JP4144067B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4144067B2 JP4144067B2 JP12836998A JP12836998A JP4144067B2 JP 4144067 B2 JP4144067 B2 JP 4144067B2 JP 12836998 A JP12836998 A JP 12836998A JP 12836998 A JP12836998 A JP 12836998A JP 4144067 B2 JP4144067 B2 JP 4144067B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- auxiliary capacitance
- layer
- capacitance line
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶駆動素子によって液晶画素を駆動して所定の画像を表示する液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
TFT(Thin Film Transistor)等を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、能動素子(TFT等)が形成された液晶駆動基板と、透明電極が形成された対向基板とが重ね合わされ、その間に液晶が封入されることでモジュール化されている。
【0003】
この液晶表示装置の液晶駆動基板には、各画素毎にスイッチング用のTFTと信号保持用の補助容量素子が配置され、それらに信号または一定の電位を与えるための各種配線が形成されている。
【0004】
このうちTFTに接続される配線としてはスイッチングを制御するゲートラインと画像信号が与えられる信号ラインとがあり、補助容量素子に接続される配線としては一定の電位を与える補助容量ラインがある。
【0005】
一般に、配線はプロセスの容易さから信号ラインとしてアルミニウム系金属膜を適用し、それと交差するゲートラインおよび補助容量ラインとして多結晶シリコン(またはポリサイド)を適用している。また、画質改善の観点から補助容量ラインとチタン系金属遮光膜とを導通させ、補助容量の抵抗を下げることも行われている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、液晶表示装置の高精細化に対する要求が益々強くなり、画素密度の増大を招いている。これにより、信号ラインと補助容量ラインとの交差数が増大し、配線容量の増加によって良好な画質および画面均一性を得るのが困難となっている。
【0007】
例えば、図4に示すように、補助容量ラインCsは共通電位VCOM に接続され、その電位に一定に保たれる。ところが、交差する信号ラインSLの電位変化により、信号ライン−補助容量ライン間等の寄生容量によってカップリングを受け、これが補助容量ラインCsLの電位を変化させる。
【0008】
図5に示すように、この電位の変化はある時定数を持って再び共通電位VCOM に復帰するが、信号ラインSLのサンプリング期間内に復帰しない場合(図中ΔV参照)、補助容量を介して画素電位が変化し、画質に影響を与えることになる。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような課題を解決するために成された液晶表示装置である。すなわち、本発明の液晶表示装置は、液晶画素を駆動する液晶駆動素子と、信号ラインから液晶駆動素子を介して送られる画像信号を保持する補助容量素子と、共通電位と複数の補助容量素子とを接続し、複数の信号ラインと交差するように設けられた補助容量ラインと、補助容量ラインと電気的に導通し、かつ補助容量ラインを覆う状態に形成されたアルミニウム系金属から成る第1の層と、この第1の層上に形成されたチタン系金属から成る第2の層とから構成される二層遮光膜とを備えているものである。
【0010】
このような本発明では、画像信号を保持する補助容量素子と接続される補助容量ラインに対する遮光膜として、低抵抗層と遮光層とから成る二層遮光膜を用いていることから、低抵抗層による補助容量ラインの低抵抗化と、遮光膜による遮光性とを両立できることになる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の液晶表示装置における実施の形態を図に基づいて説明する。図1は本実施形態の液晶表示装置を説明する部分断面図である。すなわち、本実施形態の液晶表示装置1は、ガラス等から成る液晶駆動基板10と対向基板20とを重ね合わせ、その間に液晶LCを封入したもので、この液晶駆動基板10にTFT(Thin Film Transistor)等の液晶駆動素子Trと補助容量素子Csとが各画素に対応して形成されている。
【0012】
液晶駆動素子Trにはそのゲートの開閉を制御するゲートラインGLと、画像信号が送られる信号ラインSLとが形成されている。また、補助容量素子Csは、液晶駆動素子Trを介して送られる信号ラインSLからの画像信号を保持するもので、一方側が画素電極3に接続され、他方側が補助容量ラインCsLに接続されている。
【0013】
この補助容量ラインCsLは一定の電位、例えば共通電位に接続されている。本実施形態では、この補助容量ラインCsLを覆う状態で二層遮光膜2が形成されている点に特徴がある。
【0014】
二層遮光膜2としては、補助容量ラインCsLに近い側にアルミニウム系金属を用いた低抵抗層21が構成され、その上にチタン系金属を用いた遮光層22が構成されている。すなわち、このような構成により、低抵抗層21で補助容量ラインCsLの抵抗値を低くすることができるとともに、遮光層22で遮光性を高めることができるようになっている。
【0015】
図2は本実施形態における液晶表示装置の回路構成図である。液晶表示装置の回路構成としては、水平走査回路100、画像信号供給スイッチ200、垂直走査回路300を備えるとともに、マトリクス状に構成された液晶LCの各画素に各々対応してTFT等の液晶駆動素子Trと補助容量素子Csとが配列されている。
【0016】
この画像信号供給スイッチ200からは図中縦方向に複数本の信号ラインSLが画素間に配線され、水平走査回路100によって図中横方向(水平方向)に順次画像信号が供給される。また、垂直走査回路300からは図中横方向に複数本のゲートラインGLが画素間に配線され、垂直走査回路300によって図中縦方向(垂直方向)に順次ゲート信号を与えて液晶駆動素子Trのゲートを制御する。
【0017】
各補助容量素子Csの一方側は液晶駆動素子Trを介して出力される画像信号のラインおよび液晶LCに電圧を印加する画素電極(図示せず)のラインに接続され、他方側は補助容量ラインCsLに接続されている。補助容量ラインCsLは共通電位VCOM に接続され、一定の電位に保たれるようになっている。
【0018】
この補助容量ラインCsLは、電気的に導通している二層遮光膜2で覆われている。
【0019】
二層遮光膜2は、先に説明したように、補助容量ラインCsLに近い側にアルミニウム系金属から成る低抵抗層21が構成され、その上にチタン系金属から成る遮光層22が構成されている。
【0020】
低抵抗層21は補助容量ラインCsLの低抵抗化に寄与しており、信号ラインSLの電位変化によるカップリングでの補助容量ラインCsLの電位変化量を小さくし、時定数を小さくして補助容量ラインCsLを共通電位VCOM に速く復帰できるようにしている。
【0021】
図3は補助容量ラインCsLの等価回路であり、Ronが液晶駆動素子TrのON抵抗、Csが補助容量、Rsが補助容量ラインCsLのライン抵抗を示している。このような等価回路で示される補助容量ラインCsLに電圧V0 が入力された場合のゆれV(t)は次の式で表される。
【0022】
V(t)=(Rs/(Ron+Rs))V0 exp(−1/(Ron+Rs)Cs)
【0023】
この式より、補助容量ラインCsLのライン抵抗Rsを下げることで補助容量ラインCsLのゆれV(t)すなわち時定数を小さくすることができ、信号ラインSLからのカップリングで電位変化を受けても、共通電位VCOM へ速く復帰できるようになる。
【0024】
そこで、本実施形態では補助容量ラインCsLの抵抗値を下げるため、二層遮光膜2の低抵抗層21にアルミニウム系金属を用いている。すなわち、このアルミニウム系金属を用いた低抵抗層21のシート抵抗として、例えば230Ω/□のものを用いる。この程度のシート抵抗を得るためには、アルミニウム系金属から成る低抵抗層21を約130nm厚で形成する。
【0025】
また、このようにアルミニウム系金属を用いて低抵抗層21を形成すると、光の反射率が非常に高くなってしまい(例えば、90%以上)、液晶表示装置のコントラストを低下させてしまうなど、画質への悪影響が生じる。そこで、本実施形態では、このアルミニウム系金属から成る低抵抗層21の上に、反射率が低くアルミニウム系金属との密着性のよいチタン系金属から成る遮光層22を形成する。
【0026】
このような二層遮光膜2を形成するには、先ずアルミニウム系金属から成る低抵抗層21を例えばスパッタリング法により形成し、続いてその低抵抗層21の上にチタン系金属から成る遮光層22を例えばスパッタリング法により形成する。この際、真空を破らず(開放せず)連続的に二層遮光膜2を形成することが望ましい。
【0027】
二層遮光膜2を構成する各層の厚さとしては、低抵抗層21の厚さをd1、遮光層22の厚さをd2とした場合、各膜相互の反応を考慮し、各々の目的を達成するため以下に示す範囲で設定するのが望ましい。
【0028】
100nm≦d1≦500nm
50nm≦d2≦350nm
【0029】
このような二層遮光膜2を、補助容量ラインCsLと導通し、かつ補助容量ラインCsLを覆う状態で形成することにより、補助容量ラインCsLの低抵抗化および遮光性を高めることができるようになる。また、補助容量ラインCsLの低抵抗化を図ることができるため、補助容量ラインCsLを配線幅を狭くしても対応できるようになる。
【0030】
なお、上記実施形態では、二層遮光膜2をアルミニウム系金属から成る低抵抗層21とチタン系金属から成る遮光層22とから構成する例を説明したが、本発明はこれらの材質に限定されることはなく、各々目標の低抵抗化および遮光性を得られる材質であればどのようなものであっても適用可能である。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置によれば次のような効果がある。すなわち、二層遮光膜の低抵抗層によって補助容量ラインの抵抗値を下げることができ、補助容量ラインの抵抗に起因する画質の低下を解消できるようになる。また、遮光層によって遮光性を高めることができ、画像のコントラストを高めることが可能となる。さらに、補助容量ラインの低抵抗化によって配線幅を精細にすることができ、画素の開口率を高められるとともに、高精細デバイスの設計を容易にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態における液晶表示装置を説明する部分断面図である。
【図2】本実施形態における液晶表示装置を説明する回路構成図である。
【図3】補助容量ラインの等価回路図である。
【図4】カップリングの影響を説明する図(その1)である。
【図5】カップリングの影響を説明する図(その2)である。
【符号の説明】
1…液晶表示装置、2…二層遮光膜、3…画素電極、10…液晶駆動基板、20…対向基板、21…低抵抗層、22…遮光層、Cs…補助容量素子、CsL…補助容量ライン、GL…ゲートライン、LC…液晶、SL…信号ライン、Tr…液晶駆動素子
Claims (3)
- 液晶画素を駆動する液晶駆動素子と、
信号ラインから前記液晶駆動素子を介して送られる画像信号を保持する補助容量素子と、
共通電位と複数の前記補助容量素子とを接続し、複数の前記信号ラインと交差するように設けられた補助容量ラインと、
前記補助容量ラインと電気的に導通し、かつ、前記補助容量ラインを覆う状態に形成されたアルミニウム系金属から成る第1の層と、当該第1の層上に形成されたチタン系金属から成る第2の層とから構成される二層遮光膜と
を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記二層遮光膜は、前記補助容量ラインに近い側から前記第1の層、前記第2の層の順に構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記二層遮光膜は、複数の前記補助容量素子に対応して前記補助容量ラインに沿って配置された複数の前記液晶駆動素子を覆うように形成されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12836998A JP4144067B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12836998A JP4144067B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007305075A Division JP2008065356A (ja) | 2007-11-26 | 2007-11-26 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11326945A JPH11326945A (ja) | 1999-11-26 |
JP4144067B2 true JP4144067B2 (ja) | 2008-09-03 |
Family
ID=14983129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12836998A Expired - Fee Related JP4144067B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4144067B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006243753A (ja) * | 2006-05-19 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 基板装置、電気光学装置及び電子機器 |
-
1998
- 1998-05-12 JP JP12836998A patent/JP4144067B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11326945A (ja) | 1999-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0464579B1 (en) | Thin film field effect transistor array for use in active matrix liquid crystal display | |
US5745195A (en) | Liquid crystal electrooptical device | |
US4955697A (en) | Liquid crystal display device and method of driving the same | |
KR101209051B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그를 포함하는 액정 표시 장치 | |
US6226057B1 (en) | Liquid crystal display having overlapped pixel electrodes and method for fabricating the same | |
US6310668B1 (en) | LCD wherein opening in source electrode overlaps gate electrode to compensate variations in parasitic capacitance | |
US7626646B2 (en) | Substrate for display device and display device equipped therewith | |
EP0661581A1 (en) | Active matrix type liquid crystal display apparatus | |
US20090135470A1 (en) | Electrophoretic indication display | |
US6163310A (en) | Display apparatus with a built-in driver | |
JP3423380B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4144067B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP3180564B2 (ja) | 画像入出力素子及び画像入出力装置 | |
JP3157186B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
US6750925B2 (en) | Active matrix display device | |
JP2851310B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH05297346A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JP3089675B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ駆動液晶表示素子アレイ及び駆動方法 | |
JPH06186530A (ja) | アクティブマトリクス液晶パネル及び駆動方法 | |
JPS62296123A (ja) | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置 | |
KR101348376B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
JP2682827B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2008065356A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH0895083A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH0695142A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070925 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080407 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080527 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080609 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |