JP4147721B2 - Cleaning apparatus, etching apparatus, cleaning method, and etching method - Google Patents
Cleaning apparatus, etching apparatus, cleaning method, and etching method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4147721B2 JP4147721B2 JP2000140464A JP2000140464A JP4147721B2 JP 4147721 B2 JP4147721 B2 JP 4147721B2 JP 2000140464 A JP2000140464 A JP 2000140464A JP 2000140464 A JP2000140464 A JP 2000140464A JP 4147721 B2 JP4147721 B2 JP 4147721B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- shower nozzle
- etching
- cleaning
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は洗浄装置及びエッチング装置並びに洗浄方法及びエッチング方法に係わり、特にスプレー処理の前にシャワー処理を行う洗浄装置及びエッチング装置並びに洗浄方法及びエッチング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
TFTアレイ等の製造工程では、洗浄処理したガラス基板上に、メタル膜あるいは絶縁膜等を成膜し、フォトレジスト法によりパターニングし、ウェットエッチングによりエッチングし、レジストを剥離液で剥離する、という一連の工程を数回繰り返し、薄膜トランジスタを形成する。したがって洗浄処理やエッチング処理が重要なプロセスとなる。
【0003】
図5を参照して従来技術の洗浄装置を説明する。処理槽10、処理液槽20、第1のバルブ21、第2のバルブ22、第3のバルブ23及びポンプ24を具備している。
【0004】
処理槽10のシャワー処理室2には一個のシャワーノズル31が設けられ、スプレー処理室4内には多数のスプレーノズル3が設けられている。
【0005】
ガラス基板30は搬送機構5により進行方向30Aを進行し、シャワーノズル31によるシャワー処理後にスプレーノズル3によるスプレー処理が施され、液切り部材6により処理液(洗浄液もしくはエッチング薬液)を吹きとばした後、処理槽から搬出される。
【0006】
スプレーノズルの液の噴出口は針穴程度の径で、処理液が扇状または円錐状に広がるためスプレー処理室内には数十個のスプレーノズルが必要になる。
【0007】
一方、シャワーノズルはスペーサを介して板を重ねたような噴出口を有していて、処理液(洗浄液もしくはエッチング薬液)は帯状に広がって処理基板に向かって噴出されるから、このシャワーノズルはガラス基板の搬入側に1個だけ設ける。そして従来技術のシャワーノズル31はガラス基板の進行方向側に向けられて固定されている。すなわち常に同じ方向を向けられて設置されている。
【0008】
ここで、スプレー処理だけの処理を行うと、処理後に局所的な処理むらが生じる。したがって、この不都合な処理むらを無くすためにスプレー処理の前にシャワー処理を行う必要がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記した従来技術においては、進行する被処理基板(ガラス基板)の先頭部分では相対的に多い処理となり、末端部分では相対的に少ない処理
となるから先端部分と末端部分とで処理結果に差が生じてしまう。
【0010】
したがって洗浄処理においては、先頭部分に適切な洗浄を行えるようにシャワー処理条件を設定すると末端部分が洗浄不足となり、末端部分に適切な洗浄を行えるようにシャワー処理条件を設定すると先頭部分に余分な洗浄を行い不経済なことになる。
【0011】
エッチング処理においては、先頭部分に適切なエッチングを行えるようにシャワー処理条件を設定すると末端部分がエッチング不足となり、末端部分に適切なエッチングを行えるようにシャワー処理条件を設定すると先頭部分がオーバーエッチングになってしまう。
【0012】
この不都合を生じる原因は、進行するガラス基板に対し、シャワーノズルが常に進行方向を向いて処理液を噴出し、処理液は先端部分にまで伝わってからガラス基板から落ち、先頭部分には次から次に処理液が流れてくるから、先頭部分が処理液にさらされる時間が長くなるが、末端部分には一瞬処理液がかかり、シャワーノズル下を通りすぎてしまうからである。
【0013】
したがって本発明の目的は、進行する被処理基板にシャワー洗浄処理を行う際に、先頭部分と末端部分との処理差を抑制することができる洗浄装置を提供することである。
【0014】
本発明の他の目的は、進行する被処理基板にシャワーエッチング処理を行う際に、先頭部分と末端部分との処理差を抑制することができるエッチング装置を提供することである。
【0015】
本発明の別の目的は、上記洗浄装置を用いた有効な洗浄方法を提供することである。
【0016】
本発明のさらに別の目的は、上記エッチング装置を用いた有効なエッチング方法を提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1番目の特徴は、シャワー処理室内に処理液を帯状に広げて噴出可能なシャワーノズルを設け、スプレー処理室内にスプレーノズルを設け、入り口から入室された被処理基板が搬送手段により前記シャワー処理室を前記スプレー処理室に向かって進行する洗浄装置において、前記シャワーノズルは前記被処理基板の進行につれて前記被処理基板の進行方向とは逆の方向に回転可能である洗浄装置にある。ここで前記シャワーノズルは、進行する前記被処理基板の先端部分に洗浄液を噴出する際には進行方向に対して鈍角になり、進行する前記被処理基板の末端部分に洗浄液を噴出する際には進行方向に対して鋭角になることが好ましい。
【0018】
本発明の第2番目の特徴は、シャワー処理室内に処理液を帯状に広げて噴出可能なシャワーノズルを設け、スプレー処理室内にスプレーノズルを設け、入り口から入室された被処理基板が搬送手段により前記シャワー処理室を前記スプレー処理室に向かって進行するエッチング装置において、前記シャワーノズルは前記被処理基板の進行につれて前記被処理基板の進行方向とは逆の方向に回転可能であるエッチング装置にある。ここで前記シャワーノズルは、進行する前記被処理基板の先端部分にエッチング薬液を噴出する際には進行方向に対して鈍角になり、進行する前記被処理基板の末端部分にエッチング薬液を噴出する際には進行方向に対して鋭角になることが好ましい。
【0019】
本発明の第3番目の特徴は、被処理基板に処理液を帯状に広げて噴出可能なシャワーノズルにより第1の洗浄処理を行い、次にスプレーノズルにより第2の洗浄処理を行う洗浄方法において、進行する前記被処理基板に対してシャワーノズルを前記被処理基板の進行につれて前記被処理基板の進行方向とは逆の方向に回転させて前記第1の洗浄処理を行う洗浄方法にある。ここで進行する前記被処理基板の先端部分に洗浄液を噴出する際には前記シャワーノズルの軸が前記進行方向に対して鈍角になり、進行する前記被処理基板の末端部分に洗浄液を噴出する際には前記シャワーノズルの軸が前記進行方向に対して鋭角になるように前記回転を行うことが好ましい。
【0020】
本発明の第4番目の特徴は、被処理基板に処理液を帯状に広げて噴出可能なシャワーノズルにより第1のエッチング処理を行い、次にスプレーノズルにより第2のエッチング処理を行うエッチング方法において、進行する前記被処理基板に対してシャワーノズルを前記被処理基板の進行につれて前記被処理基板の進行方向とは逆の方向に回転させて前記第1のエッチング処理を行うエッチング方法にある。ここで進行する前記被処理基板の先端部分にエッチング液を噴出する際には前記シャワーノズルの軸が前記進行方向に対して鈍角になり、進行する前記被処理基板の末端部分にエッチング液を噴出する際には前記シャワーノズルの軸が前記進行方向に対して鋭角になるように前記回転を行うことが好ましい。
【0021】
このような本発明によれば、先端部分側だけではなく末端部分側にも処理液(洗浄液もしくはエッチング液)が流れて落ちるようになるから末端部分も処理液に晒される時間が長くなり、これにより先端部分と末端部分との処理差を抑制することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図1乃至図4を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1乃至図4において(A)は各ステップにおける装置全体を示す図であり、(B)は各ステップにおけるシャワーノズル及びその近傍を拡大して示す図である。
【0023】
また、実施の形態の説明で、「処理液」とは、洗浄装置の場合は純水で代表される洗浄液であり、エッチング装置の場合はエッチング薬液である。
【0024】
実施の形態の洗浄装置もしくはエッチング装置は、処理槽10、処理液槽20、第1のバルブ21、第2のバルブ22、第3のバルブ23及びポンプ24を具備している。
【0025】
処理槽10のシャワー処理室2内には駆動軸7を中心にして回転する一個のシャワーノズル(回転可動するから以後、可動シャワーノズル、と称す)1が設けられ、スプレー処理室4内には数十個のスプレーノズル3が設けられている。
【0026】
処理液(純水もしくはエッチング薬液)がポンプ24により処理液槽20から、第1のバルブ21を通して可動シャワーノズル1に送られる。また、処理液(純水もしくはエッチング薬液)がポンプ24により処理液槽20から、第2のバルブ22を通して上側のスプレーノズル3に送られる。
【0027】
さらに、処理液(純水もしくはエッチング薬液)がポンプ24により処理液槽20から、第3のバルブ23を通して下側のスプレーノズル3に送られる。この下側のスプレーノズル3は基板の裏面処理のために設けられているが、本実施の形態では基板の表面(図で上面)処理のみに関するものであるから、これから説明する各ステップで第3のバルブ23は常時閉状態であり、下側のスプレーノズル3は用いていない。
【0028】
被処理基板であるガラス基板30が処理槽10内に、図で左側より、搬入され、搬送機構5により進行方向30Aを進行し、可動シャワーノズル1及びスプレーノズル3からの処理液(純水もしくはエッチング薬液)の噴出により所定の処理がされ、液切り部材6からの空気の吹き付けにより処理液(純水もしくはエッチング薬液)を飛ばした後、図で右側より、処理槽10外に搬出される。
【0029】
搬入されたガラス基板30は搬出されるまで処理槽内を搬送機構により一定の速度で進行するタイプと、スプレーノズル下でガラス基板を左右に揺動するタイプがある。
【0030】
次に実施の形態の処理方法について説明する。
【0031】
ガラス基板用のカセットからローダユニットにより払い出されたガラス基板30は、水平搬送されるコンベア上を移動する。ガラス基板30が処理槽10に近づくと、処理槽10の入口側(図で左側)にあるシャッター(図示省略)が開き、処理槽内への搬入が行われる。
【0032】
図1に示すように、搬入されるガラス基板30には、第1のバルブ21を開動作させて、槽内搬入口側に設置されている可動シャワーノズル1から処理液(純水もしくはエッチング薬液)8がガラス基板30の先端部分に向けて、ガラス基板の進行方向30A側に噴出される。ここで、第2、第3のバルブは閉状態になっている。
【0033】
すなわち図1(B)に示すように、この状態の可動シャワーノズル1の1点鎖線で示す中心は、ガラス基板30の進行方向30Aに対して90度よりも大きい角度θ1 、すなわち鈍角θ1 となっている。
【0034】
