JP4105707B2 - 半導体光増幅器及びこれを用いた光増幅装置 - Google Patents
半導体光増幅器及びこれを用いた光増幅装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4105707B2 JP4105707B2 JP2005046675A JP2005046675A JP4105707B2 JP 4105707 B2 JP4105707 B2 JP 4105707B2 JP 2005046675 A JP2005046675 A JP 2005046675A JP 2005046675 A JP2005046675 A JP 2005046675A JP 4105707 B2 JP4105707 B2 JP 4105707B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- pump light
- optical
- optical amplifier
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
- H01S3/302—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects in an optical fibre
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1203—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers over only a part of the length of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5063—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 operating above threshold
- H01S5/5072—Gain clamping, i.e. stabilisation by saturation using a further mode or frequency
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
424 第1の活性層
426 第2の活性層
440 格子
Claims (14)
- 基板と、
前記基板の上に積層され、ポンプ光を生成する第1の活性層と、
前記第1の活性層に結合されるように前記基板の上に積層され、前記ポンプ光によって利得固定され、入力光信号を増幅するための第2の活性層と、
前記第1及び第2の活性層の境界に隣接するように前記基板の上部に形成され、前記第1の活性層で生成されたポンプ光の一部を前記第2の活性層に透過させ、その残りのポンプ光を反射させるための格子と、
を備えることを特徴とする半導体光増幅器。 - 前記格子は、前記第1の活性層の下方に配置されること
を特徴とする請求項1記載の半導体光増幅器。 - 前記半導体光増幅器の第1の端面にコーティングされた低反射層と、前記半導体光増幅器の第2の端面にコーティングされた無反射層と、をさらに備えること
を特徴とする請求項1記載の半導体光増幅器。 - 前記第1の活性層は、1400nm〜1500nmの波長を有するポンプ光を生成すること
を特徴とする請求項1記載の半導体光増幅器。 - 前記格子は、前記第1の活性層の発振波長を安定化させること
を特徴とする請求項4記載の半導体光増幅器。 - 入力光信号をラマン増幅して出力するための光ファイバーと、
前記光ファイバーにポンプ光を供給し、前記ラマン増幅された光信号を増幅して出力するための半導体光増幅器と、
を備え、
前記半導体光増幅器は、
基板と、
前記基板の上に積層され、ポンプ光を生成する第1の活性層と、
前記第1の活性層に結合されるように前記基板の上に積層され、前記ポンプ光によって利得固定され、ラマン増幅された入力光信号を増幅して出力する第2の活性層と、
前記第1及び第2の活性層の境界に隣接するように、前記基板の上部に形成され、前記第1の活性層で生成されたポンプ光の一部を前記第2の活性層に透過させ、その残りのポンプ光を反射させる格子と、を備え、
前記第2の活性層は、前記透過されたポンプ光によって利得固定され、前記反射されたポンプ光は、前記光ファイバーに供給されること
を特徴とする光増幅装置。 - 前記光ファイバーは、分散補償光ファイバー又は単一モード光ファイバーを含むこと
を特徴とする請求項6記載の光増幅装置。 - 前記半導体光増幅器の第1の端面にコーティングされた低反射層と、前記半導体光増幅器の第2の端面にコーティングされた無反射層と、をさらに備えること
を特徴とする請求項6記載の光増幅装置。 - 前記第1の活性層は、1400nm〜1500nmの波長を有するポンプ光を生成すること
を特徴とする請求項6記載の光増幅装置。 - 前記格子は、前記第1の活性層の発振波長を安定化させること
を特徴とする請求項6記載の光増幅装置。 - 前記第1の活性層は、前記ラマン増幅された光信号の波長よりも短い発振波長を有すること
を特徴とする請求項6記載の光増幅装置。 - 前記ラマン増幅された光信号は、前記第1の活性層で吸収されずに、前記第2の活性層に入力されること
を特徴とする請求項6記載の光増幅装置。 - 前記透過されたポンプ光は、前記第2の活性層の利得波長よりも短い波長を有すること
を特徴とする請求項6記載の光増幅装置。 - 前記第1及び第2の活性層の上に積層されるクラッドをさらに備えること
を特徴とする請求項6記載の光増幅装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040012563A KR100617772B1 (ko) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | 반도체 광증폭기 및 이를 이용한 광증폭 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005244231A JP2005244231A (ja) | 2005-09-08 |
JP4105707B2 true JP4105707B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=34858827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005046675A Expired - Fee Related JP4105707B2 (ja) | 2004-02-25 | 2005-02-23 | 半導体光増幅器及びこれを用いた光増幅装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7088502B2 (ja) |
JP (1) | JP4105707B2 (ja) |
KR (1) | KR100617772B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100639963B1 (ko) * | 2004-09-07 | 2006-11-01 | 한국전자통신연구원 | 이득고정 반도체 광증폭기를 이용하여 라만 광증폭을 하는복합형 광증폭기 |
KR100931824B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2009-12-15 | 충남대학교산학협력단 | 반도체 양자점 집적광소자 |
US9077144B2 (en) * | 2013-09-30 | 2015-07-07 | Jds Uniphase Corporation | MOPA laser source with wavelength control |
WO2022054860A1 (ja) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | 古河電気工業株式会社 | 光源、光源装置、光源の駆動方法、ラマン増幅器、およびラマン増幅システム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1267648B1 (it) * | 1994-12-15 | 1997-02-07 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Amplificatore ottico. |
US6778320B1 (en) * | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Avanex Corporation | Composite optical amplifier |
US6529315B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-03-04 | Sycamore Networks, Inc | Optical amplifier providing dispersion compensation |
US6751013B1 (en) * | 2002-01-15 | 2004-06-15 | Onetta, Inc. | Gain-clamped semiconductor optical amplifiers with adjustable gain levels |
-
2004
- 2004-02-25 KR KR1020040012563A patent/KR100617772B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-09-13 US US10/939,725 patent/US7088502B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-23 JP JP2005046675A patent/JP4105707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100617772B1 (ko) | 2006-08-28 |
KR20050086175A (ko) | 2005-08-30 |
US7088502B2 (en) | 2006-08-08 |
US20050185265A1 (en) | 2005-08-25 |
JP2005244231A (ja) | 2005-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4179662B2 (ja) | 光増幅器及び能動型光ファイバ | |
JP2008066739A (ja) | 光信号を増幅させるためのシステム、分散マップを有する伝送システム、及びエルビウムドープファイバ増幅器(edfa) | |
CA2581654C (en) | Cascaded pump delivery for remotely pumped erbium-doped fiber amplifiers | |
JPH1187822A (ja) | 高い小信号利得を有する光繊維増幅器 | |
US8315281B2 (en) | Fiber ring laser system and the operation method thereof | |
JP3600063B2 (ja) | 分布増幅型ファイバラマン増幅器を用いた光ファイバ通信システム | |
US6678087B1 (en) | Optical amplifier and optical fiber communication system using the amplifier | |
JP4105707B2 (ja) | 半導体光増幅器及びこれを用いた光増幅装置 | |
KR100415548B1 (ko) | 2단 장파장 대역 어븀첨가 광섬유 증폭 장치 | |
JP3869435B2 (ja) | ラマン増幅原理を利用した利得固定半導体光増幅器 | |
JP3913755B2 (ja) | 広帯域光源 | |
JP3892446B2 (ja) | ラマン光増幅器モジュール | |
US6781748B2 (en) | Long wavelength optical amplifier | |
US6470113B1 (en) | Broadband light source using seed-beam | |
JP2693662B2 (ja) | 光増幅装置 | |
JP2005218114A (ja) | メトロ波長分割多重ネットワーク | |
US6898003B2 (en) | Dispersion-compensated Raman optical fiber amplifier | |
JP2005244221A (ja) | 利得固定半導体光増幅器 | |
JP2002252399A (ja) | 光増幅器 | |
US20020089738A1 (en) | Optical fiber amplifier and method of amplifying an optical signal | |
JPH11243243A (ja) | 光源モジュール及びそれを用いた光増幅器 | |
JP4703026B2 (ja) | 広帯域ase光源 | |
Yoshida et al. | 1W fiber output operation at 35 degree C of FBG-laser with a GaInAsP laser chip with electric field control layer for fiber Raman amplifier | |
JPWO2004075364A1 (ja) | 遅延位相整合ファイバを用いた光増幅器 | |
JP2006505117A (ja) | 光増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140404 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |