JP4147762B2 - マイクロレンズ基板の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および投射型表示装置に関するものである。更に詳しくは、マイクロレンズ基板を製造する際のアライメント技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶プロジェクタなどの投射型表示装置は、光源から照射された光をライトバルブとしての電気光学装置で光変調した後、前方へ拡大投射するように形成されている。電気光学装置の一例である液晶装置としては、表示品位を高めるためにアクティブマトリクス型の液晶装置が多く用いられている。
【０００３】
アクティブマトリクス型の液晶装置では、図１４に示すように、アクティブマトリクス基板１０の側に、画素電極９ａを備える画素がマトリクス状に形成されているとともに、各画素毎にＴＦＴ３０（薄膜トランジスタ）などのアクティブ素子が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶装置は、高いコントラスト比を容易に得ることができる反面、各画素毎にＴＦＴ３０や容量部などを作り込む必要があるため、十分な開口率を得ることが難しいという問題点がある。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域やドレイン端に強い光が照射されると、光電流が発生し、ＴＦＴ３０の特性が変化する原因となる。
【０００４】
そこで、液晶装置を構成する一対の基板のうち、光入射側に位置する対向基板２００にブラックマトリクスなどと称せられる遮光膜２３を形成して、コントラストの向上を図るとともに、ＴＦＴ３０に強い光が照射されるのを防止した構成が採用されている。また、対向基板２００に多数の微少なマイクロレンズ５００を形成し、各マイクロレンズ５００によって、遮光膜２３などにより反射、遮光されて損失していた入射光を各画素の開口部分に集光させることにより、透過光量を増大させ、開口率を向上させた場合と同様の効果を得る技術が採用されている。
【０００５】
このようなマイクロレンズ５００は、ガラスなどからなる第１の透明基板２０の表面上に微少な凹曲面部２６を形成した後、この凹曲面部２６を、第１の透明基板２０とは異なる屈折率を備えた透明材料２１０、例えば合成樹脂材料、あるいは無機ガラス材料によって充填することにより構成される。
【０００６】
このような構成の対向基板２００を製法するにあたって、従来は、詳しくは図１６ないし図１９を参照して説明するが、図１５（Ａ）に示すように、対向基板２００を複数枚、切り出すことのできる大型基板に対して一括、露光を行ってマイクロレンズ５００を形成するとともに、マイクロレンズ５００の境界領域に遮光膜２３を形成する。この際、マイクロレンズ５００と遮光膜２３との位置関係がずれると、透過光量の低下などが発生するので、大型基板にはアライメントマーク２２５が形成される。
【０００７】
このような方法で対向基板２００を製造するには、まず、図１６（Ａ）に示すように、大型の第１の透明基板２０の表面全体にマスク材６０を形成する。次に、図１６（Ｂ）に示すように、シリコン膜６０の表面全体に感光性樹脂７０を塗布した後、所定のマスクパターンを備えた露光マスク８０′を用いて感光性樹脂７０を一括露光し、さらに現像を行なって、図１６（Ｃ）に示すように、マスク材エッチング用開口部７２を備えたレジストマスク７１を形成する。次に、図１６（Ｄ）に示すように、マスク材エッチング用開口部７２からマスク材６０に対してドライエッチングを行なうことにより、マスク材６０に対して基板エッチング用開口部６１を形成する。しかる後に、図１６（Ｅ）に示すように、レジストマスク７１を除去する。
【０００８】
この際に、対向基板２００として切り出される領域外でも、第１の透明基板２０にエッチングを行って、マスク材６０と同一のシリコン膜からなるアライメントマーク２２５を形成する。
【０００９】
但し、後で行う工程でマスク材６０を除去する際にアライメントマーク２２５が消失しないように、図１７（Ｆ）に示すように、アライメントマーク２２５の表面には樹脂保護膜２２６を塗布しておく。なお、マイクロレンズ５００を形成する側では基板に対するエッチングを行い、かつ、その後、マスク材６０については除去する必要があるので、樹脂保護膜２２６は、アライメントマーク２２５およびその周辺のみに形成する。
【００１０】
次に、図１７（Ｇ）に示すように、マスク材６０の基板エッチング用開口部６１から第１の透明基板２０の表面を等方的にエッチングし、凹曲面部２６を形成する。
【００１１】
次に、図１７（Ｈ）に示すように、マスク材６０をエッチング処理によって除去した後、樹脂保護膜２２６を除去する。
【００１２】
このようにして表面上に多数の凹曲面部２６を形成した第１の透明基板２０に対しては、図１７（Ｉ）に示すように、透明材料２１０を塗布して、透明材料２１０を凹曲面部２６に充填するとともに、透明材料２１０を介して大型の第２の透明基板２５０を接着する。ここで用いる透明材料２１０としては、第１の透明基板２０とは屈折率の異なる透明材料を用いる。このため、凹曲面部２６を有する第１の透明基板２０と、屈折率の異なる透明材料２１０との境界面によってマイクロレンズ５００が構成される。
【００１３】
次に、図１７（Ｊ）に示すように、第２の透明基板２５０の表面に対して研削、研磨を行い、第２透明基板２５０の厚さを調整するとともに、その表面を平坦面とする。
【００１４】
次に、図１８（Ｋ）に示すように、第２の透明基板２５０の表面全体に蒸着法、スパッタリング法などを用いて遮光材料層２３０を形成する。
【００１５】
次に、図１８（Ｌ）に示すように、感光性樹脂８０を塗布した後、所定のマスクパターンを備えた露光マスク９０′を用いて感光性樹脂８０を一括露光し、さらに現像を行なって、図１８（Ｍ）に示すように、遮光材料層エッチング用開口部８２を備えたレジストマスク８１を形成する。この際、露光マスク９０′については、アライメントマーク２２５を基準に位置合わせを行う。
【００１６】
次に、図１８（Ｎ）に示すように、遮光材料層エッチング用開口部８２から遮光材料層２３０に対してエッチングを行った後、図１９（Ｏ）に示すように、レジストマスク８１を除去し、マイクロレンズ５００の境界部分に遮光膜２３を残す。
【００１７】
このようにして形成した遮光膜２３は、マイクロレンズ５００を形成するためのマスク材６０と同時形成されたアライメントマーク２２５を基準にその位置が規定されている。
【００１８】
次に、図１９（Ｐ）に示すように、遮光膜２３０の上層側に対向電極２１などを形成した後、あるいは、さらにＴＦＴアレイ基板を多数取りできる大型基板を貼り合わせた後、大型基板を単品の対向基板２００のサイズに切断する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、対向基板２００を製造するにあたって、図１５（Ａ）に示すような一括露光を採用する場合には、従来の方法でもよいが、１枚の大型基板からより多数の対向基板２００を製造するには、従来の方法では以下のような問題点がある。
【００２０】
すなわち、１枚の大型基板からより多数の対向基板２００を製造しようとすると、大型基板としてより大きな基板を用いるため一括露光できないため、図１５（Ｂ）に示すように、ステッパにより複数の領域毎に露光を行うことになるが、従来の方法でステッパによる露光を行うと、各露光領域毎にアライメントマーク２２５が形成されることになる。しかも、各アライメント２２５に対して樹脂保護膜２２６を形成する必要もある。このため、隣接する露光領域の間に無駄な領域を広く確保する必要が生じるため、大型基板のサイズの割には、１枚の大型基板から形成できる対向基板２００の枚数が少ないものになってしまう。
【００２１】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ステッパを用いても１枚の大型基板から多数のマイクロレンズ基板を製造することのでき、かつ、マイクロレンズと遮光膜とを高い位置精度で形成することのできるマイクロレンズ基板の製造方法、この方法で製造したマイクロレンズ基板、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および投射型表示装置を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、複数枚のマイクロレンズ基板が切り出される透明な第１の大型基板の表面に基板エッチング用マスクを形成する基板エッチング用マスク形成工程と、前記基板エッチング用マスクの開口から前記第１の大型基板の表面をエッチングして凹曲面部を形成する凹曲面部形成工程と、前記基板エッチング用マスクを除去する基板エッチング用マスク除去工程と、前記第１の大型基板とは異なる屈折率を備えた透明材料を前記凹曲面部に充填し、かつ、当該透明材料の表面側を平坦面とする透明材料充填工程と、前記平坦面の略全面に遮光材料層を形成する遮光材料層形成工程と、前記遮光材料層の表面に遮光材料層エッチング用マスクを形成する遮光材料層エッチング用マスク形成工程と、前記遮光材料層エッチング用マスクの開口から前記遮光材料層をエッチングして前記凹曲面部同士の境界領域に遮光膜を残す遮光材料層エッチング工程とを有するマイクロレンズ基板の製造方法において、前記基板エッチング用マスク形成工程の前に、前記第１の大型基板の表面にアライメントマークを形成するマーク形成工程を行い、前記基板エッチング用マスク形成工程および前記遮光材料層エッチング用マスク形成工程では、前記アライメントマークを基準にステッパにより感光性樹脂層の複数の領域毎に露光を行った後、現像することにより前記基板エッチング用マスクおよび前記遮光材料層エッチング用マスクを形成することを特徴とする。
【００２３】
本発明では、第１の大型基板の表面に基板エッチング用マスクを形成する基板エッチング用マスク形成工程を行う前に、第１の大型基板の表面にアライメントマークを形成するマーク形成工程を行うため、それ以降、ステッパにより行う複数回の露光のいずれの際にも、このアライメントマークで露光マスクの位置合わせを行うことができる。従って、マイクロレンズの形成位置、および遮光膜の形成位置を共通のアライメントマークで規定できるので、マイクロレンズと遮光膜とを高い位置精度で形成することができる。また、アライメントマークは、基板エッチング用マスクの下層側に形成されるので、基板エッチング用マスクを除去するときに消失することがないので、アライメントマークの表面に樹脂保護膜を形成する必要もない。それ故、アライメントマークを形成するための領域として、大型基板の端部などに極めて狭い領域を確保しておけばよいので、大型基板に無駄な領域がほとんど発生しないので、ステッパを用いても１枚の大型基板から多数のマイクロレンズ基板を製造することができる。
【００２４】
本発明において、前記透明材料充填工程では、例えば、前記透明材料を介して前記第１の大型基板に透明な第２の大型基板を貼り合わせた後、当該第２の大型基板の表面を研磨して前記平坦面を形成する。
【００２５】
本発明において、前記基板エッチング用マスク形成工程では、例えば、前記第１の大型基板の表面にマスク材、および感光性樹脂層をこの順に形成した後、前記アライメントマークを基準にステッパにより感光性樹脂層の複数の領域毎に露光を行った後、現像することによりレジストマスクからなるマスク材エッチング用マスクを形成し、次に、当該開口形成マスクの開口から前記マスク材をエッチングして前記基板エッチング用マスクを形成する。
【００２６】
また、本発明において、前記遮光材料層エッチング用マスク形成工程では、例えば、前記遮光材料層の表面に感光性樹脂層を形成した後、前記アライメントマークを基準にステッパにより感光性樹脂層の複数の領域毎に露光を行い、しかる後、現像することによりレジストマスクからなる前記遮光材料層エッチング用マスクを形成する。
【００２７】
本発明において、前記マーク形成工程では、例えば、前記アライメントマークとして前記第１の大型基板の表面に凹部を形成する。この場合、前記マーク形成工程では、例えば、前記第１の大型基板の表面にマーク形成用マスクを形成した後、該マーク形成用マスクの開口から前記第１の大型基板の表面をエッチングして前記凹部を形成すればよい。
【００２８】
また、本発明では、前記マーク形成工程では、前記アライメントマークとして前記第１の大型基板の表面に凸部を形成することもある。この場合、前記マーク形成工程では、例えば、前記第１の大型基板の略全面にマーク形成膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて前記マーク形成膜の表面にマーク形成用マスクを形成し、しかる後に当該マーク形成用マスクの開口から前記マーク形成膜をエッチングして前記凸部を形成すればよい。
【００２９】
本発明において、前記マーク形成工程では、前記アライメントマークを形成した後、該アライメントマークの表面に保護膜を形成してもよい。この場合、前記保護膜を前記第１の大型基板の略全面、もしくはアライメントマーク部のみ選択的に透明保護膜として形成し、前記凹曲面部形成工程では、前記基板エッチング用マスクの開口から前記透明保護膜および前記第１の大型基板の表面、もしくは前記第１の大型基板の表面のみをエッチングすることが好ましい。このように構成すると、アライメントマークの表面を保護膜で覆った場合でも、保護膜の形成領域をアライメントマークが形成されている領域に限定する必要がないので、保護膜に対するパターニング工程を行う必要がない。あるいは、アライメントマーク部のみ選択的に保護膜を付けてもよい。
【００３０】
本発明において、前記基板エッチング用マスクを形成するための前記マスク材は、多結晶シリコン膜あるいはアモルファスシリコン膜である。
【００３１】
本発明において、前記第１の大型基板は、例えば、石英基板あるいはガラス基板である。
【００３２】
本発明に係る方法で製造したマイクロレンズ基板は、例えば、電気光学装置において、別の基板との間に、液晶などの電気光学物質が保持するのに用いられる。
【００３３】
このような電気光学装置は、投射型表示装置のライトバルブとして用いられる。投射型表示装置では、画像が拡大投射されるため、それに用いられる電気光学装置は、小型のものが用いられる。また、投射型表示装置では、電気光学装置に光源から強い光が入射するので、遮光膜が必要であり、かつ、十分な透過光量を確保する必要があるので、対向基板にマイクロレンズが形成される。従って、投射型表示装置のライトバルブ用電気光学装置に用いられるマイクロレンズ基板の製造に本発明を適用すると、その効果が顕著である。
【００３４】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して本発明に係る実施形態について説明する。以下の説明では、投射型表示装置のライトバルブとして用いた液晶装置に本発明を適用した例を説明する。
【００３５】
（液晶装置の全体構成）
本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の全体構成について、図１および図２を参照して説明する。ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３６】
図１は、本発明を適用した液晶装置をＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ´の断面のうち、シール材で囲まれた領域内を抜き出して模式的に示した説明図である。なお、図２などにおいては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図２においては、集光の様子を理解し易く描くために、マイクロレンズおよびＴＦＴの位置関係を実際の配置関係とは異ならしめてある。
【００３７】
図１および図２において、本形態の液晶装置１は、対向基板２００と、ＴＦＴアレイ基板１０（第３の透明基板）とが対向配置されて、シール材５２によって貼り合わされている。また、シール材５２で区画された領域内には、電気光学物質としての液晶５０が保持されている。
【００３８】
シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２００とを貼り合わせてパネルとするための紫外線硬化樹脂や、熱硬化樹脂等からなり、ＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２００とを重ねた状態で、紫外線照射や、加熱等により硬化させたものである。液晶装置１が投射型表示装置用のように小型で、拡大表示を行うものであれば、シール材５２中には、両基板内の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が配合される。また、液晶装置１が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行うものであれば、このようなギャップ材は、液晶５０の中に点在させる場合もある。
【００３９】
本形態の液晶装置１では、シール材５２の形成領域の内側には、この領域に沿って画像表示領域１０ａを規定する見切り用の遮光膜５３が対向基板２００の側に形成されている。シール材５２には、その途切れ部分によって液晶注入口１０８が形成され、この液晶注入口１０８は液晶の注入を終えた後、シール材５２と同一あるいは異なる材料からなる封止材１０９で塞がれている。
【００４０】
また、シール材５２が形成された領域の外側の周辺領域には、データ線駆動回路１０１および外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成され、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が形成されている。さらにまた、対向基板２００のコーナー部の少なくとも一箇所には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２００との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６が設けられている。
【００４１】
（画像表示領域の構成）
図３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図４は、データ線、走査線、画素電極などが形成されたＴＦＴアレイ基板において相隣接する画素の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での液晶装置の断面図である。
【００４２】
図３に示すように、本形態の液晶装置１において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されており、画素信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素信号９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて液晶部分を透過する入射光の透過光量が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて液晶部分を透過する入射光の透過光量が増加し、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。
【００４３】
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量３５を付加する。この蓄積容量３５によって、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置が実現できる。なお、蓄積容量３５を形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００４４】
図４において、液晶装置１のＴＦＴアレイ基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線で囲まれた領域）が各画素毎に形成され、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す）、走査線３ａ（実線で示す）、および容量線３ｂ（実線で示す）が形成されている。