図1の状態から、可動シャワーノズル1はガラス基板30の進行方向30Aとは逆の方向1Aに駆動軸7を中心に一定の角速度で回転して、図2に示すように、進行するガラス基板30の中央部分が可動シャワーノズル1の駆動軸7の下に位置したときには、可動シャワーノズル1の1点鎖線で示す中心は、ガラス基板30の進行方向30Aに対して90度の角度θ2 になり、この状態で可動シャワーノズル1から処理液(純水もしくはエッチング薬液)8がガラス基板30の中央部分の方向に噴出される。
【0035】
ガラス基板30の進行がさらに進むと、図3に示すような状態となり、逆の方向1Aに一定の角速度で回転している可動シャワーノズル1がガラス基板の進行方向30Aとは逆の方向側に向けられ、処理液(純水もしくはエッチング薬液)8がガラス基板30の末端部分に向けて噴出される。
【0036】
この状態では図3(B)に示すように、可動シャワーノズル1の1点鎖線で示す中心は、ガラス基板の進行方向30Aに対して90度よりも小さい角度θ3 、すなわち鋭角θ3 になっている。
【0037】
ガラス基板30の搬入が進み、スプレー処理室4内の中央まで搬送されると、図4に示すように、入口側(図で左側)のシャッター(図示省略)は閉まり、第1のバルブ21を閉にすることにより可動シャワーノズル1からの処理液(純水もしくはエッチング薬液)の噴出は停止し、第2のバルブ22を開状態にすることによりスプレー室4内の上部に設置されたスプレーノズル3から処理液(純水もしくはエッチング薬液)9を噴出させる。
【0038】
またこの状態で、可動シャワーノズル1は基板進行方向30Aと同じ方向1Bに回転して図1の原点位置に戻り、次のガラス基板の可動シャワーノズル処理に備える。
【0039】
このスプレー処理を行った後、エアーナイフ部材6により液切りされ、槽の出口側(図で右側)にあるシャッター(図示省略)が開いて処理済みのガラス基板が搬出され、同時に槽入口側のシャッターが開き、次のガラス基板が処理をするために槽内に搬入される。
【0040】
そして処理槽10から搬出された処理済みのガラス基板30は、コンベアーにて搬送された後、アンローダーユニットにてカセットに収納される。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の効果は、スプレー処理時に処理液のかかり具合の違いから生じる処理ムラを低減する為に槽の入口側に取り付けているシャワーノズルを、基板搬送方向とは逆方向に徐々に回転駆動させる事により基板の先端部分側だけではなく末端部分側にもシャワーノズルからの処理液(洗浄液もしくはエッチング液)が流れて落ちるようにするから、末端部分もこの処理液に晒される時間が長くなり、これにより先端部分と末端部分とのシャワー処理差を抑制することができ、スプレー処理前の基板面の先端部分から末端部分の液置換状態をより均等にして両部分間の処理差を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の処理方法の1状態を示す図であり、(A)は装置全体の図、(B)は可動シャワーノズル及びその近傍の拡大図である。
【図2】図1の後の状態を示す図であり、(A)は装置全体の図、(B)は可動シャワーノズル及びその近傍の拡大図である。
【図3】図2の後の状態を示す図であり、(A)は装置全体の図、(B)は可動シャワーノズル及びその近傍の拡大図である。
【図4】図3の後の状態を示す図であり、(A)は装置全体の図、(B)は可動シャワーノズル及びその近傍の拡大図である。
【図5】従来技術を示す図である。
【符号の説明】
1 可動シャワーノズル
1A 可動シャワーノズルの基板進行と逆の方向の回転
1B 可動シャワーノズルの基板進行と同じ方向の回転
2 シャワー処理室
3 スプレーノズル
4 スプレー処理室
5 搬送機構
6 液切り部材
7 駆動軸
8 シャワーノズルによる処理液
9 スプレーノズルによる処理液
10 処理槽
20 処理液槽
21 第1のバルブ
22 第2のバルブ
23 第3のバルブ
24 ポンプ
30 ガラス基板
30A ガラス基板の進行方向
31 従来技術のシャワーノズル[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a cleaning apparatus, an etching apparatus, a cleaning method, and an etching method, and more particularly to a cleaning apparatus, an etching apparatus, a cleaning method, and an etching method that perform a shower process before a spray process.
[0002]
[Prior art]
In the manufacturing process of a TFT array, etc., a metal film or an insulating film is formed on a cleaned glass substrate, patterned by a photoresist method, etched by wet etching, and the resist is stripped with a stripping solution. This process is repeated several times to form a thin film transistor. Therefore, the cleaning process and the etching process are important processes.
[0003]
A conventional cleaning apparatus will be described with reference to FIG. A
[0004]
One
[0005]
The
[0006]
The spray nozzle has a diameter of about the size of a needle hole, and the processing liquid spreads in a fan shape or a conical shape. Therefore, several tens of spray nozzles are required in the spray processing chamber.
[0007]
On the other hand, the shower nozzle has a spout like a stack of plates via a spacer, and the processing liquid (cleaning liquid or etching chemical) spreads in a band shape and is jetted toward the processing substrate. Only one is provided on the carry-in side of the glass substrate. The
[0008]
Here, when only the spray process is performed, local process unevenness occurs after the process. Therefore, it is necessary to perform a shower process before the spray process in order to eliminate this inconvenient process unevenness.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described prior art, relatively large amount of processing is performed at the leading portion of the substrate (glass substrate) to be processed, and relatively little processing is performed at the end portion. Will occur.
[0010]
Therefore, in the cleaning process, if the shower process conditions are set so that the head part can be cleaned properly, the end part becomes insufficiently cleaned, and if the shower process conditions are set so that the terminal part can be cleaned properly, the head part has an excess. Cleaning will be uneconomical.
[0011]
In the etching process, if the shower process conditions are set so that the top part can be properly etched, the end part becomes insufficiently etched, and if the shower process conditions are set so that the end part can be properly etched, the top part becomes over-etched. turn into.
[0012]
The cause of this inconvenience is that the shower nozzle is always directed in the direction of travel to the advancing glass substrate, and the treatment liquid is transferred to the tip portion and then drops from the glass substrate. Next, since the processing liquid flows, it takes a long time for the top portion to be exposed to the processing liquid. However, the processing liquid is applied to the end portion for a moment and passes under the shower nozzle.
[0013]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus that can suppress a difference in processing between a leading portion and a terminal portion when performing a shower cleaning process on a substrate to be processed.
[0014]
Another object of the present invention is to provide an etching apparatus capable of suppressing a difference in processing between a head portion and a terminal portion when performing a shower etching process on a substrate to be processed.
[0015]
Another object of the present invention is to provide an effective cleaning method using the above-described cleaning apparatus.
[0016]
Still another object of the present invention is to provide an effective etching method using the above etching apparatus.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
The first feature of the present invention is that a shower nozzle is provided in the shower processing chamber that can spread the processing liquid in a strip shape and can be ejected . The spray nozzle is provided in the spray processing chamber. in the cleaning device travels toward the shower process chamber to said spray process chamber, the shower nozzle is in the cleaning device which is rotatable in the opposite direction to the traveling direction of the target substrate as the progress of the target substrate . The shower nozzle has an obtuse angle with respect to the traveling direction when the cleaning liquid is ejected to the front end portion of the substrate to be processed, and when the cleaning liquid is ejected to the end portion of the substrate to be processed. An acute angle with respect to the traveling direction is preferred.
[0018]
The second feature of the present invention is that a shower nozzle is provided in the shower processing chamber that can spread the processing liquid in a band shape and can be ejected . The spray nozzle is provided in the spray processing chamber. in the etching apparatus traveling toward the shower process chamber to said spray process chamber, the shower nozzle is in the etching apparatus is rotatable in the opposite direction to the traveling direction of the target substrate as the progress of the target substrate . Here, the shower nozzle has an obtuse angle with respect to the traveling direction when the etching chemical solution is ejected to the front end portion of the substrate to be processed, and when the etching chemical solution is ejected to the end portion of the substrate to be processed. It is preferable that an acute angle is formed with respect to the traveling direction.
[0019]
A third feature of the present invention is a cleaning method in which a first cleaning process is performed by a shower nozzle capable of spreading a processing liquid on a substrate to be processed and ejected , and then a second cleaning process is performed by a spray nozzle. , in cleaning method by rotating in the opposite direction performs the first cleaning process to the traveling direction of the substrate to be treated a shower nozzle with respect to the target substrate as the progress of the target substrate to proceed. When the cleaning liquid is ejected to the front end portion of the substrate to be processed, the shower nozzle axis becomes obtuse with respect to the traveling direction, and the cleaning liquid is ejected to the end portion of the substrate to be processed. Preferably, the rotation is performed so that the axis of the shower nozzle becomes an acute angle with respect to the traveling direction.
[0020]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an etching method in which a first etching process is performed by a shower nozzle capable of spreading a processing liquid on a substrate to be processed and ejected , and then a second etching process is performed by a spray nozzle. , in the etching method for performing the first etching process is rotated in the opposite direction to the traveling direction of the target substrate as the progress of the target substrate shower nozzle with respect to the substrate to be processed travels. When the etching solution is jetted to the tip portion of the substrate to be processed, the shower nozzle axis becomes obtuse with respect to the traveling direction, and the etching solution is jetted to the tip portion of the substrate to be processed. In this case, it is preferable that the rotation is performed so that the axis of the shower nozzle becomes an acute angle with respect to the traveling direction.
[0021]
According to the present invention , since the treatment liquid (cleaning solution or etching solution) flows not only on the tip portion side but also on the end portion side, the time for which the end portion is exposed to the treatment solution is increased. Thus, it is possible to suppress a processing difference between the tip portion and the end portion.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. 1 to 4, (A) is a diagram showing the entire apparatus in each step, and (B) is an enlarged view showing a shower nozzle and its vicinity in each step.
[0023]
In the description of the embodiments, the “treatment liquid” is a cleaning liquid represented by pure water in the case of a cleaning apparatus, and an etching chemical liquid in the case of an etching apparatus.
[0024]
The cleaning apparatus or etching apparatus according to the embodiment includes a
[0025]
In the
[0026]
A processing liquid (pure water or etching chemical) is sent from the
[0027]
Further, the processing liquid (pure water or etching chemical liquid) is sent from the
[0028]
A
[0029]
The loaded
[0030]
Next, a processing method according to the embodiment will be described.
[0031]
The
[0032]
As shown in FIG. 1, the
[0033]
That is, as shown in FIG. 1B, the center indicated by the one-dot chain line of the
[0034]
From the state of FIG. 1, the
[0035]
When the progress of the
[0036]
In this state, as shown in FIG. 3B, the center indicated by the one-dot chain line of the
[0037]
When the
[0038]
In this state, the
[0039]
After performing this spraying process, the
[0040]
And the processed
[0041]
【The invention's effect】
As described above, the effect of the present invention is that the shower nozzle attached to the inlet side of the tank in order to reduce the processing unevenness caused by the difference in the amount of the processing liquid during the spray processing is in the direction opposite to the substrate transport direction. By gradually rotating, the processing liquid (cleaning liquid or etching liquid) from the shower nozzle flows and drops not only on the front end portion side but also on the end portion side of the substrate, so that the end portion is also exposed to this processing liquid. This increases the time, which can suppress the difference in the shower processing between the tip and end portions, and makes the liquid replacement state from the tip portion to the end portion of the substrate surface before spraying more uniform. The difference can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a state of a processing method according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is an overall view of the apparatus, and FIG. 1B is an enlarged view of a movable shower nozzle and its vicinity.
2A and 2B are diagrams illustrating a state after FIG. 1, in which FIG. 2A is a view of the entire apparatus, and FIG. 2B is an enlarged view of a movable shower nozzle and the vicinity thereof.
3 is a diagram illustrating a state after FIG. 2, in which (A) is a diagram of the entire apparatus, and (B) is an enlarged view of a movable shower nozzle and its vicinity. FIG.
4A and 4B are views showing the state after FIG. 3, in which FIG. 4A is a view of the entire apparatus, and FIG. 4B is an enlarged view of a movable shower nozzle and the vicinity thereof.
FIG. 5 is a diagram showing a conventional technique.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000140464A JP4147721B2 (en) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | Cleaning apparatus, etching apparatus, cleaning method, and etching method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000140464A JP4147721B2 (en) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | Cleaning apparatus, etching apparatus, cleaning method, and etching method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001314824A JP2001314824A (en) | 2001-11-13 |
JP4147721B2 true JP4147721B2 (en) | 2008-09-10 |
Family
ID=18647750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000140464A Expired - Fee Related JP4147721B2 (en) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | Cleaning apparatus, etching apparatus, cleaning method, and etching method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4147721B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100544487B1 (en) * | 2003-12-24 | 2006-01-23 | 주식회사 디엠에스 | substrate processing system |
JP4918770B2 (en) * | 2005-09-22 | 2012-04-18 | 旭硝子株式会社 | Plate material processing apparatus and plate material manufacturing method |
JP4737550B2 (en) * | 2006-11-06 | 2011-08-03 | ナノミストテクノロジーズ株式会社 | Ultrasonic separator for solution |
CN113471108B (en) * | 2021-07-06 | 2022-10-21 | 华海清科股份有限公司 | Vertical rotatory processing apparatus of wafer based on marangoni effect |
CN114045493B (en) * | 2021-11-15 | 2024-04-02 | 包头江馨微电机科技有限公司 | VCM motor shell fragment etching processing spray set |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000140464A patent/JP4147721B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001314824A (en) | 2001-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3405312B2 (en) | Coating film removal device | |
JP3918401B2 (en) | Substrate drying apparatus, drying method, and substrate manufacturing method | |
JP2003037053A (en) | Application type film formation method and apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP3694641B2 (en) | Substrate processing apparatus, development processing apparatus, and development processing method | |
JPH10270358A (en) | Photoresist coating device for manufacturing semiconductors | |
JP4147721B2 (en) | Cleaning apparatus, etching apparatus, cleaning method, and etching method | |
JP2002301413A (en) | Nozzle and coating apparatus | |
JPH1057877A (en) | Substrate treating device and substrate treating method | |
JP2001284777A (en) | Apparatus and method for treatment of board | |
JP2001227868A (en) | Substrate drier and drying method | |
JP2004152849A (en) | Liquid processing device and method therefor | |
JP4830329B2 (en) | Slit nozzle cleaning method and slit coater | |
JP3686011B2 (en) | Substrate processing equipment | |
TW201005854A (en) | Device and method for treating substrate | |
JP3680902B2 (en) | Development method and apparatus | |
JPH11145109A (en) | Substrate processing device | |
JP2000235948A (en) | Substrate processor | |
JP2001347211A (en) | Method and apparatus for treating substrate | |
JP2000138200A (en) | Processing method and apparatus for substrate | |
JP2624426B2 (en) | Cleaning equipment for rectangular substrates | |
JP3532837B2 (en) | Rotary substrate processing equipment | |
JPH10242114A (en) | Method and device for wet etching treatment | |
JP3595606B2 (en) | Substrate surface treatment equipment | |
JP2002001245A (en) | Apparatus and method for treating substrate with liquid | |
JP3627651B2 (en) | Method and apparatus for surface treatment of semiconductor wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050310 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050317 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070124 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070419 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080603 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080616 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |