JP4117297B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は基板の目標部分に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この状況において、マスクといったようなパターニングデバイスはＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用される。そして、放射線感光材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つまたは複数のダイの部分から成る）にこのパターンを結像することが可能である。一般的に、シングル基板は、順次露光される近接目標部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置には、全体パターンを目標部分に１回の作動にて露光することにより各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向（「スキャニング」方向）にパターンを放射線ビーム下で徐々にスキャニングし、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行にスキャニングすることにより各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。

リソグラフィ装置の露光フィールドは投影システムにより決定され、かつ、露光フィールドサイズが増すにつれ、急激に投影システムのコストが増すという事実で制限が課せられる。露光フィールドよりも大きいパターンを基板に結像可能にするため、走査露光装置（スキャナ）が開発された。しかし、スキャナは露光フィールドよりも走査方向にかなり長くパターンを結像可能とするが、単一露光で結像可能なパターン幅は投影システムのサイズに依然制限される。露光フィールドよりも広いパターンを結像するため、パターンは一般に並列して基板に別々に結像される複数のマスクに分割される。しかしそうした工程では、必要なマスク交換により低スループットとなる。

必要な二方向の範囲に配置することの可能なマスクテーブルを提供することにより、二方向に対し露光フィールドよりも大きいパターンを結像することが可能となる。従来の走査マスクステージは走査方向（ここではＹ方向にあたる）に広い動作範囲を有し、他方向において位置補正を行うためだけのかなり小さい動作範囲を有する。しかし、そうしたようなマスクテーブルかつその駆動システムは、一方向のみの走査が実行されるケースよりも必然的にかなり大きく、かつより複雑である。従来において１／４あるいは１／５である投影システムの縮小により、通常、基板ステージよりも４倍乃至は５倍の高加速を実行することから、マスクステージの質量が増すことは特に望ましいものではない。

従い、例えば、露光フィールドよりも大きいパターンを結像することの可能な、より単純なリソグラフィ装置を提供することが有効である。

一態様に従い、
放射線のビームを供給するように構成された照明システムと、
ビームにパターンを与えるように構成されたマスクを保持するように構成されたマスクテーブルであって、第一方向に移動される少なくとも２つの位置で該マスクを受け取るようにされていることにより、マスクがそれら位置のなかの別々の位置にあるとき、マスクのパターンの異なる部分を露光フィールドに持ち込むことの可能な該マスクテーブルと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部分にパターン化ビームを投影するように構成された投影システムとから成るリソグラフィ装置を提供する。ここで、該投影システムの該露光フィールドは少なくとも第一方向において該マスクよりも小さい。

マスクの異なる部分を結像するため、マスクは投影システムに対し移動される。可動マスクテーブルを提供することによってこの移動を行うよりも、マスクテーブル上にてマスクを移動することを提案する。一実施形態において、マスクの異なる部分に対応するためマスクテーブルはサイズを増す。しかし、これは、二方向に長い距離を移動するマスクテーブルを提供するよりもかなり簡易である。しかし、マスクテーブルには微動位置決めの小範囲の動作が依然備わることに注意されたい。これによりマスクテーブル上のマスク配置における過度の精度要求も免れる。

従い、本発明の実施形態に従う装置において達成可能な長所は、リソグラフィ装置がより単純に、かつより安価になることである。すなわち、投影システムのサイズおよびコストを増すことなく、より大きいマスクの結像を可能にする、あるいは標準サイズのマスクを実質上より小さくかつ安価な投影システムを使用して結像することを可能にする。こうした装置のスループットは、投影されるパターンと同サイズの露光フィールドを有した、比較可能な装置よりも低い、しかし、本発明の実施形態に従う装置の資本コスト（商品のコスト）は減じられて、所有における全体コストを低減する。

一実施形態において、リソグラフィ装置は、上記のマスクテーブル上において、それら位置のなかの別の１つの位置に上記のマスクを選択的に配置するように構成されたマスク処理装置から成る。マスクテーブルの異なる位置へのマスクの移動はその動作範囲まで少しだけ伸長することによって、例えば従来のマスク処理装置あるいはロボットを用いて達成可能である。

一実施形態において、第１位置にあるときのマスク中央と第２位置にあるときのマスク中央との間の距離は、第一方向における露光フィールドの長さにほぼ等しい。（多くの装置において、所定の露光に使用される実際の露光フィールドは、装置が可能な最大露光フィールドより狭められていることに注意されたい。本明細書中で特に要求しない限り、「露光フィールド」なる用語は本文において装置が可能な最大露光フィールドに相当する。）その距離はその長さよりもわずかに少なく、全体パターンを結像するのに必要な露光のオーバラップに対応する。台形状の照明プロファイルと結合するオーバラップは、単純に接合したステッチングと比較し、ステッチングエラーを減じることが可能である。

２つの適切に移動されるマスク位置により、露光フィールドの２倍のサイズまでのマスクパターンを基板に結像することが可能となる。しかし一般に、マスクテーブルはＮの位置においてマスクに対応することが可能であり、第一方向において露光フィールドの長さのＮ倍までパターン結像を可能にする。Ｎの値は２から５の範囲であろう。

第一方向において多数のもしくは連続した位置にてマスクに対応することの可能なマスクテーブルによってフレキシビリティが得られる。例えばこれは、１つ以上のクランプを提供し、第一方向に平行なそのエッジに沿ってマスクをクランプすることによって達成可能である。

本発明の実施形態はステッパ（すなわちマスクテーブルは位置の補正以外には基本的に静止している）にて具体化されるが、一実施形態においてリソグラフィ装置は、露光の間、第一方向に垂直な第二方向においてマスクテーブルが走査する走査タイプである。こうしたような装置はマスクが異なる位置にて受け取られるようにするため、既存の走査マスクテーブルに対し比較的マイナーな調整が必要となるだけである。

一実施形態において、マスクテーブルは、走査方向に平行なそのエッジに沿ってマスクをクランプする１つ以上のマスククランプを具備する。

さらなる態様に基づいて、
マスクテーブルの第１位置に配置されて、該マスクパターンの第一部分を結像し、続いてマスクテーブルの第二位置に配置されて、該パターンの第二部分を結像する、放射線ビームにパターンを与えるマスクを用い、
基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影することから成るデバイス製造方法が提供される。

よくあるケースのように、同一パターンの複数のコピーが基板に結像される場合、各コピーの第一部分がまず初めに結像され、次に第二部分が結像される。このアプローチはスループットを最大にする。あるいは、各コピーの第二部分は、そのコピーの第一部分の後に直接結像される。このアプローチは、例えば熱膨張または一連の露光の間のクリープによる配置エラーあるいはオーバレイエラーといったエラーを最小限にすることにより、精度と、ゆえに歩留りを最大限に高めることができる。

リソグラフィ装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、本文に記載を行うリソグラフィ装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、他の用途においても使用可能であることは理解されるべきである。こうした代替的な用途において、本文に使用する「ウェハ」、「ダイ」なる用語は、それぞれ「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語と同義とみなされることは当該技術分野の専門家にとって明らかである。本文に記載の基板は、露光の前あるいは後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）あるいは測定もしくは検査ツールにて処理される。適用可能である場合、本開示はこうした基板処理ツールもしくは他の基板処理ツールに適用されうる。さらに、例えば多層ＩＣを作り出すために基板は２回以上処理される。ゆえに、本文に使用される基板なる用語はすでに複数の処理層を含んだ基板にも当てはまる。

本文において使用する「放射線」および「ビーム」なる用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）（例えば５ｎｍ−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。

投影ビームに与えられたパターンは、基板の目標部分における所望のパターンとは必ずしも完全には一致しないことを注記する。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路といったような、目標部分に作り出されるデバイスの特別な機能層に相当する。

本文に使用する「投影システム」なる用語は、使用される露光放射線に適した、もしくは浸液の使用または真空の使用といったような他のファクタに適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システムを含む様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本文において「レンズ」なる用語がどのように使用されていても、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされる。

照明システムは、放射線の投影ビームを誘導、成形、あるいは調整を行う、屈折光学部品、反射光学部品、および反射屈折光学部品を含む様々なタイプの光学部品を網羅する。そしてこのような光学部品もまた以下において集約的、あるいは単一的に「レンズ」と称する。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）の基板テーブル、あるいはこれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」マシンにおいて追加のテーブルが並行して使用され得る。もしくは、１つ以上のテーブルが露光に使用されている間、予備工程が他の１つ以上のテーブルで実行され得る。

リソグラフィ投影装置は、投影装置の最終構成要素と基板間のスペースを充填するよう、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体に基板を液浸するタイプのものもある。浸液は、例えば０．８よりも大きいＮＡ（開口数）といったような高ＮＡを有する投影システムの使用を可能にする。このようなＮＡを有する投影レンズは大きく、製造が大がかりとなる。こうした投影システムのフィールドサイズを減じることで投影システムがより安価となる。最初にマスクの第一部分が第一走査にて基板に露光され、次に、第一走査に続いてマスクの第二部分が第二走査にて基板に露光されるという２回のマスク露光では、そうした投影システムに必要とされるフィールドサイズを減じる。最終フィールドを形成するため２つのマスク像を互いにステッチする種類のシステムは、より小さい投影システムを用いる液浸リソグラフィにおいて使用可能である。投影システムの最終素子と液浸システムに浸された基板間のスペースを保つことは、液体供給システム、液体閉じ込め構造、および該構造と基板間のシール（例えばガスシール）を具備して可能となる。液浸リソグラフィ投影装置に関するより多くの情報は、米国公開番号２００４／０１６５１５９ Ａ１から得られ、詳細は当該文献を参照されたい。上記公開における図２において、上述を行ったような液体供給システム、液体閉じ込め構造、およびシールが開示されている。浸液は、リソグラフィ装置の他のスペース、例えばマスクと投影システムの第一素子間にも適用可能である。液浸技術は投影システムの開口数を増すものとして従来技術において公知である。

本発明の実施例についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする。ここで、一致する参照符合はその対応一致する部分を示す。
図１は、本発明の特定の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。本装置は、
− 放射線の投影ビームＰＢ（例えばＵＶ放射線あるいはＤＵＶ放射線）を供給する照明システム（照明装置）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持し、かつ、品目ＰＬに対してパターニングデバイスを正確に位置合わせする第一位置決め構造ＰＭに連結を行った第一支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジスト塗布ウェハ）Ｗを保持し、かつ、品目ＰＬに対して基板を正確に位置合わせする第二位置決め手段ＰＷに連結を行った基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡにより投影ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイから成る）目標部分Ｃに結像する投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬとから成る。

ここで示しているように、この装置は透過タイプ（例えば透過マスクを使用する）である。あるいは、該装置は反射タイプの（例えば上記に相当するタイプのプログラム可能ミラーアレイを使用する）ものも可能である。

照明装置ＩＬは放射線ソースＳＯから放射線のビームを受け取る。例えばソースがエキシマレーザである場合、ソースとリソグラフィ装置は別々のエンティティである。このような場合、ソースは投影装置の部分を形成するとは見なされず、放射線ビームは例えば適した誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダから成るビーム伝送システムＢＤにより、ソースＳＯから照明装置ＩＬに渡される。他のケースでは、例えばソースが水銀ランプである場合、ソースは装置の統合部分になりうる。ソースＳＯおよび照明装置ＩＬ（必要に応じてビーム伝送システムＢＤも共に）は放射線システムと称される。

照明装置ＩＬは、ビームの角強度分布を調整する調整手段ＡＭを備える。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の少なくとも外部かつ／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒに相当する）が調整可能である。加えて、照明装置ＩＬは一般に、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような様々なタイプの他の構成要素を具備する。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布を有する、投影ビームＰＢに相当する放射線の調整ビームを供給する。

投影ビームＰＢは、マスクテーブルＭＴに保持されたマスクＭＡに入射する。投影ビームＰＢはマスクＭＡを横断して、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる投影システムＰＬを通過する。第二位置決め手段ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計）により、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段ＰＭおよび他の位置センサ（図１に明示を行っておらない）は、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用され得る。一般的に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの運動は、位置決め手段ＰＭおよびＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結されるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされる。

本記載の装置は次のモードにおいて使用可能である。

ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に維持されており、投影ビームに与えられた全体パターンが１回の作動（すなわちシングル静的露光）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光可能となる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル静的露光にて結像される目標部分Ｃのサイズが制限される。

スキャンモードにおいて、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同時走査される（すなわちシングル動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小）および像反転特性により判断される。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大長により、シングル動的露光における目標部分の幅（非走査方向における）が制限される。一方、走査動作長が目標部分の高さ（走査方向における）を決定する。

上記の使用モードにおける組み合わせおよび／またはバリエーション、もしくは全く異なる使用モードもまた用いられ得る。

リソグラフィ装置のマスクテーブルの実施形態を図2および図3においてより詳細に示している。マスクテーブルＭＴはショートストロークフレームＳＳＦにて保持されている。マスクテーブルＭＴおよび／またはショートストロークフレームには微動位置決め手段（図示せず）の全体あるいは部分が配備され、ショートストロークフレームＳＳＦに対してマスクテーブルＭＴの位置を６自由度（まで）にて微細に調整する。粗動位置決め手段（これも図示せず）が配備され、Ｙ方向（両端矢印で示すように）にショートストロークフレームＳＳＦを走査し、走査露光を実行する。マスクテーブルにはエンコーダトラックＥＴも配備し、少なくとも走査方向におけるマスクの位置をエンコーダヘッドによって決定可能にする。他の位置計測システムおよび／または干渉計といったような変位測定システムの他の形態も追加的あるいは代替的に使用され得る。基準ブロックＦＩは様々なタイプの基準マークおよび／またはセンサを含む。

このケースにおいてマスクは透過性であることから、マスクテーブルは、マスククランプＭＣによりマスクＭＡが保持される開口ＡＰを画成する。開口ＡＰは、（Ｙ方向あるいは走査方向に垂直な）Ｘ方向にマスクＭＡよりも大きいことから、マスクテーブル上において露光フィールドＥＦに対する異なる位置にマスクＭＡを配置することが可能であり、そのサイズおよび位置は投影システムによって決定される。この実施形態において、露光フィールドは、マスク（より正確にはマスクの該当するパターン領域）の（Ｘ方向における）長さの約半分であり、Ｘ方向における開口長は露光フィールドの長さの３倍である。こうしてマスクＭＡを図2に示した第１位置にクランプすることが可能であり、（図示のように）その下半分を露光（オブジェクト）フィールドを通過して走査可能である。また、図3に示した第2位置にもクランプ可能であり、その上半分を露光フィールドを通過して走査可能である。このようにして、２つの走査露光により基板に完全なマスクイメージが転写することが出来る。結合される像が確実に正確なデバイス層を形成するよう、台形状の強度プロファイルおよびオーバラップを使用する従来のステッチング技術を用いることが可能である。

マスクがクランプされる位置の範囲が相応して増す場合、使用する露光フィールドはより小さくなることは理解されよう。一般に、マスク位置の範囲は、露光フィールドの長さ以下の、当該マスク寸法の2倍に等しくなるべきである。効率の上から、マスクパターン幅が露光フィールドの長さの整数倍であると好都合であるが、これは重要ではない。マスクテーブルの開口はマスク位置の全範囲に拡張する必要はなく、露光フィールドに一致することのみ必要であることも注意されたい。

マスクテーブルの位置間においてマスクを移動するために、その動作範囲が所望のマスク位置を網羅するように拡張される場合、従来タイプのマスク処理ロボットＭＲが使用され得る。マスクを移動するために、マスクテーブルはマスクロード／アンロードポジションに移動される。マスクはマスク処理ロボットで持ち上げられ、新しい位置に載置される。これに代わりマスクを移動するための専用デバイスも配備され得る。マスク配置精度はマスクテーブルの微動位置決めシステムの動作範囲内であることのみ必要とされ、既知のロボットにより容易に達成可能である。マスクに取り付けされたペリクルおよびフレームはこれと共に移動される。

同一パターンを単一基板上で数回露光する際、パターンの全コピーの最初の半分を露光し、それから全コピーの後の半分を露光することによってスループットを最大化することが可能である。この方法において、一回のマスク移動のみが必要とされる。あるいは、次のコピーにうつる前に１つのコピーの最初の半分を、それからそのコピーの後の半分を結像することが可能である。この手順は、熱膨張による、あるいは一連の露光の間における基板のクリープによるステッチングエラーの可能性を最小にするが、マスクの移動数を増してスループットを減じる。どの手順が好ましいかは、スループットあるいは歩留りが優先されるかどうかによる。

本発明の第二実施形態を図４に示している。この実施形態は、以下に記載の内容を除いて第一実施形態と基本的に同様である。

第一実施形態においてマスクはＸ方向に平行なそのエッジに沿ってクランプされている。しかし、従来的にマスクは走査方向に平行なエッジに沿ってクランプされるように調整されており、これはマスクを回転させるのに望ましいものではない。よって、第二実施形態において、再度述べると本ケースにおいてマスクは透過性であることから、それぞれのクランプＭＣを有する２つの別々の開口ＡＰ１、ＡＰ２がマスクテーブルＭＴに設けられる。開口は、マスクテーブルの中心線の両方向に配置され、それによって、マスクが所定位置、開口ＡＰ１上にあるとき、その下半分が露光フィールドで走査される。そして開口ＡＰ２において、その上半分が露光フィールドで走査される。本実施形態において、Ｙ方向、あるいは走査方向におけるマスクテーブルの長さ、およびマスクテーブルの走査範囲は増す。マスク処理ロボットＭＲの範囲も増される必要がある。

以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく他の方法でも具体化できることは当業者にとって明らかである。本詳細説明は本発明を制限する意図ではない。

本発明の第一実施形態に従うリソグラフィ投影装置を示したものである。 第一位置にマスクを配した本発明の第一実施形態のマスクテーブルを示したものである。 第二位置にマスクを配した本発明の第一実施形態のマスクテーブルを示したものである。 本発明の第二実施形態のマスクテーブルを示したものである。

Claims (26)

1. 放射線のビームを供給するように構成された照明システムと、
   ビームにパターンを与えるように構成されたマスクを保持するように構成されたマスクテーブルと、
   基板を保持するように構成された基板テーブルと、
   基板の目標部分にパターン化ビームを投影するように構成された投影システムと、から成るリソグラフィ装置であって、
   前記マスクテーブルは、一つのマスクを、第一方向の少なくとも２つの位置で保持可能であって、
   前記投影システムの露光フィールドは少なくとも前記第一方向において前記マスクよりも小さく、
   前記マスクが前記マスクテーブルの２つの位置間で移動することにより、該マスクのパターンの異なる部分が前記露光フィールドに配置されることを特徴とするリソグラフィ装置。
2. 上記マスクテーブル上の、前記位置のそれぞれ異なる１つの位置に上記マスクを選択的に配置するように構成されたマスク処理装置をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 第１位置にあるときの上記マスク中央と第２位置にあるときの上記マスク中央との間の距離は、第一方向における露光フィールドの長さとほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載の装置。
4. 上記の距離は上記の長さよりもわずかに少なく、全体パターンを結像するのに必要な露光のオーバラップに対応することを特徴とする請求項３に記載の装置。
5. 上記のマスクテーブルはＮの位置においてマスクを受けるようにされており、第一方向において露光フィールドの長さのＮ倍までパターン結像を可能にし、Ｎの値は２から５の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
6. 上記のマスクテーブルは第一方向において多数のもしくは連続した位置にてマスクを受け入れるようにされていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
7. 上記のマスクテーブルは、第一方向に平行なそのエッジに沿ってマスクをクランプするマスククランプを具備することを特徴とする請求項６に記載の装置。
8. 少なくとも上記第一方向において、マスクテーブルの位置の微調整を行うようにされた微動位置決めアクチュエータをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の装置。
9. 上記の第一方向にほぼ垂直な第二方向において、露光中に上記マスクテーブルを走査するようにされたロングストローク駆動装置をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の装置。
10. 上記のマスクテーブルは、走査方向に平行なそのエッジに沿ってマスクをクランプするマスククランプを具備することを特徴とする請求項１に記載の装置。
11. 放射線ビームにパターンを与えるマスクを用いて、基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影するデバイス製造方法であって、
    マスクテーブルの第１位置に一つのマスクを配置し、該マスクのマスクパターンの第一部分を結像し、
    続いてマスクテーブルの第２位置に前記マスクを移動し、前記マスクパターンの第二部分を結像する、ことを特徴とするデバイス製造方法。
12. 各コピーの第一部分が初めに結像され、次にマスクが上記第２位置に配置されて、各コピーの上記第二部分が結像される、同一パターンの複数コピーを基板に結像する請求項１１に記載の方法。
13. 第一コピーの第一部分が初めに上記基板に結像され、第二コピーの第一部分が結像される前に、上記マスクが上記第２位置に配置されて、該第一コピーの第二部分が結像されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
14. マスク処理装置を使用して、上記マスクテーブル上の、それら位置のなかの別の１つの位置に上記マスクを選択的に配置することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
15. 上記パターン化ビームを投影するとき、第１位置にあるときのマスク中央と第２位置にあるときのマスク中央との間の距離は露光フィールドの長さにほぼ等しいことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
16. 上記の距離は上記の長さよりもわずかに少なく、全体パターンを結像するのに必要な露光のオーバラップに対応することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
17. 上記のマスクテーブルはＮの位置においてマスクに対応するようにされており、露光フィールドの長さのＮ倍までパターン結像を可能にし、Ｎの値は２から５の範囲であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
18. 上記のマスクテーブルは多数のもしくは連続した位置にてマスクに対応するようにされていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
19. 上記のマスクテーブルは、走査方向にほぼ垂直な方向に平行なそのエッジに沿ってマスクをクランプするマスククランプを具備することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
20. さらに、走査方向にほぼ垂直な方向において上記マスクテーブルを微細に位置決めすることから成ることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
21. さらに、露光中、走査方向において上記マスクテーブルを位置決めすることから成ることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
22. 上記のマスクテーブルは、走査方向に平行なそのエッジに沿ってマスクをクランプするマスククランプを具備することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
23. 上記装置は、上記投影システムと上記基板間のスペースを少なくとも部分的に液体にて充填するように構成された液浸システムから成ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
24. 液浸システムは、液体供給システム、液体閉じ込め構造、およびシールから成ることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
25. 前記マスクテーブルは、前記マスクより大きい開口を有し、前記マスクは、該開口内にて、前記少なくとも２つの位置に移動されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
26. 前記マスクテーブルは、前記マスクより大きい開口を有し、前記マスクは該開口内にて前記第１位置から前記第２位置に移動されることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス製造方法。

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