【００４５】
図２および図５において、ＴＦＴアレイ基板１０の基体は、石英基板や耐熱性ガラス板などの透明基板１０ｂからなる。ＴＦＴアレイ基板１０には画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜等の透明な導電性膜からなる。ＴＦＴアレイ基板１０において、各画素電極９ａに隣接する位置には、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０では、ＴＦＴ３０と平面的に重なる領域に、クロム膜などからなる遮光膜１１ａが形成されている。この遮光膜１１ａの表面側には層間絶縁膜１２が形成され、この層間絶縁膜１２の表面側にＴＦＴ３０が形成されている。
【００４６】
ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、半導体層１ａには、シリサイド膜などからなる走査線３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａ′、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、並びに高濃度ドレイン領域１ｅが形成されている。また、半導体層１ａの上層側には、この半導体層１ａと走査線３ａとを絶縁するゲート絶縁膜２が形成されている。
【００４７】
ＴＦＴ３０の表面側には、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４、７が形成されている。層間絶縁膜４の表面には、アルミニウム膜などからなるデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。層間絶縁膜７の表面には画素電極９ａが形成され、この画素電極９ａは、層間絶縁膜４、７およびゲート絶縁膜２に形成されたコンタクトホール８を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。この画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、たとえばポリイミド膜などの有機膜に対してラビング処理を行うことにより形成される。
【００４８】
また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量３５が構成されている。ここで、容量線３ｂと遮光膜１１ａは、層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１３を介して電気的に接続している。
【００４９】
ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００５０】
一方、対向基板２００には、ＴＦＴアレイ基板１０の画素電極９ａと対向する各領域の各々にマイクロレンズ５００が形成されており、対向基板２００はマイクロレンズ基板として構成されている。ここで、マイクロレンズ５００が形成された対向基板２００は、第１の透明基板２０と第２の透明基板２５０とが透明材料２１０で貼り合わされた貼り合わせ基板として構成されている。透明材料２１０は、マイクロレンズ５００と異なる屈折率を有する光硬化性の接着剤からなり、対向基板２００に形成された凹曲面部２６に充填されていることにより、マイクロレンズ５００は、集光レンズとしての機能を果たす。マイクロレンズ５００はそれぞれ、入射した光をＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａのそれぞれに集光するようにマトリクス状に形成されている。
【００５１】
対向基板２００の側において、第２の透明基板２５０上には、マイクロレンズ５００同士の境界領域（画素電極９ａ同士の境界領域に対向する領域）の各々に、ブラックマトリクスと称せられる遮光膜２３が形成されている。
【００５２】
また、対向基板２００では、遮光膜２３の上層側に、第２の透明基板２５０の全面にわたってＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成され、その表面には、スピンコート法により成膜されたポリイミド系材料からなる配向膜２２が形成されている。この配向膜２２も、たとえばポリイミド膜などの有機膜に対してラビング処理を行うことにより形成される。
【００５３】
このように構成したＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２００とは、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置され、かつ、これらの基板間には、前記のシール材５２（図１および図２を参照）により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶５０が封入され、挟持されている。液晶５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。液晶５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。
【００５４】
なお、対向基板２００およびＴＦＴアレイ基板１０の光入射側の面あるいは光出射側には、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。
【００５５】
なお、ここに示す液晶装置１は、たとえば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）において使用される。この場合、３枚の液晶装置１がＲＧＢ用のライトバルブとして各々使用され、各液晶装置１の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、前記した各形態の液晶装置１にはカラーフィルタが形成されていない。
【００５６】
（ＴＦＴ３０に対する遮光構造）
このように構成した液晶装置１において、ＴＦＴ３０のチャネル領域やドレイン端などに強い光が照射されると、光電流が発生して、ＴＦＴ３０の特性が変化する原因となるが、ＴＦＴアレイ基板１０では、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン端などを覆うようにデータ線６ａが形成されている。このため、対向基板２００の側から入射した強い光（Ｌ１で示す）をデータ線６ａで遮ることができるので、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン端に強い光が届かない。
【００５７】
また、投射型表示装置では、液晶装置から出射された光が背後の光学部品で反射し、戻り光（矢印Ｌ２で示す）として再び、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射する場合がある。また、複数の液晶装置１をプリズム等を介して組み合わせて１つの光学系を構成した場合に、他の液晶装置１からプリズム等を突き抜けてくる光などがＴＦＴ３０に入射することもある。それでも、本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０を裏面側（光出射側）からみてＴＦＴ３０と重なる領域には、クロム膜からなる遮光膜１１ａが形成されているため、戻り光Ｌ２などがＴＦＴ３０に入射するの未然に防ぐことができる。
【００５８】
一方、対向基板２００には、隣接する画素電極９ａ同士の境界領域に対向する位置に遮光膜２３を形成し、投射画像のコントラストの向上を図るとともに、対向基板２００の側から入射する強い光（Ｌ１で示す）がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン端などに届くのを防止している。
【００５９】
さらに、本形態では、対向基板２００において画素電極６ａと対向する各領域の各々にマイクロレンズ５００を形成し、マイクロレンズ５００によって、矢印Ｌ１１で示すように、遮光膜２３やＴＦＴ３０などにより遮光されて損失していた入射光を各画素の開口部分に集光させることにより、透過光量を増大させるとともに、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン端などに強い光が照射されることを防止している。このため、明るくて品位の高い画像を表示できるとともに、液晶装置１の信頼性が高い。
【００６０】
（対向基板の製造方法）
図６は、対向基板２００の製造方法を示す説明図である。図７ないし図１１は、この対向基板２００の製造方法を模式的に示す工程断面図である。
【００６１】
対向基板２００（マイクロレンズ基板）を製造するにあたって、本形態では、図６に示すように、対向基板２００を複数枚、切り出すことのできる大型基板に対して、ステッパを用いて複数の領域毎に露光を行って各レジストマスクを形成することにより、マイクロレンズ５００や遮光膜２３を形成していく。ここで、マイクロレンズ５００と遮光膜２３との位置関係がずれると、透過光量の低下などが発生するので、本形態では、以下に詳述するように、大型基板の端部に共通のアライメントマーク２２０を形成しておき、ステッパによる露光の際には、いずれのショットにおいてもアライメントマーク２２０を基準に露光マスクの位置合わせを行う。
【００６２】
図７ないし図１１を参照して、アライメントマーク２２０の形成方法、およびこのアライメントマーク２２０を基準にマイクロレンズ５００およ遮光膜２３を形成していく方法を説明する。なお、以下の説明では、図２および図５との対応がわかりやすいように、製造工程中、透明な大型基板についても第１の透明基板２０および第２の透明基板２５０として説明する。
【００６３】
本形態では、まず、図７（Ａ）に示すように、マーク形成工程において、大型の第１の透明基板２０（透明な第１の大型基板）の表面全体に感光性樹脂層８５を形成した後、所定のマスクパターンを備えた露光マスク８８を用いて感光性樹脂８５を露光し、さらに現像を行なって、図７（Ｂ）に示すように、アライメントマーク形成用開口部８６を備えたレジストマスク８７（マーク形成用マスク）を形成する。次に、図７（Ｃ）に示すように、レジストマスク８７のアライメントマーク形成用開口部８６から第１の透明基板２０をエッチングした後、レジストマスク８７を除去し、図７（Ｄ）に示すように、第１の透明基板２０の表面に凹部からなるアライメントマーク２２０を形成する。
【００６４】
次に、図８（Ｅ）に示すように、基板エッチング用マスク形成工程において、多結晶シリコン膜あるいはアモルファスシリコン膜からなるマスク材６０（基板エッチング用マスク）を形成する。このマスク材６０は、ＣＶＤ法等によって形成できる。次に、図８（Ｆ）に示すように、マスク材６０の表面全体に感光性樹脂７０を塗布した後、所定のマスクパターンを備えた露光マスク８０（ステッパ）を用いて感光性樹脂７０を露光し、さらに現像を行なって、図８（Ｇ）に示すように、マスク材エッチング用開口部７２を備えたレジストマスク７１（マスク材エッチング用マスク）を形成する。
【００６５】
この際、露光マスク８０の位置合わせはいずれのショットにおいても、アライメントマーク２２０を基準に行う。
【００６６】
次に、図８（Ｈ）に示すように、マスク材エッチング用開口部７２からマスク材６０に対してドライエッチングといった異方性エッチング処理を行なうことにより、マスク材６０に対して基板エッチング用開口部６１を形成する。しかる後に、図８（Ｉ）に示すように、レジストマスク７１を除去する。
【００６７】
次に、図９（Ｊ）に示すように、凹曲面部形成工程において、マスク材６０の基板エッチング用開口部６１から第１の透明基板２０の表面を等方的にエッチングし、凹曲面部２６を形成する。このエッチング処理は、フッ酸を主体とするエッチング液を用いたウエットエッチングである。
【００６８】
次に、図９（Ｋ）に示すように、基板エッチング用マスク除去工程において、マスク材６０をエッチング処理によって除去する。このエッチング処理には、マスク材６０を除去可能で、かつ、第１の透明基板２０に影響をほとんど与えない方法、例えば５０℃以上に加熱した１０％程度のテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液などによるウエットエッチングが行われる。
【００６９】
このようにして表面上に多数の凹曲面部２６を形成した第１の透明基板２０に対しては、図９（Ｌ）に示すように、透明材料充填工程において、透明材料２１０を塗布して、透明材料２１０を凹曲面部２６に充填するとともに透明材料２１０を介して大型の第２の透明基板２５０（透明な第２の大型基板）を接着する。
【００７０】
ここで用いる透明材料２１０としては、第１の透明基板２０とは屈折率の異なる透明材料であればよい。例えば、透明な樹脂材料、特に、ペースト状などの液状で容易に硬化できるものが取り扱い上、及び製造工程上好ましく、また、透明基板２０や第２の透明基板２５０に対して強い接着力を有するものが好ましい。これらの透明材料２１０が熱硬化性又は光硬化性を有する場合、第１の透明基板２０と第２の透明基板２５０とを透明材料２１０を介して重ね合わせた後、加熱工程若しくは光照射工程を行なって透明材料２１０を硬化させる。この工程により、透明材料２１０が凹曲面部２６内に充填されるため、凹曲面部２６を有する第１の透明基板２０と、屈折率の異なる透明材料２１０との境界面によって、マイクロレンズ５００が構成される。
【００７１】
次に、図９（Ｍ）に示すように、第２の透明基板２５０を研削、研磨などによって薄く形成する。これは、第２透明基板２５０の厚さと画素ピッチで決まるレンズの焦点距離を液晶層中に位置するように設定するためである。予め、第２の透明基板２５０を厚くしておくのは、図９（Ｌ）に示す工程で、第１の透明基板２０と第２の透明基板２５０との接着工程を容易に行うとともに、この薄肉化工程において第２の透明基板２５０の表面を平滑化する狙いもある。
【００７２】
次に、図１０（Ｎ）に示すように、遮光材料層形成工程において、第２の透明基板２５０の表面全体に蒸着法、スパッタリング法などを用いて遮光材料層２３０を形成する。
【００７３】
次に、図１０（Ｏ）に示すように、遮光材料層エッチング用マスク形成工程において、感光性樹脂８０を塗布した後、所定のマスクパターンを備えた露光マスク９０（ステッパ）を用いて感光性樹脂８０を露光し、さらに現像を行なって、図１０（Ｐ）に示すように、遮光材料層エッチング用開口部８２を備えたレジストマスク８１（遮光材料層エッチング用マスク）を形成する。
【００７４】
この際、露光マスク９０の位置合わせはいずれのショットにおいても、アライメントマーク２２０を基準に行う。
【００７５】
次に、図１０（Ｑ）に示すように、遮光材料層エッチング工程において、遮光材料層エッチング用開口部８２から遮光材料層２３０に対してエッチングを行った後、図１１（Ｒ）に示すように、レジストマスク８１を除去し、マイクロレンズ５００の境界部分に遮光膜２３を残す。
【００７６】
次に、図１１（Ｓ）に示すように、遮光膜２３０の上層側に対向電極２１などを形成した後、あるいは、ＴＦＴアレイ基板を多数取りできる大型基板を貼り合わせた後、大型基板を単品の対向基板２００のサイズに切断する。
【００７７】
このように、本形態では、大型の第１の透明基板２０の表面に基板エッチング用マスクを形成する基板エッチング用マスク形成工程を行う前に、第１の透明基板２０の表面にアライメントマーク２２０を形成するマーク形成工程を行うため、それ以降、ステッパ（露光マスク８０、９０）により行う複数回の露光のいずれの際にも、このアライメントマーク２２０でステッパ（露光マスク８０、９０）の位置合わせを行うことができる。従って、マイクロレンズ５００の形成位置、および遮光膜２３の形成位置を共通のアライメントマーク２２０で規定できるので、マイクロレンズ５００と遮光膜２３とを高い位置精度で形成することができる。
【００７８】
また、アライメントマーク２２０は、基板エッチング用マスク材６０の下層側に形成されるので、基板エッチング用マスク材６０を除去するときに消失することがないので、アライメントマーク２２０の表面に樹脂保護膜を形成する必要もない。それ故、アライメントマーク２２０を形成するための領域として、大型の第２の透明基板２０の端部などに極めて狭い領域を確保しておけばよいので、大型基板に無駄な領域がほとんど発生しない。それ故、ステッパを用いても１枚の大型基板から多数の対向基板２００（マイクロレンズ基板）を製造することのできる。
【００７９】
特に、本形態の製造方法は、後述する投射型表示装置のライトバルブとして用いられる液晶装置１の対向基板２００を製造するのに適している。すなわち、投射型表示装置では、画像が拡大投射されるため、それに用いられる液晶装置１は、小型のものが用いられるので、大型基板にステッパを用いて露光を行って１枚の大型基板から多数枚の対向基板２００を形成するのに適している。また、投射型表示装置では、液晶装置１に光源から強い光が入射するので、遮光膜２３が必要であり、かつ、十分な透過光量を確保する必要があるので、対向基板２００にマイクロレンズ５００が形成されるからである。
【００８０】
［その他の実施の形態］
なお、上記形態では、第１の透明基板２０の表面をエッチングして凹部からなるアライメントマーク２２０を形成し、その表面に保護膜などを形成しなかったが、図１２（Ａ）に示すように、マーク形成工程において、アライメントマーク２２０を形成した後、その表面に保護膜２２１を形成してもよい。この場合、保護膜２２１については、大型の第１の透明基板２０の略全面にシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの透明材料から形成し、この透明な保護膜２２１については、凹曲面部形成工程において、基板エッチング用マスクの開口から第１の透明基板の表面と一緒にエッチングすることが好ましい。このように構成すると、アライメントマーク２２０の表面を保護膜２２１で覆った場合でも、保護膜２２１の形成領域をアライメントマーク２２０が形成されている領域に限定する必要がないので、保護膜２２１に対するパターニング工程を行う必要がない。
【００８１】
また、上記形態では、第１の透明基板２０の表面をエッチングして凹部からなるアライメントマーク２２０を形成したが、図１２（Ｂ）に示すように、大型の第１の透明基板２０の表面に凸部からなるアライメントマーク２２０を形成してもよい。このような凸部からなるアライメントマーク２２０を形成するには、マーク形成工程において、第１の透明基板２０の略全面に多結晶シリコン膜やアモルファスシリコン膜、または各種合金膜などといったマーク形成膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてマーク形成膜の表面にマーク形成用マスク（レジストマスク）を形成し、しかる後に、このマーク形成用マスクの開口からマーク形成膜をエッチングして凸部からなるアライメントマーク２２０を形成すればよい。
【００８２】
また、凸部からなるアライメントマーク２２０を形成した場合は、図１２（Ｄ）に示すように、マーク形成工程において、アライメントマーク２２０を形成した後、その表面に保護膜２２１を形成する必要がある。この場合、保護膜２２１については、大型の第１の透明基板２０の略全面にシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの透明材料から形成し、この透明な保護膜２２１については、凹曲面部形成工程において、基板エッチング用マスクの開口から第１の透明基板の表面と一緒にエッチングすることが好ましい。このように構成すると、アライメントマーク２２０の表面を保護膜２２１で覆った場合でも、保護膜２２１の形成領域をアライメントマーク２２０が形成されている領域に限定する必要がないので、保護膜２２１に対するパターニング工程を行う必要がない。あるいはアライメントマーク部のみ選択的に保護膜を付けてもよい。
【００８３】
［投射型表示装置の構成］
図１３は、本発明を適用した液晶装置１をライトバルブとして用いた投射型表示装置（プロジェクタ）の光学系を示す概略構成図である。
【００８４】
この図に示されるように、プロジェクタ１１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は上述した液晶装置１と同様であり、画像信号処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。また、Ｂ色の光は他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００８５】
このように構成した投射型表示装置において、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０にカラー画像が投射されることとなる。
【００８６】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はない。
【００８７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、第１の大型基板の表面に基板エッチング用マスクを形成する基板エッチング用マスク形成工程を行う前に、第１の大型基板の表面にアライメントマークを形成するマーク形成工程を行うため、それ以降、ステッパにより行う複数回の露光のいずれの際にも、このアライメントマークで露光マスクの位置合わせを行うことができる。従って、マイクロレンズの形成位置、および遮光膜の形成位置を共通のアライメントマークで規定できるので、マイクロレンズと遮光膜とを高い位置精度で形成することができる。また、アライメントマークは、基板エッチング用マスクの下層側に形成されるので、基板エッチング用マスクを除去するときに消失することがないので、アライメントマークの表面に樹脂保護膜を形成する必要もない。それ故、アライメントマークを形成するための領域として、大型基板の端部などに極めて狭い領域を確保しておけばよいので、大型基板に無駄な領域がほとんど発生しないので、ステッパを用いても１枚の大型基板から多数のマイクロレンズ基板を製造することのできができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した液晶装置のＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´の断面のうち、シール材で囲まれた領域内を抜き出して模式的に示した説明図である。
【図３】図１に示す液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】データ線、走査線、画素電極などが形成されたＴＦＴアレイ基板において相隣接する画素の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での断面、およびＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に電気光学物質としての液晶を封入した状態の断面を示す説明図である。
【図６】本発明に係る対向基板（マイクロレンズ基板）をステッパを用いて製造する様子を示す説明図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、本発明に係る対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法で行う各工程の工程断面図である。
【図８】（Ｅ）〜（Ｉ）はそれぞれ、本発明に係る対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法において、図７に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図９】（Ｊ）〜（Ｍ）はそれぞれ、本発明に係る対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法において、図８に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図１０】（Ｎ）〜（Ｑ）はそれぞれ、本発明に係る対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法において、図９に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図１１】（Ｒ）、（Ｓ）はそれぞれ、本発明に係る対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法において、図１０に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ、本発明に係る対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法で用いることのできるアライメントマークの説明図である。
【図１３】投射型表示装置の光学系の概略構成図である。
【図１４】従来の液晶装置の断面図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、従来の対向基板（マイクロレンズ基板）を一括露光で製造する様子を示す説明図、およびステッパを用いて製造する様子を示す説明図である。
【図１６】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ、従来の対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法で行う各工程の工程断面図である。
【図１７】（Ｆ）〜（Ｊ）はそれぞれ、従来の対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法において、図１６に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図１８】（Ｋ）〜（Ｎ）はそれぞれ、従来の対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法において、図１７に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【図１９】（Ｏ）、（Ｐ）はそれぞれ、従来の対向基板（マイクロレンズ基板）の製造方法において、図１８に示す工程に続いて行なう各工程の工程断面図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（電気光学装置）
１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ ライトバルブ（光変調手段）
９ａ 画素電極９ａ
１０ ＴＦＴアレイ基板
１０ａ 画像表示領域
２０ 第１の透明基板
２３ 対向基板側の遮光膜
２６ 凹曲面部
３０ ＴＦＴ
５０ 液晶（電気光学物質）
５２ シール材
５３ 見切り用の遮光膜
６０ マスク材（基板エッチング用マスク）
６２ 基板エッチング用開口部
７１ レジストマスク（マスク材エッチング用マスク）
７２ マスク材エッチング用開口部
８０、９０ 露光マスク（ステッパ）
８１ レジストマスク（遮光材料層エッチング用マスク）
８２ 遮光材料層エッチング用開口部
８６ アライメントマーク形成用開口部
８７ レジストマスク（マーク形成用マスク）
２００ 対向基板（マイクロレンズ基板）
５００ マイクロレンズ
２１０ 透明材料
２２０ アライメントマーク
２５０ 第２の透明基板
１１００ 投射型表示装置（プロジェクタ）

Claims (12)

1. 複数枚のマイクロレンズ基板が切り出される透明な第１の大型基板の表面に基板エッチング用マスクを形成する基板エッチング用マスク形成工程と、前記基板エッチング用マスクの開口から前記第１の大型基板の表面をエッチングして凹曲面部を形成する凹曲面部形成工程と、前記基板エッチング用マスクを除去する基板エッチング用マスク除去工程と、前記第１の大型基板とは異なる屈折率を備えた透明材料を前記凹曲面部に充填し、かつ、当該透明材料の表面側を平坦面とする透明材料充填工程と、前記平坦面の略全面に遮光材料層を形成する遮光材料層形成工程と、前記遮光材料層の表面に遮光材料層エッチング用マスクを形成する遮光材料層エッチング用マスク形成工程と、前記遮光材料層エッチング用マスクの開口から前記遮光材料層をエッチングして前記凹曲面部同士の境界領域に遮光膜を残す遮光材料層エッチング工程とを有するマイクロレンズ基板の製造方法において、
   前記基板エッチング用マスク形成工程の前に、前記第１の大型基板の表面にアライメントマークを形成するマーク形成工程を行い、前記基板エッチング用マスク形成工程および前記遮光材料層エッチング用マスク形成工程では、前記アライメントマークを基準にステッパにより感光性樹脂層の複数の領域毎に露光を行った後、現像することにより前記基板エッチング用マスクおよび前記遮光材料層エッチング用マスクを形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
2. 請求項１において、前記透明材料充填工程では、前記透明材料を介して前記第１の大型基板に透明な第２の大型基板を貼り合わせた後、当該第２の大型基板の表面を研磨して前記平坦面を形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
3. 請求項１または２において、前記基板エッチング用マスク形成工程では、前記第１の大型基板の表面にマスク材、および感光性樹脂層をこの順に形成した後、前記アライメントマークを基準にステッパにより感光性樹脂層の複数の領域毎に露光を行い、しかる後に、当該感光性樹脂層を現像することによりレジストマスクからなるマスク材エッチング用マスクを形成し、次に、当該開口形成マスクの開口から前記マスク材をエッチングして前記基板エッチング用マスクを形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
4. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記遮光材料層エッチング用マスク形成工程では、前記遮光材料層の表面に感光性樹脂層を形成した後、前記アライメントマークを基準にステッパにより感光性樹脂層の複数の領域毎に露光を行い、しかる後に、当該感光性樹脂層を現像することによりレジストマスクからなる前記遮光材料層エッチング用マスクを形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
5. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記マーク形成工程では、前記アライメントマークとして前記第１の大型基板の表面に凹部を形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
6. 請求項５において、前記マーク形成工程では、前記第１の大型基板の表面にマーク形成用マスクを形成した後、該マーク形成用マスクの開口から前記第１の大型基板の表面をエッチングして前記凹部を形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
7. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記マーク形成工程では、前記アライメントマークとして前記第１の大型基板の表面に凸部を形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
8. 請求項７において、前記マーク形成工程では、前記第１の大型基板の略全面にマーク形成膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて前記マーク形成膜の表面にマーク形成用マスクを形成し、しかる後に当該マーク形成用マスクの開口から前記マーク形成膜をエッチングして前記凸部を形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
9. 請求項５ないし８のいずれかにおいて、前記マーク形成工程では、前記アライメントマークを形成した後、該アライメントマークの表面に保護膜を形成することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
10. 請求項９において、前記保護膜を前記第１の大型基板の略全面、もしくはアライメントマーク部のみ選択的に透明保護膜として形成し、
    前記凹曲面部形成工程では、前記基板エッチング用マスクの開口から前記透明保護膜および前記第１の大型基板の表面、もしくは前記第１の大型基板の表面のみをエッチングすることを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
11. 請求項１ないし１０のいずれかにおいて、前記基板エッチング用マスクを形成するための前記マスク材は、多結晶シリコン膜あるいはアモルファスシリコン膜からなることを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
12. 請求項１ないし１１のいずれかにおいて、前記第１の大型基板は、石英基板あるいはガラス基板であることを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。

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