ｂの位置に付与されたバンプにより、配線電極６ａ〜６ｄがケース基板２上の電極（図示せず）に接合される。この場合、ケース基板２の上面２ａと、圧電基板７の下面７ａとの間に空隙が形成される。空隙Ａを封止するために、熱硬化型の樹脂が付与され、熱の照射により硬化されて、樹脂封止層１０が形成される。
【００３３】
本実施例では、第１，第２のダム部材８，９が設けられているため、図２に示すように、硬化開始時に樹脂の粘度が低下し、樹脂封止層１０を構成する樹脂が第１のダム部材８を越えて内側に入り込んだとしても、第２のダム部材９の存在により、第２のダム部材９の内側への樹脂の流入を抑制することができる。
【００３４】
従って、樹脂のＩＤＴ電極４，５への付着を抑制することができ、それによって弾性表面波素子３の特性の劣化が生じ難くされている。
また、樹脂封止層１０を構成する樹脂が低粘度の状態にある場合、該樹脂が、配線電極６ａ〜６ｄの端縁を伝って内側に流延しやすくなる。しかしながら、本実施例では、第１，第２のダム部材８，９が、上述したように配線電極６ａ〜６ｄの端縁に交叉するように配置されているので、交叉部分において樹脂の配線電極６ａ〜６ｄの端縁に沿った移動が確実に抑制される。
【００３５】
上記樹脂封止層１０を構成する樹脂材料としては、熱硬化型の樹脂が用いられるが、このような熱硬化型の樹脂としては、熱硬化型のエポキシ樹脂などを挙げることができ、特に限定されるものではない。もっとも、熱硬化型の樹脂に変えて、紫外線型の樹脂を用いてもよい。
【００３６】
図３は、第１の実施例の弾性表面波装置１の変形例を説明するための図であり、本変形例において用いられる弾性表面波素子の底面図である。
上記実施例では、第１の枠状ダム部材８は、配線電極６ａ〜６ｄの一部を通過するように設けられていたが、図３に示すように、第１のダム部材８は、配線電極６ａ〜６ｄが設けられている領域の外側に、すなわちバンプが付与される位置Ｂよりも外側に位置するように設けられてもよい。
【００３７】
もっとも、図１に示すように、第１のダム部材８の外側から内側に延びるように配線電極６ａ〜６ｄが形成されている構造を採用することにより、弾性表面波装置１のより一層の小型化を図ることができる。
【００３８】
図４は、第１の実施例の弾性表面波装置１のさらに他の変形例を説明するための部分切欠正面断面図である。
本実施例では、第１のダム部材８のケース基板２と対向する面８ａに、該ダム部材８が延びる方向に延びるスリット８ｂが形成されている。その他の構造は、第１の実施例と同様であるため、同一部分については、同一の参照番号を付することにより詳細な説明を省略する。
【００３９】
本変形例では、スリット８ｂの存在により、樹脂封止層１０を構成する樹脂が第１のダム部材８を越えて内側に流延しようとした場合、スリット８ｂ内に樹脂か侵入することにより、ダム部材８よりも内側への樹脂の流延を抑制することができる。従って、好ましくは、第１のダム部材８のケース基板２に対向している面８ａにスリット８ｂを設けることが望ましい。より好ましくは、第２のダム部材９のケース基板２の対向しいてる面９ａにも、同様にスリットを設けることが望ましい。
【００４１】
上記実施例及び変形例の弾性表面波装置では、第１，第２のダム部材８，９を配置することにより、樹脂封止層１０を構成する樹脂のＩＤＴ電極４，５が形成されている領域への流延が抑制されていた。もっとも、樹脂封止層を構成する樹脂の種類によって、ダム部材８，９を越えてＩＤＴ電極４，５側への流入が生じる恐れがある。従って、上記流延を抑制するには、好ましくは、樹脂封止層を構成する樹脂として、内側への流延が生じ難いものを用いることが望ましい。
【００４２】
図５は、樹脂封止層を構成する樹脂として、常温（２５℃）の粘度が種々異なる樹脂を用い、上記弾性表面波装置１を構成した場合の挿入損失変化を示す。挿入損失の変化は、ネットワークアナライザにより最小挿入損失点での挿入変化量により求められた値であり、第２のダム部材９を越えて内側に樹脂が流延する量に対応する。すなわち、樹脂の内側への流入が多いほど、挿入損失が増加する。
【００４３】
図５から明らかなように、常温（２５℃）の粘度が１００Ｐａ・Ｓ以上の範囲にある樹脂を用いることにより、挿入変化が低減し、樹脂のＩＤＴ電極４，５が設けられている領域への流入を効果的に抑制し得ることがわかる。なお、粘度が高すぎると、樹脂で封止ができなくなることがあり、粘度は２０００Ｐａ・Ｓ以下が望ましい。また、常温における粘度が１００〜２０００Ｐａ・Ｓの範囲にある樹脂は、硬化開始時での粘度が５０〜１０００Ｐａ・Ｓであった。従って、好ましくは、常温における粘度が１００〜２０００Ｐａ・Ｓであり、硬化開始時の粘度が５０〜１０００Ｐａ・Ｓの範囲にある樹脂、より好ましくは、常温における粘度が５００〜１０００Ｐａ・Ｓであり、硬化開始時の粘度が１００〜５００Ｐａ・Ｓである樹脂を用いることが望ましい。
【００４４】
また、上記実施例では、第１，第２のダム部材８，９が設けられたが、この場合、第１，第２のダム部材８，９のケース基板２に対向している面８ａ，９ａとケース基板２との間の間隔のうち狭い方の間隔を種々変更した場合の樹脂封止層１０を構成する樹脂の流入量の変化を示す図である。
【００４５】
図６から明らかなように、ダム部材８，９とケース基板２との間の最小間隔を１５μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下とすれば、樹脂の流入を効果的に抑制し得ることがわかる。
【００４６】
従って、常温における粘度が１００〜２０００Ｐａ・Ｓであり、硬化時の粘度が５０〜１０００Ｐａ・Ｓの範囲に入る樹脂を用い、かつダム部材とケース基板との間の最小間隔を１５μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下すれば、樹脂の機能領域側への流入を確実に抑制し得ることがわかる。
【００４７】
上記実施例では、弾性表面波素子をフェースダウン方式でケース基板に接合してなる弾性表面波装置につき説明したが、本発明は、弾性表面波素子以外の電子部品素子を用いた電子部品にも適用することができる。
【００４８】
【発明の効果】
本発明に係る電子部品では、電子部品素子の機能電極の外側に、枠状の第１，第２ダム部材が設けられているため、樹脂封止層を構成する樹脂を付与し、ケース基板と電子部品素子の第１の主面との間の空間を封止した場合、樹脂の機能領域への流延を確実に抑制することができる。第１のダム部材に加えて第２のダム部材を追加するだけでよいため、第１のダム部材を有する電子部品と同様の製造工程により第１，第２のダム部材を有する本発明の電子部品を容易に得ることができる。従って、本発明によれば、製造工程の煩雑さを招くことなく、特性の安定な電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置に用いられる弾性表面波素子の底面図。
【図２】本発明の第１の実施例の弾性表面波装置の部分切欠正面断面図。
【図３】第１の実施例の弾性表面波装置の変形例を説明するための弾性表面波素子の底面図。
【図４】第１の実施例の弾性表面波装置のさらに他の変形例を説明するための正面断面図。
【図５】実施例の弾性表面波装置において、樹脂封止層を構成する樹脂の常温（２５℃）での粘度を変化させた場合の樹脂の第１，第２のダム部材の内側への流入量の変化を示す図。
【図６】実施例の弾性表面波装置において、ケース基板と第１，第２のダム部材のケース基板に対向している面との間の最小間隔を変化させた場合の樹脂流入量の変化を示す図。
【図７】従来の弾性表面波装置の一例を説明するための表面断面図。
【図８】従来の弾性表面波装置の一例において、樹脂が機能電極側に多量に流入した状態を示す正面断面図。
【図９】従来の弾性表面波装置において、配線電極の端縁に沿って樹脂が流入する状態を説明するための略図的部分切欠斜視図。
【図１０】従来の弾性表面波装置の他の例を説明するための正面断面図。
【図１１】従来の弾性表面波装置のさらに他の例を説明するための正面断面図。
【符号の説明】
１…弾性表面波装置
２…ケース基板
２ａ…上面
３…弾性表面波素子
４，５…ＩＤＴ電極
６ａ〜６ｄ…配線電極
６ａ₁〜６ａ₃…端縁
７…圧電基板
７ａ…下面（第１の主面）
７ｂ…上面（第２の主面）
８…第１のダム部材
８ａ，９ａ…ダム部材のケース基板に対向している面
８ｂ…スリット
９…第２のダム部材
１０…樹脂封止層
１０ａ…樹脂流入部分[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic component and a surface acoustic wave device having a structure in which an electronic component element is bonded to a case substrate in a face-down manner, and more specifically, prevents resin from flowing into the functional surface of the electronic component element. The present invention relates to an electronic component and a surface acoustic wave device provided with a structure for the purpose.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, various electronic parts such as a surface acoustic wave device have been proposed in which an electronic component element is bonded onto a case substrate in a face-down manner, and a functional part of the electronic component element is sealed with a resin.
[0003]
7 and 8 are schematic front sectional views for explaining a surface acoustic wave device as an example of this type of electronic component.
In the surface acoustic wave device 101, a surface acoustic wave element 103 is bonded on a case substrate 102 by a face-down method. In the surface acoustic wave element 103, a functional electrode 105 such as an IDT electrode and a wiring electrode (not shown) are formed on one surface of the piezoelectric substrate 104. A frame-shaped dam member 106 is formed so as to surround the periphery of the portion where the functional electrode 105 and the wiring electrode are formed. In manufacturing, the surface acoustic wave element 103 is bonded to the case substrate 102 by a face-down method. That is, in a portion not shown, the wiring electrode is bonded to an electrode (not shown) on the case substrate 102 by a metal bump. Thereafter, by applying and curing an ultraviolet curable resin, the gap A between the case substrate 102 and the surface acoustic wave element 103 is sealed with the resin sealing layer 107.
[0004]
By the way, when the resin constituting the resin sealing layer 107 reaches the functional electrode 105 prior to curing, the characteristics of the surface acoustic wave element 103 deteriorate. Therefore, as shown in FIG. 7, the surface acoustic wave element 103 is provided with a frame-shaped dam member 106. A configuration having such a dam member 106 is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-55303. By providing the dam member 106, the resin constituting the resin sealing layer 107 is suppressed from flowing toward the functional electrode 105 before curing.
[0005]
However, even when the dam member 106 is provided, the resin is cured beyond the dam member 106 depending on the melt viscosity of the resin constituting the resin sealing layer 107, the interval between the case substrate 102 and the surface acoustic wave element 103, and the like. The previous resin may flow into the functional electrode 105 side.
[0006]
That is, when the resin sealing layer 107 is formed, since the viscosity of the resin is low before curing, the resin sealing layer 107 tends to be cast over the dam member 106 to the functional electrode 105 side. As a result, as shown in FIG. 7, when a part of the resin sealing layer 107 reaches the functional electrode 105 side or is excessive, the resin flows in a large amount beyond the dam member 106 as shown in FIG. 8. There was also.
[0007]
On the other hand, the surface acoustic wave element 103 is provided with a functional electrode 105 and a wiring electrode. The wiring electrode has one end connected to the functional electrode 105 and the other end extended outward. Therefore, as shown in a schematic partial enlarged perspective view in FIG. 9, the resin 107 a tends to flow along the end edges 108 a and 108 b of the wiring electrode 108 to the functional electrode side.
[0008]
In order to solve the above problems, the distance between the dam member 106 and the region where the functional electrode 105 and the wiring electrode are provided is increased, or the width direction dimension of the dam member 106 is increased. Good. However, when these measures are taken, there are problems that the overall surface acoustic wave device 101 is large in size and expensive.
[0009]
On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 12-124767 discloses a surface acoustic wave device 111 shown in FIG. In the surface acoustic wave device 111, the surface acoustic wave element 112 is bonded to the case substrate 113 via the resin sealing layer 114. Here, a frame-shaped sealing wall 116 is bonded to the surface acoustic wave element 112 in advance so as to cover a region where the functional electrode 115 of the surface acoustic wave element 112 is provided. The sealing wall 116 prevents the resin constituting the resin sealing layer 114 from entering the inside.
[0010]
On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 10-215142 discloses a surface acoustic wave device 121 shown in FIG. In the surface acoustic wave device 121, a recess 122 a is formed on the upper surface of the case substrate 122. The surface acoustic wave element 123 is bonded to the case substrate 122 by a face-down method. A gap A desired by the functional electrode 124 is formed by the recess 122a. Therefore, as shown in FIG. 11, by providing the resin sealing layer 125 so as to cover the side surface and the upper surface of the surface acoustic wave element 123, the inflow of the thermosetting resin in the gap A is prevented. .
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the configuration in which the conventional dam member 106 is provided, the inflow of the resin constituting the resin sealing layer 107 to the functional electrode 105 side cannot be reliably prevented.
[0012]
Further, when the sealing wall 116 is provided as in the surface acoustic wave device 111, a large number of sealing walls 116 have to be bonded onto the mother surface acoustic wave element wafer in mass production. Therefore, the manufacturing process becomes complicated. In addition, when the flatness of the mother wafer is not sufficient, or when the flatness of the case substrate 113 is not sufficient, the resin sealing layer 114 may not be able to stably seal the gap A. It was. Further, when the wiring electrode of the surface acoustic wave element 112 and the electrode of the case substrate 113 are joined by bumps in a face-down manner, the frame-shaped sealing wall 116 first comes into contact with the case substrate 113 to ensure the joining by the bumps. Sometimes it was not possible.
[0013]
Further, when the concave portion 122a is formed as in the surface acoustic wave device 121, the inflow of the resin into the gap A can be suppressed, but a large number of concave portions are formed on the wafer constituting the case substrate 122. I had to. Therefore, the manufacturing process becomes complicated and the cost has to be high.
[0014]
On the other hand, in the manufacture of this type of conventional electronic component, a resin sealing layer is provided by an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, but an electrode pattern provided on a surface acoustic wave element or a case substrate. Due to the presence of, there were cases where curing by ultraviolet irradiation was not sufficient. In addition, when a high-viscosity resin is used, there is a problem that the above-described inflow amount cannot be controlled and workability is not sufficient. On the other hand, when using a low-viscosity resin at room temperature, there is a problem that a large amount of resin tends to flow into the functional electrode 105 side even if the dam member 106 is received as shown in FIG. It was.
[0015]
An object of the present invention is to provide an electronic component element bonded to a case substrate in a face-down manner in view of the above-described state of the prior art, and a space between the electronic component element and the case substrate is sealed with a resin sealing layer. An object of the present invention is to provide an electronic component and a surface acoustic wave device capable of reliably preventing the resin constituting the resin sealing layer from flowing into the functional electrode side in the stopped electronic component.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
The electronic component according to the present invention has a first main surface and a functional electrode on the first main surface and the functional electrode so that the first main surface is a functional surface. An electronic component element provided with a wiring electrode; a case substrate in which the electronic component element is bonded in a face-down manner from the first main surface side; and the case substrate and the first main surface of the electronic component element; A resin sealing layer provided so as to seal a space between the resin and the resin constituting the resin sealing layer in order to prevent the electronic component element from flowing into the functional electrode side, the function An electronic component provided on the electronic component element outside the electrode and having a frame-shaped first dam member, wherein the electronic component is inside the first dam member and around the functional electrode A frame-shaped second dam member provided on the element; Slit extending in a direction of extension of the arm member is formed at least one or more first dam member, the gap between the dam member and the casing substrate is characterized in der Rukoto below 15 [mu] m. Since the frame-shaped second member is further provided inside the first dam member and around the functional electrode, the resin constituting the resin sealing layer flows into the region where the functional electrode is provided. It is hard to do.
[0017]
In a specific aspect of the electronic component of the present invention, the first dam member is higher than the second dam member.
[0021]
The present invention can be applied to various electronic components. In a specific aspect of the present invention, a surface acoustic wave element is used as the electronic component element, thereby forming the surface acoustic wave device of the present invention.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.
[0023]
FIG. 1 is a bottom view of a surface acoustic wave element used in a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partially cutaway front sectional view of the surface acoustic wave device according to the present embodiment. is there.
[0024]
As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave device 1 includes a case substrate 2 and a surface acoustic wave element 3 bonded to the case substrate 2. The case substrate 2 is made of an insulating ceramic such as alumina or a synthetic resin. Although not shown in FIG. 2, an electrode connected to the surface acoustic wave element 3 by a bump is formed on the upper surface 2a.
[0025]
Returning to FIG. 1, the surface acoustic wave element 3 includes a plurality of IDT electrodes 4 and 5. The IDT electrodes 4 and 5 constitute a functional electrode in the present invention. Wiring electrodes 6 a and 6 b are formed so as to be connected to the IDT electrode 4, and wiring electrodes 6 c and 6 d are formed so as to be electrically connected to the IDT electrode 5. Bumps are applied to the wiring electrodes 6a to 6d at positions indicated by broken lines B, and the wiring electrodes 6a to 6d are joined to the electrodes on the case substrate 2 by the bumps.
[0026]
The IDT electrodes 4 and 5 and the wiring electrodes 6a to 6d as the functional electrodes are formed on the lower surface 7a of the piezoelectric substrate 7 made of a piezoelectric material such as LiTaO ₃ or LiNbO ₃ .
[0027]
The piezoelectric substrate 7 has a lower surface 7a and an upper surface 7b (see FIG. 2) as first and second main surfaces.
As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave element 3 is joined to the case substrate 2 by bumps from the main surface on which the IDT electrodes 4 and 5 as functional electrodes are formed, that is, the lower surface 7a side. .
[0028]
Returning to FIG. 1, first and second dam members 8 and 9 are formed on the lower surface of the surface acoustic wave element 3. The dam members 8 and 9 have a rectangular frame shape, but may have other shapes such as an annular shape.
[0029]
As a material constituting the first and second dam members 8 and 9, an appropriate insulating material such as a synthetic resin can be used.
The 1st, 2nd dam members 8 and 9 are provided in order to suppress the inflow to the functional electrode 4 and 5 side of the resin which comprises the resin sealing layer mentioned later. The second dam member 9 is formed inside the first dam member 8. Further, the second dam member 9 is provided so as to be located outside the region where the IDT electrodes 4 and 5 are formed, that is, the functional region.
[0030]
In this embodiment, the wiring electrodes 6 a to 6 d are formed so as to extend from the outside of the first dam member 8 to the inside of the second dam member 9. The inner ends of the wiring electrodes 6 a to 6 d are connected to the IDT electrode 4 or 5. But the 1st dam member 8 may be provided so that it may be located in the outer side of wiring electrode 6a-6d.
[0031]
In the present embodiment, the first and second dam members 8 and 9 are provided so as to cross the edges of the wiring electrodes 6a to 6d. That is, when the wiring electrode 6a is taken as an example, the first dam member 8 is provided so as to cross the end edges 6a ₁ and 6a ₂ , and the second dam member 9 includes the end edge 6a ₂ and the end edge 6a ₂ . It is provided so as to cross the edge 6a ₃ .
[0032]
Returning to FIG. 2, when the surface acoustic wave device 1 is manufactured, the surface acoustic wave element 3 is first bonded to the case substrate 2 by the face-down method. That is, the lower surface 7a is disposed so as to face the case substrate 2, and the wiring electrodes 6a to 6d are joined to electrodes (not shown) on the case substrate 2 by bumps provided at the positions indicated by arrows B in FIG. The In this case, a gap is formed between the upper surface 2 a of the case substrate 2 and the lower surface 7 a of the piezoelectric substrate 7. In order to seal the gap A, a thermosetting resin is applied and cured by heat irradiation to form the resin sealing layer 10.
[0033]
In the present embodiment, since the first and second dam members 8 and 9 are provided, as shown in FIG. 2, the viscosity of the resin decreases at the start of curing, and the resin constituting the resin sealing layer 10 is reduced. Even if the first dam member 8 enters the inside, the presence of the second dam member 9 can suppress the inflow of resin to the inside of the second dam member 9.
[0034]
Accordingly, it is possible to suppress the adhesion of the resin to the IDT electrodes 4 and 5, thereby making it difficult for the characteristics of the surface acoustic wave element 3 to deteriorate.
Moreover, when resin which comprises the resin sealing layer 10 exists in a low-viscosity state, this resin becomes easy to cast inside along the edge of wiring electrode 6a-6d. However, in this embodiment, since the first and second dam members 8 and 9 are arranged so as to cross over the edges of the wiring electrodes 6a to 6d as described above, the resin wiring electrodes are formed at the crossing portions. Movement along the edges 6a to 6d is reliably suppressed.
[0035]
As the resin material constituting the resin sealing layer 10, a thermosetting resin is used, and examples of such a thermosetting resin include a thermosetting epoxy resin. Is not to be done. However, instead of the thermosetting resin, an ultraviolet resin may be used.
[0036]
FIG. 3 is a diagram for explaining a modification of the surface acoustic wave device 1 according to the first embodiment, and is a bottom view of the surface acoustic wave element used in the present modification.
In the said Example, although the 1st frame-shaped dam member 8 was provided so that a part of wiring electrodes 6a-6d might pass, as shown in FIG. You may provide so that it may be located in the outer side of the area | region where the electrodes 6a-6d are provided, ie, the position B where a bump is provided.
[0037]
However, as shown in FIG. 1, by adopting a structure in which the wiring electrodes 6a to 6d are formed so as to extend from the outside to the inside of the first dam member 8, the surface acoustic wave device 1 can be further reduced in size. Can be achieved.
[0038]
FIG. 4 is a partially cutaway front cross-sectional view for explaining still another modification of the surface acoustic wave device 1 of the first embodiment.
In this embodiment, a slit 8b extending in the direction in which the dam member 8 extends is formed on the surface 8a of the first dam member 8 facing the case substrate 2. Since other structures are the same as those of the first embodiment, the same portions are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0039]
In this modification, when the resin constituting the resin sealing layer 10 tries to flow inward beyond the first dam member 8 due to the presence of the slit 8b, the resin penetrates into the slit 8b, The casting of the resin to the inner side than the dam member 8 can be suppressed. Accordingly, it is preferable to provide the slit 8b on the surface 8a of the first dam member 8 facing the case substrate 2. More preferably, it is desirable to similarly provide a slit on the facing surface 9a of the case substrate 2 of the second dam member 9 as well.
[0041]
In the surface acoustic wave devices of the above-described embodiments and modifications, the resin IDT electrodes 4 and 5 constituting the resin sealing layer 10 are formed by arranging the first and second dam members 8 and 9. Casting to the area was suppressed. However, depending on the type of resin constituting the resin sealing layer, there is a possibility that inflow to the IDT electrodes 4 and 5 side may occur beyond the dam members 8 and 9. Therefore, in order to suppress the casting, it is desirable to use a resin that hardly causes inward casting as the resin constituting the resin sealing layer.
[0042]
FIG. 5 shows changes in insertion loss when the surface acoustic wave device 1 is configured by using resins having different viscosities at room temperature (25 ° C.) as the resin constituting the resin sealing layer. The change in insertion loss is a value obtained from the amount of change in insertion at the minimum insertion loss point by a network analyzer, and corresponds to the amount of resin cast inside beyond the second dam member 9. That is, the greater the inflow of resin into the interior, the greater the insertion loss.
[0043]
As is apparent from FIG. 5, by using a resin having a viscosity at room temperature (25 ° C.) in the range of 100 Pa · S or more, the change in insertion is reduced, and the region where the resin IDT electrodes 4 and 5 are provided. It can be seen that the inflow of water can be effectively suppressed. If the viscosity is too high, sealing may not be possible with resin, and the viscosity is desirably 2000 Pa · S or less. Further, the resin having a viscosity at room temperature in the range of 100 to 2000 Pa · S had a viscosity at the start of curing of 50 to 1000 Pa · S. Therefore, preferably, the viscosity at room temperature is 100 to 2000 Pa · S, the viscosity at the start of curing is in the range of 50 to 1000 Pa · S, more preferably the viscosity at normal temperature is 500 to 1000 Pa · S, It is desirable to use a resin having a viscosity at the start of curing of 100 to 500 Pa · S.
[0044]
In the above embodiment, the first and second dam members 8 and 9 are provided. In this case, the surfaces 8a and 8a of the first and second dam members 8 and 9 facing the case substrate 2 are provided. It is a figure which shows the change of the inflow amount of the resin which comprises the resin sealing layer 10 at the time of variously changing the narrower space | interval among the space | intervals between 9a and the case board | substrate 2. FIG.
[0045]
As is apparent from FIG. 6, it can be seen that if the minimum distance between the dam members 8 and 9 and the case substrate 2 is 15 μm or less, preferably 10 μm or less, the inflow of resin can be effectively suppressed.
[0046]
Accordingly, a resin having a viscosity at room temperature of 100 to 2000 Pa · S, a viscosity at the time of curing of 50 to 1000 Pa · S, and a minimum distance between the dam member and the case substrate of 15 μm or less, preferably It can be seen that if the thickness is 10 μm or less, the inflow of the resin to the functional region side can be reliably suppressed.
[0047]
In the above embodiment, the surface acoustic wave device in which the surface acoustic wave element is bonded to the case substrate by the face-down method has been described. However, the present invention is applicable to an electronic component using an electronic component element other than the surface acoustic wave element. Can be applied.
[0048]
【The invention's effect】
In the electronic component according to the present invention, since the frame-shaped first and second dam members are provided outside the functional electrode of the electronic component element, the resin constituting the resin sealing layer is provided, and the case substrate and When the space between the first main surface of the electronic component element is sealed, the casting of the resin to the functional region can be reliably suppressed. Since it is only necessary to add the second dam member in addition to the first dam member, the electronic device of the present invention having the first and second dam members is manufactured by the same manufacturing process as the electronic component having the first dam member. Parts can be easily obtained. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an electronic component with stable characteristics without incurring complicated manufacturing processes.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a bottom view of a surface acoustic wave element used in a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the invention.
FIG. 2 is a partially cutaway front sectional view of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a bottom view of a surface acoustic wave element for explaining a modification of the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
FIG. 4 is a front sectional view for explaining still another modification of the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
FIG. 5 shows that in the surface acoustic wave device according to the embodiment, when the viscosity of the resin constituting the resin sealing layer is changed at room temperature (25 ° C.), the inside of the first and second dam members of the resin is changed. The figure which shows the change of inflow.
FIG. 6 shows how the resin inflow changes when the minimum distance between the case substrate and the surface of the first and second dam members facing the case substrate is changed in the surface acoustic wave device according to the embodiment. FIG.
FIG. 7 is a surface cross-sectional view for explaining an example of a conventional surface acoustic wave device.
FIG. 8 is a front sectional view showing a state in which a large amount of resin flows into the functional electrode side in an example of a conventional surface acoustic wave device.
FIG. 9 is a schematic partially cutaway perspective view for explaining a state in which resin flows along an edge of a wiring electrode in a conventional surface acoustic wave device.
FIG. 10 is a front sectional view for explaining another example of a conventional surface acoustic wave device.
FIG. 11 is a front sectional view for explaining still another example of the conventional surface acoustic wave device.
[Explanation of symbols]
1 ... the surface acoustic wave device 2 ... case substrate 2a ... top 3 ... the surface acoustic wave element 4, 5 ... IDT electrodes 6 a to 6 d ... wiring electrode 6a ₁ ～6A ₃ ... edge 7 ... piezoelectric substrate 7a ... lower surface (first Main surface)
7b ... Upper surface (second main surface)
8 ... 1st dam member 8a, 9a ... Surface 8b facing the case board | substrate of a dam member ... Slit 9 ... 2nd dam member 10 ... Resin sealing layer 10a ... Resin inflow part

Claims

An electron having a first main surface and a functional electrode on the first main surface and a wiring electrode connected to the functional electrode so that the first main surface is a functional surface. Component elements,
A case substrate in which the electronic component element is bonded in a face-down manner from the first main surface side;
A resin sealing layer provided so as to seal a space between the case substrate and the first main surface of the electronic component element;
In order to prevent the resin constituting the resin sealing layer from flowing into the functional electrode side of the electronic component element, the resin component is provided on the electronic component element outside the functional electrode, and the frame-shaped first In an electronic component comprising a dam member,
A frame-like second dam member provided inside the first dam member and provided on the electronic component element around the functional electrode;
The first slit extending in a direction of extension of the dam member is formed at least one or more first dam member, the gap between the dam member and the casing substrate is characterized in der Rukoto below 15μm , Electronic components.

The electronic component according to claim 1, wherein an interval between the dam member and the case substrate is 10 μm or less.

It said first dam member, the second being higher than the dam member, the electronic component according to claim 1 or 2.

The electronic component according to any one of claims 1 to 3, wherein the electronic component element is a surface acoustic wave device, a surface acoustic wave device.