JP4110696B2 - Polarization processing method and apparatus - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、分極処理装置及びその装置に関し、詳しくは、焦電素子等の薄い基板の分極処理を分極反転を生じさせることなく確実におこなうとともに、分極処理装置を簡素化しようとする技術に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば、ＬｉＴａＯ3の結晶を引き上げたインゴットＡに電圧（例えば、５Ｖ／ｃｍ）を加えて分極処理をおこない、このようなインゴットＡから電界方向に分極軸を持つウエハＢを切り出すのである［図３５（ａ）参照］。そのウエハＢにスライス加工をおこなって所望の厚さ（例：数十μｍ）に研磨するのである［図３５（ｂ）参照］。その後、そのウエハに配線・電極を蒸着して素子を得るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来においては、初期の段階で分極処理をおこなうことから、以後の工程中に分極反転が生じることがあり、又、電極を蒸着した部分だけを選択的に分極することができない等という問題があった。
【０００４】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、分極処理を分極反転を生じさせることなく確実におこなうとともに、選択した部分の分極をおこなうことができ、かつ、分極処理装置を簡素化することができる分極処理方法及びその装置を提供することを課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１においては、表裏両面に電極３ａ，３ｂを形成してある基板１を２枚の加熱プレート２ａ，２ｂで挟み込み保持し、各加熱プレート２ａ，２ｂに形成してある貫通孔１７，１７にプローブ４ａ，４ｂを挿通させ、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂにプローブ４ａ，４ｂを接触させ、加熱させるとともに電圧をかけることにより分極をおこなうことを特徴とするものである。このような構成によれば、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂによって薄い基板１であっても変形させることなく保持することができ、各加熱プレート２ａ，２ｂの貫通孔１７，１７を通じて基板１の両面の電極３ａ，３ｂにプローブ４ａ，４ｂを安定的に当接させて電気的処理をおこなうことができ、かつ、上下の加熱プレート２ａ，２ｂによって基板１を上下から均一に加熱することから、薄い基板１においても割れを防止することができ、基板１内に温度差が生じることがなく、均一な分極処理がおこなえる。
【０００６】
請求項２においては、表裏両面に電極３ａ，３ｂを形成してある基板１を挟み込み保持する２枚の加熱プレート２ａ，２ｂと、各加熱プレート２ａ，２ｂに形成した貫通孔１７，１７と、各加熱プレート２ａ，２ｂの貫通孔１７，１７に挿通させるとともに基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，４ｂと、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電源とを備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、請求項１と同様な作用を得ることができる。
【０００７】
請求項３においては、加熱プレート２ａ，２ｂが、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから構成されていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の材料や分極処理条件によって熱伝達板６ａ，６ｂの材質を選択することができ、基板１の材料に応じた適正な分極処理がおこなえる。
【０００８】
請求項４においては、下の熱伝達板６ｂの下に１個の熱源盤５ｂを配し、下の熱伝達板６ｂより上の熱伝達板６ａに熱伝達可能に構成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、１個の熱源盤５ｂによって上下の熱伝達板６ａ，６ｂを加熱することができ、装置を簡素化することができるとともに１個の熱源盤５ｂによって基板１を均一に加熱することができる。
【０００９】
請求項５においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとが分離可能に構成されていることを特徴とするものである。このような構成によれば、熱伝達板６ａ，６ｂから熱源盤５ａ，５ｂを分離することで、基板１の冷却時間を短くできる。
【００１０】
請求項６においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの接合箇所に凹溝７及び凸条８を備えた凹凸嵌合手段９を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、凹溝７及び凸条８を備えた凹凸嵌合手段９によって熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの位置決めを正確におこなうことができながら、凹凸嵌合手段９の嵌合により熱伝導性を高めることができ、加熱時間を短縮することができ、かつ、凹溝７及び凸条８が冷却フィンの働きをすることから、冷却時間を短縮することができる。
【００１１】
請求項７においては、加熱プレート２ａ，２ｂに圧電材を使用することを特徴とするものである。このような構成によれば、誘電体の基板１は帯電しやすいが、加熱プレート２ａ，２ｂの圧電材によって電気的な引力・反発力を生じさせることができ、静電気を帯びた基板１の固定・剥離が容易になる。
【００１２】
請求項８においては、加熱プレート２ａ，２ｂに熱伝導率の大きい材料を使用することを特徴とするものである。このような構成によれば、加熱プレート２ａ，２ｂを例えば、窒化アルミのように鉄に比べて熱伝導の大きな材料にすることで、熱伝導性を高めることができて基板１を均一に加熱しやすくなり、均一な分極が可能になり、更に、加熱時の基板１の割れを防止することができる。
【００１３】
請求項９においては、加熱プレート２ａ，２ｂに基板１と同じ材料を使用することを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の加熱・冷却時に、基板１と加熱プレート２ａ，２ｂとが共に同じ量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生を抑制することができる。
【００１４】
請求項１０においては、加熱プレート２ａ，２ｂに電気的な絶縁材料を使用することを特徴とするものである。このような構成によれば、例えば、基板１に形成された電極部のみを選択的に分極することが可能であり、更に、絶縁距離を長くとることができることから、プローブ４ａ，４ｂに高電圧を印加することが可能である。
【００１５】
請求項１１においては、プローブ４ａ，４ｂの位置を変更可能に構成して、接触圧を変更可能に構成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１への接触圧を調整することにより、基板１の変形量や電気的接触状態の調整が可能となる。
【００１６】
請求項１２においては、下の加熱プレート２ｂの上に導電性パッド１０を介して載置した基板１の上に上の加熱プレート２ａを配し、基板１の上方からプローブ４ａを接触させるとともに、導電性パッド１０にプローブ４ｂを上方から接触させていることを特徴とするものである。このような構成によれば、一対のプローブ４ａ，４ｂを共に上方から接触させることができて、装置を簡素化することができる。
【００１７】
請求項１３においては、導電性パッド１０を基板１の重要部分１１を避けて形成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の表裏に高電圧を印加させることができ、したがって、分極処理が可能になる。
【００１８】
請求項１４においては、基板１を挟む加熱プレート２ａ，２ｂの挟み圧を調整する挟み圧調整手段１２を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の挟み圧を調整することによって、材料に応じた適正な挟み圧で加熱プレート２ａ，２ｂによって挟むことができ、基板１を適正に挟み、プローブ４ａ，４ｂを適正な接触力にて接触させることができる。
【００１９】
請求項１５においては、挟み圧調整手段１２は、ばね力の調整によることを特徴とするものである。このような構成によれば、ばね力によって挟み圧を容易に調整することができながら、例えば、コイルスプリング３１を使用する場合には、挟み圧調整手段１２を加熱プレート２ａに対してコンパクトに一体化することができる。
【００２０】
請求項１６においては、ばね力による挟み圧調整手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み治具２６の操作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にしてあることを特徴とするものである。このような構成によれば、挟み操作をワンタッチにておこなうことができ、操作性を高めることができる。
【００２１】
請求項１７においては、加熱プレート２ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりエアーを吹出して基板１を加熱プレート２ａから剥離する剥離手段１４を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、加熱プレート２ａの通孔１３から吹出すエアーによって基板１を加熱プレート２ａから容易に剥離することができる。
【００２２】
請求項１８においては、加熱プレート２ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板１を加熱プレート２ａから剥離する静電気中和型の剥離手段１５を形成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１が帯電しても加熱プレート２ａの通孔１３から吹出されるイオン性のガスによって帯電を中和させることができ、簡単に加熱プレート２ａから基板１を剥離させることができる。
【００２３】
請求項１９においては、通孔１３を形成した加熱プレート２ａに凹条１６を形成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１が帯電していても、加熱プレート２ａとの接触面積が凹条１６によって小さくなるので、帯電による吸着面積が小さくなるとともに、エアーが凹条１６を介して回り込むことによって、基板１を簡単に剥離することができる。
【００２４】
請求項２０においては、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，４ｂを基板１の両側に各複数本ずつ備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、表裏に電極３ａ，３ｂを形成した１枚の基板１に両面から複数本ずつのプローブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、１本のプローブ４ａ1が電極３ａに接触していなくても、他のプローブ４ａ2が存在していることから、他のプローブ４ａ2が接触することができて電極３ａに対する接触の信頼性を高める。
【００２５】
請求項２１においては、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎に高電圧源３２を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、高電圧源３２によるプローブ４ａ，４ｂ対毎の印加電圧を異ならせることができ、例えば、１枚の基板１内に形成した各分極エリアにおいて印加電圧値の異なる素子を得ることができ、又、例えば、加熱プレート２ａ，２ｂ内に複数個の基板１，１をセットし、複数の基板１，１を異なった印加電圧値で処理することができる。
【００２６】
請求項２２においては、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎の高電圧源３２の極性を切換える手段を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、プローブ４ａ，４ｂ対毎に電圧を印加する極性を切換えることで、分極の方向がエリアによって異なる素子を容易に製造することができ、かつ、印加する電圧の極性を切換えて複数回にわたって電圧印加をおこなうことができ、より分極率の高い基板１、または、素子をつくることができる。
【００２７】
請求項２３においては、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧あるいは接触位置を検出する手段３３を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧あるいは接触位置に起因して基板１の厚みを相対的に検出することができ、個々の基板１，１の厚みが未知であっても、基板１，１の厚みの違いに対して補正をおこなうことで、特定の電圧条件で分極処理ができる。
【００２８】
請求項２４においては、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧を検出し、その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段３４をプローブ４ａ，４ｂ対に備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の厚みの違いを検出し、厚みの違いに応じて印加する電圧値を補正することにより、厚みの異なる複数枚を同時に処理することができる。
【００２９】
請求項２５においては、基板１を挟み込んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真空槽３５内で電圧を印加する手段を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、例えば、数１０μｍのように薄い基板１に対向させた電極３ａ，３ｂに高電圧を印加させても真空槽３５内であることから、放電が生じないため、放電による衝撃で基板１に損傷が生じることがない。
【００３０】
請求項２６においては、基板１を挟み込んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真空槽３５内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、高電圧を印加させても真空槽３５内であるから放電が生じず、特に、絶縁性ガスにて覆っていることから、二次的な放電による基板１自身の絶縁破壊を防止することができる。
【００３１】
請求項２７においては、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に、電圧印加が終了した後に基板１の両面の電極３ａ，３ｂ間を短絡するための回路切換装置４７を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、電圧を印加し終えた後の基板１が、冷却時に基板１自身の逆帯電によって分極反転するのを防ぐことができ、分極率の低下を防ぐことができ、更に、短絡手段を電圧印加と同一の装置に組み込むことで装置全体が簡略化できる。
【００３２】
請求項２８においては、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置３６を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、電圧印加回路に流れる電流値を時間的にモニタリングすることができ、電圧印加時の異常を発見（不良判定）することができ、かつ、電圧印加時間を制御することができる。
【００３３】
請求項２９においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの間に冷却板３７を挿入自在に構成していることを特徴とするものである。このような構成によれば、冷却板３７の挿入によって、基板１の冷却を、一層、短縮することができ、かつ、例えば、材質、厚みを選定した特定の冷却板３７を使用することで、一定の温度勾配で基板１を冷却することができ、急冷による基板１の割れを防ぐことができる。
【００３４】
請求項３０においては、基板１を風冷するファン３８を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の冷却時間を、一層、短縮し、かつ、ファン３８の回転数を調節することにより、冷却の温度勾配を変化させることができる。
【００３５】
請求項３１においては、電極３ａ，３ｂがパターン化された基板１上の電極パターンの縁に電極３ａ，３ｂの抵抗値を測定することができる抵抗測定用プローブ３９，３９を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、抵抗測定用プローブ３９，３９によって電極３ａ，３ｂの抵抗を測定することができ、電極３ａ，３ｂのパターン切れ、厚み不良を検知することができ、かつ、基板１による電極３ａ，３ｂの抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での電圧降下分の補正をすることができ、しかも、処理前後（電圧印加前後）に測定することで、処理中のパターン切れを検知することができ、処理の良否判定をおこなうことができる。
【００３６】
請求項３２においては、抵抗測定用プローブ３９，３９が電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂと兼ねていることを特徴とするものである。このような構成によれば、装置を簡略化できるとともに、対となる上下のプローブ３９，３９をつなぐことで、基板１の絶縁性のチェックができる。
【００３７】
請求項３３においては、基板１の上下に複数本ずつ設けたプローブ４ａ，４ｂを電気抵抗測定用プローブ３９，３９として使用する際に、特定のプローブ４ａ1に対して他の各プローブ４ａ2間の抵抗を測定するための切替え制御手段４０を備えていることを特徴とするものである。このような構成によれば、各プローブ３９，３９間の抵抗値が測定でき、特定エリアでの電極３ａ，３ｂの異常を判定することができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。図１（ａ）は概略断面図、同図（ｂ）は基板の平面図、同図（ｃ）は側面図、図２は概略断面図である。
【００３９】
分極処理装置は、基板１を挟み込み保持する２枚の加熱プレート２ａ，２ｂと、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，４ｂと、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電源とを備えている。
【００４０】
基板１は、例えば、ＬｉＴａＯ3のインゴットをスライスしたものであり、基板１の表裏に、例えば、蒸着やメッキによる金属膜を付設して電極３ａ，３ｂを形成している。
【００４１】
図２に示すように、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂには貫通孔１７，１７が形成されてプローブ４ａ，４ｂを挿通することができるようにしている。例えば、端部に大径部１９ａを形成した支軸１９が治具１８に昇降自在に保持され、支軸１９の他端にプローブ４ａが保持され、コイルスプリング２０によって支軸１９が突出付勢され、大径部１９ａによって一定以上の突出を阻止している。このように、プローブ４ａを下方に弾性付勢するとともに伸縮自在に保持する構成は種々設計変更することができきるものである。又、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂはボルト止めのような締付け手段２１によって固定することができるようにしている。
【００４２】
しかして、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂを締付け手段２１によって固定して加熱プレート２ａ，２ｂ間に基板１を挟み込み保持するのであり、コイルスプリング２０によって付勢されたプローブ４ａ，４ｂが基板１の両面の電極３ａ，３ｂに接触するのであり、又、交流電源より通電させて加熱プレート２ａ，２ｂによって加熱するとともにプローブ４ａ，４ｂに電圧をかけることにより分極をおこなうのである。
【００４３】
このように、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂによって薄い基板１であっても変形させることなく保持することができるのであり、基板１にプローブ４ａ，４ｂを安定的に当接させて電気的処理をおこなうことができるのであり、しかも、上下の加熱プレート２ａ，２ｂによって基板１を上下から均一に加熱することから、薄い基板１においても割れを防止することができ、基板１内に温度差が生じることがなく、均一な分極処理がおこなえるのである。
【００４４】
図３は他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４５】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから構成したものであり、基板１の材料や分極処理条件によって熱伝達板６ａ，６ｂの材質を選択することができ、基板１の材料に応じた適正な分極処理がおこなえるものである。
【００４６】
図４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４７】
本実施の形態においては、下の熱伝達板６ｂの下に１個の熱源盤５ｂを配し、下の熱伝達板６ｂの両端部に伝熱起立部２２，２２を形成し、両伝熱起立部２２，２２間に上の熱伝達板６ａを挿入して当接することで、下の熱伝達板６ｂより上の熱伝達板６ａに熱伝達可能に構成したものである。
【００４８】
本実施の形態においては、１個の熱源盤５ｂによって上下の熱伝達板６ａ，６ｂを加熱することができるのであり、装置を簡素化することができるとともに１個の熱源盤５ｂによって基板１を均一に加熱することができるものである。
【００４９】
図５は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５０】
本実施の形態においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとが分離可能に構成されている。
【００５１】
本実施の形態においては、熱伝達板６ａ，６ｂから熱源盤５ａ，５ｂを分離することで、基板１の冷却時間を短くできるものである。
【００５２】
図６は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５３】
本実施の形態においては、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの接合箇所に凹溝７及び凸条８を備えた凹凸嵌合手段９を備えている。
【００５４】
本実施の形態においては、凹溝７及び凸条８を備えた凹凸嵌合手段９によって熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの位置決めを正確におこなうことができながら、凹凸嵌合手段９の嵌合により熱伝導性を高めることができ、加熱時間を短縮することができ、かつ、凹溝７及び凸条８が冷却フィンの働きをすることから、冷却時間を短縮することができるものである。
【００５５】
図７は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５６】
本実施の形態においては、加熱プレート２ｂに圧電材を使用するものである。圧電材としては、例えば、ＰＺＴを用いる。加熱プレート２ｂの両側には例えば、シリンダー（図示せず）を配して圧縮・引張り力を付与するようにしている。
【００５７】
本実施の形態においては、同図（ｂ）に示すように、圧電材の加熱プレート２ｂに基板１の分極方向イとは反発する斥力ロが生じるように引張り力ハを付与して加熱プレート２ｂに図示するような電界の向きニを生じさせるものである。又、同図（ａ）に示すように、圧電材の加熱プレート２ｂに基板１の分極方向イとは引力ホが生じるように圧縮力トを付与して加熱プレート２ｂに図示するような電界の向きチを生じさせるものである。
【００５８】
本実施の形態においては、誘電体の基板１は帯電しやすいが、加熱プレート２ｂの圧電材によって電気的な引力・反発力を生じさせることができ、静電気を帯びた基板１の固定・剥離が容易になるものである。
【００５９】
ところで、加熱プレート２ａ，２ｂに例えば、窒化アルミのように鉄に比べて熱伝導の大きな材料のものを使用することで、熱伝導性を高めることができて基板１を均一に加熱しやすくなり、均一な分極が可能になり、更に、加熱時の基板１の割れを防止することができるものである。
【００６０】
更に、加熱プレート２ａ，２ｂに基板１と同じ材料、例えば、ＬｉＴａＯ3を使用したり、又、ＰＺＴを使用したりすることができる。
【００６１】
このような実施の形態においては、基板１の加熱・冷却時に、基板１と加熱プレート２ａ，２ｂとが共に同じ量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生を抑制することができるものである。
【００６２】
図８は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６３】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａ，２ｂに電気的な絶縁材料を使用するものである。具体的には、加熱プレート２ａ，２ｂとして、窒化アルミのセラミック板等を使用するのであり、プローブ４ａ，４ｂに高電圧源を接続して、高電圧をかけることが可能となり、加熱プレート２ａ，２ｂが絶縁材なので、例えば、基板１に形成された電極部のみを選択的に分極することが可能になるのであり、更に、絶縁距離を長くとることができることから、プローブ４ａ，４ｂに、一層、高電圧を印加することが可能になるのである。
【００６４】
図９は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６５】
本実施の形態においては、図２の実施の形態のように、端部に大径部１９ａを形成した支軸１９が治具１８に昇降自在に保持され、支軸１９の他端にプローブ４ａが保持され、コイルスプリング２０によって支軸１９が突出付勢され、大径部１９ａによって一定以上の突出を阻止している。更に、治具１８が昇降機構（図示せず）によって昇降可能に構成されていて、プローブ４ａの上下位置を変更することで、加熱プレート２ａからの出代を調整して基板１への接触圧を変更することができるものである。つまり、治具１８を昇降させてプローブ４ａの位置を変更して加熱プレート２ａからの出代を変更することで、加熱プレート２ａの加熱面に当接する基板１にプローブ４ａを弾接する際に、コイルスプリング２０を圧縮する量を変更して、プローブ４ａが基板１に接触する接触圧を変更するのである。
【００６６】
本実施の形態においては、基板１への接触圧を調整することにより、基板１の変形量や電気的接触状態の調整が可能となるのである。
【００６７】
図１０は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６８】
本実施の形態においては、下の加熱プレート２ｂの上に蒸着やメッキによる金属膜の導電性パッド１０を介して載置した基板１の上に加熱プレート２ａを配し、基板１の上方からプローブ４ａを接触させるようにしたものである。下の加熱プレート２ｂは、絶縁材料のもの、又は、導電性材料のものを用いる。
【００６９】
本実施の形態においては、導電性パッド１０にプローブ４ａ，４ｂを上方から接触させていることから、一対のプローブ４ａ，４ｂを共に上方から接触させることができて、装置を簡素化することができるものである。又、このような構成によれば、基板１の表裏に高電圧を印加することができ、選択的に分極が可能になる。
【００７０】
図１１は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００７１】
本実施の形態においては、下の加熱プレート２ｂに、例えば蒸着やメッキによる金属膜の導電性パッド１０を基板１の重要部分１１（例えば、素子部）を避けて形成したものである。
【００７２】
このような構成によれば、基板１の上方からプローブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、導電性パッド１０を基板１の重要部分１１（例えば、素子部）を避けて形成していて、装置が簡素化でき、基板１の表裏に高電圧を印加させることができ、したがって、分極処理が可能になるものである。
【００７３】
図１２は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００７４】
本実施の形態においては、基板１を挟む加熱プレート２ａ，２ｂの挟み圧を調整する挟み圧調整手段１２を備えているものである。具体的には、下の加熱プレート２ｂにねじ込んだ治具棒２３にカラー２４を挿通し、カラー２４に、例えば、シリンダー（図示せず）のような挟み圧調整具より加圧をおこなって基板１の挟み圧を調整するようにしたものである。
【００７５】
本実施の形態においては、基板１の挟み圧を調整することによって、材料に応じた適正な挟み圧で加熱プレート２ａ，２ｂによって挟むことができ、基板１を適正に挟み、プローブ４ａ，４ｂを適正な接触力にて接触させることができるものである。
【００７６】
図１３は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００７７】
本実施の形態においては、挟み圧調整手段１２は、ばね力の調整によるようにしたものである。具体的には、治具棒２３を下の加熱プレート２ｂにねじ込み、治具棒２３にカラー２４及びコイルスプリング３１を挿通し、治具棒２３にねじ込んだナット２５をねじ昇降させることで、コイルスプリング３１の圧縮量を変更することによって基板１の挟み圧を調整するようにしたものである。
【００７８】
本実施の形態においては、ばね力によって挟み圧を容易に調整することができながら、例えば、コイルスプリング３１を使用することで、挟み圧調整手段１２を加熱プレート２ａに対してコンパクトに一体化することができるものである。
【００７９】
図１４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００８０】
本実施の形態においては、ばね力による挟み圧調整手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み治具２６の操作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にしたものである。具体的には、上の加熱プレート２ａに丸形の貫通孔２７を、下の加熱プレート２ｂに長孔２８を形成し、貫通孔２７及び長孔２８に挿通される治具棒２３の下端に小判形の大径部２９を形成したものである。
【００８１】
本実施の形態においては、小判形の大径部２９を長孔２８に通過させた後、治具棒２３を回転させて同図（ｃ）に示すように、大径部２９によって抜止めを図るのであり、このように、ばね力による挟み圧調整手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み治具２６の操作をワンタッチ操作にておこなえるようにしたものである。
【００８２】
本実施の形態においては、上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み操作をワンタッチにておこなえて、操作性を高めることができるものである。
【００８３】
図１５は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００８４】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりエアーを吹出して基板１を加熱プレート２ａから剥離する剥離手段１４を備えたものである。
【００８５】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａの通孔１３から吹出すエアーによって基板１を加熱プレート２ａから容易に剥離することができるものである。
【００８６】
図１６は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００８７】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板１を加熱プレート２ａから剥離する静電気中和型の剥離手段１５を形成したものである。具体的には、中空構造とした加熱プレート２ａ内に密閉型のイオン発生装置３０を配設し、通孔１３よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板１の静電気を中和して基板１を円滑に剥離するようにしたものである。
【００８８】
本実施の形態においては、基板１が帯電しても加熱プレート２ａの通孔１３から吹出されるイオン性のガスによって帯電を中和させることができ、簡単に加熱プレート２ａから基板１を容易に剥離させることができるものである。
【００８９】
図１７は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００９０】
本実施の形態においては、通孔１３を形成した加熱プレート２ａに多数本の凹条１６を形成したものである。
【００９１】
本実施の形態においては、基板１が帯電していても、加熱プレート２ａとの接触面積が多数本の凹条１６によって小さくなるので、帯電による吸着面積が小さくなるとともに、エアーが凹条１６を介して回り込むことによって、基板１を簡単に剥離することができるものである。
【００９２】
図１８は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００９３】
本実施の形態においては、基板１の両面に形成した電極３ａに接触させるプローブ４ａ，４ｂを基板１の両側に各複数本ずつ備えているものである。
【００９４】
本実施の形態においては、表裏に電極３ａを形成した１枚の基板１に両面から複数本ずつのプローブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、例えば１本のプローブ４ａ1が電極３ａに接触していなくても、他のプローブ４ａ2，４ａ3，４ａ4が存在していることから、他のプローブ４ａ2，４ａ3，４ａ4のうちの一つが接触していればよくて電極３ａに対する接触の信頼性を高めることができるのである。
【００９５】
しかして、図１８（ａ）に示すように、電極３ａに切れ目４２やひび４３や割れが生じて電極パターンが切れている場合でも、プローブ４ａ1，４ａ2，４ａ3，４ａ4…複数個あり、かつ、切れ目４２のつくる各電極パターン領域に少なくとも１本のプローブ４ａ1（４ａ2）接触していれば電圧は印加され、分極処理がおこなえるのである。
【００９６】
更に、図１８（ｂ）に示すように、電極３ａとプローブ４ａ1との間にごみ等の異物イが存在している場合や、同図（ｃ）に示すように、電極３ａの厚みの異常によって隙間ニが生じていて接触不良が生じていても、表裏に少なくも１対ずつプローブ４ａ2，４ｂが電極３ａ，３ｂに接触していれば基板１には電圧が印加されて分極処理がおこなえる。符号ロは素子の１個分を示す。
【００９７】
図１９（ａ）は更に他の実施の形態を示し、本実施の形態においては、同一の加熱プレ−ト２ｂ（上の加熱プレート２ａは図示していない）内に複数個の基板１…を配して同時に処理するようにしたものである。同図（ｂ）は更に他の実施の形態を示し、基板１に形成する電極３ａ1，３ａ2，３ａ3，３ａ4が全てつながっていないように電極パターンを複数に分け、各エリアで条件の異なる電極（材質、厚み）３ａ1，３ａ2，３ａ3，３ａ4を形成することで同一の基板１より電極構成の異なる素子を得ることができる。
【００９８】
図２０は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００９９】
本実施の形態においては、基板１の両面に形成した電極３ａに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎に高電圧源３２…を備えたものである。
【０１００】
本実施の形態においては、同図（ｂ）に示すように、基板１に形成する電極３ａ1，３ａ2，３ａ3，３ａ4が全てつながっていないように電極パターンを複数に分けて分極エリアを形成し、各エリアに上下１本ずつのプローブ４ａ，４ｂを接触させ、かつ、同図（ａ）に示すように、各プローブ４ａ，４ｂ対を１個の高電圧源３２につなぎ、各エリア毎に個別に印加する電圧値を設定する。電圧印加後、基板１を複数個に分割し、同一の基板１から印加電圧値の異なる素子を得る。
【０１０１】
図２１は更に他の実施の形態を示し、本実施の形態においては、同一の加熱プレ−ト２ｂ（上の加熱プレート２ａは図示していない）内に複数個の基板１…をセットし、各基板１に上下１本ずつプローブ４ａ，４ｂを接触させ、各プローブ４ａ，４ｂ対につながっている高電圧源３２により基板１別に電圧値を設定して同時に処理するようにしたものである。
【０１０２】
図２２は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１０３】
本実施の形態においては、基板１の両面に形成した電極３ａに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎の高電圧源３２の極性を切換える手段を備えているものである。
【０１０４】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂ対毎に電圧を印加する極性を切換えることで、同図（ｃ）に示すように、分極の方向がエリアによって異なる素子を容易に製造することができるのである。又、図２３（ａ）乃至（ｃ）に示すように、印加する電圧の極性を時間によって切換え、複数回にわたって電圧を印加することができ、より分極率の高い基板１、または、素子をつくることができる。
【０１０５】
図２４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１０６】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧あるいは接触位置を検出する手段３３を備えているものである。
【０１０７】
本実施の形態においては、図２に示す実施の形態において、図２４（ａ）に示すように、コイルスプリング２０にて付勢されている治具１８に接触圧を検出する手段３３としての圧力センサー４４を設けてあって、圧力センサー４４によって、プローブ４ａの基板１への接触圧を検出し、この検出結果に基いて、基板１毎の僅かな厚みの違い（基板１の厚みの１０％程度、例えば、数１０μｍ厚の基板１では数μｍのばらつき）を補正するようにして、特定の電圧条件で分極処理ができるようにしたものである。
【０１０８】
図２４（ｂ）は他の実施の形態を示し、接触位置を検出する手段３３としてプローブ４ａの位置を検出する位置センサー５９を設けてあって、プローブ４ａの基板１への接触方向の位置を検出し、その検出結果に基いて、基板１毎の僅かな厚みの違いを補正するようにして、特定の電圧条件で分極処理ができるようにしたものである。
【０１０９】
図２５は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１１０】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接触圧を検出し、その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段３４をプローブ４ａ，４ｂ対に備えているものである。
【０１１１】
具体的には、図２５（ａ）に示すように、各プローブ４ａ，４ｂ毎に得られる圧力信号を入力するとともに印加する電圧値を補正する手段３４としての制御回路３４ａを設け、入力された圧力信号に基いて補正する電圧値を決定し、高電圧源３２の出力をコントロールして、厚みの異なる複数枚を同時に処理できるようにしたものである。
【０１１２】
ところで、同図（ｂ）に示すように、接触位置を検出する手段３３としてプローブ４ａの位置を検出する位置センサー５９を設け、プローブ４ａの基板１への接触方向の位置を検出し、その検出結果を制御回路３４ａに入力し、入力された位置信号に基いて補正する電圧値を決定し、高電圧源３２の出力をコントロールして、厚みの異なる複数枚を同時に処理できるようにしたものである。
【０１１３】
図２６は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１１４】
本実施の形態においては、基板１を挟み込んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真空槽３５内で電圧を印加する手段を備えているものである。
【０１１５】
具体的には、例えば、油回転ポンプを真空ポンプ４５として減圧される真空槽３５内に分極処理装置を収納し、プローブ４ａ，４ｂからの導線を電流導入端子４６を介して高電圧源３２につないだものである。
【０１１６】
本実施の形態によれば、例えば、数１０μｍのように薄い基板１に対向させた電極３ａ，３ｂに高電圧を印加させても真空槽３５内であることから、放電が生じないため、放電による衝撃で基板１に損傷が生じることがないものである。
【０１１７】
図２７は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１１８】
本実施の形態においては、基板１を挟み込んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真空槽３５内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えたものである。
【０１１９】
具体的には、例えば、油回転ポンプを真空ポンプ４５として減圧される真空槽３５内に分極処理装置を収納し、プローブ４ａ，４ｂからの導線を電流導入端子４６を介して高電圧源３２につなぎ、真空槽３５内を数Ｐａ程度にまで減圧させる。減圧後、絶縁ガスボンベ６０から電気的な絶縁性ガス（例えば、六弗化硫黄、六弗化硫黄と窒素の混合ガス）を数１００Ｐａ程度に導入する。
【０１２０】
本実施の形態によれば、高電圧を印加させても真空槽３５内であるから放電が生じず、特に、絶縁性ガスにて覆っていることから、二次的な放電による基板１自身の絶縁破壊を防止することができる。
【０１２１】
図２８は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１２２】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に、基板１に形成した電極３ａ，３ｂ間を短絡する回路を備えているものである。
【０１２３】
具体的には、高電圧源３２による電圧印加が終了した後、例えばトグルスイッチやリレーなどを使用する回路切換装置４７によって電極３ａ，３ｂ間を短絡するように切換えるようにしたものである。
【０１２４】
本実施の形態によれば、電圧を印加し終えた後の基板１が、冷却時に基板１自身の逆帯電によって分極反転するのを防ぐことができ、分極率の低下を防ぐことができ、更に、短絡手段を電圧印加と同一の装置に組み込むことで装置全体が簡略化できるのである。
【０１２５】
図２９は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１２６】
本実施の形態においては、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置３６を備えているものである。
【０１２７】
具体的には、電圧印加回路に抵抗５２を直列に挿入して、その抵抗５２にかかる電圧値を電圧印加回路に流れる電流値として電流モニタリング装置４８によって、時間的にモニタリングするのであり、データ蓄積装置４９、データ表示装置５０を介して電圧印加回路に流れる電流値の良否判定を良否判定制御装置５１によっておこなうのであり、電流値が図２９（ｂ）に示すように、例えば、▲１▼上限値を越えた場合、又、▲２▼時間が経過しても下限値に達しない場合には不良判定がなされて印加電圧が停止される。更に、図２９（ｃ）に示すように、電圧印加回路に流れる電流値を時間的にモニタリングして、データ蓄積装置４９、データ表示装置５０を介して、収束基準値と対比して電流値収束判定がおこなわれ、判定結果にて印加電圧が停止されるのであり、電圧印加時間を制御することができるものである。
【０１２８】
図３０は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１２９】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから構成し、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの間に冷却板３７を挿入自在に構成したものである。
【０１３０】
本実施の形態においては、冷却板３７の挿入によって、基板１の冷却を、一層、短縮することができるのであり、かつ、例えば、材質、厚みを選定した特定の冷却板３７を使用することで、一定の温度勾配で基板１を冷却することができ、急冷による基板１の割れを防ぐことができるのである。
【０１３１】
図３１は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１３２】
本実施の形態においては、加熱プレート２ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから構成し、熱電対５３によって基板１の温度をモニタリングして、その温度の検出結果が入力される制御回路５４によって、基板１を風冷するファン３８の回転数を調節して、熱伝達板６ａ，６ｂから熱源盤５ａ，５ｂが離れたスペースに送風をおこなって温度低下する基板１の温度勾配を調節するようにしたものである。
【０１３３】
図３２は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１３４】
本実施の形態においては、電極３ａがパターン化された基板１上の電極パターンの縁に抵抗測定用電極パッド５５，５５を電極３ａに電気的に導通させて設け、これら抵抗測定用電極パッド５５，５５に抵抗測定用プローブ３９，３９を接触させて電極３ａの抵抗値を測定するようにしたものである。電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂは抵抗測定用電極パッド５５，５５とは別に設けている。
【０１３５】
本実施の形態においては、抵抗測定用プローブ３９，３９によって各電極３ａ，３ｂの抵抗を測定することができ、電極３ａ，３ｂのパターン切れ、厚み不良を検知することができ、かつ、基板１による電極３ａ，３ｂの抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での電圧降下分の補正をすることができ、しかも、処理前後（電圧印加前後）に測定することで、処理中のパターン切れを検知することができ、処理の良否判定をおこなうことができるものである。
【０１３６】
図３３は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１３７】
本実施の形態においては、抵抗測定用プローブ３９，３９が電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂと兼ねているものである。
【０１３８】
具体的には、高電圧源３２と抵抗測定装置５６とを切換えスイッチ５７による切換えによって、抵抗測定用プローブ３９，３９とする状態と電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂとする状態とに切換えるものである。
【０１３９】
本実施の形態においては、装置を簡略化できるとともに、対となる上下のプローブ３９，３９をつないで基板１の抵抗を測定することで、基板１の絶縁性のチェックができるものである。つまり、図３３（ｃ）に示すように、基板１に割れが生じていてこの箇所に電極材料ホが回り込んだ場合、回路は短絡することになり、基板１の絶縁性のチェックができるのである。
【０１４０】
図３４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【０１４１】
本実施の形態においては、基板１の上下に複数本ずつ設けたプローブ４ａ1，４ａ2，４ａ3，４ａ4，４ａ5，４ａ6，４ａ7，４ａ8；４ｂ1，４ｂ2，４ｂ3，４ｂ4…を電気抵抗測定用プローブ３９，３９として使用する際に、特定のプローブ４ａ1に対して他の各プローブ４ａ2…の抵抗を測定するための切替え制御手段４０を備えているものである。
【０１４２】
本実施の形態においては、切換え制御手段４０によって高電圧源３２である直流電源と抵抗測定装置５８とを切換えて、プローブ４ａ1と他のプローブ４ａ2，４ａ3，４ａ4…の選択された一つのプローブ４ａ6とを接続することで、接続されたプローブ４ａ1，４ａ2 間の抵抗値を測定するのであり、例えば、図３４（ａ）に示すように、割れハが生じている場合には、プローブ４ａ6と他のプローブ４ａ1…との抵抗値は無限大となるのであり、特定エリアでの電極３ａの異常を判定することができるのである。
【０１４３】
【発明の効果】
請求項１においては、表裏両面に電極を形成してある基板を２枚の加熱プレートで挟み込み保持し、各加熱プレートに形成してある貫通孔にプローブを挿通させ、基板の両面に形成した電極にプローブを接触させ、加熱させるとともに電圧をかけることにより分極をおこなうから、２枚の加熱プレートによって薄い基板であっても変形させることなく保持することができ、各加熱プレートの貫通孔を通じて基板の両面の電極にプローブを安定的に当接させて電気的処理をおこなうことができ、かつ、上下の加熱プレートによって基板を上下から均一に加熱することから、薄い基板においても割れを防止することができ、基板内に温度差が生じることがなく、均一な分極処理がおこなえるという利点がある。
【０１４４】
請求項２においては、表裏両面に電極を形成してある基板を挟み込み保持する２枚の加熱プレートと、各加熱プレートに形成した貫通孔と、各加熱プレートの貫通孔に挿通させるとともに基板の両面に形成した電極に接触させるプローブと、プローブに電圧を印加する電源とを備えているから、請求項１と同様な効果を得ることができる。
【０１４５】
請求項３においては、加熱プレートが、熱源盤と熱伝達板とから構成されているから、請求項２の効果に加えて、基板の材料や分極処理条件によって熱伝達板の材質を選択することができ、基板の材料に応じた適正な分極処理がおこなえるという利点がある。
【０１４６】
請求項４においては、下の熱伝達板の下に１個の熱源盤を配し、下の熱伝達板より上の熱伝達板に熱伝達可能に構成しているから、請求項３の効果に加えて、１個の熱源盤によって上下の熱伝達板を加熱することができ、装置を簡素化することができるとともに１個の熱源盤によって基板を均一に加熱することができるという利点がある。
【０１４７】
請求項５においては、熱源盤と熱伝達板とが分離可能に構成されているから、請求項３の効果に加えて、熱伝達板から熱源盤を分離することで、基板の冷却時間を短くできるという利点がある。
【０１４８】
請求項６においては、熱源盤と熱伝達板との接合箇所に凹溝及び凸条を備えた凹凸嵌合手段を備えているから、請求項５の効果に加えて、凹溝及び凸条を備えた凹凸嵌合手段によって熱源盤と熱伝達板との位置決めを正確におこなうことができながら、凹凸嵌合手段の嵌合により熱伝導性を高めることができ、加熱時間を短縮することができ、かつ、凹溝及び凸条が冷却フィンの働きをすることから、冷却時間を短縮することができるという利点がある。
【０１４９】
請求項７においては、加熱プレートに圧電材を使用するから、請求項２記載の効果に加えて、誘電体の基板は帯電しやすいが、加熱プレートの圧電材によって電気的な引力・反発力を生じさせることができ、静電気を帯びた基板の固定・剥離が容易になるという利点がある。
【０１５０】
請求項８においては、加熱プレートに熱伝導率の大きい材料を使用するから、請求項２の効果に加えて、加熱プレートを例えば、窒化アルミのように鉄に比べて熱伝導の大きな材料にすることで、熱伝導性を高めることができて基板を均一に加熱しやすくなり、均一な分極が可能になり、更に、加熱時の基板の割れを防止することができるという利点がある。
【０１５１】
請求項９においては、加熱プレートに基板と同じ材料を使用するから、請求項２の効果に加えて、基板の加熱・冷却時に、基板と加熱プレートとが共に同じ量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生を抑制することができるという利点がある。
【０１５２】
請求項１０においては、加熱プレートに電気的な絶縁材料を使用するから、請求項２の効果に加えて、例えば、基板に形成された電極部のみを選択的に分極することが可能であり、更に、絶縁距離を長くとることができることから、プローブに高電圧を印加することが可能であるという利点がある。
【０１５３】
請求項１１においては、プローブの位置を変更可能に構成して、接触圧を変更可能に構成しているから、請求項２の効果に加えて、基板への接触圧を調整することにより、基板の変形量や電気的接触状態の調整が可能となるという利点がある。
【０１５４】
請求項１２においては、下の加熱プレートの上に導電性パッドを介して載置した基板の上に上の加熱プレートを配し、基板の上方からプローブを接触させるとともに、導電性パッドにプローブを上方から接触させているから、請求項２の効果に加えて、一対のプローブを共に上方から接触させることができて、装置を簡素化することができるという利点がある。
【０１５５】
請求項１３においては、導電性パッドを基板の重要部分を避けて形成しているから、請求項１２の効果に加えて、基板の表裏に高電圧を印加させることができ、したがって、分極処理が可能になるという利点がある。
【０１５６】
請求項１４においては、基板を挟む加熱プレートの挟み圧を調整する挟み圧調整手段を備えているから、請求項２の効果に加えて、基板の挟み圧を調整することによって、材料に応じた適正な挟み圧で加熱プレートによって挟むことができ、基板を適正に挟み、プローブを適正な接触力にて接触させることができるという利点がある。
【０１５７】
請求項１５においては、挟み圧調整手段は、ばね力の調整によるものであるから、請求項１４の効果に加えて、ばね力によって挟み圧を容易に調整することができながら、例えば、コイルスプリングを使用する場合には、挟み圧調整手段を加熱プレートに対してコンパクトに一体化することができる等という利点がある。
【０１５８】
請求項１６においては、ばね力による挟み圧調整手段を備えた上下の加熱プレートの挟み治具の操作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にしてあるから、請求項１５の効果に加えて、上下の加熱プレートの挟み操作をワンタッチにておこなうことができ、操作性を高めることができるという利点がある。
【０１５９】
請求項１７においては、加熱プレートに通孔を形成し、基板とは反対側よりエアーを吹出して基板を加熱プレートから剥離する剥離手段を備えているから、請求項２の効果に加えて、加熱プレートの通孔から吹出すエアーによって基板を加熱プレートから容易に剥離することができるという利点がある。
【０１６０】
請求項１８においては、加熱プレートに通孔を形成し、基板とは反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板を加熱プレートから剥離する静電気中和型の剥離手段を形成しているから、請求項２の効果に加えて、基板が帯電しても加熱プレートの通孔から吹出されるイオン性のガスによって帯電を中和させることができ、簡単に加熱プレートから基板を剥離させることができるという利点がある。
【０１６１】
請求項１９においては、通孔を形成した加熱プレートに凹条を形成しているから、請求項１７又は１８の効果に加えて、基板が帯電していても、加熱プレートとの接触面積が凹条によって小さくなるので、帯電による吸着面積が小さくなるとともに、エアーが凹条を介して回り込むことによって、基板を簡単に剥離することができるという利点がある。
【０１６２】
請求項２０においては、基板の両面に形成した電極に接触させるプローブを基板の両側に各複数本ずつ備えているから、請求項２の効果に加えて、表裏に電極を形成した１枚の基板に両面から複数本ずつのプローブを接触させるのであり、１本のプローブが電極に接触していなくても、他のプローブが存在していることから、他のプローブが接触することができて電極に対する接触の信頼性を高めることができるという利点がある。
【０１６３】
請求項２１においては、基板の両面に形成した電極に接触するプローブ対毎に高電圧源を備えているから、請求項２０の効果に加えて、高電圧源によるプローブ対毎の印加電圧を異ならせることができ、例えば、１枚の基板内に形成した各分極エリアにおいて印加電圧値の異なる素子を得ることができ、又、例えば、加熱プレート内に複数個の基板をセットし、複数の基板を異なった印加電圧値で処理することができるという利点がある。
【０１６４】
請求項２２においては、基板の両面に形成した電極に接触するプローブ対毎の高電圧源の極性を切換える手段を備えているから、請求項２１の効果に加えて、プローブ対毎に電圧を印加する極性を切換えることで、分極の方向がエリアによって異なる素子を容易に製造することができ、かつ、印加する電圧の極性を切換えて複数回にわたって電圧印加をおこなうことができ、より分極率の高い基板、または、素子をつくることができるという利点がある。
【０１６５】
請求項２３においては、プローブの基板への接触圧を検出する手段を備えているから、請求項１１の効果に加えて、プローブの基板への接触圧に起因して基板の厚みを相対的に検出することができ、個々の基板の厚みが未知であっても、基板の厚みの違いに対して補正をおこなうことで、特定の電圧条件で分極処理ができるという利点がある。
【０１６６】
請求項２４においては、プローブの基板への接触圧あるいは接触位置を検出し、その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段をプローブ対に備えているから、請求項２１又は２３の効果に加えて、基板の厚みの違いを検出し、厚みの違いに応じて印加する電圧値を補正することにより、厚みの異なる複数枚を同時に処理することができるという利点がある。
【０１６７】
請求項２５においては、基板を挟み込んだ加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内で電圧を印加する手段を備えているから、請求項２の効果に加えて、例えば、数１０μｍのように薄い基板に対向させた電極に高電圧を印加させても真空槽内であることから、放電が生じないため、放電による衝撃で基板に損傷が生じることがないという利点がある。
【０１６８】
請求項２６においては、基板を挟み込んだ加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えているから、請求項２５の効果に加えて、高電圧を印加させても真空槽内であるから放電が生じず、特に、絶縁性ガスにて覆っていることから、二次的な放電による基板自身の絶縁破壊を防止することができるという利点がある。
【０１６９】
請求項２７においては、プローブに電圧を印加する電圧印加回路に、電圧印加が終了した後に基板の両面の電極間を短絡するための回路切換装置を備えているから、請求項２の効果に加えて、電圧を印加し終えた後の基板が、冷却時に基板自身の逆帯電によって分極反転するのを防ぐことができ、分極率の低下を防ぐことができ、更に、短絡手段を電圧印加と同一の装置に組み込むことで装置全体が簡略化できるという利点がある。
【０１７０】
請求項２８においては、プローブに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置を備えているから、請求項２の効果に加えて、電圧印加回路に流れる電流値を時間的にモニタリングすることができ、電圧印加時の異常を発見（不良判定）することができ、かつ、電圧印加時間を制御することができるという利点がある。
【０１７１】
請求項２９においては、熱源盤と熱伝達板との間に冷却板を挿入自在に構成しているから、請求項５の効果に加えて、冷却板の挿入によって、基板の冷却を、一層、短縮することができ、かつ、例えば、材質、厚みを選定した特定の冷却板を使用することで、一定の温度勾配で基板を冷却することができ、急冷による基板の割れを防ぐことができるという利点がある。
【０１７２】
請求項３０においては、基板を風冷するファンを備えているから、請求項５の効果に加えて、基板の冷却時間を、一層、短縮することができ、かつ、ファンの回転数を調節することにより、冷却の温度勾配を変化させることができるという利点がある。
【０１７３】
請求項３１においては、電極がパターン化された基板上の電極パターンの縁に電極の抵抗値を測定することができる抵抗測定用プローブを備えているから、請求項２の効果に加えて、抵抗測定用プローブによって電極の抵抗を測定することができ、電極のパターン切れ、厚み不良を検知することができ、かつ、基板による電極の抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での電圧降下分の補正をすることができ、しかも、処理前後（電圧印加前後）に測定することで、処理中のパターン切れを検知することができ、処理の良否判定をおこなうことができるという利点がある。
【０１７４】
請求項３２においては、抵抗測定用プローブが電圧印加用のプローブと兼ねているから、請求項３１の効果に加えて、装置を簡略化できるとともに、対となる上下のプローブをつなぐことで、基板の絶縁性のチェックができるという利点がある。
【０１７５】
請求項３３においては、基板の上下に複数本ずつ設けたプローブを電気抵抗測定用プローブとして使用する際に、特定のプローブに対して他の各プローブ間の抵抗を測定するための切替え制御手段を備えているから、請求項３２の効果に加えて、各プローブ間の抵抗値が測定でき、特定エリアでの電極の異常を判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施の一形態の概略断面図、（ｂ）は基板の平面図、（ｃ）は側面図である。
【図２】同上の概略断面図である。
【図３】同上の他の実施の形態の概略断面図である。
【図４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図５】同上の更に他の実施の形態の作用を示す概略分解断面図である。
【図６】同上の更に他の実施の形態の作用を示す概略分解断面図である。
【図７】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は作用を示す説明図である。
【図８】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図９】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面図である。
【図１０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図１１】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図１２】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図１３】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図１４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）（ｃ）は概略底面図である。
【図１５】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面図である。
【図１６】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面図である。
【図１７】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面図である。
【図１８】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）（ｃ）は説明図である。
【図１９】（ａ）（ｂ）は同上の更に他の実施の形態を示す斜視図である。
【図２０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は斜視図である。
【図２１】同上の他の例の斜視図である。
【図２２】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）（ｃ）は説明図である。
【図２３】（ａ）（ｂ）（ｃ）は同上の説明図である。
【図２４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は概略断面図である。
【図２５】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は概略断面図である。
【図２６】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２７】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２８】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２９】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）は説明図である。
【図３０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は概略断面図である。
【図３１】同上の更に他の実施の形態の概略断面図である。
【図３２】同上の更に他の実施の形態の説明図である。
【図３３】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は説明図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は説明図である。
【図３４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は説明図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３５】従来例を示し、（ａ）は作用を示す説明図、（ｂ）は作用を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ａ 加熱プレート
２ｂ 加熱プレート
３ａ 電極
３ｂ 電極
４ａ プローブ
４ｂ プローブ
５ａ 熱源盤
５ｂ 熱源盤
６ａ 熱伝達板
６ｂ 熱伝達板
７ 凹溝
８ 凸条
９ 凹凸嵌合手段[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a polarization processing apparatus and an apparatus therefor, and more particularly, to a technique for reliably performing polarization processing of a thin substrate such as a pyroelectric element without causing polarization inversion and simplifying the polarization processing apparatus. Is.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, for example, LiTaO Three A voltage (for example, 5 V / cm) is applied to the ingot A from which the crystal is pulled to perform polarization treatment, and a wafer B having a polarization axis in the electric field direction is cut out from the ingot A [see FIG. 35 (a). ]. The wafer B is sliced and polished to a desired thickness (eg, several tens of μm) [see FIG. 35 (b)]. Thereafter, wiring and electrodes are vapor-deposited on the wafer to obtain an element.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the past, since the polarization process is performed in the initial stage, polarization inversion may occur in the subsequent processes, and only the portion where the electrode is deposited cannot be selectively polarized. was there.
[0004]
The present invention has been made in view of such problems, and it is possible to reliably perform polarization processing without causing polarization reversal, to perform polarization of a selected portion, and to simplify the polarization processing apparatus. It is an object of the present invention to provide a polarization processing method and an apparatus for the same.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In claim 1, Electrodes 3a and 3b are formed on both front and back sides The substrate 1 is sandwiched and held by two heating plates 2a and 2b, The probes 4a and 4b are inserted through the through holes 17 and 17 formed in the heating plates 2a and 2b, The electrodes 3a and 3b formed on both surfaces of the substrate 1 are brought into contact with the probes 4a and 4b, heated, and polarized by applying a voltage. According to such a configuration, even the thin substrate 1 can be held without being deformed by the two heating plates 2a and 2b, Through the through-holes 17 and 17 of each heating plate 2a and 2b Board 1 Electrodes 3a, 3b on both sides The probes 4a and 4b can be stably brought into contact with each other for electrical processing, and the substrate 1 is heated uniformly from above and below by the upper and lower heating plates 2a and 2b. Thus, a uniform polarization process can be performed without causing a temperature difference in the substrate 1.
[0006]
In claim 2, Electrodes 3a and 3b are formed on both front and back sides Two heating plates 2a and 2b that sandwich and hold the substrate 1, The through holes 17 and 17 formed in the heating plates 2a and 2b and the through holes 17 and 17 of the heating plates 2a and 2b are inserted. Probes 4a and 4b are brought into contact with electrodes 3a and 3b formed on both surfaces of the substrate 1, and a power source for applying a voltage to the probes 4a and 4b is provided. According to such a configuration, an effect similar to that of the first aspect can be obtained.
[0007]
According to a third aspect of the present invention, the heating plates 2a and 2b are composed of heat source boards 5a and 5b and heat transfer plates 6a and 6b. According to such a configuration, the material of the heat transfer plates 6a and 6b can be selected according to the material of the substrate 1 and the polarization processing conditions, and an appropriate polarization process according to the material of the substrate 1 can be performed.
[0008]
In claim 4, one heat source board 5b is arranged under the lower heat transfer plate 6b, and is configured to be able to transfer heat to the heat transfer plate 6a above the lower heat transfer plate 6b. It is what. According to such a configuration, the upper and lower heat transfer plates 6a and 6b can be heated by one heat source board 5b, the apparatus can be simplified, and the substrate 1 can be made uniform by one heat source board 5b. Can be heated.
[0009]
In claim 5, the heat source boards 5a and 5b and the heat transfer plates 6a and 6b are configured to be separable. According to such a configuration, the cooling time of the substrate 1 can be shortened by separating the heat source boards 5a and 5b from the heat transfer plates 6a and 6b.
[0010]
In Claim 6, the uneven | corrugated fitting means 9 provided with the ditch | groove 7 and the protruding item | line 8 is provided in the joining location of heat-source board 5a, 5b and heat-transfer board 6a, 6b. . According to such a configuration, the concave / convex fitting means 9 having the concave grooves 7 and the convex strips 8 can accurately position the heat source boards 5a and 5b and the heat transfer plates 6a and 6b, and The thermal conductivity can be increased by fitting the joint means 9, the heating time can be shortened, and the concave groove 7 and the ridges 8 function as cooling fins, so that the cooling time can be shortened. Can do.
[0011]
According to the seventh aspect of the present invention, a piezoelectric material is used for the heating plates 2a and 2b. According to such a configuration, although the dielectric substrate 1 is easily charged, the piezoelectric material of the heating plates 2a and 2b can generate an electric attractive force / repulsive force, and the electrostatically charged substrate 1 can be fixed. -Easy to peel.
[0012]
In the eighth aspect of the present invention, a material having a high thermal conductivity is used for the heating plates 2a and 2b. According to such a configuration, the heating plates 2a and 2b are made of a material having a higher thermal conductivity than iron, for example, aluminum nitride, so that the thermal conductivity can be increased and the substrate 1 can be heated uniformly. This makes it easy to polarize and makes it possible to uniformly polarize the substrate 1 and to prevent the substrate 1 from cracking during heating.
[0013]
In the ninth aspect of the present invention, the same material as that of the substrate 1 is used for the heating plates 2a and 2b. According to such a configuration, when the substrate 1 is heated / cooled, the substrate 1 and the heating plates 2a, 2b both expand / contract by the same amount, so that generation of thermal stress can be suppressed.
[0014]
In the tenth aspect, an electrically insulating material is used for the heating plates 2a and 2b. According to such a configuration, for example, only the electrode portion formed on the substrate 1 can be selectively polarized, and further, the insulation distance can be increased, so that a high voltage is applied to the probes 4a and 4b. Can be applied.
[0015]
According to the eleventh aspect, the positions of the probes 4a and 4b can be changed, and the contact pressure can be changed. According to such a configuration, it is possible to adjust the deformation amount and the electrical contact state of the substrate 1 by adjusting the contact pressure to the substrate 1.
[0016]
In claim 12, the upper heating plate 2a is arranged on the substrate 1 placed on the lower heating plate 2b via the conductive pad 10, and the probe 4a is brought into contact with the substrate 1 from above; The probe 4b is brought into contact with the conductive pad 10 from above. According to such a configuration, the pair of probes 4a and 4b can be brought into contact with each other from above, and the apparatus can be simplified.
[0017]
According to a thirteenth aspect of the present invention, the conductive pad 10 is formed so as to avoid the important portion 11 of the substrate 1. According to such a configuration, a high voltage can be applied to the front and back surfaces of the substrate 1, and thus a polarization process can be performed.
[0018]
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a pinching pressure adjusting means 12 for adjusting the pinching pressure between the heating plates 2a and 2b that sandwich the substrate 1. According to such a configuration, by adjusting the sandwiching pressure of the substrate 1, the heating plates 2a and 2b can sandwich the substrate 1 with an appropriate sandwiching pressure according to the material. Can be contacted with an appropriate contact force.
[0019]
According to a fifteenth aspect of the present invention, the pinch pressure adjusting means 12 is characterized by adjusting the spring force. According to such a configuration, the pinching pressure can be easily adjusted by the spring force. For example, when the coil spring 31 is used, the pinching pressure adjusting means 12 is compactly integrated with the heating plate 2a. Can be
[0020]
According to the sixteenth aspect of the present invention, the operation of the sandwiching jig 26 of the upper and lower heating plates 2a, 2b provided with the sandwiching pressure adjusting means 12 by a spring force can be performed by a one-touch operation. . According to such a configuration, the pinching operation can be performed with one touch, and the operability can be improved.
[0021]
In Claim 17, the through-hole 13 is formed in the heating plate 2a, and it has the peeling means 14 which blows off air from the opposite side to the board | substrate 1 and peels the board | substrate 1 from the heating plate 2a. It is. According to such a structure, the board | substrate 1 can be easily peeled from the heating plate 2a with the air which blows off from the through-hole 13 of the heating plate 2a.
[0022]
In Claim 18, the through hole 13 is formed in the heating plate 2a, and air containing ionic gas is blown from the opposite side of the substrate 1 to peel off the substrate 1 from the heating plate 2a. The means 15 is formed. According to such a configuration, even if the substrate 1 is charged, the charging can be neutralized by the ionic gas blown from the through hole 13 of the heating plate 2a, and the substrate 1 can be easily peeled off from the heating plate 2a. Can be made.
[0023]
In the nineteenth aspect, the concave plate 16 is formed in the heating plate 2a in which the through hole 13 is formed. According to such a configuration, even if the substrate 1 is charged, the contact area with the heating plate 2 a is reduced by the concave stripes 16, so that the adsorption area by charging is reduced and the air passes through the concave stripes 16. By turning around, the substrate 1 can be easily peeled off.
[0024]
The twentieth aspect is characterized in that a plurality of probes 4 a and 4 b are provided on both sides of the substrate 1 to be in contact with the electrodes 3 a and 3 b formed on both surfaces of the substrate 1. According to such a configuration, a plurality of probes 4a and 4b are brought into contact with each other from both sides to a single substrate 1 on which the electrodes 3a and 3b are formed on the front and back sides. 1 Even if it is not in contact with the electrode 3a, the other probe 4a 2 Is present, the other probe 4a 2 Can improve the reliability of contact with the electrode 3a.
[0025]
A twenty-first aspect is characterized in that a high voltage source 32 is provided for each pair of probes 4a and 4b contacting the electrodes 3a and 3b formed on both surfaces of the substrate 1. According to such a configuration, the applied voltage for each pair of probes 4a and 4b by the high voltage source 32 can be varied. For example, elements having different applied voltage values in each polarization area formed in one substrate 1 For example, a plurality of substrates 1 and 1 can be set in the heating plates 2a and 2b, and the plurality of substrates 1 and 1 can be processed with different applied voltage values.
[0026]
According to a twenty-second aspect of the present invention, there is provided means for switching the polarity of the high voltage source 32 for each pair of probes 4a and 4b contacting the electrodes 3a and 3b formed on both surfaces of the substrate 1. According to such a configuration, by switching the polarity to which the voltage is applied for each pair of probes 4a and 4b, it is possible to easily manufacture an element whose polarization direction differs depending on the area, and to change the polarity of the applied voltage. The voltage can be applied multiple times by switching, and the substrate 1 or the element having a higher polarizability can be produced.
[0027]
According to a twenty-third aspect of the present invention, there is provided a means 33 for detecting the contact pressure or contact position of the probes 4a and 4b to the substrate 1. According to such a configuration, the thickness of the substrate 1 can be relatively detected due to the contact pressure or the contact position of the probes 4a and 4b to the substrate 1, and the thickness of the individual substrates 1 and 1 is unknown. Even so, polarization processing can be performed under specific voltage conditions by correcting the difference in thickness of the substrates 1 and 1.
[0028]
According to a twenty-fourth aspect of the present invention, the probe 4a, 4b pair is provided with means 34 for detecting the contact pressure of the probes 4a, 4b to the substrate 1 and correcting the voltage value to be applied according to the detected value. To do. According to such a configuration, a plurality of sheets having different thicknesses can be processed simultaneously by detecting a difference in thickness of the substrate 1 and correcting a voltage value to be applied according to the difference in thickness.
[0029]
According to a twenty-fifth aspect of the present invention, the heating plates 2a and 2b sandwiching the substrate 1 are provided in the vacuum chamber 35, and means for applying a voltage in the vacuum chamber 35 is provided. According to such a configuration, for example, even if a high voltage is applied to the electrodes 3a and 3b opposed to the thin substrate 1 such as several tens of μm, the discharge is not generated because it is in the vacuum chamber 35. The substrate 1 is not damaged by the impact caused by the above.
[0030]
In claim 26, the heating plates 2a and 2b sandwiching the substrate 1 are installed in the vacuum chamber 35, an electrically insulating gas is introduced into the vacuum chamber 35, and a voltage is applied in an insulating gas atmosphere. Means are provided. According to such a configuration, even if a high voltage is applied, discharge does not occur because it is in the vacuum chamber 35, and in particular, since it is covered with an insulating gas, the substrate 1 itself due to secondary discharge is not covered. Insulation breakdown can be prevented.
[0031]
In Claim 27, the voltage application circuit which applies a voltage to probe 4a, 4b In , After voltage application is completed Board 1 Of both sides Electrodes 3a and 3b while Short circuit Circuit switching device 47 for It is characterized by having. According to such a configuration, it is possible to prevent the substrate 1 after applying the voltage from being reversed in polarity by reverse charging of the substrate 1 itself during cooling, and to prevent a decrease in polarizability. The entire apparatus can be simplified by incorporating the short-circuit means in the same apparatus as that for applying the voltage.
[0032]
In a twenty-eighth aspect, the voltage application circuit for applying a voltage to the probes 4a and 4b includes a polarization current measuring device 36. According to such a configuration, the value of the current flowing through the voltage application circuit can be monitored over time, an abnormality during voltage application can be found (defect determination), and the voltage application time can be controlled. Can do.
[0033]
In the twenty-ninth aspect, the cooling plate 37 is configured to be freely inserted between the heat source boards 5a and 5b and the heat transfer plates 6a and 6b. According to such a configuration, the cooling of the substrate 1 can be further shortened by the insertion of the cooling plate 37, and, for example, by using a specific cooling plate 37 with a selected material and thickness, The substrate 1 can be cooled at a constant temperature gradient, and cracking of the substrate 1 due to rapid cooling can be prevented.
[0034]
According to a thirty-third aspect, a fan 38 for cooling the substrate 1 with air is provided. According to such a configuration, the cooling time gradient of the substrate 1 can be further shortened, and the temperature gradient of the cooling can be changed by adjusting the rotational speed of the fan 38.
[0035]
According to a thirty-first aspect, resistance measuring probes 39 and 39 capable of measuring the resistance values of the electrodes 3a and 3b are provided at the edges of the electrode pattern on the substrate 1 on which the electrodes 3a and 3b are patterned. It is a feature. According to such a configuration, the resistances of the electrodes 3a and 3b can be measured by the resistance measurement probes 39 and 39, pattern breakage and thickness failure of the electrodes 3a and 3b can be detected, and the substrate 1 can be detected. Due to the difference in the resistance values of the electrodes 3a and 3b, the voltage drop in the resistance at the time of voltage application can be corrected, and the pattern breaks during processing by measuring before and after processing (before and after voltage application) Can be detected, and the quality of the process can be determined.
[0036]
In the thirty-second aspect, the resistance measurement probes 39 and 39 also function as the voltage application probes 4a and 4b. According to such a configuration, the apparatus can be simplified, and the insulating property of the substrate 1 can be checked by connecting the upper and lower probes 39, 39 which form a pair.
[0037]
In claim 33, when the probes 4a and 4b provided in plurality on the top and bottom of the substrate 1 are used as the electrical resistance measuring probes 39 and 39, a specific probe 4a is used. 1 Each of the other probes 4a 2 It is characterized by comprising switching control means 40 for measuring the resistance between them. According to such a configuration, the resistance value between the probes 39 and 39 can be measured, and abnormality of the electrodes 3a and 3b in the specific area can be determined.
[0038]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below. 1A is a schematic sectional view, FIG. 1B is a plan view of the substrate, FIG. 1C is a side view, and FIG. 2 is a schematic sectional view.
[0039]
The polarization processing apparatus applies voltages to the two heating plates 2a and 2b that sandwich and hold the substrate 1, the probes 4a and 4b that are in contact with the electrodes 3a and 3b formed on both surfaces of the substrate 1, and the probes 4a and 4b. With power supply.
[0040]
The substrate 1 is, for example, LiTaO Three The electrodes 3a and 3b are formed by attaching, for example, a metal film by vapor deposition or plating on the front and back of the substrate 1.
[0041]
As shown in FIG. 2, through-holes 17 and 17 are formed in the two heating plates 2a and 2b so that the probes 4a and 4b can be inserted therethrough. For example, a support shaft 19 having a large-diameter portion 19 a at the end is held by a jig 18 so that it can be raised and lowered. A probe 4 a is held at the other end of the support shaft 19, and the support shaft 19 is biased by a coil spring 20. Further, the large diameter portion 19a prevents the protrusion beyond a certain level. As described above, various configurations can be changed for the configuration in which the probe 4a is elastically urged downward and held in a stretchable manner. The two heating plates 2a and 2b can be fixed by fastening means 21 such as bolts.
[0042]
Thus, the two heating plates 2a and 2b are fixed by the tightening means 21, and the substrate 1 is sandwiched and held between the heating plates 2a and 2b. The probes 4a and 4b urged by the coil spring 20 are supported by the substrate 1. The electrodes 3a and 3b are contacted with each other, and are polarized by applying a voltage to the probes 4a and 4b while being heated by the heating plates 2a and 2b by being energized from an AC power source.
[0043]
In this way, even the thin substrate 1 can be held without being deformed by the two heating plates 2a and 2b, and the probes 4a and 4b are stably brought into contact with the substrate 1 for electrical processing. Moreover, since the substrate 1 is uniformly heated from above and below by the upper and lower heating plates 2a and 2b, cracks can be prevented even in the thin substrate 1, and there is a temperature difference in the substrate 1. It does not occur and a uniform polarization process can be performed.
[0044]
FIG. 3 shows another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0045]
In the present embodiment, the heating plates 2a and 2b are constituted by the heat source boards 5a and 5b and the heat transfer plates 6a and 6b, and the heat transfer plates 6a and 6b depend on the material of the substrate 1 and the polarization processing conditions. A material can be selected, and an appropriate polarization process according to the material of the substrate 1 can be performed.
[0046]
FIG. 4 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0047]
In the present embodiment, one heat source board 5b is arranged under the lower heat transfer plate 6b, and heat transfer standing portions 22 and 22 are formed at both ends of the lower heat transfer plate 6b. The upper heat transfer plate 6a is inserted and brought into contact with the upright portions 22 and 22 so that heat can be transferred to the heat transfer plate 6a above the lower heat transfer plate 6b.
[0048]
In the present embodiment, the upper and lower heat transfer plates 6a and 6b can be heated by one heat source board 5b, so that the apparatus can be simplified and the substrate 1 can be attached by one heat source board 5b. It can be heated uniformly.
[0049]
FIG. 5 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0050]
In the present embodiment, the heat source boards 5a and 5b and the heat transfer plates 6a and 6b are configured to be separable.
[0051]
In the present embodiment, the cooling time of the substrate 1 can be shortened by separating the heat source boards 5a and 5b from the heat transfer plates 6a and 6b.
[0052]
FIG. 6 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0053]
In this Embodiment, the uneven | corrugated fitting means 9 provided with the ditch | groove 7 and the protruding item | line 8 is provided in the joining location of heat-source board 5a, 5b and heat-transfer board 6a, 6b.
[0054]
In the present embodiment, the concave / convex fitting means 9 having the concave grooves 7 and the convex strips 8 can accurately position the heat source boards 5a, 5b and the heat transfer plates 6a, 6b, while the concave / convex fitting is performed. By fitting the means 9, the thermal conductivity can be increased, the heating time can be shortened, and since the concave grooves 7 and the ridges 8 function as cooling fins, the cooling time can be shortened. It can be done.
[0055]
FIG. 7 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0056]
In the present embodiment, a piezoelectric material is used for the heating plate 2b. For example, PZT is used as the piezoelectric material. For example, a cylinder (not shown) is disposed on both sides of the heating plate 2b to apply a compression / tensile force.
[0057]
In the present embodiment, as shown in FIG. 5B, a heating force 2b is applied by applying a tensile force C so that a repulsive force B repelling the polarization direction A of the substrate 1 is generated on the heating plate 2b made of piezoelectric material. The direction of the electric field as shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 5A, the piezoelectric plate heating plate 2b is applied with a compressive force so as to generate an attractive force E with respect to the polarization direction of the substrate 1, and an electric field as shown in the drawing is applied to the heating plate 2b. This is what causes the orientation.
[0058]
In the present embodiment, the dielectric substrate 1 is easily charged, but the piezoelectric material of the heating plate 2b can generate an electric attractive force / repulsive force, and the electrostatically charged substrate 1 can be fixed and peeled off. It will be easier.
[0059]
By the way, by using, for example, a material having a larger thermal conductivity than iron, such as aluminum nitride, for the heating plates 2a and 2b, the thermal conductivity can be improved and the substrate 1 can be easily heated uniformly. Uniform polarization is possible, and further, cracking of the substrate 1 during heating can be prevented.
[0060]
Furthermore, the same material as the substrate 1 is used for the heating plates 2a and 2b, for example, LiTaO. Three Can be used, or PZT can be used.
[0061]
In such an embodiment, when the substrate 1 is heated / cooled, the substrate 1 and the heating plates 2a, 2b both expand / contract by the same amount, so that the generation of thermal stress can be suppressed. is there.
[0062]
FIG. 8 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and the same reference numerals are given to the common portions, and the description thereof is omitted.
[0063]
In the present embodiment, an electrically insulating material is used for the heating plates 2a and 2b. Specifically, an aluminum nitride ceramic plate or the like is used as the heating plates 2a and 2b, and a high voltage source can be connected to the probes 4a and 4b to apply a high voltage. Since 2b is an insulating material, for example, only the electrode portion formed on the substrate 1 can be selectively polarized. Further, since the insulation distance can be increased, the probes 4a and 4b can be further layered. It is possible to apply a high voltage.
[0064]
FIG. 9 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0065]
In the present embodiment, as in the embodiment of FIG. 2, a support shaft 19 having a large-diameter portion 19a formed at the end thereof is held up and down by a jig 18, and the probe 4a is connected to the other end of the support shaft 19 at the other end. Is held, and the support shaft 19 is urged and biased by the coil spring 20, and the large-diameter portion 19a prevents the protrusion beyond a certain level. Further, the jig 18 is configured to be movable up and down by an elevating mechanism (not shown), and by changing the vertical position of the probe 4a, the allowance from the heating plate 2a is adjusted and the contact pressure to the substrate 1 is adjusted. Can be changed. That is, when the probe 4a is elastically contacted to the substrate 1 that contacts the heating surface of the heating plate 2a by changing the position of the probe 4a by raising and lowering the jig 18 and changing the allowance from the heating plate 2a, The amount by which the coil spring 20 is compressed is changed to change the contact pressure at which the probe 4 a contacts the substrate 1.
[0066]
In the present embodiment, by adjusting the contact pressure to the substrate 1, the deformation amount and the electrical contact state of the substrate 1 can be adjusted.
[0067]
FIG. 10 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0068]
In the present embodiment, a heating plate 2a is arranged on a substrate 1 placed on a lower heating plate 2b via a metal film conductive pad 10 by vapor deposition or plating, and a probe is formed from above the substrate 1. 4a is made to contact. The lower heating plate 2b is made of an insulating material or a conductive material.
[0069]
In the present embodiment, since the probes 4a and 4b are brought into contact with the conductive pad 10 from above, the pair of probes 4a and 4b can be brought into contact with each other from above, thereby simplifying the apparatus. It can be done. Moreover, according to such a structure, a high voltage can be applied to the front and back of the substrate 1, and polarization can be selectively performed.
[0070]
FIG. 11 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0071]
In this embodiment, a conductive pad 10 made of a metal film, for example, by vapor deposition or plating is formed on the lower heating plate 2b while avoiding the important portion 11 (for example, the element portion) of the substrate 1.
[0072]
According to such a configuration, the probes 4a and 4b are brought into contact with each other from above the substrate 1, the conductive pad 10 is formed so as to avoid the important portion 11 (for example, the element portion) of the substrate 1, and the apparatus is It can be simplified, a high voltage can be applied to the front and back of the substrate 1, and thus a polarization process is possible.
[0073]
FIG. 12 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0074]
In the present embodiment, a clamping pressure adjusting means 12 for adjusting the clamping pressure of the heating plates 2a and 2b that sandwich the substrate 1 is provided. Specifically, the collar 24 is inserted into the jig rod 23 screwed into the lower heating plate 2b, and the collar 24 is pressurized by, for example, a pinch pressure adjusting tool such as a cylinder (not shown). The clamping pressure of 1 is adjusted.
[0075]
In the present embodiment, by adjusting the clamping pressure of the substrate 1, the heating plates 2 a and 2 b can be sandwiched with an appropriate clamping pressure according to the material, the substrate 1 is properly sandwiched, and the probes 4 a and 4 b are It can be contacted with an appropriate contact force.
[0076]
FIG. 13 shows still another embodiment. However, the basic configuration of the present embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and the same reference numerals are given to the common portions and the description thereof is omitted.
[0077]
In the present embodiment, the pinching pressure adjusting means 12 is based on adjustment of the spring force. Specifically, the jig bar 23 is screwed into the lower heating plate 2b, the collar 24 and the coil spring 31 are inserted into the jig bar 23, and the nut 25 screwed into the jig bar 23 is screwed up and down, so that the coil The pinching pressure of the substrate 1 is adjusted by changing the compression amount of the spring 31.
[0078]
In the present embodiment, the pinching pressure can be easily adjusted by the spring force, but the pinching pressure adjusting means 12 is compactly integrated with the heating plate 2a by using, for example, the coil spring 31. It is something that can be done.
[0079]
FIG. 14 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0080]
In the present embodiment, the operation of the sandwiching jig 26 of the upper and lower heating plates 2a, 2b provided with the sandwiching pressure adjusting means 12 by the spring force is configured to be performed by a one-touch operation. Specifically, a round through hole 27 is formed in the upper heating plate 2 a, and a long hole 28 is formed in the lower heating plate 2 b, and the lower end of the jig rod 23 inserted through the through hole 27 and the long hole 28 is formed. An oval large-diameter portion 29 is formed.
[0081]
In the present embodiment, after passing the oval large-diameter portion 29 through the long hole 28, the jig rod 23 is rotated to prevent the large-diameter portion 29 from removing as shown in FIG. Thus, the operation of the sandwiching jig 26 of the upper and lower heating plates 2a, 2b provided with the sandwiching pressure adjusting means 12 by the spring force can be performed by a one-touch operation.
[0082]
In the present embodiment, the operation of sandwiching the upper and lower heating plates 2a, 2b can be performed with a single touch to improve operability.
[0083]
FIG. 15 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0084]
In the present embodiment, a through hole 13 is formed in the heating plate 2a, and a peeling means 14 for peeling air from the heating plate 2a by blowing air from the opposite side of the substrate 1 is provided.
[0085]
In this Embodiment, the board | substrate 1 can be easily peeled from the heating plate 2a with the air which blows off from the through-hole 13 of the heating plate 2a.
[0086]
FIG. 16 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and the same reference numerals are given to the common parts, and the description thereof is omitted.
[0087]
In the present embodiment, a through hole 13 is formed in the heating plate 2a, and air containing ionic gas is blown from the opposite side of the substrate 1 to peel off the substrate 1 from the heating plate 2a. The peeling means 15 is formed. Specifically, a sealed ion generator 30 is disposed in the heating plate 2a having a hollow structure, and air containing ionic gas is blown from the through holes 13 to neutralize static electricity of the substrate 1. The substrate 1 is peeled off smoothly.
[0088]
In the present embodiment, even if the substrate 1 is charged, the charging can be neutralized by the ionic gas blown from the through hole 13 of the heating plate 2a, and the substrate 1 can be easily removed from the heating plate 2a. It can be peeled off.
[0089]
FIG. 17 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0090]
In the present embodiment, a large number of concave strips 16 are formed on the heating plate 2a in which the through holes 13 are formed.
[0091]
In the present embodiment, even if the substrate 1 is charged, the contact area with the heating plate 2a is reduced by a large number of concave stripes 16, so that the adsorption area due to charging is reduced, and the air passes through the concave stripes 16. The substrate 1 can be easily peeled off by going around.
[0092]
FIG. 18 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0093]
In the present embodiment, a plurality of probes 4 a and 4 b that are brought into contact with the electrodes 3 a formed on both surfaces of the substrate 1 are provided on both sides of the substrate 1.
[0094]
In the present embodiment, a plurality of probes 4a and 4b are brought into contact with one substrate 1 having electrodes 3a formed on the front and back sides, for example, one probe 4a. 1 Even if it is not in contact with the electrode 3a, the other probe 4a 2 , 4a Three , 4a Four Is present, the other probe 4a 2 , 4a Three , 4a Four Any one of them may be in contact, and the reliability of contact with the electrode 3a can be improved.
[0095]
Thus, as shown in FIG. 18 (a), even if the electrode 3a has a cut 42, a crack 43, or a crack and the electrode pattern is cut, the probe 4a 1 , 4a 2 , 4a Three , 4a Four ... There are a plurality and at least one probe 4a in each electrode pattern region formed by the cut 42 1 (4a 2 ) If in contact, voltage is applied and polarization can be performed.
[0096]
Furthermore, as shown in FIG. 18B, the electrode 3a and the probe 4a 1 Even if there is foreign matter such as dust between them, or even if there is a gap deficiency due to abnormal thickness of the electrode 3a as shown in FIG. At least one pair of probes 4a 2 , 4b are in contact with the electrodes 3a, 3b, a voltage is applied to the substrate 1 to perform polarization treatment. Symbol b indicates one element.
[0097]
FIG. 19A shows still another embodiment. In this embodiment, a plurality of substrates 1... Are placed in the same heating plate 2b (the upper heating plate 2a is not shown). It is arranged to process at the same time. FIG. 5B shows still another embodiment, and an electrode 3a formed on the substrate 1 is shown. 1 , 3a 2 , 3a Three , 3a Four The electrode pattern is divided into a plurality so that they are not all connected, and electrodes (material, thickness) 3a having different conditions in each area 1 , 3a 2 , 3a Three , 3a Four By forming, elements having different electrode configurations can be obtained from the same substrate 1.
[0098]
FIG. 20 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0099]
In the present embodiment, a high voltage source 32 is provided for each pair of probes 4a and 4b in contact with the electrodes 3a formed on both surfaces of the substrate 1.
[0100]
In the present embodiment, as shown in FIG. 5B, the electrode 3a formed on the substrate 1 1 , 3a 2 , 3a Three , 3a Four The electrode patterns are divided into a plurality so that all of the electrodes are not connected to each other to form a polarization area, and the upper and lower probes 4a and 4b are brought into contact with each area, and as shown in FIG. A pair of 4a and 4b is connected to one high voltage source 32, and a voltage value to be applied individually is set for each area. After voltage application, the substrate 1 is divided into a plurality of elements, and elements having different applied voltage values are obtained from the same substrate 1.
[0101]
FIG. 21 shows still another embodiment. In this embodiment, a plurality of substrates 1 are set in the same heating plate 2b (the upper heating plate 2a is not shown). Probes 4a and 4b are brought into contact with each substrate 1 one by one, and a voltage value is set for each substrate 1 by a high voltage source 32 connected to each pair of probes 4a and 4b so that the processing is performed simultaneously.
[0102]
FIG. 22 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0103]
In the present embodiment, there is provided means for switching the polarity of the high voltage source 32 for each pair of probes 4a and 4b contacting the electrodes 3a formed on both surfaces of the substrate 1.
[0104]
In the present embodiment, by switching the polarity to which the voltage is applied for each pair of probes 4a and 4b, as shown in FIG. 5C, it is possible to easily manufacture an element whose polarization direction varies depending on the area. It is. Also, as shown in FIGS. 23A to 23C, the polarity of the voltage to be applied can be switched over time, and the voltage can be applied multiple times, thereby producing a substrate 1 or element having a higher polarizability. be able to.
[0105]
FIG. 24 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0106]
In this embodiment, means 33 for detecting the contact pressure or contact position of the probes 4a, 4b to the substrate 1 is provided.
[0107]
In this embodiment, as shown in FIG. 24A in the embodiment shown in FIG. 2, the pressure as means 33 for detecting the contact pressure on the jig 18 biased by the coil spring 20 is used. A sensor 44 is provided, and the pressure sensor 44 detects the contact pressure of the probe 4a to the substrate 1. Based on the detection result, a slight thickness difference for each substrate 1 (10% of the thickness of the substrate 1). The degree of, for example, a variation of several μm in the substrate 1 having a thickness of several tens of μm is corrected so that the polarization process can be performed under specific voltage conditions.
[0108]
FIG. 24B shows another embodiment in which a position sensor 59 for detecting the position of the probe 4a is provided as means 33 for detecting the contact position, and the position of the probe 4a in the direction of contact with the substrate 1 is determined. Detection is performed, and a slight thickness difference for each substrate 1 is corrected based on the detection result, so that polarization processing can be performed under specific voltage conditions.
[0109]
FIG. 25 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and the same reference numerals are given to the common portions, and the description thereof is omitted.
[0110]
In this embodiment, the probe 4a, 4b pair is provided with means 34 for detecting the contact pressure of the probes 4a, 4b to the substrate 1 and correcting the voltage value applied according to the detected value. .
[0111]
Specifically, as shown in FIG. 25A, a control circuit 34a is provided as a means 34 for inputting a pressure signal obtained for each of the probes 4a and 4b and correcting a voltage value to be applied. The voltage value to be corrected is determined based on the pressure signal, and the output of the high voltage source 32 is controlled so that a plurality of sheets having different thicknesses can be processed simultaneously.
[0112]
By the way, as shown in FIG. 5B, a position sensor 59 for detecting the position of the probe 4a is provided as means 33 for detecting the contact position, and the position of the probe 4a in the contact direction with respect to the substrate 1 is detected and detected. The result is input to the control circuit 34a, the voltage value to be corrected is determined based on the input position signal, the output of the high voltage source 32 is controlled, and a plurality of sheets having different thicknesses can be processed simultaneously. is there.
[0113]
FIG. 26 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0114]
In the present embodiment, heating plates 2 a and 2 b sandwiching the substrate 1 are installed in a vacuum chamber 35, and means for applying a voltage in the vacuum chamber 35 is provided.
[0115]
Specifically, for example, the polarization processing device is housed in a vacuum chamber 35 that is depressurized using an oil rotary pump as a vacuum pump 45, and the lead wires from the probes 4 a and 4 b are connected to the high voltage source 32 via the current introduction terminal 46. It is connected.
[0116]
According to the present embodiment, for example, even if a high voltage is applied to the electrodes 3a and 3b opposed to the thin substrate 1 such as several tens of μm, the discharge is not generated because it is in the vacuum chamber 35. The substrate 1 is not damaged by the impact of the above.
[0117]
FIG. 27 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and the same reference numerals are given to the common portions, and the description will be omitted.
[0118]
In this embodiment, heating plates 2a and 2b sandwiching the substrate 1 are installed in a vacuum chamber 35, an electrically insulating gas is introduced into the vacuum chamber 35, and a voltage is applied in an insulating gas atmosphere. It has a means to do.
[0119]
Specifically, for example, the polarization processing device is housed in a vacuum chamber 35 that is depressurized using an oil rotary pump as a vacuum pump 45, and the lead wires from the probes 4 a and 4 b are connected to the high voltage source 32 via the current introduction terminal 46. Then, the vacuum chamber 35 is depressurized to about several Pa. After decompression, an electrically insulating gas (for example, sulfur hexafluoride, mixed gas of sulfur hexafluoride and nitrogen) is introduced into the insulating gas cylinder 60 to about several hundred Pa.
[0120]
According to the present embodiment, even if a high voltage is applied, discharge does not occur because it is in the vacuum chamber 35, and in particular, since it is covered with an insulating gas, the substrate 1 itself due to secondary discharge is not covered. Insulation breakdown can be prevented.
[0121]
FIG. 28 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0122]
In the present embodiment, a voltage application circuit for applying a voltage to the probes 4a and 4b In The electrodes 3a and 3b formed on the substrate 1 while Is provided with a circuit for short-circuiting.
[0123]
Specifically, after the voltage application by the high voltage source 32 is finished, for example, by a circuit switching device 47 using a toggle switch or a relay. Between electrodes 3a and 3b Are switched so as to be short-circuited.
[0124]
According to the present embodiment, it is possible to prevent the substrate 1 after applying the voltage from being reversed in polarity due to reverse charging of the substrate 1 itself during cooling, and to prevent a decrease in polarizability. The entire device can be simplified by incorporating the short-circuit means in the same device as that for applying the voltage.
[0125]
FIG. 29 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0126]
In the present embodiment, a polarization current measuring device 36 is provided in a voltage application circuit that applies a voltage to the probes 4a and 4b.
[0127]
Specifically, a resistor 52 is inserted in series in the voltage application circuit, and the voltage value applied to the resistor 52 is temporally monitored by the current monitoring device 48 as a current value flowing through the voltage application circuit, and data storage is performed. The pass / fail judgment of the current value flowing to the voltage application circuit via the device 49 and the data display device 50 is performed by the pass / fail judgment control device 51. The current value is, for example, as shown in FIG. If the value is exceeded, or if the lower limit is not reached even after (2) time elapses, a failure determination is made and the applied voltage is stopped. Further, as shown in FIG. 29 (c), the current value flowing through the voltage application circuit is temporally monitored, and the current value convergence is compared with the convergence reference value via the data storage device 49 and the data display device 50. The determination is performed, and the applied voltage is stopped according to the determination result, and the voltage application time can be controlled.
[0128]
FIG. 30 shows still another embodiment. However, the basic configuration of the present embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and the same reference numerals are given to the common portions and the description thereof is omitted.
[0129]
In the present embodiment, the heating plates 2a and 2b are composed of heat source boards 5a and 5b and heat transfer plates 6a and 6b, and a cooling plate 37 is provided between the heat source boards 5a and 5b and the heat transfer plates 6a and 6b. Is configured to be freely inserted.
[0130]
In the present embodiment, the cooling of the substrate 1 can be further shortened by inserting the cooling plate 37, and, for example, by using a specific cooling plate 37 having a selected material and thickness. Thus, the substrate 1 can be cooled at a constant temperature gradient, and cracking of the substrate 1 due to rapid cooling can be prevented.
[0131]
FIG. 31 shows still another embodiment. However, the basic configuration of the present embodiment is the same as that of the above embodiment, and the same reference numerals are given to the common portions, and the description will be omitted.
[0132]
In the present embodiment, the heating plates 2a and 2b are composed of the heat source panels 5a and 5b and the heat transfer plates 6a and 6b, and the temperature of the substrate 1 is monitored by the thermocouple 53, and the detection result of the temperature is obtained. The control circuit 54 that is input adjusts the rotation speed of the fan 38 that cools the board 1 to blow air to the space where the heat source boards 5a and 5b are separated from the heat transfer plates 6a and 6b, thereby lowering the temperature of the board 1. The temperature gradient is adjusted.
[0133]
FIG. 32 shows still another embodiment. However, the basic configuration of the present embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and the same reference numerals are given to the common portions and the description thereof is omitted.
[0134]
In the present embodiment, resistance measurement electrode pads 55 and 55 are electrically connected to the electrode 3a at the edge of the electrode pattern on the substrate 1 on which the electrode 3a is patterned, and these resistance measurement electrode pads 55 are provided. , 55 are brought into contact with resistance measuring probes 39, 39 to measure the resistance value of the electrode 3a. The voltage application probes 4a and 4b are provided separately from the resistance measurement electrode pads 55 and 55, respectively.
[0135]
In the present embodiment, the resistances of the electrodes 3a and 3b can be measured by the resistance measuring probes 39 and 39, the pattern cut and the thickness defect of the electrodes 3a and 3b can be detected, and the substrate 1 Due to the difference in the resistance values of the electrodes 3a and 3b, the voltage drop in the resistance at the time of voltage application can be corrected, and the pattern breaks during processing by measuring before and after processing (before and after voltage application) Can be detected, and the quality of the process can be determined.
[0136]
FIG. 33 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0137]
In the present embodiment, the resistance measurement probes 39, 39 also serve as voltage application probes 4a, 4b.
[0138]
More specifically, the high voltage source 32 and the resistance measuring device 56 are switched by a changeover switch 57 to switch between a state in which the resistance measurement probes 39 and 39 are used and a state in which the voltage application probes 4a and 4b are used. is there.
[0139]
In the present embodiment, the apparatus can be simplified, and the insulation of the substrate 1 can be checked by measuring the resistance of the substrate 1 by connecting the pair of upper and lower probes 39, 39. In other words, as shown in FIG. 33 (c), when the substrate 1 is cracked and the electrode material E wraps around this portion, the circuit is short-circuited, and the insulation of the substrate 1 can be checked. is there.
[0140]
FIG. 34 shows still another embodiment. However, the basic configuration of this embodiment is the same as that of the above-described embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0141]
In the present embodiment, a plurality of probes 4a provided on the top and bottom of the substrate 1 respectively. 1 , 4a 2 , 4a Three , 4a Four , 4a Five , 4a 6 , 4a 7 , 4a 8 ; 4b 1 , 4b 2 , 4b Three , 4b Four Are used as the electrical resistance measuring probes 39, 39, the specific probe 4a 1 Each of the other probes 4a 2 Is provided with a switching control means 40 for measuring the resistances.
[0142]
In the present embodiment, the switching control means 40 switches between the DC power source that is the high voltage source 32 and the resistance measuring device 58, and the probe 4a. 1 And other probes 4a 2 , 4a Three , 4a Four One selected probe 4a 6 Are connected to each other so that the connected probe 4a 1 , 4a 2 For example, as shown in FIG. 34 (a), when cracks occur, the probe 4a is measured. 6 And other probes 4a 1 The resistance value is infinite, and it is possible to determine the abnormality of the electrode 3a in the specific area.
[0143]
【The invention's effect】
In claim 1, Electrodes are formed on both sides Hold the substrate sandwiched between two heating plates, Insert the probe through the through hole formed in each heating plate, Since the probe is brought into contact with the electrodes formed on both surfaces of the substrate and heated and applied with voltage, polarization is performed by two heating plates, so that even a thin substrate can be held without deformation, Through the through hole of each heating plate substrate Double-sided electrode The probe can be stably brought into contact with the substrate to perform electrical processing, and since the substrate is heated uniformly from above and below by the upper and lower heating plates, cracks can be prevented even in a thin substrate. There is an advantage that a uniform polarization process can be performed without any temperature difference.
[0144]
In claim 2, Electrodes are formed on both sides Two heating plates that sandwich and hold the substrate; While inserting the through hole formed in each heating plate and the through hole of each heating plate Since the probe that is brought into contact with the electrodes formed on both surfaces of the substrate and the power source that applies a voltage to the probe are provided, the same effect as in the first aspect can be obtained.
[0145]
In claim 3, since the heating plate is composed of a heat source panel and a heat transfer plate, in addition to the effect of claim 2, the material of the heat transfer plate is selected according to the substrate material and polarization processing conditions. There is an advantage that an appropriate polarization process according to the material of the substrate can be performed.
[0146]
In claim 4, since one heat source board is arranged under the lower heat transfer plate and is configured to be able to transfer heat to the heat transfer plate above the lower heat transfer plate, the effect of claim 3 is achieved. In addition, it is possible to heat the upper and lower heat transfer plates with a single heat source board, and it is possible to simplify the apparatus and to uniformly heat the substrate with a single heat source board. .
[0147]
In claim 5, since the heat source plate and the heat transfer plate are configured to be separable, in addition to the effect of claim 3, by separating the heat source plate from the heat transfer plate, the cooling time of the substrate is shortened. There is an advantage that you can.
[0148]
In Claim 6, since the uneven | corrugated fitting means provided with the ditch | groove and the protrusion on the joining location of a heat-source board and a heat transfer board is provided, in addition to the effect of Claim 5, a ditch | groove and a protrusion are While the uneven fitting means provided can accurately position the heat source panel and the heat transfer plate, the fitting of the uneven fitting means can increase the thermal conductivity and shorten the heating time. And since a ditch | groove and a protrusion act as a cooling fin, there exists an advantage that cooling time can be shortened.
[0149]
In claim 7, since a piezoelectric material is used for the heating plate, in addition to the effect of claim 2, the dielectric substrate is easily charged, but the piezoelectric material of the heating plate provides an electric attractive force / repulsive force. There is an advantage that it can be generated, and it becomes easy to fix and peel off the electrostatically charged substrate.
[0150]
In claim 8, since a material having a high thermal conductivity is used for the heating plate, in addition to the effect of claim 2, the heating plate is made of a material having a higher thermal conductivity than iron, such as aluminum nitride. Thus, there is an advantage that the thermal conductivity can be increased, the substrate can be easily heated uniformly, the polarization can be performed uniformly, and the substrate can be prevented from cracking during heating.
[0151]
In claim 9, since the same material as the substrate is used for the heating plate, in addition to the effect of claim 2, when the substrate is heated / cooled, both the substrate and the heating plate expand / contract by the same amount. There is an advantage that generation of thermal stress can be suppressed.
[0152]
In claim 10, since an electrically insulating material is used for the heating plate, in addition to the effect of claim 2, for example, it is possible to selectively polarize only the electrode portion formed on the substrate. Furthermore, since the insulation distance can be increased, there is an advantage that a high voltage can be applied to the probe.
[0153]
In claim 11, since the position of the probe can be changed and the contact pressure can be changed, in addition to the effect of claim 2, the substrate can be adjusted by adjusting the contact pressure to the substrate. There is an advantage that the amount of deformation and the electrical contact state can be adjusted.
[0154]
According to a twelfth aspect of the present invention, the upper heating plate is disposed on the lower heating plate via the conductive pad, the probe is brought into contact with the upper side of the substrate, and the probe is placed on the conductive pad. Since the contact is made from above, in addition to the effect of the second aspect, there is an advantage that the pair of probes can be contacted together from above and the apparatus can be simplified.
[0155]
In claim 13, since the conductive pad is formed so as to avoid an important part of the substrate, in addition to the effect of claim 12, a high voltage can be applied to the front and back of the substrate. There is an advantage that it becomes possible.
[0156]
According to the fourteenth aspect of the present invention, since the sandwiching pressure adjusting means for adjusting the sandwiching pressure of the heating plate that sandwiches the substrate is provided, in addition to the effect of the second aspect, by adjusting the sandwiching pressure of the substrate, a material corresponding to the material can be obtained. There is an advantage that the heating plate can sandwich the substrate with an appropriate sandwiching pressure, the substrate can be sandwiched properly, and the probe can be brought into contact with an appropriate contact force.
[0157]
In the fifteenth aspect, since the pinching pressure adjusting means is based on the adjustment of the spring force, in addition to the effect of the fourteenth aspect, the pinching pressure can be easily adjusted by the spring force. Is used, there is an advantage that the clamping pressure adjusting means can be integrated with the heating plate in a compact manner.
[0158]
In claim 16, in addition to the effect of claim 15, in addition to the effect of claim 15, the operation of the sandwiching jig of the upper and lower heating plates provided with the sandwiching pressure adjusting means by spring force can be performed by one-touch operation. There is an advantage that the sandwiching operation of the heating plate can be performed with one touch, and the operability can be improved.
[0159]
In claim 17, since a through-hole is formed in the heating plate and air is blown from the side opposite to the substrate to release the substrate from the heating plate, in addition to the effect of claim 2, the heating is performed. There exists an advantage that a board | substrate can be easily peeled from a heating plate with the air which blows off from the through-hole of a plate.
[0160]
In claim 18, a through hole is formed in the heating plate, and air containing ionic gas is blown from the opposite side of the substrate to form an electrostatic neutralization type peeling means for peeling the substrate from the heating plate. Therefore, in addition to the effect of the second aspect, even if the substrate is charged, the charging can be neutralized by the ionic gas blown from the through hole of the heating plate, and the substrate can be easily peeled off from the heating plate. There is an advantage that you can.
[0161]
According to the nineteenth aspect of the present invention, since the recess is formed in the heating plate in which the through hole is formed, in addition to the effect of the seventeenth or eighteenth aspect, even if the substrate is charged, the contact area with the heating plate is concave. Since it becomes smaller by the stripe, there is an advantage that the adsorption area by charging becomes smaller and the substrate can be easily peeled by the air flowing around through the concave stripe.
[0162]
In claim 20, since a plurality of probes to be brought into contact with the electrodes formed on both sides of the substrate are provided on both sides of the substrate, in addition to the effect of claim 2, one substrate having electrodes formed on the front and back sides A plurality of probes are brought into contact with each other from both sides, and even if one probe is not in contact with the electrode, since another probe exists, the other probe can come into contact with the electrode. There is an advantage that the reliability of the contact with respect to can be improved.
[0163]
In claim 21, since a high voltage source is provided for each probe pair contacting the electrodes formed on both surfaces of the substrate, in addition to the effect of claim 20, the applied voltage for each probe pair by the high voltage source is different. For example, an element having a different applied voltage value can be obtained in each polarization area formed in one substrate, or, for example, a plurality of substrates can be set in a heating plate, and a plurality of substrates can be obtained. Can be processed with different applied voltage values.
[0164]
In claim 22, since means for switching the polarity of the high voltage source for each probe pair in contact with the electrodes formed on both surfaces of the substrate is provided, in addition to the effect of claim 21, a voltage is applied to each probe pair. By switching the polarity to be applied, it is possible to easily manufacture an element whose polarization direction varies depending on the area, and it is possible to change the polarity of the voltage to be applied, and to apply the voltage multiple times, resulting in a higher polarizability. There is an advantage that a substrate or an element can be manufactured.
[0165]
Since the means for detecting the contact pressure of the probe to the substrate is provided in claim 23, in addition to the effect of claim 11, the thickness of the substrate is relatively set due to the contact pressure of the probe to the substrate. Even if the thickness of each substrate is unknown, there is an advantage that the polarization process can be performed under a specific voltage condition by correcting the difference in the substrate thickness.
[0166]
In claim 24, since the probe pair is provided with means for detecting the contact pressure or the contact position of the probe on the substrate and correcting the voltage value to be applied according to the detected value, the effect of claim 21 or 23 is provided. In addition, there is an advantage that a plurality of sheets having different thicknesses can be processed simultaneously by detecting a difference in thickness of the substrate and correcting a voltage value to be applied according to the difference in thickness.
[0167]
In claim 25, since the heating plate sandwiching the substrate is installed in the vacuum chamber and means for applying a voltage in the vacuum chamber is provided, in addition to the effect of claim 2, for example, several tens of μm Even if a high voltage is applied to the electrode facing the thin substrate, since it is in the vacuum chamber, no discharge occurs, and there is an advantage that the substrate is not damaged by an impact caused by the discharge.
[0168]
In claim 26, there is provided means for installing a heating plate sandwiching a substrate in a vacuum chamber, introducing an electrically insulating gas into the vacuum chamber, and applying a voltage in an insulating gas atmosphere. In addition to the effect of claim 25, even if a high voltage is applied, discharge does not occur because it is in the vacuum chamber, and in particular, since it is covered with an insulating gas, the substrate itself due to secondary discharge There is an advantage that dielectric breakdown can be prevented.
[0169]
28. A voltage applying circuit for applying a voltage to a probe according to claim 27. In , After voltage application is completed substrate Of both sides electrode while Short circuit Circuit switching device for In addition to the effect of claim 2, the substrate after the application of the voltage can be prevented from reversing the polarization due to the reverse charging of the substrate itself at the time of cooling, and the decrease in polarizability is prevented. In addition, there is an advantage that the entire apparatus can be simplified by incorporating the short-circuit means in the same apparatus as that for applying the voltage.
[0170]
In the twenty-eighth aspect, since the polarization current measuring device is provided in the voltage application circuit for applying a voltage to the probe, in addition to the effect of the second aspect, the current value flowing in the voltage application circuit can be monitored temporally. There is an advantage that abnormality at the time of voltage application can be found (defect determination) and the voltage application time can be controlled.
[0171]
In claim 29, since the cooling plate is configured to be freely inserted between the heat source board and the heat transfer plate, in addition to the effect of claim 5, the cooling of the substrate is further enhanced by inserting the cooling plate. It can be shortened and, for example, by using a specific cooling plate with a selected material and thickness, the substrate can be cooled at a constant temperature gradient, and cracking of the substrate due to rapid cooling can be prevented. There are advantages.
[0172]
According to the thirty-third aspect, since the fan for cooling the substrate is provided, in addition to the effect of the fifth aspect, the cooling time of the substrate can be further shortened and the rotation speed of the fan is adjusted. Thus, there is an advantage that the temperature gradient of cooling can be changed.
[0173]
In claim 31, since a resistance measuring probe capable of measuring the resistance value of the electrode is provided at the edge of the electrode pattern on the substrate on which the electrode is patterned, in addition to the effect of claim 2, the resistance The resistance of the electrode can be measured with a measuring probe, the electrode pattern breakage and thickness failure can be detected, and the difference in the resistance value of the electrode due to the substrate can cause a voltage drop in the resistance during voltage application. Further, there is an advantage that by measuring before and after the process (before and after the voltage application), it is possible to detect the pattern break during the process and to determine whether the process is good or bad.
[0174]
In claim 32, since the resistance measurement probe also serves as a voltage application probe, in addition to the effect of claim 31, the apparatus can be simplified and the upper and lower probes to be paired can be connected to form a substrate. There is an advantage that the insulation can be checked.
[0175]
According to a thirty-third aspect, there is provided a switching control means for measuring a resistance between each other probe with respect to a specific probe when using a plurality of probes provided on the upper and lower sides of the substrate as an electric resistance measuring probe. Thus, in addition to the effect of the thirty-second aspect, the resistance value between the probes can be measured, and the abnormality of the electrode in the specific area can be determined.
[Brief description of the drawings]
1A is a schematic cross-sectional view of an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a plan view of a substrate, and FIG. 1C is a side view.
FIG. 2 is a schematic sectional view of the above.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of the above.
4A and 4B show still another embodiment, wherein FIG. 4A is a schematic sectional view, and FIG. 4B is a schematic plan view.
FIG. 5 is a schematic exploded sectional view showing the operation of still another embodiment of the same.
FIG. 6 is a schematic exploded sectional view showing an operation of still another embodiment of the same.
FIG. 7 shows still another embodiment of the above, and (a) and (b) are explanatory views showing the operation.
FIG. 8 is a schematic sectional view showing still another embodiment of the above.
FIG. 9 is a partial schematic sectional view showing still another embodiment of the above.
10A and 10B show still another embodiment, wherein FIG. 10A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 10B is a schematic plan view.
11A and 11B show still another embodiment, in which FIG. 11A is a schematic sectional view, and FIG. 11B is a schematic plan view.
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the above.
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the above.
14A and 14B show still another embodiment of the present invention, wherein FIG. 14A is a schematic sectional view, and FIGS. 14B and 14C are schematic bottom views.
FIG. 15 is a partial schematic sectional view showing still another embodiment of the above.
FIG. 16 is a partial schematic sectional view showing still another embodiment of the same.
FIG. 17 is a partial schematic sectional view showing still another embodiment of the same.
18A and 18B show still another embodiment of the present invention, wherein FIG. 18A is a perspective view, and FIGS. 18B and 18C are explanatory views.
19 (a) and 19 (b) are perspective views showing still another embodiment of the above.
20A and 20B show still another embodiment, in which FIG. 20A is a schematic sectional view, and FIG. 20B is a perspective view.
FIG. 21 is a perspective view of another example of the above.
FIG. 22 shows still another embodiment of the above, (a) is a schematic sectional view, and (b) and (c) are explanatory views.
FIGS. 23A, 23B, and 23C are explanatory views of the above.
FIG. 24 shows still another embodiment of the present invention, and (a) and (b) are schematic cross-sectional views.
FIG. 25 shows still another embodiment of the present invention, wherein (a) and (b) are schematic cross-sectional views.
FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the above.
FIG. 27 is a schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the above.
FIG. 28 is a schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the above.
FIG. 29 shows still another embodiment of the above, and (a), (b) and (c) are explanatory views.
FIG. 30 shows still another embodiment of the present invention, and (a) and (b) are schematic cross-sectional views.
FIG. 31 is a schematic cross-sectional view of still another embodiment of the above.
FIG. 32 is an explanatory diagram of still another embodiment of the above.
FIG. 33 shows still another embodiment of the present invention, wherein (a) is an explanatory view, (b) is a schematic sectional view, and (c) is an explanatory view.
FIG. 34 shows still another embodiment of the present invention, in which (a) is an explanatory view and (b) is a schematic sectional view.
FIG. 35 shows a conventional example, (a) is an explanatory view showing the action, and (b) is an explanatory view showing the action.
[Explanation of symbols]
1 Substrate
2a Heating plate
2b Heating plate
3a electrode
3b electrode
4a probe
4b probe
5a Heat source panel
5b Heat source panel
6a Heat transfer plate
6b Heat transfer plate
7 groove
8 ridges
9 Uneven fitting means

Claims (33)

表裏両面に電極を形成してある基板を２枚の加熱プレートで挟み込み保持し、各加熱プレートに形成してある貫通孔にプローブを挿通させ、基板の両面の電極にプローブを接触させ、加熱させるとともに電圧をかけることにより分極をおこなうことを特徴とする分極処理方法。 The substrate on which the electrodes are formed on both the front and back sides is sandwiched and held by two heating plates, the probe is inserted into the through hole formed in each heating plate, and the probe is brought into contact with the electrodes on both sides of the substrate and heated. A polarization processing method characterized by performing polarization by applying a voltage together. 表裏両面に電極を形成してある基板を挟み込み保持する２枚の加熱プレートと、各加熱プレートに形成した貫通孔と、各加熱プレートの貫通孔に挿通させるとともに基板の両面の電極に接触させるプローブと、プローブに電圧を印加する電源とを備えて成ることを特徴とする分極処理装置。Two heating plates that sandwich and hold substrates on which electrodes are formed on both front and back surfaces, through holes formed in each heating plate, and probes that are inserted into the through holes of each heating plate and are in contact with the electrodes on both sides of the substrate And a power supply for applying a voltage to the probe. 加熱プレートが、熱源盤と熱伝達板とから構成されて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  The polarization processing apparatus according to claim 2, wherein the heating plate includes a heat source panel and a heat transfer plate. 下の熱伝達板の下に１個の熱源盤を配し、下の熱伝達板より上の熱伝達板に熱伝達可能に構成して成ることを特徴とする請求項３記載の分極処理装置。  4. A polarization processing apparatus according to claim 3, wherein one heat source panel is arranged under the lower heat transfer plate, and heat transfer is possible to the heat transfer plate above the lower heat transfer plate. . 熱源盤と熱伝達板とが分離可能に構成されて成ることを特徴とする請求項３記載の分極処理装置。  4. The polarization processing apparatus according to claim 3, wherein the heat source panel and the heat transfer plate are configured to be separable. 熱源盤と熱伝達板との接合箇所に凹溝及び凸条を備えた凹凸嵌合手段を備えて成ることを特徴とする請求項５記載の分極処理装置。  6. The polarization processing apparatus according to claim 5, further comprising a concave / convex fitting means having a concave groove and a convex strip at a joint portion between the heat source board and the heat transfer plate. 加熱プレートに圧電材を使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  The polarization processing apparatus according to claim 2, wherein a piezoelectric material is used for the heating plate. 加熱プレートに熱伝導率の大きい材料を使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  The polarization processing apparatus according to claim 2, wherein a material having a high thermal conductivity is used for the heating plate. 加熱プレートに基板と同じ材料を使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  The polarization processing apparatus according to claim 2, wherein the same material as the substrate is used for the heating plate. 加熱プレートに電気的な絶縁材料を使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  The polarization processing apparatus according to claim 2, wherein an electrically insulating material is used for the heating plate. プローブの位置を変更可能に構成して、接触圧を変更可能に構成して成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  3. The polarization processing apparatus according to claim 2, wherein the position of the probe is changeable and the contact pressure is changeable. 下の加熱プレートの上に導電性パッドを介して載置した基板の上に上の加熱プレートを配し、基板の上方からプローブを接触させるとともに、導電性パッドにプローブを上方から接触させて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  The upper heating plate is disposed on the substrate placed on the lower heating plate via the conductive pad, and the probe is brought into contact with the conductive pad from above, and the probe is brought into contact with the conductive pad from above. The polarization processing apparatus according to claim 2. 導電性パッドを基板の重要部分を避けて形成して成ることを特徴とする請求項１２記載の分極処理装置。  13. The polarization processing apparatus according to claim 12, wherein the conductive pad is formed so as to avoid an important part of the substrate. 基板を挟む加熱プレートの挟み圧を調整する挟み圧調整手段を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  3. The polarization processing apparatus according to claim 2, further comprising a pinching pressure adjusting means for adjusting a pinching pressure of the heating plate that sandwiches the substrate. 挟み圧調整手段は、ばね力の調整によるものであることを特徴とする請求項１４記載の分極処理装置。  The polarization processing apparatus according to claim 14, wherein the pinching pressure adjusting means is based on adjustment of a spring force. ばね力による挟み圧調整手段を備えた上下の加熱プレートの挟み治具の操作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にして成ることを特徴とする請求項１５記載の分極処理装置。  16. The polarization processing apparatus according to claim 15, wherein the operation of the sandwiching jig for the upper and lower heating plates provided with the sandwiching pressure adjusting means by a spring force can be performed by a one-touch operation. 加熱プレートに通孔を形成し、基板とは反対側よりエアーを吹出して基板を加熱プレートから剥離する剥離手段を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  3. A polarization processing apparatus according to claim 2, further comprising a peeling means for forming a through hole in the heating plate and blowing air from a side opposite to the substrate to peel the substrate from the heating plate. 加熱プレートに通孔を形成し、基板とは反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板を加熱プレートから剥離する静電気中和型の剥離手段を形成して成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  A through hole is formed in the heating plate, and air containing ionic gas is blown from the opposite side of the substrate to form an electrostatic neutralization type peeling means for peeling the substrate from the heating plate. The polarization processing apparatus according to claim 2. 通孔を形成した加熱プレートに凹条を形成して成ることを特徴とする請求項１７又は１８記載の分極処理装置。  The polarization processing apparatus according to claim 17 or 18, wherein a groove is formed on the heating plate in which the through hole is formed. 基板の両面に形成した電極に接触させるプローブを基板の両側に各複数本ずつ備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  3. The polarization processing apparatus according to claim 2, wherein a plurality of probes are provided on both sides of the substrate to be in contact with electrodes formed on both surfaces of the substrate. 基板の両面に形成した電極に接触するプローブ対毎に高電圧源を備えて成ることを特徴とする請求項２０記載の分極処理装置。  21. The polarization processing apparatus according to claim 20, wherein a high voltage source is provided for each probe pair in contact with electrodes formed on both surfaces of the substrate. 基板の両面に形成した電極に接触するプローブ対毎の高電圧源の極性を切換える手段を備えて成ることを特徴とする請求項２１記載の分極処理装置。  The polarization processing apparatus according to claim 21, further comprising means for switching the polarity of a high voltage source for each probe pair in contact with electrodes formed on both surfaces of the substrate. プローブの基板への接触圧あるいは接触位置を検出する手段を備えて成ることを特徴とする請求項１１記載の分極処理装置。  12. The polarization processing apparatus according to claim 11, further comprising means for detecting a contact pressure or a contact position of the probe to the substrate. プローブの基板への接触圧を検出し、その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段をプローブ対に備えて成ることを特徴とする請求項２１又は２３記載の分極処理装置。  24. The polarization processing apparatus according to claim 21, further comprising means for detecting a contact pressure of the probe on the substrate and correcting a voltage value to be applied according to the detected value in the probe pair. 基板を挟み込んだ加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内で電圧を印加する手段を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  3. The polarization processing apparatus according to claim 2, further comprising means for installing a heating plate sandwiching the substrate in a vacuum chamber and applying a voltage in the vacuum chamber. 基板を挟み込んだ加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えて成ることを特徴とする請求項２５記載の分極処理装置。  A heating plate sandwiching a substrate is installed in a vacuum chamber, and an electrical insulating gas is introduced into the vacuum chamber, and means for applying a voltage in an insulating gas atmosphere is provided. 25. The polarization processing apparatus according to 25. プローブに電圧を印加する電圧印加回路に、電圧印加が終了した後に基板の両面の電極間を短絡するための回路切換装置を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。Voltage to the voltage application circuit for applying to the probe, the polarization processing apparatus according to claim 2, characterized in that it comprises a circuit switching device for short-circuiting between the two sides of the electrodes of the substrate after the voltage application was terminated. プローブに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置を備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  3. The polarization processing apparatus according to claim 2, wherein a polarization current measuring device is provided in a voltage application circuit for applying a voltage to the probe. 熱源盤と熱伝達板との間に冷却板を挿入自在に構成して成ることを特徴とする請求項５記載の分極処理装置。  6. The polarization processing apparatus according to claim 5, wherein a cooling plate is inserted between the heat source panel and the heat transfer plate. 基板を風冷するファンを備えて成ることを特徴とする請求項５記載の分極処理装置。  6. The polarization processing apparatus according to claim 5, further comprising a fan for cooling the substrate with air. 電極がパターン化された基板上の電極パターンの縁に電極の抵抗値を測定することができる抵抗測定用プローブを備えて成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。  3. The polarization processing apparatus according to claim 2, further comprising a resistance measuring probe capable of measuring a resistance value of the electrode at an edge of the electrode pattern on the substrate on which the electrode is patterned. 抵抗測定用プローブが電圧印加用のプローブと兼ねて成ることを特徴とする請求項３１記載の分極処理装置。  32. The polarization processing apparatus according to claim 31, wherein the resistance measurement probe also serves as a voltage application probe. 基板の上下に複数本ずつ設けたプローブを電極の電気抵抗測定用プローブとして使用する際に、特定のプローブに対して他の各プローブ間の抵抗を測定するための切替え制御手段を備えて成ることを特徴とする請求項３２記載の分極処理装置。  When a plurality of probes provided on the top and bottom of the substrate are used as electrodes for measuring the electrical resistance of an electrode, a switching control means for measuring the resistance between each other probe with respect to a specific probe is provided. 33. A polarization processing apparatus according to claim 32.
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